专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2018063601A1 DIFFUSER WITH CORNER HCG 审中-公开
标题翻译：扩散器与角HCG
公开(公告)号：WO2018063601A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/US2017/048262
申请日：2017-08-23
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： ZHAO, Lai , FURUTA, Gaku , CHOI, Soo Young , PARK, Beom Soo
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/458
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , H01J37/32596 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323
摘要： The present disclosure generally relates to a gas distribution plate for ensuring deposition uniformity. The gas distribution plate has multiple concave portions on the downstream side to ensure uniform deposition in corner regions of the processing chamber.
摘要翻译：本公开总体上涉及用于确保沉积均匀性的气体分配板。气体分配板在下游侧具有多个凹部以确保在处理室的角落区域中的均匀沉积。

2. 发明申请

WO2015089933A1 PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015089933A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：PCT/CN2014/071174
申请日：2014-01-23
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：刘凤举
IPC分类号： H01L21/205 , C23C14/50 , C23C16/458
CPC分类号： H01J37/32568 , C23C16/4583 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323
摘要：一种PECVD处理装置，包括：沉积盒（100）以及设置在沉积盒（100）内的第一电极（140）、第二电极（170）；所述沉积盒（100）内部为处理腔（110），一进口（120）以及一出口（160）分别设置在所述沉积盒（100）的第一侧壁（101）以及第二侧壁（102），一阀门（150）设置在所述沉积盒（100）的第三侧壁（103）上，所述出口（160）设置在所述第二侧壁（102）一侧与所述第三侧壁（103）相邻；在处理腔（110）内部设置有第一电极（140），第一电极（140）与RF电源（130）连接，其一端与所述阀门（150）的位置相对应且与所述出口（160）相邻；还设置有一电极调节装置（190），该电极调节装置（190）用于调节所述第一电极（140）与所述第二电极（170）之间的相对角度以使第一电极（140）与第二电极（170）之间的等离子体气流均匀，消除因阀门（150）和出口（160）的设置使气流偏移引起的厚度不均匀问题。

3. 发明申请

WO2015005348A1 高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：高性能铜喷溅目的的铜材料和高纯度铜喷溅目标
公开(公告)号：WO2015005348A1
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：PCT/JP2014/068198
申请日：2014-07-08
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：櫻井　晶 , 谷　雨 , 佐藤　雄次 , 熊谷　訓
IPC分类号： C25C1/12 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/00
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25C1/12 , H01J2237/081 , H01J2237/3323
摘要：　本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
摘要翻译：用于高纯度铜溅射靶的铜材料使得不含O，H，N和C的Cu的纯度在99.999980至99.999998质量％的范围内，Al含量为0.005质量ppm以下， Si含量为0.05质量ppm以下。

4. 发明申请

WO2014154424A2 PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE DIAMANT EN PHASE VAPEUR 审中-公开
标题翻译：金刚石蒸气沉积方法
公开(公告)号：WO2014154424A2
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/053658
申请日：2014-02-25
申请人： NEOCOAT SA
发明人： RATS, David , PROVENT, Christophe
IPC分类号： C23C16/04
CPC分类号： C23C16/274 , B81C1/00373 , C01B32/25 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32293 , H01J37/32403 , H01J37/32678 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01L21/02115 , H01L21/02274
摘要： La présente invention concerne un procédé de dépôt de diamant nanocristallin mettant en œuvre un équipement de dépôt de diamant en phase vapeur comprenant : - un réacteur sous vide (3) comprenant une chambre de réaction reliée à une source de vide, - une pluralité de sources de plasma, disposées selon une matrice au moins bidimensionnelle dans la chambre de réaction, - un porte-substrat (5) disposé dans le réacteur, ledit procédé étant caractérisé en ce que le dépôt est effectué à une température comprise entre 100 et 500°C.
摘要翻译：本发明涉及使用金刚石气相沉积设备沉积纳米晶金刚石的方法，该方法包括：真空反应器（3），其包括连接到真空源的反应室; 沿反应室中至少二维的矩阵排列的多个等离子体源; 和布置在所述反应器中的衬底保持器（5），所述方法的特征在于，所述沉积在100至500℃的温度下进行。

5. 发明申请

WO2014105872A3 DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：沉积系统和方法
公开(公告)号：WO2014105872A3
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/US2013077630
申请日：2013-12-23
申请人： FLIR SYSTEMS
发明人： MARX TOMMY , BORNFREUND RICHARD E , PETRAITIS YAROSLAVA , DALE JIM
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/0042 , C23C14/0063 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/3485 , H01J37/3411 , H01J37/3429 , H01J37/3467 , H01J2237/3323
摘要： A system is disclosed, including a processing chamber for a deposition process; a cathode within the chamber, configured to introduce a sputter gas and a reactive gas adjacent to a target; a substrate holder, disposed opposite the cathode within the processing chamber, configured to secure a substrate to receive a deposition from the target; and a control system configured to monitor a target voltage and to control a flow rate of the reactive gas to maintain the target voltage within a desired range during the deposition process. Methods and devices for deposition processes are also disclosed.
摘要翻译：公开了一种系统，包括用于沉积工艺的处理室; 室内的阴极，被配置为引入与靶相邻的溅射气体和反应气体; 在所述处理室内与所述阴极相对设置的衬底保持器，被配置为固定衬底以接收来自所述靶的沉积; 以及控制系统，被配置为监测目标电压并且控制所述反应气体的流速以在所述沉积过程期间将所述目标电压维持在期望范围内。还公开了沉积工艺的方法和装置。

6. 发明申请

WO2013105647A1 ＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译： FePt溅射靶和其生产方法
公开(公告)号：WO2013105647A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/JP2013/050429
申请日：2013-01-11
申请人：田中貴金属工業株式会社
发明人：宮下　敬史 , 後藤　康之 , 山本　孝充 , 櫛引　了輔 , 青野　雅広 , 西浦　正紘
IPC分类号： C23C14/34 , B22F9/08 , C22C1/05 , C22C5/04 , C22C32/00 , G11B5/851
CPC分类号： B22F3/12 , B22F9/04 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F2201/03 , B22F2999/00 , C22C1/0466 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C5/04 , C22C32/00 , C22C38/002 , C22C38/16 , C23C14/0635 , C23C14/34 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01J37/3429 , H01J37/3491 , H01J2237/3322 , H01J2237/3323
摘要：　複数のターゲットを用いることなく、磁気記録媒体として使用可能なＦｅＰｔ系合金を含む薄膜を、単独で形成することができるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。　Ｐｔを４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相と、不可避的不純物を含むＣ相と、不可避的不純物を含む金属酸化物相とが互いに分散した構造を備えさせ、ターゲット全体に対するＣの含有量を０ｖｏｌ％よりも多く２０ｖｏｌ％以下にし、ターゲット全体に対する前記金属酸化物の含有量を１０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％未満にし、かつ、ターゲット全体に対するＣと金属酸化物の合計含有量を２０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下にする。
摘要翻译：提供了一种FePt溅射靶，其可以消除多个靶的使用，并且仅使用包含适合作为磁记录介质的FePt合金的薄膜及其制造方法。靶具有分散结构的FePt合金相，其由Pt的40〜60at％，Fe和不可避免的杂质作为余量形成; C相包含不可避免的杂质; 和包含不可避免的杂质的金属氧化物相。整个目标物的C含量大于0体积％但20体积％以下; 整个靶的金属氧化物含量为10体积％以上但小于40体积％。并且整个靶中的C和金属氧化物的总含量为20〜40体积％。

7. 发明申请

WO2003034463A2 TUNABLE MULTI-ZONE GAS INJECTION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：可控多区域气体注入系统
公开(公告)号：WO2003034463A2
公开(公告)日：2003-04-24
申请号：PCT/US2002/032057
申请日：2002-10-09
申请人： LAM RESEARCH CORPORATION , COOPERBERG, David, J. , VAHEDI, Vahid , RATTO, Douglas , SINGH, Harmeet , BENJAMIN, Neil
发明人： COOPERBERG, David, J. , VAHEDI, Vahid , RATTO, Douglas , SINGH, Harmeet , BENJAMIN, Neil
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344
摘要： A tunable multi-zone injection system for a plasma processing system for plasma processing of substrates such as semiconductor wafers. The system includes a plasma processing chamber, a substrate support for supporting a substrate within the processing chamber, a dielectric member having an interior surface facing the substrate support, the dielectric member forming a wall of the processing chamber, a gas injector fixed to part of or removably mounted in an opening in the dielectric window, the gas injector including a plurality of gas outlets supplying process gas at adjustable flow rates to multiple zones of the chamber, and an RF energy source such as a planar or non-planar spiral coil which inductively couples RF energy through the dielectric member and into the chamber to energize the process gas into a plasma state. The injector can include an on-axis outlet supplying process gas at a first flow rate to a central zone and off-axis outlets supplying the same process gas at a second flow rate to an annular zone surrounding the central zone. The arrangement permits modification of gas delivery to meet the needs of a particular processing regime by allowing independent adjustment of the gas flow to multiple zones in the chamber. In addition, compared to consumable showerhead arrangements, a removably mounted gas injector can be replaced more easily and economically.
摘要翻译：一种用于等离子体处理系统的可调谐多区域注入系统，用于诸如半导体晶片的衬底的等离子体处理。该系统包括等离子体处理室，用于在处理室内支撑衬底的衬底支撑件，具有面向衬底支撑件的内表面的电介质构件，形成处理室壁的电介质构件，固定到或可移除地安装在电介质窗口的开口中，气体注射器包括多个气体出口，其以可调节的流速向腔室的多个区域供应处理气体，以及RF能量源，例如平面或非平面螺旋线圈，其中将RF能量感应耦合通过电介质构件并进入腔室，以将处理气体激励成等离子体状态。喷射器可以包括轴向出口，其以第一流量向中心区域供应处理气体，并且离轴出口以相同的处理气体以第二流量供应到围绕中心区域的环形区域。该装置允许气体输送的修改以通过允许独立调节气体流到腔室中的多个区域来满足特定处理状态的需要。此外，与消耗式喷头装置相比，可以更容易且经济地更换可移除安装的气体喷射器。

