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1. 发明申请

WO2008084834A1 ＧａＮ系半導体発光素子审中-公开
标题翻译： GAN半导体发光元件
公开(公告)号：WO2008084834A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/JP2008/050213
申请日：2008-01-10
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男
发明人：尺田幸男
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32
摘要：【課題】Ａｕ膜を含む金属多層膜で構成された透明電極におけるＡｕの拡散を防止するようにしたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。　サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｎ型ＧａＮコンタクト層３が露出した面にｎ側パッド電極８が形成されている。ｐ型ＧａＮコンタクト層５の上面全体に設けられた金属多層膜透明電極６は、例えば、ｐ型ＧａＮコンタクト層５側からＮｉ／Ａｕ／Ｔｉ／Ｎｉで構成される。ＴｉがＡｕの拡散防止金属層となって、Ａｕの拡散を阻止する。
摘要翻译：提供了在由包括Au膜的金属多层膜构成的透明电极中防止Au扩散的GaN半导体发光元件。在蓝宝石衬底（1）上依次层叠GaN缓冲层（2），n型GaN接触层（3），MQW有源层（4）和p型GaN接触层（5）。在n型GaN接触层（3）从其露出的表面上形成n侧焊盘电极（8）。1.一种设置在整个p型GaN接触层（5）上的金属多层膜透明电极（6））例如由从P型GaN接触层（5）侧的Ni / Au / Ti / Ni构成。通过使Ti作为金扩散防止金属层来防止Au的扩散。

2. 发明申请

WO2007100038A1 発光素子及びこの発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：发光元件和制造这种发光元件的方法
公开(公告)号：WO2007100038A1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/JP2007/053910
申请日：2007-03-01
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男
发明人：尺田幸男
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/16 , H01S5/0202 , H01S5/32341
摘要：　互いに直交する劈開方向を有する面を主面とする成長用基板と、前記成長用基板の前記主面上に形成された第１窒化物半導体層と、前記第１窒化物半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２窒化物半導体層とを備えた発光素子において、前記主面における前記成長用基板の側辺と前記劈開方向の一方とが形成する角度は、約３０～６０°の範囲内である。
摘要翻译：发光元件设置有生长衬底，其具有作为主平面的切割方向彼此正交的平面; 形成在生长衬底的主平面上的第一氮化物半导体层; 形成在所述第一氮化物半导体层上的有源层; 以及形成在所述有源层上的第二氮化物半导体层。在生长基材的一侧在主平面上形成的角度和其中一个裂开方向在大约30-60°的范围内。

3. 发明申请

WO2006030733A1 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2006030733A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/JP2005/016751
申请日：2005-09-12
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男 , 西田敏夫 , 園部雅之
发明人：尺田幸男 , 西田敏夫 , 園部雅之
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：　電灯や蛍光管などの代りに用いることができる半導体発光装置を静電気などのサージから保護することにより、街灯や信号機などに用いられても信頼性の高い半導体発光装置を提供する。　基板上に発光層を形成するように半導体層を積層して半導体積層部が形成され、その半導体積層部が複数個に電気的に分離されると共に、それぞれに一対の電極１９、２０が設けられることにより、複数個の発光部１が形成されている。この複数個の発光部１は、配線膜３を介して、それぞれ直列および／または並列に接続されるが、外部電源と接続される電極パッド４ａ、４ｂ間に直列に接続される複数個の発光部１と直列に、サージを吸収するインダクタ８が形成されている。一例として、インダクタ８が、複数個の発光部１を渦巻き状に形成することにより形成されている。
摘要翻译：即使通过保护可以用于代替电灯或荧光灯的半导体发光装置来抵抗诸如静电的浪涌，也可以在户外灯或交通信号灯中使用高可靠性的半导体发光装置。半导体多层部分通过将衬底上的半导体层铺设在衬底上而形成发光层并将其电分离成多个部分，然后每个部分设置有一对电极（19,20），从而形成多个的发光部件（1）。多个发光部件（1）通过布线膜（3）串联和/或并联连接，并且用于吸收浪涌的电感器（8）与多个发光部件（1）串联形成，串联连接在与外部电源连接的电极焊盘（4a，4b）之间。作为示例，通过螺旋地形成多个发光部（1）来形成电感器（8）。

