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1. 发明申请

WO2011013356A1 ウェーハ表面処理方法审中-公开
标题翻译： WAFER表面处理方法
公开(公告)号：WO2011013356A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/JP2010/004775
申请日：2010-07-27
申请人：株式会社SUMCO , 奥内茂 , 佐藤宏明 , 黒紙基
发明人：奥内　茂 , 佐藤　宏明 , 黒紙　基
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02049
摘要：　化学処理を伴うウェーハ表面処理方法において、従来のウェット処理等、拡散律速型処理による表面処理で問題視されていた反応ムラを効果的に抑制し、表面性状に優れたウェーハを提供することを目的とする。　化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする。
摘要翻译：在涉及化学处理的晶片表面处理方法中，提供了具有优异表面特性的晶片，并且有效地最小化了诸如湿法处理的电流扩散控制过程中常常存在问题的不均匀的反应性。在涉及化学处理的晶片表面处理方法中，化学处理的特征在于包括反应控制处理步骤，随后进行扩散控制处理步骤。

2. 发明申请

WO2011086876A1 シリコンウェーハの表面浄化方法审中-公开
标题翻译：硅波表面清洗方法
公开(公告)号：WO2011086876A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/JP2011/000022
申请日：2011-01-06
申请人：株式会社SUMCO , 黒紙基 , 佐藤宏明 , 奥内茂
发明人：黒紙　基 , 佐藤　宏明 , 奥内　茂
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02049
摘要：　オゾンガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に酸化膜を形成させ（ステップＳ１）、フッ化水素ガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去し（ステップＳ２）、シュウ酸またはクエン酸のジカルボン酸の薬液を用いてウェーハ表面を洗浄し、微粒子の再付着防止と金属粒子の除去とを行い（ステップＳ３）、さらに、オゾン水を用いてウェーハ表面を洗浄して微粒子を除去するとともに、更なる酸化膜の形成を行う（ステップＳ４）。これにより、少ない薬品の使用量で、ウェーハ表面に付着した有機物および金属等の微粒子をより精度高く除去することができるシリコンウェーハの表面浄化方法を提供する。
摘要翻译：公开的用于硅晶片的表面纯化方法包括以下步骤：使臭氧气体与晶片的表面接触，在其表面上形成氧化膜（步骤S1）; 氟化氢气体与晶片的表面接触，去除其表面上形成的氧化膜（步骤S2）; 使用草酸或柠檬酸的二羧酸化学溶液清洗晶片的表面，防止微粒再沉积和去除金属颗粒（步骤S3）; 用臭氧水清洗晶片的表面，除去微粒并形成另一氧化膜（步骤S4）。因此，所公开的用于硅晶片的表面纯化方法使得可以使用少量化学品以更高精度去除沉积在晶片表面上的有机材料和金属等的微粒。

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