8. 发明申请

WO00068985A1 APPARATUS FOR PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译：等离子体处理设备
公开(公告)号：WO00068985A1
公开(公告)日：2000-11-16
申请号：PCT/JP2000/002770
申请日：2000-04-27
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3255 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J2237/3323
摘要： An apparatus for plasma processing includes a first electrode (21) connecting a high-frequency power supply (40) to a chamber and a second and opposite electrode (5), between which a wafer (W) to be processed is placed. A material (51) capable of absorbing harmonics originating from the high-frequency power supply (40) is in contact with edges or peripheries of the first electrode (21) opposed to the second electrode (5) so as to absorb harmonics reflected by a high-frequency absorber before returning to the high-frequency power supply. The generation of standing waves attributed to harmonics is thus effectively prevented, producing a plasma of uniform density.
摘要翻译：用于等离子体处理的装置包括将高频电源（40）连接到室的第一电极（21）和第二和相对电极（5），在其间放置待处理的晶片（W）。能够吸收源自高频电源（40）的谐波的材料（51）与与第二电极（5）相对的第一电极（21）的边缘或周边接触，以便吸收由高频吸收器返回高频电源前。因此有效地防止归因于谐波的驻波的产生，产生均匀密度的等离子体。

9. 发明申请

WO2018222256A1 REMOTE PLASMA OXIDATION CHAMBER 审中-公开
公开(公告)号：WO2018222256A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：PCT/US2018/024539
申请日：2018-03-27
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： OLSEN, Christopher S. , SHONO, Eric Kihara , HAWRYLCHAK, Lara , TJANDRA, Agus Sofian , PRASAD, Chaitanya A.
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45587 , C23C8/10 , C23C8/36 , C23C16/50 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01J2237/3323 , H01L21/67017 , H01L21/67115 , H01L21/6719
摘要： Embodiments of the present disclosure generally relate to a process chamber for conformal oxidation of high aspect ratio structures. The process chamber includes a liner assembly located in a first side of a chamber body and two pumping ports located in a substrate support portion adjacent a second side of the chamber body opposite the first side. The liner assembly includes a flow divider to direct fluid flow away from a center of a substrate disposed in a processing region of the process chamber. The liner assembly may be fabricated from quartz minimize interaction with process gases, such as radicals. The liner assembly is designed to reduce flow constriction of the radicals, leading to increased radical concentration and flux. The two pumping ports can be individually controlled to tune the flow of the radicals through the processing region of the process chamber.

10. 发明申请

WO2014192209A1 スパッタリング装置审中-公开
标题翻译：喷射装置
公开(公告)号：WO2014192209A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/JP2014/001878
申请日：2014-03-31
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：山田　聡 , 東坂　隆嗣
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/347 , C23C14/35 , C23C14/568 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3435 , H01J37/3455 , H01J37/3476 , H01J2237/20235 , H01J2237/24564 , H01J2237/24578 , H01J2237/3323
摘要：スパッタリング装置は、真空容器と、前記真空容器内の所定位置に基板を配置できる基板ホルダーと、前記基板ホルダーによって配置された前記基板に対向するようにターゲットを配置できるターゲット支持体と、前記ターゲット支持体の前記基板とは逆側に配置されたカソード磁石と、前記カソード磁石と前記ターゲット支持体との距離を調整する磁石移動部と、前記ターゲット支持体と前記基板との距離を調整するターゲット移動部と、前記ターゲット移動部及び前記磁石移動部を制御する制御部と、を備える。
摘要翻译：溅射装置设有：真空容器; 衬底保持器，其能够将衬底设置在真空容器内的规定位置; 目标支撑体，其可以配置目标以面对由衬底保持器设置的衬底; 从所述基板设置在所述目标支撑体的相对侧上的阴极磁体; 磁体移动单元，其调节阴极磁体和目标支撑体之间的距离; 目标移动单元，其调整所述目标支撑体与所述基板之间的距离; 以及控制单元，其控制目标移动单元和磁体移动单元。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式