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1. 发明申请

WO2007119433A1 ＩＩＩ－Ｖ族窒化物層およびその製造方法审中-公开
标题翻译： III-V族III族氮化物层及其制造方法
公开(公告)号：WO2007119433A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/055577
申请日：2007-03-19
申请人：財団法人神奈川科学技術アカデミー , 国立大学法人東京大学 , 三菱化学株式会社 , 藤岡洋 , 小林篤 , 堀江秀善 , 天内英隆 , 長尾哲
发明人：藤岡洋 , 小林篤 , 堀江秀善 , 天内英隆 , 長尾哲
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/08 , H01L21/205
CPC分类号： C23C14/0026 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , H01L21/02403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02658
摘要：　発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する六方晶系のＩＩＩ－Ｖ族窒化物層が開示される。この窒化物層は、格子定数が異なる基板上に成長することによって形成された六方晶系に属するＩＩＩ－Ｖ族窒化物層であって、成長面方位が｛１－１００｝面であり、成長面方位に対して垂直となる｛１－２１０｝面におけるＸ線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するＸ線に対する角度依存性の半値全幅ｂ１が、０．０１°≦ｂ１ ≦０．５°、あるいは、｛０００１｝面におけるＸ線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するＸ線に対する、角度依存性の半値全幅ｂ２が、０．０１°≦ｂ２ ≦０．５°等を満たす。
摘要翻译：具有能够提高诸如发光元件的半导体器件的特性的具有高质量结晶度的六方晶系III-V族氮化物层。属于通过在具有不同晶格常数的衬底上生长而形成的六方晶系的III-V族氮化物层具有{1-100}的生长面取向，其中半高的全宽b 1 < 在与生长面平行的X射线入射的X射线衍射强度对垂直于生长面取向的{1-210}面的角度依赖性满足关系式0.01°= b 1 = 或者从与生长面平行的方向入射的X射线，在{0001}面上的X射线衍射强度的角度依赖性的半峰值b 2满足关系0.01° = b _{2 = 0.5°。}

2. 发明申请

WO2010024411A1 化合物エピタキシャル層の製造方法、化合物エピタキシャル層、半導体積層構造および半導体発光デバイス审中-公开
标题翻译：用于形成复合外延层，复合外延层，半导体层状结构和半导体发光器件的方法
公开(公告)号：WO2010024411A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/JP2009/065118
申请日：2009-08-28
申请人：財団法人神奈川科学技術アカデミー , 国立大学法人東京大学 , 三菱化学株式会社 , 藤岡洋 , 小林篤 , 堀江秀善 , 天内英隆 , 長尾哲
发明人：藤岡　洋 , 小林　篤 , 堀江　秀善 , 天内　英隆 , 長尾　哲
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/0262 , C30B25/06 , C30B25/14 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/007
摘要：　（ａ）ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面となす角度が１０°以上であり、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全て、または一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、その際に、間欠的な供給シーケンスにおける任意の供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と、次の元素供給までの供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、　１×１０－６　ｓｅｃ　≦　Ｔｏｆｆ　≦　１×１０－２　ｓｅｃ　　１×１０－６　ｓｅｃ　≦　Ｔｏｎ　≦　１×１０－２　ｓｅｃを満たすように供給してＺｎＯ基板上に化合物エピタキシャル層を結晶成長する。この方法により、製造歩留まりを低下させるドロップレットの発生が低減され、同時に良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層が製造される。
摘要翻译：公开了一种形成化合物外延层的方法。（a）提供具有与{0001}面成10°以上的生长面的ZnO基板。（b）用于复合外延层形成的全部或一些元素在衬底上的生长面上间歇地供给。复合外延层通过在ZnO衬底上的晶体生长而形成，通过供给元件，使得在间歇供给序列中，任何供给持续时间Ton（sec）和供给停止时间Toff（sec）元件供应和后续元件供应的完成满足下列公式：1×10-6 sec = Toff = 1×10-2 sec 1×10-6 sec = Ton = 1×10-2 sec该方法可以减少液滴的发生，降低外延层的产率，同时可以形成具有良好结晶性的复合外延层。