4. 发明申请

WO2009088084A1 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2009088084A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/JP2009/050249
申请日：2009-01-09
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男
发明人：尺田幸男
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/385
摘要：　六角形状に形成された半導体発光素子が２次元状に多数形成された半導体発光装置で、光の取り出し効率が低下しないように、光の取り出し面側に正電極及び負電極を形成した半導体発光装置を提供する。　成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。各半導体発光素子Ｄのｐ電極８及びｎ電極７が六角形状の光の取り出し面側に形成され、隣接する半導体発光素子のｐ電極同士又はｎ電極同士は、分離溝Ａを挟んで隣接するように配置される。　
摘要翻译：公开了一种半导体发光器件，其中二维形成许多六边形半导体发光元件，并且在光提取表面侧形成正电极和负电极，使得光提取效率不劣化。在用于生长的基板（1）上形成用于选择性生长的掩模（11），并且在去除了掩模（11）的一部分的区域上形成AlN缓冲层（2）。在AlN缓冲层（2）上依次层叠未掺杂的GaN层（3），n型GaN层（4），有源层（5），p型GaN层（6）形成凹槽（A）以将元件彼此隔离。每个半导体发光元件（D）的p电极（8）和n电极（7）形成在六边形形状的光提取表面的一侧，并且p电极或n电极相邻的半导体发光元件彼此相邻地布置有隔离槽（A）。

5. 发明申请

WO2009072631A1 窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体素子审中-公开
标题翻译：制造氮化物半导体元件和氮化物半导体元件的方法
公开(公告)号：WO2009072631A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/JP2008/072203
申请日：2008-12-05
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男
发明人：尺田幸男
IPC分类号： H01L33/00 , C23C16/34 , C30B25/04 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/34 , C30B25/04 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L27/156 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要：　バッファ層を用いて選択成長により窒化物半導体素子を形成する場合に、結晶品質の高い窒化物半導体素子を作製することができる窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体素子を提供する。　成長用基板１上に選択成長用マスク１１を形成し、選択成長用マスク１１の一部を除去して所定形状にパターニングした後、ＡｌＮバッファ層２を温度９００°C以上で結晶成長させるので、成長用基板１上に残っている選択成長用マスク１１上にはＡｌＮバッファ層２は形成されずに、成長用基板１の露出した面に形成される。
摘要翻译：提供了通过使用缓冲层通过选择性生长来形成氮化物半导体元件的情况下，制造具有高晶体质量的氮化物半导体元件的方法。还提供了氮化物半导体元件。在用于生长的基板（1）上形成用于选择性生长的掩模（11），并且通过去除掩模的一部分将掩模（11）图案化为规定的形状。然后，将AlN缓冲层（2）在900℃以上的温度下晶体生长。因此，AlN缓冲层（2）不形成在基板（1）上的掩模（11）上，而形成在基板（1）的露出面上。

6. 发明申请

WO2006025497A1 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2006025497A1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/JP2005/016026
申请日：2005-09-01
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男 , 西田敏夫 , 園部雅之
发明人：尺田幸男 , 西田敏夫 , 園部雅之
IPC分类号： H01L33/00 , F21V25/00 , F21V25/04
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　電灯や蛍光管などの代りに用いることができる半導体発光装置を１つの基板上に複数個の発光部を形成してモノリシックにより形成する場合において、配線の断線などが生じないで信頼性の高い半導体発光装置を提供する。　基板１上に発光層を形成するように積層された半導体積層部１７が複数個に電気的に分離されることにより、複数個の発光部１が形成され、この複数個の発光部１が、配線膜３によりそれぞれ直並列に接続されている。この複数個の発光部１をそれぞれ電気的に分離する構造が、半導体積層部１７に形成される分離溝１７ａおよびその分離溝１７ａ内に埋め込まれる絶縁膜２１により形成され、その分離溝１７ａは、分離溝１７ａを挟んだ半導体積層部１７の表面が実質的に同一面になる場所に形成され、その分離溝１７ａ上に絶縁膜２１を介して配線膜３が形成されている。
摘要翻译：公开了一种高可靠性的半导体发光装置，其中在线之间不发生断开。这种可以用于代替电灯或荧光灯的半导体发光器件通过在一个衬底上形成多个发光单元来整体地形成。多个发光单元（1）通过将形成在基板（11）上的半导体多层部分（17）电隔离以构成发光层而形成，并且发光单元（1）分别通过布线膜（3）串联和/或并联连接。用于将发光单元（1）彼此电分离的结构由形成在半导体多层部分（17）中的分离槽（17a）和埋在分离槽（17a）中的绝缘膜组成。分离槽（17a）形成为使分离槽（17a）的两侧的半导体多层部（17）的表面基本上位于同一平面上，并且布线膜（3）形成在分离槽（17a）经由绝缘膜（21）。

