专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2016017661A1 イオンミリング装置、イオン源およびイオンミリング方法审中-公开
标题翻译：离子切割装置，离子源和离子切割方法
公开(公告)号：WO2016017661A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/JP2015/071433
申请日：2015-07-29
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：浅井　健吾 , 志知　広康 , 高須　久幸 , 岩谷　徹
IPC分类号： H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/04 , H01J37/30 , H01J37/305 , H01J2237/081 , H01J2237/082 , H01J2237/303
摘要：　従来よりも著しく大きいミリング速度を得ることが可能なペニング放電方式のイオンガンおよびそれを有するイオンミリング装置、イオンミリング方法を提供する。イオン生成部は、電子を放出するカソード（１１、１２）と、前記イオン生成部の内部に設けられ、内径が５．２ｍｍ以下のアノード（１３）と、最大エネルギー積が１１０ｋＪ／ｍ３から１９１ｋＪ／ｍ３の範囲である永久磁石による磁場発生手段（１４）と、を有することを特徴とする。
摘要翻译：提供一种Penning放电型离子枪，可以获得比传统实现的更高的铣削速度，具有离子枪的离子研磨装置和离子铣削方法。本发明的特征在于具有：用于发射电子的阴极（11,12）的离子发生器; 设置在离子发生器中的阳极（13），阳极（13）的内径为5.2mm以下; 以及能够使用具有110-191kJ / m 3的最大能量积的永磁体的磁场产生装置（14）。

2. 发明申请

WO2015017627A1 PARTIAL SPRAY REFURBISHMENT OF SPUTTERING TARGETS 审中-公开
标题翻译：溅射目标的部分喷雾再造
公开(公告)号：WO2015017627A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/US2014/049073
申请日：2014-07-31
申请人： H.C. STARCK INC.
发明人： MILLER, Steven, A.
IPC分类号： C23C24/00 , B05D5/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C24/04 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J2237/081 , H01J2237/332
摘要： In various embodiments, eroded sputtering targets are partially refurbished by spray- depositing particles of target material to at least partially fill certain regions (e.g., regions of deepest erosion) without spray-deposition within other eroded regions (e.g., regions of less erosion). The partially refurbished sputtering targets may be sputtered after the partial refurbishment without substantive changes in sputtering properties (e.g., sputtering rate) and/or properties of the sputtered films.
摘要翻译：在各种实施例中，侵蚀的溅射靶通过喷射沉积目标材料的颗粒而部分地翻新，以至少部分地填充某些区域（例如，最深的侵蚀区域），而不会在其它侵蚀区域（例如较少侵蚀的区域）内进行喷雾沉积。部分翻新的溅射靶可以在部分翻新之后溅射，而溅射性能（例如，溅射速率）和/或溅射膜的性质没有实质性的变化。

3. 发明申请

WO2015000577A1 AN EINE INDIREKTE KÜHLVORRICHTUNG ANGEPASSTES TARGET MIT KÜHLPLATTE 审中-公开
标题翻译：间接冷却器目标冷却板安装
公开(公告)号：WO2015000577A1
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：PCT/EP2014/001782
申请日：2014-06-30
申请人： OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH
发明人： KURAPOV, Denis , KRASSNITZER, Siegfried
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3417 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3435 , H01J37/3497 , H01J2237/002 , H01J2237/081 , H01J2237/3322
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Kühlung eines Targets mit einer Komponente welche einen Kühlkanal umfasst und einer weiteren wärmeleitfähigen Platte welche lösbar mit der Kühlseite der Komponente verbunden ist, wobei die Kühlseite diejenige ist auf der der Kühlkanal seine Wirkung entfaltet, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der weiteren wärmeleitfähigen Platte und der Kühlseite der Komponente eine erste selbstklebende Karbonfolie vorgesehen ist, welche grossflächig selbstklebend auf die eine Seite der weiteren wärmeleitfähige Platte geklebt ist, die der Kühlseite zugewandt ist.
摘要翻译：本发明涉及一种设备，用于冷却具有它包括一个冷却通道的分量的目标，并且可释放地连接到所述部件的冷却侧的另一导热板，所述冷却侧即在冷却通道发挥其作用，其特征在于所述间另外的热传导板和所述部件的冷却侧，第一自粘碳箔被提供，其是粘附于面向冷却侧的另一导热板的一侧上的大的表面面积的自粘。

4. 发明申请

WO2013114967A1 酸化亜鉛スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：氧化锌溅射靶和其生产方法
公开(公告)号：WO2013114967A1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/JP2013/050905
申请日：2013-01-18
申请人：日本碍子株式会社
发明人：吉川　潤 , 今井　克宏 , 近藤　浩一
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01B5/14
CPC分类号： H01J37/3426 , B32B18/00 , C01G9/02 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B37/026 , C04B2111/0037 , C04B2235/5292 , C04B2235/5445 , C04B2235/549 , C04B2235/6025 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , C04B2235/788 , C04B2235/9607 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J2237/081
摘要：　スパッタリング時におけるターゲットの割れやクラックの発生を効果的に抑制して、酸化亜鉛透明導電膜を高い生産性で製造することを可能とする、酸化亜鉛スパッタリングターゲットが提供される。この酸化亜鉛スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛結晶粒子を含んで構成される酸化亜鉛焼結体からなり、スパッタ面における（１００）配向度が５０％以上である。
摘要翻译：提供一种氧化锌溅射靶，其能够通过有效地抑制溅射工序中的靶发生断裂或龟裂而能够以高生产率制造透明氧化锌导电膜。该氧化锌溅射靶由构成为含有氧化锌晶粒的氧化锌烧结体形成，并且在溅射面中具有（100）取向度为50％以上。

5. 发明申请

WO1991006969A1 METAL-ION SOURCE AND PROCESS FOR THE GENERATION OF METAL IONS 审中-公开
标题翻译：金属离子的金属离子源和方法
公开(公告)号：WO1991006969A1
公开(公告)日：1991-05-16
申请号：PCT/DE1990000666
申请日：1990-08-31
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ... , KLUGE, Andreas , NELLE, Peter
发明人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ...
IPC分类号： H01J27/22
CPC分类号： H01J27/22 , H01J37/08 , H01J2237/081 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
摘要： In order to simplify the structure of a metal-ion source, in particular a source for the implantation of low doses of non-volatile metals in semiconductor wafers, the invention calls for the metal-ion source to include an electrically-heated thermionic cathode in the form of a hot wire inside an ion chamber (1a), the hot wire (3) being located close to an element (6) made of the metal to be ionized and being at substantially the same potential.

6. 发明申请

WO2012027123A1 SPUTTER TARGET FEED SYSTEM 审中-公开
标题翻译：飞蛾目标进料系统
公开(公告)号：WO2012027123A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/US2011/047384
申请日：2011-08-11
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. , CHANEY, Craig, R.
发明人： CHANEY, Craig, R.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/20 , H01J37/08 , H01J27/08
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/024 , H01J2237/081 , H01J2237/0827
摘要： An apparatus includes an arc chamber housing (203) defining an arc chamber (204), and a feed system (210) configured to feed a sputter target (212) into the arc chamber. A method includes feeding a sputter target into an arc chamber defined by an arc chamber housing, and ionizing a portion of the sputter target.
摘要翻译：一种设备包括限定电弧室（204）的电弧室壳体（203）和配置成将溅射靶（212）馈入电弧室的馈电系统（210）。一种方法包括将溅射靶馈送到由电弧室壳体限定的电弧室中，并使溅射靶的一部分电离。

7. 发明申请

WO2010077659A3 CLOSED DRIFT MAGNETIC FIELD ION SOURCE APPARATUS CONTAINING SELF-CLEANING ANODE AND A PROCESS FOR SUBSTRATE MODIFICATION THEREWITH 审中-公开
标题翻译：包含自清洁阳极的闭式漂移磁场离子源装置和用于基板修改的过程
公开(公告)号：WO2010077659A3
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/US2009067149
申请日：2009-12-08
申请人： GEN PLASMA INC , MADOCKS JOHN
发明人： MADOCKS JOHN
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/143 , H01J37/3053 , H01J37/317 , H01J37/32862 , H01J37/3405 , H01J2237/081
摘要： A process for modifying a surface of a substrate is provided that includes supplying electrons to an electrically isolated anode electrode of a closed drift ion source. The anode electrode has an anode electrode charge bias that is positive while other components of the closed drift ion source are electrically grounded or support an electrical float voltage. The electrons encounter a closed drift magnetic field that induces ion formation. Anode contamination is prevented by switching the electrode charge bias to negative in the presence of a gas, a plasma is generated proximal to the anode electrode to clean deposited contaminants from the anode electrode. The electrode charge bias is then returned to positive in the presence of a repeat electron source to induce repeat ion formation to again modify the surface of the substrate. An apparatus for modification of a surface of a substrate by this process is provided.
摘要翻译：提供了用于修改衬底的表面的工艺，其包括将电子供应到闭合漂移离子源的电绝缘阳极电极。阳极电极具有正的阳极电荷偏压，而闭合的漂移离子源的其他部件电接地或支持电浮动电压。电子遇到诱导离子形成的闭合漂移磁场。通过在存在气体的情况下将电极充电偏压切换至负极来防止阳极污染，在阳极电极附近产生等离子体以从阳极电极清除沉积的污染物。然后在存在重复电子源的情况下将电极电荷偏置返回到正值以诱导重复离子形成以再次改变衬底的表面。提供了一种通过该过程来修改基板表面的设备。