3. 发明申请

WO2003101677A1 円盤状物の基準位置自動教示方法，自動位置決め方法および自動搬送方法並びに，それらの方法を使用する円盤状物の基準位置自動教示装置，自動位置決め方装置，自動搬送装置および，半導体自動製造設備审中-公开
标题翻译：自动定位方法，自动定位方法以及用于盘式对象的自动执行方法，自动参考位置教学装置，自动定位装置以及使用这些方法的盘式对象的自动执行装置和自动半导体制造装置
公开(公告)号：WO2003101677A1
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：PCT/JP2003/000381
申请日：2003-01-17
申请人：ローツェ株式会社 , 崎谷文雄 , 佐藤恭久 , 長尾哲也 , 池田敏之
发明人：崎谷文雄 , 佐藤恭久 , 長尾哲也 , 池田敏之
IPC分类号： B25J9/22
CPC分类号： B25J9/1692 , H01L21/681
摘要：　位置決め装置と搬送ロボットとを具える半導体製造装置における設備立ち上げの際の各ポートでの基準位置教示および定常生産工程での位置決めを自動化して生産性を高めるべく、本発明では、ウエハ等の円盤状物４７の円周と検出手段の軌跡４３とが交わる２点W1,W2を検出し、この２点とこれらを結ぶ線分の垂直二等分線４２上の特定点Ｏと円盤状物の半径ｒとを用いて円盤状物の中心位置Ａを算出する。これにより搬送ロボットに位置決め作業をさせることができ、その結果を用いて搬送経路の修正ばかりでなく設備立ち上げの際の基準位置教示も自動化することができた。切り欠き部がある場合は、円盤状物の円周を検出手段の２本の軌跡で検出し、正しい中心位置を見いだす。また半径未知の円盤状物の円周を検出手段の３本の軌跡で検出して半径を求めることで、直径の異なるウエハを用いる混合生産も可能となった。
摘要翻译：一种用于盘状物体的自动参考位置教学方法，其能够通过在具有定位装置和携带机器人的半导体制造设备中启动设备时在端口自动化基准位置教导和固定生产过程中的定位来提高生产率，包括检测两个点W1和W2的步骤，其中诸如晶片的盘状物体（47）的圆周与检测装置的轨迹（43）交叉，并且通过使用该方法计算盘状物体的中心位置A 这两点，连接这两个点的线段的垂直平分线（42）上的特定点O和盘状物体的半径r，由此可以由携带机器人执行定位操作，而不仅仅是可以通过使用定位操作的结果来自动进行装载路线的校正以及起动设备时的参考位置示教。当在盘状物体中存在切口部分时，通过检测装置的两个轨迹检测盘状物体的圆周，以找出正确的中心位置，并且具有未知的盘状物体的圆周通过检测装置的三个轨迹检测半径以获得半径，以便允许使用不同直径的晶片的混合生产。

4. 发明申请

WO2006085611A1 ｎ型トランジスタ、ｎ型トランジスタセンサ及びｎ型トランジスタ用チャネルの製造方法、並びにｎ型半導体的な特性を示すナノチューブ状構造体の製造方法审中-公开
标题翻译： N型晶体管，N型晶体管和N型晶体管使用通道的制造方法，以及展示N型半导体特性的纳米结构的制造方法
公开(公告)号：WO2006085611A1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：PCT/JP2006/302349
申请日：2006-02-10
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 松本和彦 , 小島厚彦 , 長尾哲
发明人：松本和彦 , 小島厚彦 , 長尾哲
IPC分类号： H01L29/786 , G01N27/414 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L51/05
CPC分类号： H01L21/3185 , B82Y10/00 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0558
摘要：　本発明は、ナノチューブ状構造体をチャネルに用いたトランジスタにおいて、チャネルがｎ型の半導体的な特性を有する、従来とは異なる新たなｎ型トランジスタを提供することを課題とする。これを実現するため、ソース電極２と、ドレイン電極３と、ゲート電極４と、ソース電極２及びドレイン電極３の間に設けられたナノチューブ状構造体で形成されたｎ型のチャネル５と、を備えたトランジスタ１のチャネル５上に、窒素化合物の膜６を直接形成する。
摘要翻译：在使用纳米管结构作为沟道的晶体管中，提供了具有n型半导体样特性的沟道的新型独特的n型晶体管。为了实现这一点，在包括源电极（2），漏电极（3），栅电极（4）和晶体管（1）的晶体管（1）的沟道（5）上直接形成氮化物化合物膜（6） n型沟道（5），其设置在源电极（2）和漏电极（3）之间，并由纳米管结构形成。

5. 发明申请

WO2006025481A1 センサユニット及び反応場セルユニット並びに分析装置审中-公开
标题翻译：传感器单元和反应场单元和分析仪
公开(公告)号：WO2006025481A1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/JP2005/015983
申请日：2005-09-01
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 三菱化学株式会社 , 松本和彦 , 小島厚彦 , 長尾哲 , 加藤尚範 , 井福康夫 , 三谷浩 , 齋藤靖代
发明人：松本和彦 , 小島厚彦 , 長尾哲 , 加藤尚範 , 井福康夫 , 三谷浩 , 齋藤靖代
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/00
CPC分类号： G01N33/5438 , G01N27/4145 , G01N27/4146
摘要：　トランジスタを用いたセンサユニットの、分析時の利便性を高めるため、基板１０８と基板１０８に設けられたソース電極１１１及びドレイン電極１１２とソース電極１１１及びドレイン電極１１２間の電流通路になるチャネル１１３と検出用感知ゲート１１７とを備えたトランジスタ部１０３を有し検出対象物質を検出するためのセンサユニットの検出用感知ゲート１１７に、基板１０８に固定されたゲート本体１１５と検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質１２３を固定されゲート本体１１５に対して電気的に導通をとりうる感知部１１６を備えさせる。
摘要翻译：一种基于晶体管的传感器单元，为了增强分析的便利性，具有设置在基板（108）上的源极电极（111）和设置在基板（108）上的漏电极（112））的晶体管单元），作为源电极（111）和漏电极（112）之间的电流通路的通道（113）和检测感测门（117），其中固定到基板（108）的栅极体（115）可以将传感器单元（116）提供给传感器单元的检测感测门（117），该检测单元（116）可以与选择性地与待检测材料相互作用的特定材料（123）固定的门体（115）导电，要检测的材料

6. 发明申请

WO2012141317A1 III族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶审中-公开
标题翻译：制备III类氮化物晶体和III族氮化物晶体的方法
公开(公告)号：WO2012141317A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/JP2012/060187
申请日：2012-04-13
申请人：三菱化学株式会社 , 松本創 , 洲崎訓任 , 藤戸健史 , 長尾哲
发明人：松本　創 , 洲崎　訓任 , 藤戸　健史 , 長尾　哲
IPC分类号： C30B29/38 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/0254 , C30B29/406 , C30B33/02 , H01L29/2003
摘要：加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。 III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む、酸化物、水酸化物及び／又はオキシ水酸化物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。
摘要翻译：提供了优良的加工性能的III族氮化物晶体。在1000℃以上的温度下对III族氮化物单晶进行热处理，由此形成含有III族元素的氧化物，氢氧化物和/或羟基氢氧化物的膜。通过除去膜来制造III族单晶。

7. 发明申请

WO2005022134A1 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管，单电子晶体管和使用相同的传感器
公开(公告)号：WO2005022134A1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/JP2004/012402
申请日：2004-08-27
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 松本和彦 , 小島厚彦 , 長尾哲 , 加藤尚範 , 山田豊 , 長池一博 , 井福康夫 , 三谷浩
发明人：松本和彦 , 小島厚彦 , 長尾哲 , 加藤尚範 , 山田豊 , 長池一博 , 井福康夫 , 三谷浩
IPC分类号： G01N27/00
CPC分类号： G01N27/4145 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G01N27/4146 , H01L29/068 , H01L29/42364 , H01L29/7613
摘要：　基板２と基板２に設けられたソース電極４及びドレイン電極５とソース電極４及びドレイン電極５間の電流通路になるチャネル６とを備えた電界効果トランジスタ１Ａを有し検出対象物質を検出するためのセンサにおいて、電界効果トランジスタ１Ａが検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質１０を固定するための相互作用感知ゲート９と相互作用を電界効果トランジスタ１Ａの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲート７とを有するように構成することにより、高感度の検出感度が要求される検出対象物質の検出を可能としたセンサを提供する。
摘要翻译：用于检测待检测物质的传感器。该传感器包括一个场效应晶体管（1A），它具有一个基片（2），一个源电极（4）和一个漏电极（5），两者均安装在基片上，一个通道（6）源电极（4）和漏电极（5）之间的电流路径。场效应晶体管（1A）还包括用于固定与要检测的物质选择性地交互的特定物质（10）的相互作用感测门（9）和施加电压的栅极（7），使得相互作用是被检测为场效应晶体管（1A）的特征变化。这种结构使得传感器能够以高检测灵敏度检测待检测物质。

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