7. 发明申请

WO2008004545A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008004545A1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：PCT/JP2007/063291
申请日：2007-07-03
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男
发明人：尺田幸男
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82007 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
摘要：　半導体発光素子(Ａ)は、ｎ型半導体層（２）、ｐ型半導体層(４)、および、これら半導体層（２，４）に挟まれた活性層（３）を含んでいる。さらに、半導体発光素子(Ａ)は、ｎ型半導体層（２）に接するｎ側電極（５）と、ｐ型半導体層（４）に接するｐ側電極（６）とを含む。ｎ型半導体層（２）およびｐ型半導体層（４）は絶縁層（７）により覆われている。また、絶縁層（７）は、ｎ側電極（５）およびｐ側電極（６）を部分的に覆っており、各電極（５，６）の一部は露出させている。ｎ側電極（５）は、Ａｌからなり且つｎ型半導体層（２）と接する第１層（５１）と、この第１層(５１)上に形成され、かつＮｉ、Ｗ、ＺｒおよびＰｔのいずれか１つからなる第２層（５２）とによって構成されている。ｐ側電極（６）は、Ａｕからなり且つｐ型半導体層（４）と接する第１層(６１)と、この第１層(６１)上に形成され、かつＮｉ、Ｗ、ＺｒおよびＰｔのいずれか１つからなる第２層(６２)とによって構成されている。
摘要翻译：半导体发光元件（A）包括夹在半导体层（2,4）之间的n型半导体层（2），p型半导体层（4）和有源层（3）。此外，半导体发光元件（A）包括与n型半导体层（2）接触的n侧电极（5）和与p型半导体层接触的p侧电极（6）（4）。 n型半导体层（2）和p型半导体层（4）被绝缘层（7）覆盖。绝缘层（7）部分地覆盖n侧电极（5）和p侧电极（6），并且每个电极（5,6）部分地露出。 n侧电极（5）由Al形成并与n型半导体层（2）接触的第一层（51）和形成在第二层（52）上的第二层第一层（51），并且由选自Ni，W，Zr和Pt中的一种元素形成。 p侧电极（6）由Au形成并与p型半导体层（4）接触的第一层（61）和形成在p型半导体层（4）上的第二层（62）构成，第一层（61），并且由选自Ni，W，Zr和Pt中的一种元素形成。

8. 发明申请

WO2007046465A1 窒化物半導体素子およびその製法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007046465A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/JP2006/320842
申请日：2006-10-19
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男 , 園部雅之 , 伊藤範和
发明人：尺田幸男 , 園部雅之 , 伊藤範和
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/318
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要：　基板としてＭｇ x Ｚｎ 1-x Ｏ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物を用いながら、その上部に成長される窒化物半導体の結晶性をよくするとともに、膜はがれやクラックの発生を防止し、漏れ電流が少なく高効率の窒化物半導体素子を提供する。　基板(１)上に窒化物半導体層が積層されて窒化物半導体素子を形成する場合に、基板(１)がＭｇ x Ｚｎ 1-x Ｏ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物からなっており、その基板(１)に接してＡｌ y Ｇａ 1-y Ｎ（０.０５≦ｙ≦０.２）からなる第１の窒化物半導体層(２)が設けられ、その第１の窒化物半導体層(２)上に半導体素子を形成するように、窒化物半導体層(３)～(５)が積層されている。
摘要翻译：公开了一种高效氮化物半导体器件，其中即使在氧化锌化合物如Zn x 1-x O（即， 0 = x = 0.5）用于基板。该氮化物半导体器件防止膜分离或裂纹，同时具有低漏电流。具体公开了通过在衬底（1）上排列氮化物半导体层而形成的氮化物半导体器件。基板（1）由氧化锌化合物如Mg x Zn 1-x O（0 = x = 0.5），第一氮化物半导体层（2））由衬底（1）上的Al x Ga 1-y N（0.05 = y = 0.2）构成，氮化物半导体层（3） - （5 ）布置在用于形成半导体器件的第一氮化物半导体层（2）上。

