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1. 发明申请

WO2009154129A1 III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体发光元件，制造元件和灯的方法
公开(公告)号：WO2009154129A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/JP2009/060677
申请日：2009-06-11
申请人：昭和電工株式会社 , 塙健三 , 酒井浩光 , 佐々木保正
发明人：塙　健三 , 酒井　浩光 , 佐々木　保正
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：　結晶性が高く内部量子効率に優れ、高い発光出力が得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。基板（１１）上にＩＩＩ族窒化物系化合物からなるＡｌＮシード層（１２）が積層され、該ＡｌＮシード層（１２）上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層（１４）、発光層（１５）及びｐ型半導体層（１６）の各層が順次積層されてなり、ｐ型半導体層（１６）の（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が６０ａｒｃｓｅｃ以下であり、且つ（１０‐１０）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下である。
摘要翻译：提供一种III族氮化物半导体发光元件，其具有高结晶性和优异的内部量子效率，从而可以获得高发光输出，该元件的制造方法和灯。将III族氮化物族化合物的AlN种子层（12）放置在基板（11）上。由III族氮化物半导体，发光层（15）和p型半导体层（16）构成的n型半导体层（14）的各层依次层叠在AlN种子层（12））。在p型半导体层（16）中，（0002）面的X射线摇摆曲线半宽度为60弧度以下，（10-10）面的X射线摇摆曲线半宽度为250 arcsecs或更少。

2. 发明申请

WO2009090972A1 光源、発光装置および表示装置审中-公开
标题翻译：光源，发光装置和显示装置
公开(公告)号：WO2009090972A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/JP2009/050414
申请日：2009-01-15
申请人：昭和電工株式会社 , 塙健三 , 安部禎典
发明人：塙健三 , 安部禎典
IPC分类号： H01L33/00 , G02F1/13357
CPC分类号： G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：　本実施の形態が適用される光源は、複数のＬＥＤチップ１０を電気的に並列接続したものである。複数のＬＥＤチップ１０を構成する各々のＬＥＤチップ１０は、基板１１、シード層１２、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を備えている。さらに、ｎ型半導体層１４には、シード層１２の上に直接積層される下地層１４ａが含まれている。そして、シード層１２は、III族窒化物化合物半導体であり、その膜厚が２１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、スパッタ法によって成膜されている。さらに、下地層１４ａは、（０００２）面のロッキングカーブ半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり（１０－１０）面のロッキングカーブ半値幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下であるIII族窒化物化合物半導体である。それにより、複数の発光素子を並列接続させた場合における、複数の発光素子間に生じる光量のばらつきを抑制することができる光源等を提供する。
摘要翻译：公开了一种光源，其包括并联电连接的多个LED芯片（10）。多个LED芯片（10）中的每一个包括基板（11），种子层（12），n型半导体层（14），发光层（15）和p型半导体层（16）。此外，n型半导体层（14）包含直接层叠在种子层（12）上的基板层（14a）。该种子层（12）由III族氮化物化合物半导体构成，通过溅射法成膜，其厚度为21nm〜40nm。此外，基板层（14a）由III族氮化物化学半导体构成，其中（0002）面的摆动半值宽度为100弧秒以下，其中（10-10）面为摇摆曲线半值宽度为250arcsecs以下。结果，光源可以抑制在这些元件并联连接的情况下在多个发光元件之间发生的光量的分散。

3. 发明申请

WO2008152944A1 ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ审中-公开
标题翻译：用于制造III族氮化物半导体的方法，制造III族氮化物半导体发光器件的方法，III族氮化物半导体发光器件和灯
公开(公告)号：WO2008152944A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060206
申请日：2008-06-03
申请人：昭和電工株式会社 , 塙健三 , 佐々木保正 , 三木久幸
发明人：塙健三 , 佐々木保正 , 三木久幸
IPC分类号： H01L21/203 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02631 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：　本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法は、チャンバ内に基板及びターゲットを配置し、前記基板上にＭｇがドープされたＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程を備え、前記スパッタ工程は、Ｍｇをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、前記成膜工程と前記プラズマ処理工程とを交互に繰り返して前記半導体薄膜を積層することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体を形成する。
摘要翻译：公开了一种制造III族氮化物半导体的方法，包括溅射步骤，其中将衬底和靶布置在室中，并且通过反应溅射在衬底上形成掺杂有Mg的III族氮化物半导体。溅射步骤包括用于通过掺杂Mg形成半导体薄膜的成膜子步骤和用于使在成膜子步骤中形成的半导体薄膜经受惰性气体等离子体处理的等离子体处理子步骤。通过交替地重复成膜子步骤和等离子体处理子步骤形成III族氮化物半导体，由此形成半导体薄膜的叠层体。

4. 发明申请

WO2008020599A1 ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ审中-公开
标题翻译：制造III族氮化物半导体发光器件的方法，III类氮化物半导体发光器件和灯
公开(公告)号：WO2008020599A1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/JP2007/065902
申请日：2007-08-15
申请人：昭和電工株式会社 , 三木久幸 , 塙健三 , 佐々木保正
发明人：三木久幸 , 塙健三 , 佐々木保正
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/007 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプが提供される。そのようなＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法は、基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、基板１１とスパッタターゲットとの間隔を２０～１００ｍｍの範囲とする。また、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ２以上とする。さらに、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。
摘要翻译：公开了以高产率制造发光特性优异的III族氮化物半导体发光元件的制造方法。还公开了III族氮化物化合物半导体发光器件和灯。具体公开了一种III族氮化物化合物半导体发光器件的制造方法，其包括以下步骤：将由III族氮化物化合物组成的半导体层含有Ga作为III族元素的半导体通过溅射形成在基板（11）上。在该方法中，基板（11）和溅射靶相互配置，基板（11）与溅射靶之间的距离设定在20〜100mm的范围内。此外，当通过溅射形成半导体层时，施加到基板（11）的偏置值设定为0.1W / cm 2以上。此外，当形成半导体层时，在将氮和氩供应到用于溅射的室中的同时进行溅射。

5. 发明申请

WO2004101201A1 微小銅粉及びその製造方法审中-公开
标题翻译：精细铜粉及其制造方法
公开(公告)号：WO2004101201A1
公开(公告)日：2004-11-25
申请号：PCT/JP1999/004683
申请日：1999-08-30
申请人：塙健三 , 高橋和明
发明人：塙健三 , 高橋和明
IPC分类号： B22F9/04
CPC分类号： C09C1/627 , B22F1/0055 , B22F9/04 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/80 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , H01B1/026 , H05K1/092 , H05K1/095 , H05K3/321 , Y10T428/2991 , B22F1/0007 , B22F1/0011
摘要： A method for producing a fine copper powder, characterized by adding a fats and/or an oils to an electrolytic powder which is composed mainly of arborescence and has a mean particle diameter of 20 to 35 µm and a bulk density of 0.5 to 0.8 g/cm , followed by mixing, to thereby coat the surface of the powder with the fat or the oil, and then, further pulverizing the powder by means of an impingement jet mill to provide a fine powder.
摘要翻译：一种细铜粉的制造方法，其特征在于，在电解粉末中添加脂肪和/或油，所述电解粉末主要由发泡组成，平均粒径为20〜35μm，堆积密度为0.5〜0.8g / cm 3，然后混合，由此用脂肪或油涂覆粉末的表面，然后通过冲击式粉碎机进一步粉碎粉末以提供细粉末。

6. 发明申请

WO2010029872A1 発光装置、発光モジュール、表示装置审中-公开
标题翻译：发光单元，发光模块和显示装置
公开(公告)号：WO2010029872A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/JP2009/065247
申请日：2009-09-01
申请人：昭和電工株式会社 , 塙健三 , 保科孝治 , 武居共之
发明人：塙　健三 , 保科　孝治 , 武居　共之
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , G02F1/133603 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　発光装置６０は、凹部６１ａが形成された樹脂容器６１と、凹部６１ａの底面７０に露出するように設けられたアノード用リード部６２およびカソード用リード部６３と、凹部６１ａの底面７０においてカソード用リード部６３に取り付けられた半導体発光素子６４と、凹部６１ａを覆うように設けられた封止樹脂６５とを備えている。ここで、樹脂容器６１は、チタニアを着色剤として含む白色の樹脂に構成され、アノード用リード部６２およびカソード用リード部６３は、銅合金等をベースとする金属板に、光沢度が０．３以上１．０以下の範囲に設定された銀メッキ層を形成したもので構成される。それにより、発光装置から出力される光の取り出し効率を向上させる。
摘要翻译：发光单元（60）设置有形成有凹部（61a）的树脂容器（61），阳极引出部（62）和阴极引出部（63），被设置为露出在凹部（61a）的底面（70）上，在凹部（61a）的底面（70）上安装在阴极引出部（63）上的半导体发光元件（64）设置成覆盖凹部（61a）的树脂（65）。树脂容器（61）由含有二氧化钛作为着色剂的白色树脂制成。阳极引线部分（62）和阴极引线部分（63）各自通过在基于铜合金等的金属板上形成光泽度设定在0.3-1.0范围内的镀银层。因此，提高了从发光单元输出的光的提取效率。

7. 发明申请

WO2008047900A1 スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜装置用のバッキングプレート审中-公开
标题翻译：溅射成膜装置和背板用于喷塑成膜装置
公开(公告)号：WO2008047900A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/070428
申请日：2007-10-19
申请人：昭和電工株式会社 , 三木久幸 , 塙健三 , 佐々木保正
发明人：三木久幸 , 塙健三 , 佐々木保正
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/0617
摘要：　Ｇａを安定して保持することが可能なスパッタ装置用のバッキングプレートおよびこのバッキングプレートを備えたスパッタ装置が提供される。そのようなスパッタ装置用のバッキングプレートは、Ｇａを含むターゲット材料を保持するバッキングプレートを具備してなり、少なくとも前記バッキングプレートの前記ターゲット材料と接する接触面が、液体状態のＧａとの接触角が９０°以下となる易濡れ性材料で構成されているスパッタ成膜装置を用いて製造される。
摘要翻译：公开了一种能够稳定地保持Ga的溅射装置的背板。还公开了一种包括这种背板的溅射装置。具体公开了一种溅射成膜装置，其特征在于，包括：保持含有Ga的靶材的背板，其中，与所述目标材料接触的所述背板的至少表面由与液体Ga接触的易吸湿性材料构成不超过90°。

8. 发明申请

WO2007119822A1 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子とそれを備えたランプ审中-公开
标题翻译：制造半导体发光元件的方法，半导体发光元件和半导体发光元件的灯
公开(公告)号：WO2007119822A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/058173
申请日：2007-04-13
申请人：昭和電工株式会社 , 塙健三 , 横山泰典
发明人：塙健三 , 横山泰典
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/28
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：【課題】本発明は、光の取り出し性が良好で明るく、ボンディング時の電極剥がれを無くすることができる半導体発光素子の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基板１１上にｎ型半導体層１３、発光層１４およびｐ型半導体層１５が積層され、ｐ型半導体層１５上に透光性正極１６が積層されるとともに、該透光性正極１６に正極ボンディングパッド１７が設けられ、前記ｎ型半導体層１３上に負極ボンディングパッド１８が設けられた半導体発光素子１を製造することを特徴とする。
摘要翻译：为了提供一种具有优异的光提取特性的半导体发光元件，是明亮的，并且消除了在接合时电极的剥离。解决问题的手段提供一种制造半导体发光元件（1）的方法，其中n型半导体层（13），发光层（14）和p型半导体层（15）被堆叠在基板（11）上，在p型半导体层（15）上层叠透光正极（16），在透光正极（16）上配置正极焊盘（17），负极接合焊盘（18）设置在n型半导体层（13）上。

9. 发明申请

WO2008075679A1 ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ审中-公开
标题翻译：制备III型氮化物半导体发光元件的方法，III型氮化物半导体发光元件和灯
公开(公告)号：WO2008075679A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/074311
申请日：2007-12-18
申请人：昭和電工株式会社 , 三木久幸 , 塙健三 , 佐々木保正
发明人：三木久幸 , 塙健三 , 佐々木保正
IPC分类号： H01L33/00 , C23C14/34
CPC分类号： H01L21/02631 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/0075
摘要：　本発明のＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法は、基板上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含み、前記半導体層を成膜する際、Ｇａからなるスパッタターゲットの少なくとも表層が液状化された状態でスパッタする。
摘要翻译：制造III族氮化物化合物半导体发光元件的方法包括在基板上形成由包含Ga作为III族元素的III族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序。在形成半导体层时，至少使用由Ga液化的溅射靶的表面层进行溅射。

10. 发明申请

WO2009148075A1 ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、およびランプ审中-公开
标题翻译：制造III型氮化物半导体发光元件，III型氮化物半导体发光元件和灯的方法
公开(公告)号：WO2009148075A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/JP2009/060136
申请日：2009-06-03
申请人：昭和電工株式会社 , 三木久幸 , 横山泰典 , 岡部健彦 , 塙健三
发明人：三木　久幸 , 横山　泰典 , 岡部　健彦 , 塙　健三
IPC分类号： H01L33/00 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02458 , C23C14/022 , C23C14/0617 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供することを目的とし、基板（１１）上に、ＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層（１２）を積層し、該バッファ層（１２）上に、下地層（１４ａ）を備えるｎ型半導体層（１４）、発光層（１５）及びｐ型半導体層（１６）を順次積層する方法であり、基板（１１）に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、前処理工程に次いで、基板（１１）上にバッファ層（１２）を、少なくとも金属Ｇａ原料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０≦Ｘ＜１）なる組成で形成するバッファ層形成工程と、バッファ層（１２）上に下地層（１４ａ）を形成する下地層形成工程とを具備する製造方法を提供する。
摘要翻译：提供一种具有优异的生产率和发光特性的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，III族氮化物半导体发光元件和灯。在该方法中，将由III族氮化物化合物构成的缓冲层（12）层叠在基板（11）上，设置有设置有基底层（14a）的发光层（15）和发光层（15）的n型半导体层）和p型半导体层（16）依次层叠在缓冲层（12）上。该方法具有对衬底（11）进行等离子体处理的预处理步骤，在衬底上形成具有AlXGa1-XN（0 = X <1）的组成的缓冲层（12）的缓冲层形成步骤 11），通过使至少Ga原料金属材料和含有V元素的气体在预处理步骤之后通过等离子体活化材料和气体而相互反应，以及形成基底层（14a）的基底层形成步骤，在缓冲层（12）上。

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