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1. 发明申请

WO2010033792A1 TEXTURED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICES 审中-公开
标题翻译：纹理半导体发光器件
公开(公告)号：WO2010033792A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/US2009/057463
申请日：2009-09-18
申请人： LUMENZ LLC , ADEKORE, Bunmi, T. , PIERCE, Jonathan , KENNEY, George, B. , TARASCHI, Gianni
发明人： ADEKORE, Bunmi, T. , PIERCE, Jonathan , KENNEY, George, B. , TARASCHI, Gianni
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/0237 , H01L21/02403 , H01L21/0243 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02494 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/28 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/483 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16
摘要： A light-emitting device, such as a light-emitting diode (LED), includes a substrate including a ZnO-based material, and a structure disposed on a first side of the substrate. The structure includes a plurality of semiconductor layers and an active layer disposed between the plurality of semiconductor layers. The device further includes at least one textured light emission surface arranged to extract at least some light generated within the device.
摘要翻译：诸如发光二极管（LED）的发光器件包括包括ZnO基材料的基板和设置在基板的第一侧上的结构。该结构包括多个半导体层和设置在多个半导体层之间的有源层。该装置还包括至少一个纹理光发射表面，布置成提取在该装置内产生的至少一些光。

2. 发明申请

WO2010024411A1 化合物エピタキシャル層の製造方法、化合物エピタキシャル層、半導体積層構造および半導体発光デバイス审中-公开
标题翻译：用于形成复合外延层，复合外延层，半导体层状结构和半导体发光器件的方法
公开(公告)号：WO2010024411A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/JP2009/065118
申请日：2009-08-28
申请人：財団法人神奈川科学技術アカデミー , 国立大学法人東京大学 , 三菱化学株式会社 , 藤岡洋 , 小林篤 , 堀江秀善 , 天内英隆 , 長尾哲
发明人：藤岡　洋 , 小林　篤 , 堀江　秀善 , 天内　英隆 , 長尾　哲
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/0262 , C30B25/06 , C30B25/14 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/007
摘要：　（ａ）ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面となす角度が１０°以上であり、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全て、または一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、その際に、間欠的な供給シーケンスにおける任意の供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と、次の元素供給までの供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、　１×１０－６　ｓｅｃ　≦　Ｔｏｆｆ　≦　１×１０－２　ｓｅｃ　　１×１０－６　ｓｅｃ　≦　Ｔｏｎ　≦　１×１０－２　ｓｅｃを満たすように供給してＺｎＯ基板上に化合物エピタキシャル層を結晶成長する。この方法により、製造歩留まりを低下させるドロップレットの発生が低減され、同時に良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層が製造される。
摘要翻译：公开了一种形成化合物外延层的方法。（a）提供具有与{0001}面成10°以上的生长面的ZnO基板。（b）用于复合外延层形成的全部或一些元素在衬底上的生长面上间歇地供给。复合外延层通过在ZnO衬底上的晶体生长而形成，通过供给元件，使得在间歇供给序列中，任何供给持续时间Ton（sec）和供给停止时间Toff（sec）元件供应和后续元件供应的完成满足下列公式：1×10-6 sec = Toff = 1×10-2 sec 1×10-6 sec = Ton = 1×10-2 sec该方法可以减少液滴的发生，降低外延层的产率，同时可以形成具有良好结晶性的复合外延层。

3. 发明申请

WO2009110436A1 窒化物半導体結晶とその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体晶体及其制造方法
公开(公告)号：WO2009110436A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/053893
申请日：2009-03-02
申请人：三菱化学株式会社 , 藤戸健史 , 久保秀一 , 眞重洋子
发明人：藤戸健史 , 久保秀一 , 眞重洋子
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/14 , C30B25/18 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/00 , C01B21/06 , C23C16/303 , C30B23/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , Y10T428/2982
摘要：　所望の主面を有する板状の窒化物半導体結晶を簡便な方法で効率よく製造する方法を提供する。種結晶上の結晶成長面を成長方向に投影した投影面の長手方向の長さＬと最大幅Ｗの比（Ｌ／Ｗ）が２～４００であって、前記最大幅Ｗが５ｍｍ以下である種結晶に対して、原料ガスを供給することによって前記種結晶上に板状の窒化物半導体結晶を成長させる。
摘要翻译：提供了一种用简单的方法有效地制造具有所需主平面的板状氮化物半导体晶体的方法。将晶种上的晶体生长面向生长方向投影的投影面的长边方向的长度（L）的比（L / W）为最大宽度（W）为2-400 。对于所述最大宽度（W）为5mm以下的晶种，通过供给原料气体，在所述晶种上生长板状氮化物半导体晶体。

