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1. 发明申请

WO2007055262A1 窒化物半導体発光ダイオード素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光二极管器件
公开(公告)号：WO2007055262A1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：PCT/JP2006/322338
申请日：2006-11-09
申请人：三菱電線工業株式会社 , 岡川広明 , 高野剛志 , 平岡晋 , 谷口浩一
发明人：岡川広明 , 高野剛志 , 平岡晋 , 谷口浩一
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/16 , H01L21/0237 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/20
摘要：　窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、表面にストライプ状の凹凸構造を有する透明基板１１と、該凹凸構造を埋めるように形成された窒化物半導体層Ｎとを有している。窒化物半導体層Ｎは、透明基板１１よりも高い屈折率を有し、かつ、発光部を含んでいる。当該素子を上面視したとき、窒化物半導体層Ｎの形状は方形であり、かつ、前記ストライプ状の凹凸構造の長手方向は、前記方形の窒化物半導体層Ｎの４つの辺のいずれとも平行でない。この窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、発光効率の高いものとなるので、照明装置用の光源として好適に用いることができる。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光二极管器件（10），其包括在表面上具有条纹不均匀结构的透明衬底（11）和形成为填充不平坦结构的氮化物半导体层（N）。氮化物半导体层（N）的折射率比透明基板（11）高，并且包含发光部。当从顶部观察器件时，氮化物半导体层（N）具有矩形形状，并且条纹不均匀结构的纵向方向不与矩形氮化物半导体层（N）的四个边中的任一侧平行。由于氮化物半导体发光二极管装置（10）具有高发光效率，因此可以适合用作照明装置的光源。

2. 发明申请

WO2005027232A1 ＧａＮ系発光ダイオード审中-公开
标题翻译： GaN发光二极管
公开(公告)号：WO2005027232A1
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/JP2004/013478
申请日：2004-09-09
申请人：三菱電線工業株式会社 , 岡川広明 , 城市隆秀 , 只友一行
发明人：岡川広明 , 城市隆秀 , 只友一行
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38
摘要：本発明は、基板の上に少なくともｎ型ＧａＮ系半導体層と、ＧａＮ系半導体からなる発光層と、ｐ型ＧａＮ系半導体層とを順に積層し、そのｐ型ＧａＮ系半導体層側を発光観測面とするＧａＮ系発光ダイオードにおいて、ｐ型ＧａＮ系半導体層表面に、透光性を有さない金属層からなる光取出し可能なパターンに形成されたｐ型オーミック電極と、該ｐ型オーミック電極と電気的に接続されるｐ型ボンディング電極とを設ける一方、該ｐ型ボンディング電極を該ｐ型ＧａＮ系半導体層とはオーミック接合しないようにし、かつ、ｐ型ボンディング電極の下にはｐ型オーミック電極を実質的に形成しない構成にしたＧａＮ系発光ダイオードに関する。当該ＧａＮ系発光ダイオードによれば、ｐ型ボンディング電極の接着強度が高く、しかも、高発光効率及び高出力を示すＧａＮ系発光ダイオードを実現できる。
摘要翻译：公开了一种GaN发光二极管，其中至少n型GaN半导体层，由GaN半导体和p型GaN半导体层构成的发光层依次布置在衬底上，并且p型GaN半导体层侧作为观察发光的表面。在该GaN发光二极管中，由非光透射金属层构成的p型欧姆电极，能够取出光的图案化，与p型欧姆电性电连接的p型接合电极电极形成在p型GaN半导体层的正面上。 p型接合电极形成为不与p型GaN半导体层发生欧姆接触，并且在p型接合电极下基本上不形成p型欧姆电极。因此，可以实现具有高发光效率和高输出的GaN发光二极管，其中p型接合电极具有高粘合强度。

3. 发明申请

WO2002075821A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2002075821A1
公开(公告)日：2002-09-26
申请号：PCT/JP2002/002658
申请日：2002-03-20
申请人：三菱電線工業株式会社 , 只友一行 , 岡川広明 , 大内洋一郎 , 常川高志
发明人：只友一行 , 岡川広明 , 大内洋一郎 , 常川高志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Projections and recesses (1a) are formed in a first layer (1), and a second layer (2) having an index of refraction different from that of the first layer (1) is formed while filling in the recesses (alternatively, a first crystal (10) is grown on a crystal layer (S) serving as the foundation of the growth to have an uneven surface, and a second crystal (20) having an index of refraction different from that of the first crystal is grown). After the uneven refractive index interface (1a(10a)) is thus formed, a device structure where a semiconductor crystal layers including a light-emitting layer (A) are formed thereon. As a result, the light generated in the light-emitting layer (A) and traveling horizontally is bent by the influence of the uneven refractive index interface and directed to the outside. If ultraviolet light is emitted by using InGaN as the material of the light-emitting layer, a quantum well structure is used, and AlGaN is eliminated by forming all the layers between the quantum well structure and a low-temperature buffer layer by using a GaN crystal as the material. The quantum well structure is preferably made up of a well layer of InGaN and a barrier layer of GaN. The thickness of the barrier layer preferably ranges from 6 to 30 nm.
摘要翻译：在第一层（1）中形成突起和凹槽（1a），并且在填充凹部（或者，第一层）（1）中形成具有与第一层（1）的折射率不同的折射率的第二层（2）晶体（10）在作为生长的基础的晶体层（S）上生长以具有不平坦的表面，并且生长具有与第一晶体的折射率不同的折射率的第二晶体（20））。在如此形成不均匀的折射率界面（1a（10a））之后，形成其中形成有发光层（A）的半导体晶体层的器件结构。结果，发光层（A）中产生的并且水平行进的光被不均匀的折射率界面的影响弯曲并被引导到外部。如果通过使用InGaN作为发光层的材料发射紫外光，则使用量子阱结构，并且通过使用GaN在量子阱结构和低温缓冲层之间形成所有层来消除AlGaN 水晶为材料。量子阱结构优选由InGaN的阱层和GaN的势垒层构成。阻挡层的厚度优选为6〜30nm。

4. 发明申请

WO2009102032A1 ＧａＮ系ＬＥＤ素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译： GAN LED装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009102032A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2009/052430
申请日：2009-02-13
申请人：三菱化学株式会社 , 宮下啓二 , 工藤広光 , 嶋敏彦 , 岡川広明 , 城市隆秀 , 湖東雅弘 , 平岡晋
发明人：宮下啓二 , 工藤広光 , 嶋敏彦 , 岡川広明 , 城市隆秀 , 湖東雅弘 , 平岡晋
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/28
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/42
摘要：　ｐ型層上にＴＣＯ膜を有し、そのＴＣＯ膜上の一部にボンディングパッドを有するｐｎ接合型のＧａＮ系ＬＥＤ素子における、ボンディングパッド直下のｐｎ接合部での発光の抑制に関わる新規な構成を提供すること。　ｎ型ＧａＮ系半導体層と、前記ｎ型ＧａＮ系半導体層に積層されたｐ型ＧａＮ系半導体層と、前記ｎ型ＧａＮ系半導体層に接続されたｎ電極と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に形成されたＴＣＯ膜と、前記ＴＣＯ膜上の一部に形成された導電性スパッタ膜と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と前記ＴＣＯ膜との間の抵抗が部分的に増加した領域であって、前記ＴＣＯ膜と前記導電性スパッタ膜との接触領域に対応する抵抗増加領域と、前記抵抗増加領域上に形成されたボンディングパッドと、を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子。
摘要翻译：公开了一种与在pn结GaN LED器件中的键合焊盘正下方的pn结中抑制发光有关的新型结构，其中TCO膜在p型层上，并且焊盘位于 TCO电影。具体公开了包括n型GaN半导体层，布置在n型GaN半导体层上的p型GaN半导体层，与n型GaN半导体层连接的n电极，形成TCO膜的GaN LED器件在p型GaN半导体层的表面上，形成在TCO膜的一部分上的导电溅射膜，对应于TCO膜和导电溅射膜的接触区域的电阻增加区域，其中电阻增加区域中，p型GaN半导体层和TCO膜之间的电阻部分地增加，并且形成在电阻增加区域上的焊盘。

5. 发明申请

WO2009084325A1 ＬＥＤ素子およびＬＥＤ素子の製造方法审中-公开
标题翻译： LED元件和制造LED元件的方法
公开(公告)号：WO2009084325A1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/JP2008/070298
申请日：2008-11-07
申请人：三菱化学株式会社 , 岡川広明 , 平岡晋 , 城市隆秀 , 嶋敏彦
发明人：岡川広明 , 平岡晋 , 城市隆秀 , 嶋敏彦
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/42
摘要：　光取出し効率を高めることによって出力向上を図った新規な構造のＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。上面および下面を有するｐ型ＧａＮ系半導体層の下面側にＧａＮ系半導体からなる発光部を挟んでｎ型ＧａＮ系半導体層を配置した半導体積層構造と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の上面に形成されたｐ側電極と、前記ｎ型ＧａＮ系半導体層と電気的に接続されたｎ側電極と、を備えたＧａＮ系ＬＥＤ素子であって、前記ｐ側電極が前記発光部で生じる光の取出し窓となる窓領域を有する透明導電膜を含み、前記透明導電膜の窓領域に覆われた前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の上面に平坦部と粗化処理により形成された粗面部とが所定の混在パターンをなすように設けられた、ＬＥＤ素子。
摘要翻译：提供了具有通过提高光提取效率来改善输出的新结构的GaN LED元件。 GaN LED元件设置有半导体多层结构，p侧电极和n侧电极。在半导体层叠结构中，通过夹持由GaN半导体构成的发光部，在具有上表面和下表面的p型GaN半导体层的下表面侧配置n型GaN半导体层。 p侧电极形成在p型GaN半导体层的上表面上。 n侧电极与n型GaN半导体层电连接。 p侧电极包括具有窗口区域的透明导电膜，该窗口区域是用于提取在发光部分处产生的光的窗口。在LED元件中，在被透明导电膜的窗口区域覆盖的p型GaN半导体层的上表面上，布置有通过粗糙化而形成的平坦部分和粗糙表面部分，以形成规定的混合图案。

6. 发明申请

WO2008041770A1 ＧａＮ系ＬＥＤチップを用いてなる発光装置审中-公开
标题翻译：使用GaN LED芯片的发光装置
公开(公告)号：WO2008041770A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/069612
申请日：2007-10-05
申请人：三菱電線工業株式会社 , 城市隆秀 , 岡川広明 , 平岡晋 , 嶋敏彦 , 谷口浩一
发明人：城市隆秀 , 岡川広明 , 平岡晋 , 嶋敏彦 , 谷口浩一
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/73 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：　下記（ａ）のＧａＮ系ＬＥＤチップ１００をフリップチップ実装して発光装置を構成する：（ａ）該ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。
摘要翻译：发光器件通过倒装芯片安装通道（a）中描述的GaN LED芯片（100）来配置。（a）GaN LED芯片（100）设置有透光性基板（101）和形成在透光性基板（101）上的GaN半导体层（L）。 GaN半导体层（L）从透光性基板（101）依次具有n型层（102），发光层（103）和p型层（104）的层叠结构。在p型层（104）上，形成由与透光性电极电连接的透光性电极（E101a）和正接触电极（E101b）构成的正极（E101）。正极接触电极（E101b）的面积小于p型层（104）的上表面的面积的一半。

7. 发明申请

WO2006109760A1 半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006109760A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/JP2006/307526
申请日：2006-04-04
申请人：三菱電線工業株式会社 , 高野剛志 , 城市隆秀 , 岡川広明
发明人：高野剛志 , 城市隆秀 , 岡川広明
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本発明の課題は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体およびこの半導体とオーミック接触を形成する新規な電極を有する、半導体素子を提供することである。本発明の半導体素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体とオーミック接触する電極と、を有し、該電極が前記半導体と接するＴｉＷ合金層を有する。好適態様によれば、上記電極は接点用電極を兼ねることもできる。好適態様によれば、上記電極は耐熱性に優れる。さらに、上述の半導体素子の製造方法も提供される。
摘要翻译：半导体元件设置有n型氮化镓化合物半导体和与这种半导体形成欧姆接触的新型电极。半导体元件设置有n型氮化镓化合物半导体，并且电极与半导体发生欧姆接触。电极具有与半导体接触的TiW合金层。在合适的模式中，电极也可以用作接触点的电极。在合适的模式下，电极的耐热性优异。此外，还提供了一种用于制造这种半导体元件的方法。

8. 发明申请

WO2003071610A1 発光装置およびそれを用いた照明装置审中-公开
标题翻译：发光装置和照明灯具使用它
公开(公告)号：WO2003071610A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001907
申请日：2003-02-21
申请人：三菱電線工業株式会社 , 只友一行 , 岡川広明 , 大内洋一郎 , 常川高志 , 今田善之 , 吉野正彦 , 田口常正
发明人：只友一行 , 岡川広明 , 大内洋一郎 , 常川高志 , 今田善之 , 吉野正彦 , 田口常正
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/50
摘要： A GaN LED (1) and a fluorescent element (2) for emitting fluorescence (visible light) L2 on being excited by light L1 emitted from the LED (1) are combined to form a light emitting device that uses the fluorescence L2 as an output light. The LED (1) and the fluorescent element (2) are so selected and combined that a change amount in chromaticity of an output light is within 0.05 on an x-y chromaticity chart when a drive current to be supplied to the LED (1) is changed from 0.1(A/cm2) to 70.0(A/cm2) per unit light emitting area. A white lighting fixture suppressed in color tone is obtained by using a high-efficiency InGaN ultraviolet LED for the LED (1) and a white fluorescent element for the fluorescent element.
摘要翻译：将从LED（1）发射的被光激发的荧光（可见光）L2发射的GaN LED（1）和荧光元件（2）组合形成使用荧光L2作为输出的发光器件光。当提供给LED（1）的驱动电流改变时，LED（1）和荧光元件（2）被选择和组合，使得在xy色度图上输出光的色度变化量在0.05内从每单位发光面积的0.1（A / cm 2）至70.0（A / cm 2）。通过使用用于LED（1）的高效InGaN紫外LED和用于荧光元件的白色荧光元件，可以获得抑制色调的白色照明灯具。

9. 发明申请

WO2011024818A1 白色半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体白色发光器件
公开(公告)号：WO2011024818A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/JP2010/064306
申请日：2010-08-24
申请人：三菱化学株式会社 , 作田寛明 , 香川和彦 , 佐藤義人 , 岡川広明 , 平岡晋
发明人：作田　寛明 , 香川　和彦 , 佐藤　義人 , 岡川　広明 , 平岡　晋
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/08 , C09K11/0883 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7738 , C09K11/7774 , H01L33/504 , Y02B20/181
摘要：　本発明は鮮やかな赤色に関する再現性が改善された白色半導体発光装置を提供することを目的とする。本発明は、出力光が青色光成分と緑色光成分と赤色光成分とを含み、該青色光成分の発生源は半導体発光素子および／または半導体発光素子が発する光を吸収して波長変換により該青色光成分を含む光を放出する第１の蛍光体であり、該緑色光成分の発生源は半導体発光素子が発する光を吸収して波長変換により該緑色光成分を含む光を放出する第２の蛍光体であり、該赤色光成分の発生源は半導体発光素子が発する光を吸収して波長変換により該赤色光成分を含む光を放出する第３の蛍光体である。該出力光のスペクトルは６１５～６４５ｎｍの範囲に極大波長を有し、光束で規格化した該出力光のスペクトルの波長５８０ｎｍにおける強度が、光束で規格化した演色性評価用基準光のスペクトルの波長５８０ｎｍにおける強度の８０～１００％である、白色半導体発光装置に関する。
摘要翻译：公开了一种提高亮红色的再现性的半导体白光发光装置。具体公开了一种半导体白光发光装置，其输出光含有蓝光分量，绿光分量和红光分量。蓝色光成分的源极是从半导体发光元件吸收发光的半导体发光元件和/或第一荧光体，并通过波长转换对含有蓝色光成分的光进行放电; 绿色光分量的源极是吸收从半导体发光元件发射的光并通过波长转换放出含有绿色光分量的光的第二荧光体; 并且红光分量的源极是吸收从半导体发光元件发射的光并通过波长转换放出含有红光分量的光的第三荧光体。输出光谱的最大波长在615-645nm范围内; 并且所述光谱相对于光子通量标准化的波长为580nm的输出光的光谱的强度为参考光的光谱强度的80-100％，用于在波长处进行显色评估为580nm，所述光谱相对于光子通量被标准化。

10. 发明申请

WO2009102033A1 エピタキシャル成長用基板、ＧａＮ系半導体膜の製造方法、ＧａＮ系半導体膜、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法およびＧａＮ系半導体発光素子审中-公开
标题翻译：用于外延生长的基材，用于生产基底半导体膜的工艺，甘蔗半导体膜，用于生产基底半导体发光元件的工艺和基于基底的半导体元件元件
公开(公告)号：WO2009102033A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2009/052432
申请日：2009-02-13
申请人：三菱化学株式会社 , 岡川広明 , 工藤広光 , 中井輝久 , 金成珍
发明人：岡川広明 , 工藤広光 , 中井輝久 , 金成珍
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： C23C16/303 , C23C16/0236 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/32
摘要：　本発明のエピタキシャル成長用基板は、ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる単結晶部を少なくとも表層部分に備え、エピタキシャル成長用表面として、それぞれが３個の最近接する他の凸部を１２０度ずつ異なる方向に有するよう配列された複数の凸部と、それぞれが６個の上記凸部により包囲された複数の成長スペースと、からなる凹凸面を有し、上記単結晶部が少なくとも上記成長スペースに露出しており、それによって上記成長スペースからｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶が成長可能となっている。
摘要翻译：公开了一种用于外延生长的衬底，其至少在表层部分包括与GaN基半导体不同的材料的单晶部分。一种凹凸表面，其包括多个凸起，其布置成使得每个凸起在彼此相差120度的方向上具有三个最相邻的另外的凸起，并且将由上述六个凸起包围的多个生长空间设置为用于外延生长的表面。至少在生长空间上露出单晶部分，由此可以生长c轴从生长空间取向的GaN基半导体晶体。

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