发明申请
WO01048808A1 AN INSITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： AN INSITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION
- 专利标题（中）：一个INSITU POST ETCH过程，以移除剩余的光电子和残留的边界钝化
- 申请号：PCT/US2000/035165 申请日：2000-12-21
- 公开(公告)号：WO01048808A1 公开(公告)日：2001-07-05
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/02 ; H01L21/306 ; H01L21/311 ; H01L21/3213
摘要：
A method for performing a metallic etch, etch mask stripping, and removal of residual sidewall passivation in a single etch chamber. A wafer is placed in an etch chamber. A metal etch is performed on the wafer. A stripping gas, such as a mixture of oxygen and argon is provided to the etch chamber and is energized to form an oxygen plasma. The oxygen plasma strips the etch mask from the wafer and removes residual sidewall passivation. The oxygen plasma also cleans the etch chamber.
摘要（中）：
一种用于在单个蚀刻室中执行金属蚀刻，蚀刻掩模剥离和去除剩余侧壁钝化的方法。 将晶片放置在蚀刻室中。 在晶片上执行金属蚀刻。 将诸如氧气和氩气的混合物的汽提气体提供给蚀刻室并被激发以形成氧等离子体。 氧等离子体从晶片剥离蚀刻掩模，并去除剩余的侧壁钝化。 氧等离子体还清洗蚀刻室。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |