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1. 发明申请

WO2010058980A2 SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：单晶生长装置
公开(公告)号：WO2010058980A2
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/KR2009/006830
申请日：2009-11-20
申请人： SILTRON INC. , LEE, Sang Hun , CHOI, ll Soo , OH, Hyun Jung , JEONG, Seung , MOON, Ji Hun , KIM, Do Yeon
发明人： LEE, Sang Hun , CHOI, ll Soo , OH, Hyun Jung , JEONG, Seung , MOON, Ji Hun , KIM, Do Yeon
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/30
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/16 , C30B29/06
摘要： Embodiments provide a single crystal growing apparatus. The single crystal growing apparatus may include a chamber, a crucible, a heater, and heat supplying means. The crucible may be provided in the chamber to hold silicon melt. The heater may be provided in the chamber to heat the crucible. The heat supplying means may supply heat to a crystal at a necking portion during single crystal growth.
摘要翻译：实施例提供单晶生长装置。单晶生长装置可以包括室，坩埚，加热器和供热装置。坩埚可以设置在室中以保持硅熔体。加热器可以设置在室中以加热坩埚。在单晶生长期间，供热装置可在颈缩部分向晶体供应热量。

2. 发明申请

WO2010058980A3 SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：单晶生长设备
公开(公告)号：WO2010058980A3
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/KR2009006830
申请日：2009-11-20
申请人： SILTRON INC , LEE SANG HUN , CHOI LL SOO , OH HYUN JUNG , JEONG SEUNG , MOON JI HUN , KIM DO YEON
发明人： LEE SANG HUN , CHOI LL SOO , OH HYUN JUNG , JEONG SEUNG , MOON JI HUN , KIM DO YEON
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/30
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/16 , C30B29/06
摘要： Embodiments provide a single crystal growing apparatus. The single crystal growing apparatus may include a chamber, a crucible, a heater, and heat supplying means. The crucible may be provided in the chamber to hold silicon melt. The heater may be provided in the chamber to heat the crucible. The heat supplying means may supply heat to a crystal at a necking portion during single crystal growth.
摘要翻译：实施例提供了一种单晶生长设备。单晶生长设备可以包括腔室，坩埚，加热器和供热装置。坩埚可以设置在室中以保持硅熔体。加热器可以设置在室中以加热坩埚。供热装置可以在单晶生长期间向颈缩部分处的晶体供热。

3. 发明申请

WO2009081523A1 単結晶製造装置および製造方法审中-公开
标题翻译：单晶制造设备和制造方法
公开(公告)号：WO2009081523A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/003542
申请日：2008-12-01
申请人：信越半導体株式会社 , 阿部孝夫
发明人：阿部孝夫
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/16 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：　本発明は、少なくとも、チャンバーと、チャンバー内のルツボと、ルツボの周囲に配されたヒーターと、種結晶を引き上げる引上げ機構と、種結晶および育成した単結晶の導通路とを具備し、ルツボ内に収容した原料多結晶をヒーターによって溶融し、溶融多結晶に種結晶を接触させて引き上げる単結晶製造装置において、底部を曲面状とした円筒状の石英管と、ドーム形状の石英板とを具備し、石英管は、チャンバーの上部より導通路を通して曲面状の底部がルツボ上に臨むように配置され、石英板は、石英管を取り囲むように配置されたものであって、石英管は、少なくとも底部が熱線を反射する反射構造で、石英板は、ルツボに向けて熱線を反射する反射構造であることを特徴とする単結晶製造装置である。これによって、多結晶の溶融時間を短縮してサイクルタイムを短縮することができ、生産コストの低減とともに、電力コストを低減させる単結晶製造装置が提供される。
摘要翻译：单晶体制造装置包括室，坩埚在室内，在坩埚周围设置的加热器，用于提升晶种的提升机构，以及用于晶种的引导通道和生长的单晶。在单晶体制造装置中，包含坩埚的多晶体被加热器熔化，使晶种与熔融的多晶体接触并提升。单晶制造装置的特征在于包括具有弯曲底部的圆柱形石英管和圆顶状石英板，其中石英管被布置成使得其弯曲的底部从坩埚的上部面向坩埚通过导向通道，石英板被布置成包围石英管，并且石英管具有用于从至少其底部反射热射线的反射结构，而石英板具有用于反射的反射结构对坩埚的热射线。因此，单晶体制造装置可以缩短多晶体的熔融时间，从而缩短循环时间，降低生产成本和电力成本。

4. 发明申请

WO2016153537A1 APPARATUSES AND METHODS FOR PRODUCING THIN CRYSTAL FIBERS USING LASER HEATING PEDESTAL GROWTH 审中-公开
标题翻译：使用激光加热膏生产薄晶体纤维的装置和方法
公开(公告)号：WO2016153537A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/US2015/035684
申请日：2015-06-12
申请人： SHASTA CRYSTALS, INC.
发明人： MAXWELL, Gisele , PONTING, Bennett
IPC分类号： C30B13/00 , C30B13/24
CPC分类号： C30B15/16 , C03B37/011 , C03C13/041 , C30B13/24 , C30B29/24 , C30B29/28 , C30B29/60 , C30B29/607 , G02B6/102 , H01S3/06716 , H01S3/1643
摘要： Disclosed are apparatuses and methods for growing thin crystal fibers via optical heating. The apparatuses may include and the methods may employ a source of optical energy for heating a source material to form a molten zone of melted source material, an upper fiber guide for pulling a growing crystal fiber along a defined translational axis away from the molten zone, and a lower feed guide for pushing additional source material along a defined translational axis towards the molten zone. For certain such apparatuses and the methods that employ them, the lower feed guide's translational axis and upper fiber guide's translational axis are substantially aligned vertically and axially so as to horizontally locate the source material in the path of optical energy emitted from the optical energy source, in some cases to within a horizontal tolerance of about 5 µm.
摘要翻译：公开了通过光学加热来生长薄晶体纤维的装置和方法。所述装置可以包括并且所述方法可以采用光能源来加热源材料以形成熔融源材料的熔融区，上纤维引导件，用于沿着限定的平移轴线远离熔融区域拉伸生长中的晶体纤维，以及下部进料导向器，用于沿着限定的平移轴线朝向熔融区域推动附加的源材料。对于某些这样的设备和使用它们的方法，下进料引导件的平移轴和上纤维引导件的平移轴基本上垂直和轴向对准，以便将源材料水平定位在从光能源发射的光能的路径中，在一些情况下在约5μm的水平公差内。

5. 发明申请

WO2014115969A1 단결정 성장 장치 审中-公开
标题翻译：单晶生长装置
公开(公告)号：WO2014115969A1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：PCT/KR2013/011886
申请日：2013-12-19
申请人： 주식회사 엘지실트론
发明人： 이창윤 , 송도원 , 최준혁 , 손진호 , 김철환
IPC分类号： C30B19/08 , C30B15/20 , C30B15/14 , C30B29/20
CPC分类号： C30B35/002 , C30B15/16 , C30B17/00 , C30B29/20 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： 실시 예는 챔버, 상기 챔버 내부에 마련되고, 단결정 성장 원료인 용융액을 수용하는 도가니, 상기 도가니와 상기 챔버의 측벽 사이에 배치되고, 상기 도가니를 가열하는 발열체, 상기 도가니 상단에 배치되는 도가니 스크린을 포함하며, 상기 도가니 스크린은 상기 도가니 내에 수용된 상기 용융액으로부터 발생하는 복사열을 상기 도가니의 내부 측벽으로 반사하는 절곡부를 갖는다.
摘要翻译：单晶生长装置包括：腔室; 坩埚，其布置在所述室中并接收用于单晶生长的原料的熔体; 设置在所述坩埚和所述室的侧壁之间的加热坩埚的加热器; 以及设置在所述坩埚的上端的坩埚筛，其中，所述坩埚筛具有用于将从所述坩埚容纳的熔融物产生的辐射热朝向所述坩埚的内侧壁反射的弯曲部。

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