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1. 发明申请

WO2010032829A1 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子审中-公开
标题翻译：制造半导体发光元件和半导体发光元件的方法
公开(公告)号：WO2010032829A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/JP2009/066375
申请日：2009-09-18
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善 , 深田崇 , 天内英隆
发明人：堀江　秀善 , 深田　崇 , 天内　英隆
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44
摘要：　基板の結晶性を向上し、結晶状態の劣化が少なく、光学損失の少ない、高出力化および高効率化に耐え得る半導体発光素子を提供する。　基板の結晶成長面の上に半導体層が積層された半導体発光素子の製造方法であって、前記基板の裏面に結晶品質改善層を形成させる工程を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
摘要翻译：一种半导体发光元件，其中衬底的结晶度提高，从而抑制光学损耗和晶体状态的劣化。结果，半导体发光元件可以承受输出和效率的增加。一种半导体发光元件的制造方法，其中半导体层被布置在衬底的晶体生长表面上，所述方法的特征在于具有在衬底的背面上形成晶体质量改善层的步骤。

2. 发明申请

WO2009057655A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009057655A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069682
申请日：2008-10-29
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善 , 平澤浩彦
发明人：堀江秀善 , 平澤浩彦
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/38
摘要：　発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。薄膜結晶層は、少なくとも第二導電型半導体層の一部が絶縁膜で覆われている。絶縁膜は、薄膜結晶層の結晶性を回復させる結晶品質改善層３０を有する。
摘要翻译：发光元件（10）设置有包括缓冲层（22），第一导电型半导体层，有源结构（25）和第二导电类型半导体层的薄膜晶体层。在薄膜晶体层中，第二导电型半导体层的至少一部分被绝缘膜覆盖。绝缘膜具有用于回收薄膜晶体层的结晶性的晶体质量改善层（30）。

3. 发明申请

WO2007126091A1 エッチング方法、エッチングマスクおよびそれを用いた半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：蚀刻方法，蚀刻掩模和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007126091A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/059273
申请日：2007-04-30
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江秀善
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C14/06 , H01L21/308 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/0332
摘要：　本発明のエッチング方法は、半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０°C以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する。このエッチング方法によれば、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能である。
摘要翻译：公开了一种蚀刻方法，其包括在不低于150℃的温度下在半导体层（2）上形成作为蚀刻掩模（3）的至少一部分的金属氟化物层的步骤; 图案化金属氟化物层的步骤; 以及通过使用图案化的金属氟化物层（3）作为掩模来蚀刻半导体层的步骤。该蚀刻方法能够通过相对简单的工艺容易地蚀刻诸如III-V族氮化物半导体层的半导体层，其难以通过常规方法蚀刻。

4. 发明申请

WO2006087958A1 窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体材料和制造氮化物半导体晶体的方法
公开(公告)号：WO2006087958A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2006/302179
申请日：2006-02-08
申请人：三菱化学株式会社 , 清見和正 , 堀江秀善 , 石渡俊男 , 藤村勇夫
发明人：清見和正 , 堀江秀善 , 石渡俊男 , 藤村勇夫
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00
CPC分类号： C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要：　半導体または誘電体基板上に、第一窒化物半導体層群を有する窒化物半導体材料であって、前記第一窒化物半導体層群の表面は、ＲＭＳが５ｎｍ以下であり、Ｘ線の半値幅の変動が±３０％以内であり、表面の光の反射率は１５％以上であり、その変動は±１０％以下であり、且つ、前記第一窒化物半導体層群の厚みが２５μｍ以上であることを特徴とする窒化物半導体材料。この窒化物半導体材料は、均一性や安定性に優れており、製造コストが安く、窒化物半導体系デバイス用基板として有用である。
摘要翻译：其中在半导体衬底或电介质衬底上设置第一氮化物半导体层组的氮化物半导体材料的特征在于，第一氮化物半导体组的表面具有5nm或更小的RMS，X射线半值波动在± 30％，表面光反射率为15％以上，其波动为±10％以下，第一氮化物半导体组的厚度为25μm以上。氮化物半导体材料具有优异的均匀性和稳定性，以低制造成本制造并且可用作氮化物半导体器件的衬底。

5. 发明申请

WO2013031943A1 照明方法及び発光装置审中-公开
标题翻译：照明方法和发光装置
公开(公告)号：WO2013031943A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/JP2012/072144
申请日：2012-08-31
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江　秀善
IPC分类号： H05B37/02 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , C09K11/08 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H05B33/0857 , H05B33/0866 , H01L2924/00
摘要：細かな作業をするような場合も含め５０００ｌｘ程度以下、あるいは一般的には１５００ｌｘ程度以下である室内照度環境下において、人間の知覚する色の見えが、様々な演色評価指標（ｃｏｌｏｒ　ｒｅｎｄｉｔｉｏｎ　ｍｅｔｒｉｃ）のスコアによらず、屋外の高照度環境下で見たような、自然で、生き生きとした、視認性の高い、快適な、色の見え、物体の見えを実現できる照明方法及び発光装置を提供することを目的とする。発光装置から出射される光が対象物を照明した際に、対象物の位置で測定した光が特定の要件を満たすように照明する。発光装置から主たる放射方向へ出射される光が特定の要件を満たすことを特徴とする発光装置とする。
摘要翻译：其目的是提供一种照明方法和发光装置，在进行细节工作时，在大约5000lx或更小的室内照明环境中，有可能在一般条件下为约1500lx或更小，以实现照明人类感觉到的颜色看起来像自然，生动，高度可见和愉快的颜色和物体，好像环境是一个光线充足的户外环境，不管各种颜色再现度量得分。当通过从发光装置发出的光照射物体时，照明以使得在物体的位置处测量的光满足特定要求的方式发生。发光装置的特征在于，从主发光方向从发光装置发射的光满足特定要求。

6. 发明申请

WO2010058820A1 窒化物半導体审中-公开
标题翻译：氮化物半导体
公开(公告)号：WO2010058820A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/JP2009/069646
申请日：2009-11-19
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善 , 栗原香
发明人：堀江　秀善 , 栗原　香
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/325
摘要：　発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。　本発明では、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部を順次積層させた窒化物半導体を得るに際し、非極性の窒化物の主面を有する基体の上に結晶成長させることとし、一方導電型の窒化物半導体部を第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層を順次積層させたものとするとともに、第２の窒化物半導体層を４００ｎｍ～２０μｍの厚みを有し最表面が非極性面であるようにした。結晶成長用の基体として上記のものを選択することによりＱＣＳＥ効果に基づく発光に寄与する電子とホールの空間的分離が抑制され、効率的な輻射が実現される。また、上記第２の窒化物半導体層の厚みを適正なものとすることにより、極めて激しい凹凸を呈する窒化物半導体表面となることが回避される。
摘要翻译：提供了高品质的氮化物半导体，其在作为发光元件制造时具有高的发光效率。氮化物半导体以与以前的导电型相反的一种导电型氮化物半导体部件，量子阱活性层结构部分和另一导电型氮化物半导体部分重叠。当获得该氮化物半导体时，在具有由非极性氮化物构成的主表面的基板上生长晶体。前一导电类型的氮化物半导体部分通过以此顺序叠加第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层而形成，并且第二氮化物半导体层以400nm至20μm的厚度沉积，从而具有非极性最外表面。通过选择用于晶体生长的衬底，抑制基于QCSE的有助于发光的电子和空穴被空间分离，并且使得有效的辐射成为可能。通过调节第二氮化物半导体层以具有适当的厚度，防止氮化物半导体具有相当粗糙的表面。

7. 发明申请

WO2009057764A1 エッチング方法およびそれを用いた光／電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造使用该光学/电子器件的光学/电子器件的蚀刻方法和方法
公开(公告)号：WO2009057764A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069920
申请日：2008-10-31
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善 , 深田崇
发明人：堀江秀善 , 深田崇
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/30621 , H01L21/32134 , H01L33/0062 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法が提供される。このエッチング方法は、基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３を形成する工程と、前記金属フッ化物層を液体処理する工程と、前記金属フッ化物層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种半导体蚀刻方法，其能够通过相对简单的工艺容易地蚀刻由例如难以蚀刻的III-V族氮化物半导体构成的半导体层。该蚀刻方法的特征在于包括在作为蚀刻掩模的至少一部分的基底（1,2）的表面上形成金属氟化物层（3）的步骤，用液体处理金属氟化物层的步骤以及使用金属氟化物层作为掩模来蚀刻基底的步骤。

8. 发明申请

WO2007119433A1 ＩＩＩ－Ｖ族窒化物層およびその製造方法审中-公开
标题翻译： III-V族III族氮化物层及其制造方法
公开(公告)号：WO2007119433A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/055577
申请日：2007-03-19
申请人：財団法人神奈川科学技術アカデミー , 国立大学法人東京大学 , 三菱化学株式会社 , 藤岡洋 , 小林篤 , 堀江秀善 , 天内英隆 , 長尾哲
发明人：藤岡洋 , 小林篤 , 堀江秀善 , 天内英隆 , 長尾哲
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/08 , H01L21/205
CPC分类号： C23C14/0026 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , H01L21/02403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02658
摘要：　発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する六方晶系のＩＩＩ－Ｖ族窒化物層が開示される。この窒化物層は、格子定数が異なる基板上に成長することによって形成された六方晶系に属するＩＩＩ－Ｖ族窒化物層であって、成長面方位が｛１－１００｝面であり、成長面方位に対して垂直となる｛１－２１０｝面におけるＸ線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するＸ線に対する角度依存性の半値全幅ｂ１が、０．０１°≦ｂ１ ≦０．５°、あるいは、｛０００１｝面におけるＸ線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するＸ線に対する、角度依存性の半値全幅ｂ２が、０．０１°≦ｂ２ ≦０．５°等を満たす。
摘要翻译：具有能够提高诸如发光元件的半导体器件的特性的具有高质量结晶度的六方晶系III-V族氮化物层。属于通过在具有不同晶格常数的衬底上生长而形成的六方晶系的III-V族氮化物层具有{1-100}的生长面取向，其中半高的全宽b 1 < 在与生长面平行的X射线入射的X射线衍射强度对垂直于生长面取向的{1-210}面的角度依赖性满足关系式0.01°= b 1 = 或者从与生长面平行的方向入射的X射线，在{0001}面上的X射线衍射强度的角度依赖性的半峰值b 2满足关系0.01° = b _{2 = 0.5°。}

9. 发明申请

WO2007091432A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：WO2007091432A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/051258
申请日：2007-01-26
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江秀善
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要：　電源ラインの配線が容易で発光強度の面内均一性が良好な化合物発光素子を提供する。　ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含んでそれぞれ構成された第１導電型クラッド層、活性層構造、第２導電型クラッド層を有し、前記第１導電型クラッド層と前記第２導電型クラッド層とによって活性層構造が挟まれた発光素子が提供される。発光素子は、第１導電型クラッド層にキャリアを注入する第１導電型側電極７と、第２導電型クラッド層にキャリアを注入する第２導電型側電極６とを備える。第１導電型側電極７は、開口部７ｐを有する。第２導電型側電極６は、第１導電型側電極７によって部分的に取り囲まれる主電極部６－０と、開口７ｐを通して主電極部６－０を第１導電型側電極７の外側に引き出す引出部６－１、６－２とを有する。主電極部６－０は、定幅図形の一部で構成され、主電極部６－０の外縁と第１導電型側電極７の内縁との間の間隔は、ほぼ一定である。
摘要翻译：复合发光元件，其中电源线的布线方便，并确保发射强度的良好的面内均匀性。发光元件具有包含III-V族化合物半导体的第一导电型覆盖层，有源层结构和第二导电型覆盖层。有源层结构被第一导电型覆盖层和第二导电型覆盖层夹在中间。发光元件具有用于将载流子注入第一导电型覆盖层的第一导电型侧电极（7）和用于将载流子注入第二导电型覆盖层的第二导电型侧电极（6）。第一导电型侧电极（7）具有开口（7p）。第二导电型侧电极（6）具有由第一导电型侧电极（7）部分地包围的主电极部分（6-0），以及用于引出主电极部分的部分（6-1,6-2）（6-0）通过所述开口（7p）到达所述第一导电型侧电极（7）的外部。主电极部分（6-0）由固定宽度图形的一部分和主电极部分（6-0）的外边缘与第一导电型侧电极（7）的内边缘之间的间隔构成，基本恒定。

10. 发明申请

WO2010021346A1 半導体発光装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010021346A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/JP2009/064529
申请日：2009-08-19
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善 , 海老原渉
发明人：堀江　秀善 , 海老原　渉
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/022
CPC分类号： H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01L2924/00
摘要：　光取り出し効率を向上させる透光性被覆層を、より簡易に形成できるようにする。　半導体発光装置１は、サブマウント２、サブマウント２上に搭載された半導体発光素子３、および半導体発光素子３を完全に被覆した透光性被覆層４を有する。透光性被覆層４は、サブマウント２との接触部の外側境界線Ｌb上の任意の接触点Ｐe1、Ｐe2におけるサブマウント２に対する接触角度θが、サブマウント２上の場所で異なるように形成されている。
摘要翻译：更容易形成提高光提取效率的半透明覆盖层。半导体发光器件（1）具有副安装座（2），安装在副安装座（2）上的半导体发光元件（3）和透光性覆盖层（4），其完全覆盖半导体发光元件（3）。半透明层（4）形成为使得与子安装座（2）接触的部分在子座（2）上的子安装座（2）上具有不同的接触角（θ） Pe1，Pe2）在外边界（Lb）上。

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