4. 发明申请

WO2009066725A1 ＺｎＯ系半導体素子审中-公开
标题翻译： ZNO-GROUP半导体元件
公开(公告)号：WO2009066725A1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：PCT/JP2008/071108
申请日：2008-11-20
申请人：ローム株式会社 , 中原健 , 川崎雅司 , 大友明 , 塚崎敦
发明人：中原健 , 川崎雅司 , 大友明 , 塚崎敦
IPC分类号： H01L29/04 , H01L21/338 , H01L21/363 , H01L29/221 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/00
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L29/868 , H01L33/28
摘要：積層側の主面がＣ面を有するＭｇＺｎＯ基板上に平坦なＺｎＯ系半導体層を成長させることができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。　主面がＣ面を有するＭｇｘＺｎ１－ｘＯ（０≦ｘ＜１）基板を用い、前記主面の法線を基板結晶軸のｍ軸ｃ軸平面に射影した射影軸がｃ軸となす角Φｍを、０＜Φｍ≦３となるように形成した主面上に、ＺｎＯ系半導体層２～５がエピタキシャル成長されている。そして、ＺｎＯ系半導体層５上にはｐ電極８が、ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。このようにして、ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ基板１の表面に、ｍ軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板１上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。　
摘要翻译：其目的在于提供一种ZnO基半导体元件，其能够使平坦的ZnO族半导体层在MgZnO基板上生长，其中层叠侧的主面具有C面。 ZnO族半导体元件使用主平面具有C面的Mg x Zn 1-x O（0 = x <1）衬底（1），并且使ZnO族半导体层（2〜5）生长外延在主飞机上。该主平面被形成为使得在主平面的法线投射到m轴的平面和基板晶轴的c轴之间的投影轴之间形成的角度（Fm）可以是0

5. 发明申请

WO2008020599A1 ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ审中-公开
标题翻译：制造III族氮化物半导体发光器件的方法，III类氮化物半导体发光器件和灯
公开(公告)号：WO2008020599A1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/JP2007/065902
申请日：2007-08-15
申请人：昭和電工株式会社 , 三木久幸 , 塙健三 , 佐々木保正
发明人：三木久幸 , 塙健三 , 佐々木保正
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/007 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプが提供される。そのようなＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法は、基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、基板１１とスパッタターゲットとの間隔を２０～１００ｍｍの範囲とする。また、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ２以上とする。さらに、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。
摘要翻译：公开了以高产率制造发光特性优异的III族氮化物半导体发光元件的制造方法。还公开了III族氮化物化合物半导体发光器件和灯。具体公开了一种III族氮化物化合物半导体发光器件的制造方法，其包括以下步骤：将由III族氮化物化合物组成的半导体层含有Ga作为III族元素的半导体通过溅射形成在基板（11）上。在该方法中，基板（11）和溅射靶相互配置，基板（11）与溅射靶之间的距离设定在20〜100mm的范围内。此外，当通过溅射形成半导体层时，施加到基板（11）的偏置值设定为0.1W / cm 2以上。此外，当形成半导体层时，在将氮和氩供应到用于溅射的室中的同时进行溅射。

6. 发明申请

WO2007060931A1 窒化物半導体素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：WO2007060931A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/JP2006/323176
申请日：2006-11-21
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男
发明人：尺田幸男
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01S5/0218 , H01S5/32341 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要：　半導体基板を用いることでチップの上下に一対の電極を形成する垂直型の素子を作製でき、かつ、高い熱伝導性を維持しながら、基板での光吸収を防止すると共に、その上に成長される窒化物半導体の転位密度を低減し、また、基板としてＭｇ x Ｚｎ 1-x Ｏ（０≦ｘ≦０.５）を用い、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。　基板（１）がＭｇ x Ｚｎ 1-x Ｏ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物からなっており、その基板（１）に接して第１の窒化物半導体層（２）が設けられ、その第１の窒化物半導体層上に、開口部を有するマスク層（４）、開口部から横方向に選択成長される第２の窒化物半導体層（５）と、その第２の窒化物半導体層上に半導体素子を形成するように、窒化物半導体層（６）～（８）が積層されている。
摘要翻译：公开了一种具有高发光效率的氮化物半导体发光器件，其中使用Mg x 1 x 1-x O（0 = x = 0.5）作为衬底。通过使用半导体衬底，氮化物半导体发光器件能够制造在芯片两侧形成一对电极的垂直型器件，并且还能够在保持高导热性的同时防止衬底的光吸收。此外，在该氮化物半导体发光器件中，在衬底上生长的氮化物半导体的位错密度降低。具体公开了一种氮化物半导体器件，其中衬底（1）由氧化锌化合物（例如Mg x-1-x O）（0 = x = 0.5）组成，第一氮化物半导体层（2）与衬底（1）接触地布置，具有开口部分和从开口部分横向生长的第二氮化物半导体层（5）的掩模层（4）布置在第一氮化物半导体层和氮化物半导体层（6-8）被布置在第二氮化物半导体层上以形成半导体器件。

7. 发明申请

WO2007055262A1 窒化物半導体発光ダイオード素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光二极管器件
公开(公告)号：WO2007055262A1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：PCT/JP2006/322338
申请日：2006-11-09
申请人：三菱電線工業株式会社 , 岡川広明 , 高野剛志 , 平岡晋 , 谷口浩一
发明人：岡川広明 , 高野剛志 , 平岡晋 , 谷口浩一
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/16 , H01L21/0237 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/20
摘要：　窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、表面にストライプ状の凹凸構造を有する透明基板１１と、該凹凸構造を埋めるように形成された窒化物半導体層Ｎとを有している。窒化物半導体層Ｎは、透明基板１１よりも高い屈折率を有し、かつ、発光部を含んでいる。当該素子を上面視したとき、窒化物半導体層Ｎの形状は方形であり、かつ、前記ストライプ状の凹凸構造の長手方向は、前記方形の窒化物半導体層Ｎの４つの辺のいずれとも平行でない。この窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、発光効率の高いものとなるので、照明装置用の光源として好適に用いることができる。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光二极管器件（10），其包括在表面上具有条纹不均匀结构的透明衬底（11）和形成为填充不平坦结构的氮化物半导体层（N）。氮化物半导体层（N）的折射率比透明基板（11）高，并且包含发光部。当从顶部观察器件时，氮化物半导体层（N）具有矩形形状，并且条纹不均匀结构的纵向方向不与矩形氮化物半导体层（N）的四个边中的任一侧平行。由于氮化物半导体发光二极管装置（10）具有高发光效率，因此可以适合用作照明装置的光源。

8. 发明申请

WO2007029711A1 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007029711A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/317569
申请日：2006-09-05
申请人：シチズン東北株式会社 , 国立大学法人岩手大学 , 中川玲 , 柏葉安兵衛 , 新倉郁生
发明人：中川玲 , 柏葉安兵衛 , 新倉郁生
IPC分类号： H01L33/00 , C23C14/08 , H01L21/365
CPC分类号： H01L33/285 , C23C14/042 , C23C14/086 , C23C14/32 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02403 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L21/02576 , H01L21/02609
摘要：　ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させた半導体発光素子であり、ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。
摘要翻译：公开了一种半导体发光器件，其中通过在n型ZnO体单晶上形成由掺杂氮的ZnO化合物构成的p型层（11）形成pn结，衬底（10），其电阻通过掺杂掺杂剂杂质而降低。优选在n型ZnO体单晶衬底（10）的含锌原子的表面上形成p型层（11）。

9. 发明申请

WO2006054953A1 DOPED METAL OXIDE FILMS AND SYSTEMS FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：用于制造它们的金属氧化物膜和系统
公开(公告)号：WO2006054953A1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：PCT/SG2005/000393
申请日：2005-11-18
申请人： AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH , NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE , WU, Ping , GONG, Hao , YU, Zhi Gen
发明人： WU, Ping , GONG, Hao , YU, Zhi Gen
IPC分类号： H01L21/365 , C23C16/40 , C23C16/52
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/548 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L31/186 , Y02P70/521
摘要： A method of fabricating a doped metal oxide film comprising the steps of: (a) providing a semiconductor substrate in a vacuum chamber; (b) generating plasma comprising at least metal (M) , oxygen (O) and dopant ions within said chamber in the presence of an inert carrier gas; (c) forming a doped metal oxide (MO) film on said substrate from said plasma; and (d) controlling, during step (c) , the amount of 0 ions relative to said dopant ions within said plasma to form at least one of an n-type MO film and a p-type MO film on said substrate. A system for fabricating the doped metal oxide is also disclosed.
摘要翻译：一种制造掺杂金属氧化物膜的方法，包括以下步骤：（a）在真空室中提供半导体衬底; （b）在惰性载气存在下，在所述室内产生至少包含金属（M），氧（O）和掺杂剂离子的等离子体; （c）从所述等离子体在所述衬底上形成掺杂的金属氧化物（MO）膜; 和（d）在步骤（c）期间控制所述等离子体内相对于所述掺杂剂离子的0离子的量，以在所述衬底上形成n型MO膜和p型MO膜中的至少一种。还公开了一种用于制造掺杂金属氧化物的系统。

10. 发明申请

WO2009152207A2 ZINC OXIDE ALLOYS AND DEVICES INCLUDING THE SAME 审中-公开
标题翻译：氧化锌合金和包括其的装置
公开(公告)号：WO2009152207A2
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/US2009/046845
申请日：2009-06-10
申请人： LUMENZ, INC. , ADEKORE, Bunmi, T.
发明人： ADEKORE, Bunmi, T.
IPC分类号： H01L21/36 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02403 , H01L21/0237 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262
摘要： Methods of forming alloys of zinc oxide, such as alloys including silver (Ag) and/or gold (Au) with atomic fractions greater than about 1% are provided. Devices, such as opto-electronic devices (e.g., light-emitting diodes, laser diodes) and electronic devices (e.g., field-effect transistors, high-electron mobility transistors, heterojunction bipolar transistors), may include one or more of the zinc oxide alloys.
摘要翻译：提供了形成氧化锌合金的方法，例如包含原子级数大于约1％的银（Ag）和/或金（Au）的合金。诸如光电子器件（例如发光二极管，激光二极管）和电子器件（例如，场效应晶体管，高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管）的器件可以包括一种或多种氧化锌合金。

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