9. 发明申请

WO2006030734A1 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2006030734A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/JP2005/016752
申请日：2005-09-12
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男 , 西田敏夫 , 園部雅之
发明人：尺田幸男 , 西田敏夫 , 園部雅之
IPC分类号： H01L33/00 , C09K11/00 , C09K11/56 , C09K11/78
CPC分类号： C09K11/584 , C09K11/642 , C09K11/7701 , H01L27/156 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：　交流駆動をしても照明のチラツキがなく、しかもスイッチをオフにすれば殆ど違和感なく消光することができると共に、半導体発光装置自体にチラツキ防止手段が施され、半導体発光装置をどのような状態で照明装置などに組み込んでも照明装置側に特別な処理を施すことなくチラツキを防止することができる半導体発光装置を提供する。　基板１１上に発光層を形成するように半導体層を積層して半導体積層部１７が形成され、その半導体積層部１７が複数個に電気的に分離されると共に、それぞれに一対の電極１９、２０が設けられることにより、複数個の発光部１が形成されている。この複数個の発光部１は、配線膜３を介して、それぞれ直並列に接続されると共に、複数の発光部１の光発射面側に残光時間が１０ミリ秒から１秒以内の蛍光材料を含有する蛍光体層６、および／または蓄光ガラスを含む層を設けられている。
摘要翻译：半导体发光器件可以用AC电源驱动，而不会导致照明中的任何闪烁，并且通过简单地关闭开关就能基本上平滑地熄灭。半导体发光器件本身设置有防闪烁装置，并且即使当半导体发光器件与照明器集成时，也可以防止闪烁，而不需要对照射器侧进行任何特殊处理。通过将衬底（11）上的半导体层铺设以形成发光层并将电分为多个部分形成多层半导体部分（17），然后每个部分设置有一对电极（19,20）从而形成多个发光部（1）。多个发光部件（1）通过布线膜（3）串联连接，并且包含含有余辉时间为10毫秒至1秒的荧光材料的层（6）和/或包含光存储器玻璃设置在多个发光部（1）的照明面侧。

10. 发明申请

WO2009078482A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2009078482A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/073189
申请日：2008-12-19
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男
发明人：尺田幸男
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3214
摘要：リッジストライプ構造を備えていても、素子の駆動電圧の上昇や内部発熱による寿命低下を防止し、レーザ特性を均一にすることができる窒化物半導体発光素子を提供する。　ＧａＮ基板１上にｎ型ＧａＮ層２、ｎ型ＡｌＧａＮ層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮ層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。ｐ型ＧａＮ層６上には絶縁膜７と透明電極８が形成されている。透明電極８の一部は、ｐ型ＧａＮ層６と接するように形成されている。導波路形成のためのリッジストライプ部Ｄは、透明膜９で構成されている。透明電極８とｐ型ＧａＮ層６と接触している領域が、ストライプ形状の電流注入領域となる。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光器件，即使当器件具有脊状条纹结构时，由于器件的驱动电压的增加或内部发热而防止寿命缩短，从而具有均匀的激光特性。具体地，n型GaN层（2），n型AlGaN层（3），有源层（4），p型AlGaN层（5）和p型GaN层（6）分别为顺序地布置在GaN衬底（1）上。在p型GaN层（6）上形成绝缘膜（7）和透明电极（8）。透明电极（8）的一部分形成为与p型GaN层（6）接触。用于形成波导的脊条部分（D）由透明膜（9）组成。与透明电极（8）和p型GaN层（6）接触的区域用作条纹电流注入区域。

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