基本信息:
- 专利标题： Cu配線の形成方法
- 专利标题（英）：The method of forming the Cu wiring
- 申请号：JP2013067196 申请日：2013-03-27
- 公开(公告)号：JP6117588B2 公开(公告)日：2017-04-19
- 发明人： 石坂 忠大 , 鈴木 健二 , 島田 篤史
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社
- 申请人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 代理人： 高山 宏志
- 优先权： JP2012271020 2012-12-12
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/532 ; H01L21/285 ; C23C14/34 ; C23C16/16 ; H01L21/3205
公开/授权文献:
- JP2014135465A Cu WIRING FORMATION METHOD 公开/授权日：2014-07-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |