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1. 发明申请

WO2007055262A1 窒化物半導体発光ダイオード素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光二极管器件
公开(公告)号：WO2007055262A1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：PCT/JP2006/322338
申请日：2006-11-09
申请人：三菱電線工業株式会社 , 岡川広明 , 高野剛志 , 平岡晋 , 谷口浩一
发明人：岡川広明 , 高野剛志 , 平岡晋 , 谷口浩一
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/16 , H01L21/0237 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/20
摘要：　窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、表面にストライプ状の凹凸構造を有する透明基板１１と、該凹凸構造を埋めるように形成された窒化物半導体層Ｎとを有している。窒化物半導体層Ｎは、透明基板１１よりも高い屈折率を有し、かつ、発光部を含んでいる。当該素子を上面視したとき、窒化物半導体層Ｎの形状は方形であり、かつ、前記ストライプ状の凹凸構造の長手方向は、前記方形の窒化物半導体層Ｎの４つの辺のいずれとも平行でない。この窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、発光効率の高いものとなるので、照明装置用の光源として好適に用いることができる。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光二极管器件（10），其包括在表面上具有条纹不均匀结构的透明衬底（11）和形成为填充不平坦结构的氮化物半导体层（N）。氮化物半导体层（N）的折射率比透明基板（11）高，并且包含发光部。当从顶部观察器件时，氮化物半导体层（N）具有矩形形状，并且条纹不均匀结构的纵向方向不与矩形氮化物半导体层（N）的四个边中的任一侧平行。由于氮化物半导体发光二极管装置（10）具有高发光效率，因此可以适合用作照明装置的光源。

2. 发明申请

WO2008047923A1 窒化物半導体発光ダイオード素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光二极管器件
公开(公告)号：WO2008047923A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/070484
申请日：2007-10-19
申请人：三菱電線工業株式会社 , 工藤広光 , 谷口浩一 , 岡川広明 , 平岡晋 , 城市隆秀 , 嶋敏彦
发明人：工藤広光 , 谷口浩一 , 岡川広明 , 平岡晋 , 城市隆秀 , 嶋敏彦
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/46
摘要：　窒化物半導体発光ダイオード素子１は、底面および上面を有し、内部に発光層１２ｂを含む窒化物半導体層１２を備え、窒化物半導体層１２の底面側には金属からなる保持基板１１が接合されている。窒化物半導体層１２の底面には、発光層１２ｂで生じた光を上面側に反射する光反射凹部Ａ１が形成されている。窒化物半導体発光ダイオード素子１では、発光層１２ｂで発生した光のうち、窒化物半導体層１２内を層方向に伝播する光が、光反射凹部Ａ１により反射されて進行方向を変えるために、窒化物半導体層１２の上面に臨界角以内で入射する光の割合が大きくなる。よって、従来の窒化物半導体発光ダイオード素子に比べて、光取出し効率が改善される。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光二极管装置（1），其包括具有底表面和上表面的氮化物半导体层（12），同时内部包含发光层（12b）。由金属构成的支撑基板（11）与氮化物半导体层（12）的底面侧接合。氮化物半导体层（12）的底表面设置有用于将发光层（12b）中产生的光朝着上表面侧反射的光反射凹部（A1）。由于在发光层（12b）中产生的光中的氮化物半导体层（12）内的层方向上传播的光通过光反射凹部（A1）的反射而改变其行进方向，在该氮化物半导体发光二极管装置（1）中，在临界角内进入氮化物半导体层（12）的上表面的光增加。因此，与传统的氮化物半导体发光二极管器件相比，该氮化物半导体发光二极管器件（1）的光输出耦合效率提高。

3. 发明申请

WO2008102787A1 ＧａＮ系ＬＥＤ素子および発光装置审中-公开
标题翻译： GAN LED元件和发光器件
公开(公告)号：WO2008102787A1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/JP2008/052806
申请日：2008-02-20
申请人：三菱化学株式会社 , 平岡晋 , 岡川広明 , 城市隆秀
发明人：平岡晋 , 岡川広明 , 城市隆秀
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００において、第１導電膜１０４－１と正パッド電極１０５とが、第２導電膜１０４－２を介して、電気的に接続されている。導電性酸化物膜１０４のｐ型層１０２－３との接触抵抗は、第１コンタクト部１０４Ａにおいて第２コンタクト部１０４Ｂよりも低くされており、そのために、正パッド電極１０５から導電性酸化物膜１０４を介してｐ型層１０２－３に供給される電流は、主として第１コンタクト部１０４Ａを通してｐ型層１０２－３に流れる。
摘要翻译：在GaN LED元件（100）中，第一导电膜（104-1）和正极焊盘电极（105）通过第二导电膜（104-2）电连接。导电氧化膜（104）与p型层（102-3）的接触电阻在第一接触部分（104A）处比在第二接触部分（104B）处的接触电阻低。因此，通过导电氧化膜（104）从正焊盘电极（105）向p型层（102-3）提供的电流主要通过第一接触部分流到p型层（102-3）（104A）。

4. 发明申请

WO2006038665A1 窒化物半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006038665A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/018489
申请日：2005-09-29
申请人：三菱電線工業株式会社 , 岡川広明 , 平岡晋
发明人：岡川広明 , 平岡晋
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L2933/0016
摘要：窒化物半導体発光素子の素子構造において、窒化物半導体層からなる積層体に、第一のｎ型層１３とｐ型クラッド層１５とによって活性層１４を挟んだ積層構造を有してなる発光部と、該発光部の外側にあって前記ｐ型クラッド層の側に位置する第二のｎ型層１６とが含まれる構造とする。積層体を基板１１上に成長させる場合には、発光部はｐ型クラッド層１５を上側とし、第二のｎ型層１６は発光部よりもさらに上側に位置させる。該第二のｎ型層１６に、ドライエッチングが施されて露出した面を形成する。このドライエッチングを施されて露出した面に電極Ｐ１２を形成することで、該電極Ｐ１２は、ｎ型層１６に形成された電極でありながら、前記発光部のｐ型クラッド層１５へ正孔を注入するための低接触抵抗のｐ側電極となる。
摘要翻译：氮化物半导体发光元件的元件结构具有由氮化物半导体层构成的层叠体。层叠体包括发光部，其具有层叠结构，其中有源层（14）夹在第一n型层（13）和p型覆盖层（15）之间，第二n型位于发光部分外侧的p型覆盖层侧的层（16）。在基板（11）上生长层叠体的情况下，发光部的p型覆盖层（15）位于上侧，第二n型层（16）位于发光部分。第二n型层（16）被干蚀刻并形成暴露表面。通过干蚀刻在暴露表面上形成电极（P12），电极（P12）被允许为发光部分的p型覆盖层（15）上的空穴注入用低接触电阻p侧电极，同时是形成在n型层（16）上的电极。

5. 发明申请

WO2009102032A1 ＧａＮ系ＬＥＤ素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译： GAN LED装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009102032A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2009/052430
申请日：2009-02-13
申请人：三菱化学株式会社 , 宮下啓二 , 工藤広光 , 嶋敏彦 , 岡川広明 , 城市隆秀 , 湖東雅弘 , 平岡晋
发明人：宮下啓二 , 工藤広光 , 嶋敏彦 , 岡川広明 , 城市隆秀 , 湖東雅弘 , 平岡晋
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/28
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/42
摘要：　ｐ型層上にＴＣＯ膜を有し、そのＴＣＯ膜上の一部にボンディングパッドを有するｐｎ接合型のＧａＮ系ＬＥＤ素子における、ボンディングパッド直下のｐｎ接合部での発光の抑制に関わる新規な構成を提供すること。　ｎ型ＧａＮ系半導体層と、前記ｎ型ＧａＮ系半導体層に積層されたｐ型ＧａＮ系半導体層と、前記ｎ型ＧａＮ系半導体層に接続されたｎ電極と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に形成されたＴＣＯ膜と、前記ＴＣＯ膜上の一部に形成された導電性スパッタ膜と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と前記ＴＣＯ膜との間の抵抗が部分的に増加した領域であって、前記ＴＣＯ膜と前記導電性スパッタ膜との接触領域に対応する抵抗増加領域と、前記抵抗増加領域上に形成されたボンディングパッドと、を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子。
摘要翻译：公开了一种与在pn结GaN LED器件中的键合焊盘正下方的pn结中抑制发光有关的新型结构，其中TCO膜在p型层上，并且焊盘位于 TCO电影。具体公开了包括n型GaN半导体层，布置在n型GaN半导体层上的p型GaN半导体层，与n型GaN半导体层连接的n电极，形成TCO膜的GaN LED器件在p型GaN半导体层的表面上，形成在TCO膜的一部分上的导电溅射膜，对应于TCO膜和导电溅射膜的接触区域的电阻增加区域，其中电阻增加区域中，p型GaN半导体层和TCO膜之间的电阻部分地增加，并且形成在电阻增加区域上的焊盘。

6. 发明申请

WO2009084325A1 ＬＥＤ素子およびＬＥＤ素子の製造方法审中-公开
标题翻译： LED元件和制造LED元件的方法
公开(公告)号：WO2009084325A1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/JP2008/070298
申请日：2008-11-07
申请人：三菱化学株式会社 , 岡川広明 , 平岡晋 , 城市隆秀 , 嶋敏彦
发明人：岡川広明 , 平岡晋 , 城市隆秀 , 嶋敏彦
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/42
摘要：　光取出し効率を高めることによって出力向上を図った新規な構造のＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。上面および下面を有するｐ型ＧａＮ系半導体層の下面側にＧａＮ系半導体からなる発光部を挟んでｎ型ＧａＮ系半導体層を配置した半導体積層構造と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の上面に形成されたｐ側電極と、前記ｎ型ＧａＮ系半導体層と電気的に接続されたｎ側電極と、を備えたＧａＮ系ＬＥＤ素子であって、前記ｐ側電極が前記発光部で生じる光の取出し窓となる窓領域を有する透明導電膜を含み、前記透明導電膜の窓領域に覆われた前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の上面に平坦部と粗化処理により形成された粗面部とが所定の混在パターンをなすように設けられた、ＬＥＤ素子。
摘要翻译：提供了具有通过提高光提取效率来改善输出的新结构的GaN LED元件。 GaN LED元件设置有半导体多层结构，p侧电极和n侧电极。在半导体层叠结构中，通过夹持由GaN半导体构成的发光部，在具有上表面和下表面的p型GaN半导体层的下表面侧配置n型GaN半导体层。 p侧电极形成在p型GaN半导体层的上表面上。 n侧电极与n型GaN半导体层电连接。 p侧电极包括具有窗口区域的透明导电膜，该窗口区域是用于提取在发光部分处产生的光的窗口。在LED元件中，在被透明导电膜的窗口区域覆盖的p型GaN半导体层的上表面上，布置有通过粗糙化而形成的平坦部分和粗糙表面部分，以形成规定的混合图案。

7. 发明申请

WO2008041770A1 ＧａＮ系ＬＥＤチップを用いてなる発光装置审中-公开
标题翻译：使用GaN LED芯片的发光装置
公开(公告)号：WO2008041770A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/069612
申请日：2007-10-05
申请人：三菱電線工業株式会社 , 城市隆秀 , 岡川広明 , 平岡晋 , 嶋敏彦 , 谷口浩一
发明人：城市隆秀 , 岡川広明 , 平岡晋 , 嶋敏彦 , 谷口浩一
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/73 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：　下記（ａ）のＧａＮ系ＬＥＤチップ１００をフリップチップ実装して発光装置を構成する：（ａ）該ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。
摘要翻译：发光器件通过倒装芯片安装通道（a）中描述的GaN LED芯片（100）来配置。（a）GaN LED芯片（100）设置有透光性基板（101）和形成在透光性基板（101）上的GaN半导体层（L）。 GaN半导体层（L）从透光性基板（101）依次具有n型层（102），发光层（103）和p型层（104）的层叠结构。在p型层（104）上，形成由与透光性电极电连接的透光性电极（E101a）和正接触电极（E101b）构成的正极（E101）。正极接触电极（E101b）的面积小于p型层（104）的上表面的面积的一半。

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