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1. 发明申请

WO2004030067A1 オゾン処理装置审中-公开
标题翻译：臭氧加工设备
公开(公告)号：WO2004030067A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/012112
申请日：2003-09-22
申请人：住友精密工業株式会社 , 菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
发明人：菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/452 , H01L21/02054 , H01L21/67017
摘要：　本発明は、基板表面をムラなく効率的に処理することができるオゾン処理装置に関する。オゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、基板Ｋを加熱する加熱装置と、オゾンを含んだ処理ガスが流通する処理ガス流路３２及び冷却流体が流通する冷却流体流路を有するヘッド本体３１、ヘッド本体３１の下面に固設され、処理ガス流路３２と連通し且つ基板Ｋ上面に向けて開口した処理ガス吐出路を有するノズル体４０を具備した処理ガス供給ヘッド３０と、処理ガス流路３２に処理ガスを供給するガス供給装置と、冷却流体流路に冷却流体を供給，循環させる冷却流体循環装置とを備え、ヘッド本体３１とノズル体４０との間に断熱部材が介装される。断熱部材によりヘッド本体３１から断熱されたノズル体４０は、逆に加熱装置によって加熱され、ノズル体４０内を流通する処理ガスはその一部が熱分解した状態で吐出される。
摘要翻译：一种能够均匀且有效地处理基板表面的臭氧处理装置（1），包括用于在其上装载基板（K）的装载台（20），用于加热基板（K）的加热装置，处理气体进给头（30），具有头部主体（31），所述头部主体（31）具有用于使含有臭氧的工艺气体流过的工艺气体流动通道（32）和用于使冷却流体流过的冷却流体流路和固定地安装在下部的喷嘴体（40）头部本体（31）的表面与处理气体流路（32）连通，并且具有朝向基板（K）的上表面的处理气体排出通道开口，用于将处理气体供给到工作气体流路（32），以及冷却流体循环装置，其用于将冷却流体供给并循环到冷却流体流路中，其特征在于，在所述头主体（31）与所述喷嘴体（40）之间设置绝缘部件，。相反，通过加热装置加热绝热部件与头部本体（31）绝缘的扎带体（40），并且在喷嘴体（40）中循环的处理气体部分地以热分解状态排出。

2. 发明申请

WO01048808A1 AN INSITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION 审中-公开
标题翻译：一个INSITU POST ETCH过程，以移除剩余的光电子和残留的边界钝化
公开(公告)号：WO01048808A1
公开(公告)日：2001-07-05
申请号：PCT/US2000/035165
申请日：2000-12-21
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/02071 , H01L21/02054 , H01L21/31138 , H01L21/32136
摘要： A method for performing a metallic etch, etch mask stripping, and removal of residual sidewall passivation in a single etch chamber. A wafer is placed in an etch chamber. A metal etch is performed on the wafer. A stripping gas, such as a mixture of oxygen and argon is provided to the etch chamber and is energized to form an oxygen plasma. The oxygen plasma strips the etch mask from the wafer and removes residual sidewall passivation. The oxygen plasma also cleans the etch chamber.
摘要翻译：一种用于在单个蚀刻室中执行金属蚀刻，蚀刻掩模剥离和去除剩余侧壁钝化的方法。将晶片放置在蚀刻室中。在晶片上执行金属蚀刻。将诸如氧气和氩气的混合物的汽提气体提供给蚀刻室并被激发以形成氧等离子体。氧等离子体从晶片剥离蚀刻掩模，并去除剩余的侧壁钝化。氧等离子体还清洗蚀刻室。

3. 发明申请

WO00019518A1 OPTICAL INSPECTION EQUIPMENT FOR SEMICONDUCTOR WAFERS WITH PRECLEANING 审中-公开
标题翻译：用于半导体滤波器的光学检测设备与预处理
公开(公告)号：WO00019518A1
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：PCT/US1999/020610
申请日：1999-09-08
IPC分类号： G01J4/04 , G01N21/21 , G01N21/95 , H01L21/00 , H01L21/306 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/02046 , G01N21/211 , G01N21/9501 , G01N2201/0227 , G01N2201/023 , H01L21/02054 , H01L21/67028 , H01L21/67115 , H01L22/20
摘要： A method for improving the measurement of semiconductor wafers is disclosed. In the past, the repeatability of measurements was adversely affected due to the unpredictable growth of a layer of contamination over the intentionally deposited dielectric layers. Repeatability can be enhanced by removing this contamination layer prior to measurement. This contamination layer can be effectively removed in a non-destructive fashion by subjecting the wafer to a cleaning step. In one embodiment, the cleaning is performed by exposing the wafer to microwave radiation. Alternatively, the wafer can be cleaned with a radiant heat source. These two cleaning modalities can be use alone or in combinationn with each other or in combination with other cleaning modalities. The cleaning step may be carried out in air, an inert atmosphere or a vacuum. Once the cleaning has been performed, the wafer can be measured using any number of known optical measurement systems.
摘要翻译：公开了一种改善半导体晶片测量的方法。在过去，由于在有意沉积的介电层上的污染层的不可预测的增长，测量的重复性受到不利影响。在测量之前，通过去除这个污染层可以提高重复性。通过使晶片进行清洁步骤，可以非破坏性地有效地去除该污染层。在一个实施例中，通过将晶片暴露于微波辐射来进行清洁。或者，可以用辐射热源清洁晶片。这两种清洁方式可以单独使用或组合使用，或与其他清洁模式组合使用。清洁步骤可以在空气，惰性气氛或真空中进行。一旦执行了清洁，就可以使用任何数量的已知光学测量系统测量晶片。

4. 发明申请

WO98050947A1 METHODS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SURFACES 审中-公开
标题翻译：清洁半导体表面的方法
公开(公告)号：WO98050947A1
公开(公告)日：1998-11-12
申请号：PCT/US1998/009340
申请日：1998-05-07
IPC分类号： B08B3/08 , B08B7/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/00 , B08B3/12
CPC分类号： H01L21/02054 , B08B3/08 , B08B7/00 , B08B2203/005 , B08B2230/01 , Y10S134/902 , Y10S438/906
摘要： The invention encompasses methods for cleaning surfaces of wafers or other semiconductor articles. Oxidizing is performed using an oxidation solution which is wetted onto the surface. The oxidation solution can include one or more of: water, ozone, hydrogen chloride, sulfuric acid, or hydrogen peroxide. A rinsing step removes the oxidation solution and inhibits further activity. The rinsed surface is thereafter preferably subjected to a drying step. The surface is exposed to an oxide removal vapor to remove semiconductor oxide therefrom. The oxide removal vapor can include one or more of: acids, such as a hydrogen halide, for example hydrogen fluoride or hydrogen chloride; water, isopropyl alcohol; or ozone. The processes can use centrifugal processing and spraying actions.
摘要翻译：本发明包括用于清洁晶片或其它半导体产品表面的方法。使用被润湿到表面上的氧化溶液进行氧化。氧化溶液可以包括水，臭氧，氯化氢，硫酸或过氧化氢中的一种或多种。漂洗步骤除去氧化溶液并抑制进一步的活性。此后，漂洗后的表面优选进行干燥步骤。将表面暴露于氧化物去除蒸气以从其中除去半导体氧化物。氧化物去除蒸气可以包括一种或多种：酸，例如卤化氢，例如氟化氢或氯化氢; 水，异丙醇; 或臭氧。这些工艺可以使用离心加工和喷涂动作。

5. 发明申请

WO2014055752A1 UV TREATMENT OF POLISHED WAFERS 审中-公开
标题翻译：抛光抛光的紫外线处理
公开(公告)号：WO2014055752A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：PCT/US2013/063248
申请日：2013-10-03
申请人： SUNEDISON, INC.
发明人： KWESKIN, Sasha J. , SHIVE, Larry W.
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02024 , H01L21/02052
摘要： A method is provided for cleaning a surface of a semiconductor wafer comprising: (a) contacting the front surface of the wafer with a slurry comprising an abrasive agent and a polymeric rheological modifier; (b) contacting the front surface of the semiconductor wafer with an oxidant; and (c) irradiating the front surface of the semiconductor wafer with ultraviolet light.
摘要翻译：提供了一种用于清洁半导体晶片的表面的方法，包括：（a）使晶片的前表面与包含研磨剂和聚合物流变改性剂的浆料接触; （b）使半导体晶片的前表面与氧化剂接触; 和（c）用紫外线照射半导体晶片的前表面。

