基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR DOPING A SEMICONDUCTOR MATERIAL
- 专利标题（中）：用于掺杂半导体材料的方法
- 申请号：PCT/FR2011000385 申请日：2011-07-01
- 公开(公告)号：WO2012007653A8 公开(公告)日：2012-08-02
- 发明人： FORSTER MAXIME , FOURMOND ERWANN , STADLER JACKY , EINHAUS ROLAND , LAUVRAY HUBERT
- 申请人： APOLLON SOLAR , SILTRONIX , FORSTER MAXIME , FOURMOND ERWANN , STADLER JACKY , EINHAUS ROLAND , LAUVRAY HUBERT
- 专利权人： APOLLON SOLAR,SILTRONIX,FORSTER MAXIME,FOURMOND ERWANN,STADLER JACKY,EINHAUS ROLAND,LAUVRAY HUBERT
- 当前专利权人： APOLLON SOLAR,SILTRONIX,FORSTER MAXIME,FOURMOND ERWANN,STADLER JACKY,EINHAUS ROLAND,LAUVRAY HUBERT
- 优先权： FR1003009 2010-07-16
- 主分类号： C30B11/04
- IPC分类号： C30B11/04
摘要：
According to the invention, a load (4) of semiconductor material is placed in a crucible (1). A sealed sacrificial container (5) containing a dopant material (6) is placed inside the crucible (1). The contents of the crucible (1) are melted, thereby causing the dopant to be incorporated into the bath of molten material. The raising of the temperature is carried at a low pressure.
摘要（中）：
根据本发明，将半导体材料的负载（4）放置在坩埚（1）中。 将包含掺杂剂材料（6）的密封牺牲容器（5）放置在坩埚（1）的内部。 坩埚（1）的内容物熔化，从而使掺杂剂掺入到熔融材料的熔池中。 温度的升高在低压下进行。