6. 发明申请

WO2011013356A1 ウェーハ表面処理方法审中-公开
标题翻译： WAFER表面处理方法
公开(公告)号：WO2011013356A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/JP2010/004775
申请日：2010-07-27
申请人：株式会社SUMCO , 奥内茂 , 佐藤宏明 , 黒紙基
发明人：奥内　茂 , 佐藤　宏明 , 黒紙　基
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02049
摘要：　化学処理を伴うウェーハ表面処理方法において、従来のウェット処理等、拡散律速型処理による表面処理で問題視されていた反応ムラを効果的に抑制し、表面性状に優れたウェーハを提供することを目的とする。　化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする。
摘要翻译：在涉及化学处理的晶片表面处理方法中，提供了具有优异表面特性的晶片，并且有效地最小化了诸如湿法处理的电流扩散控制过程中常常存在问题的不均匀的反应性。在涉及化学处理的晶片表面处理方法中，化学处理的特征在于包括反应控制处理步骤，随后进行扩散控制处理步骤。

7. 发明申请

WO2008078516A1 酸化シリコン薄膜の製造装置及び形成方法审中-公开
标题翻译：氧化硅薄膜的制造方法及形成氧化硅薄膜的方法
公开(公告)号：WO2008078516A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/073400
申请日：2007-12-04
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 小笹健仁 , 鎌田俊英
发明人：小笹健仁 , 鎌田俊英
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L27/1218 , H01L29/78603
摘要：　本願発明の課題は、可塑性を有するプラスチック基板等に対して、基板の耐熱温度以下における低温印刷プロセスにより、現在電子デバイスとして使用されているものと同等の高い絶縁性能を有する酸化シリコン薄膜を用いる半導体薄膜素子及びその形成方法を提供することである。可塑性を有するプラスチック基板上にシラザン構造又はシロキサン構造を含むケイ素化合物の塗布膜を形成し、該塗布膜を酸化シリコン薄膜に転化し、該薄膜を絶縁層又は封止層の一部とすることにより半導体薄膜素子を形成する。
摘要翻译：本发明提供一种半导体薄膜元件，其具有与目前用作电子器件的元件相当的绝缘特性并且使用氧化硅薄膜的半导体薄膜元件，其通过在基片或其以下的耐热温度下进行低温印刷柔性塑料基板等。还提供了一种形成这种半导体薄膜元件的方法。在柔性塑料基板上形成由具有硅氮烷结构或硅氧烷结构的硅化合物构成的涂膜，将该涂膜转化为氧化硅薄膜，通过使薄膜为绝缘层或密封层的一部分。

8. 发明申请

WO01084612A1 INTERFACE CONTROL FOR FILM DEPOSITION BY GAS-CLUSTER ION-BEAM PROCESSING 审中-公开
标题翻译：通过气体离子束处理进行膜沉积的界面控制
公开(公告)号：WO01084612A1
公开(公告)日：2001-11-08
申请号：PCT/US2001/004026
申请日：2001-02-08
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/02 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/51 , H01L21/302 , H01L21/31 , H01L21/461 , H01L21/469
CPC分类号： H01L21/28194 , C23C14/0031 , C23C14/022 , H01J2237/0812 , H01L21/02054 , H01L21/0206 , H01L21/0217 , H01L21/02172 , H01L21/02247 , H01L21/02263 , H01L21/02299 , H01L21/02307 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/31111 , H01L21/31604 , H01L21/31662 , H01L21/31683 , H01L21/3185 , H01L28/40 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： Methods are disclosed for gas-cluster ion-beam deposition of thin films on silicon wafers rendered free of native oxides by termination of the surface bonds and subsequent reactive deposition. Hydrogen termination of the surface of silicon renders it inert to reoxidation from oxygen-containing enviornmental gasses, even those found as residue in vacuum systems, such as those used to deposit films. Nitrogen termination improves the interface with overlying metal-oxide thin films. The film is formed in intimate contact with the silicon crystal surface forming a nearly ideal interface.
摘要翻译：公开了用于通过终止表面键和随后的反应性沉积而在不含天然氧化物的硅晶片上进行气体簇离子束沉积薄膜的方法。硅表面的氢终止使其对含氧环境气体的再氧化是惰性的，甚至是在真空系统中发现的残留物，例如用于沉积膜的那些。氮终端改善了覆盖金属氧化物薄膜的界面。该膜与硅晶体表面紧密接触形成几乎理想的界面。

9. 发明申请

WO2016100938A1 SYSTEMS AND METHODS FOR RINSING AND DRYING SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：用于冲洗和干燥基材的系统和方法
公开(公告)号：WO2016100938A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/US2015/066924
申请日：2015-12-18
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： MIKHAYLICHENKO, Ekaterina , BROWN, Brian J. , HANSON, Kyle M. , FRANCISCHETTI, Vincent S.
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02054 , B08B3/08 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67057 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L21/67751
摘要： In some embodiments, a system is provided that includes (1) a loading position; (2) a drying position; (3) a movable tank configured to (a) hold at least one substrate; (b) hold a cleaning chemistry so as to expose a substrate within the movable tank to the cleaning chemistry; and (c) translate between the loading position and the drying position; and (4) a drying station located at the drying position and configured to rinse and dry a substrate as the substrate is unloaded from the movable tank when the movable tank is at the drying position. Numerous other aspects are provided.
摘要翻译：在一些实施例中，提供一种系统，其包括（1）装载位置; （2）干燥位置; （3）可移动罐，其构造成（a）保持至少一个基板; （b）保持清洁化学品，以将可移动罐内的基材暴露于清洁化学品; 和（c）在装载位置和干燥位置之间平移; 和（4）位于干燥位置处的干燥站，其构造为当可移动罐处于干燥位置时基底从可移动罐卸载时冲洗和干燥基底。提供了许多其他方面。

10. 发明申请

WO2014124980A3 PROCESS FOR PRODUCING A GALLIUM ARSENIDE SUBSTRATE, GALLIUM ARSENIDE SUBSTRATE, USE THEREOF, AND METHOD OF CHARACTERIZING THE SURFACE PROPERTIES OF A GALLIUM ARSENIDE SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于生产阿魏酸钠底物，阿魏酸钠底物的方法及其用途，以及表征阿魏酸钠基质的表面性质的方法
公开(公告)号：WO2014124980A3
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/EP2014052745
申请日：2014-02-12
申请人： FREIBERGER COMPOUND MAT GMBH
发明人： FLIEGEL WOLFRAM , KLEMENT CHRISTOPH , WILLNAUER CHRISTA , SCHEFFER-CZYGAN MAX , KLEINWECHTER ANDRÉ , EICHLER STEFAN , WEINERT BERNDT , MÄDER MICHAEL
IPC分类号： H01L21/02 , G01N21/21
CPC分类号： H01L21/02054 , G01N21/211 , G01N2021/178 , H01L21/02046 , H01L21/02052 , H01L21/02395 , H01L29/20 , Y10T428/24355
摘要： The present invention relates to a novel process for producing a surface-treated gallium arsenide substrate as well as novel provided gallium arsenide substrates as such as well as the use thereof. The improvement of the process according to the invention is based on a particular final surface treatment with an oxidation treatment of at least one surface of the gallium arsenide substrate in dry condition by means of UV radiation and/or ozone gas, a contacting of the at least one surface of the gallium arsenide substrate with at least one liquid medium and a Marangoni drying of the gallium arsenide substrate. The gallium arsenide substrates provided according to the invention exhibit a so far not obtained surface quality, in particular a homogeneity of surface properties, which is detectable by means of optical surface analyzers, specifically by means of ellipsometric lateral substrate mapping for the optical contact-free quantitative characterization.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备表面处理的砷化镓衬底的新方法以及新颖的提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特定的最终表面处理，其通过UV辐射和/或臭氧气体在干燥条件下对砷化镓基底的至少一个表面进行氧化处理，具有至少一种液体介质的砷化镓衬底的至少一个表面和砷化镓衬底的Marangoni干燥。根据本发明提供的砷化镓衬底表现出迄今为止没有获得的表面质量，特别是表面性质的均匀性，其可以通过光学表面分析仪检测，特别是通过用于光学无接触的椭圆侧向衬底贴图定量表征。

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