8. 发明申请

WO1988002546A1 ION GENERATION APPARATUS, THIN FILM FORMATION APPARATUS USING THE ION GENERATION APPARATUS, AND ION SOURCE 审中-公开
标题翻译：离子发生装置，使用离子发生装置的薄膜形成装置和离子源
公开(公告)号：WO1988002546A1
公开(公告)日：1988-04-07
申请号：PCT/JP1987000695
申请日：1987-09-24
申请人： NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION , MATSUOKA, Morito , ONO, Ken'ichi
发明人： NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
IPC分类号： H01J27/16
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J27/18 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/3266 , H01J37/32678 , H01J2237/081
摘要： High density plasma is obtained by generating plasma by electron cyclotron resonance utilizing microwave and entrapping the plasma in a plasma generation chamber by a mirror magnetic field. A target (23) is disposed in the plasma generation chamber (14) and is sputtered by ions in the high density plasma. Thus, large quantities of ions can be generated. The ion generation apparatus of the invention can be applied to a thin film formation apparatus which introduces the ions and neutral particles onto a substrate (21) to form a thin film, and also to an ion source by providing an ion pickup grid in order to form a thin film on the substrate or to etch the thin film. The film can be formed at a high speed even when the voltage to be applied to the target is reduced, by disposing permanent magnets (34A, 34B) for leaking the inner surface magnetic flux of the target at the positions corresponding to the upper and lower ends of the target (23) in the plasma generation chamber (14).

9. 发明申请

WO2016061175A1 METHODS AND APPARATUS FOR DETERMINING, USING, AND INDICATING ION BEAM WORKING PROPERTIES 审中-公开
标题翻译：用于确定，使用和指示离子束工作特性的方法和装置
公开(公告)号：WO2016061175A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/US2015/055444
申请日：2015-10-14
申请人： HUNT, John Andrew , COYLE, Steven Thomas , HASSEL-SHEARER, Michael Patrick , HOSMAN, Thijs C.
发明人： HUNT, John Andrew , COYLE, Steven Thomas , HASSEL-SHEARER, Michael Patrick , HOSMAN, Thijs C.
IPC分类号： H01J37/20
CPC分类号： H01J37/243 , G01N1/44 , H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/304 , H01J37/305 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J2237/081 , H01J2237/24514 , H01J2237/24535 , H01J2237/30483 , H01J2237/31 , H01J2237/3151 , H01J2237/316
摘要： Disclosed are methods and apparatus for determining, using, and indicating ion beam working properties in an apparatus that performs ion beam sample preparation and coating. A beam probe may be used to measure one or more working properties of a portion of the ion beam, generating a probe signal in a known relationship to the one or more working properties. The beam probe may generate a signal in a known relationship to one or more properties of a sputtered coating reaching a sample. The ion beam apparatus may modulate one or more characteristics of the ion beam in response to receiving a signal from the beam probe. The probe signal may be used in the ion beam apparatus to indicate one or more ion beam working properties. Related apparatus and methods also permit the measurement of the known relationship between probe signal and ion beam working properties.
摘要翻译：公开了用于在执行离子束样品制备和涂覆的装置中确定，使用和指示离子束工作特性的方法和装置。光束探测器可用于测量离子束的一部分的一个或多个工作特性，产生与一个或多个工作特性已知关系的探测信号。光束探测器可以产生与已达到样品的溅射涂层的一个或多个特性有已知关系的信号。离子束装置可以响应于接收来自束探针的信号而调制离子束的一个或多个特性。探针信号可以用于离子束装置中以指示一个或多个离子束工作特性。相关的装置和方法还允许测量探测信号和离子束工作特性之间的已知关系。

10. 发明申请

WO2015005348A1 高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：高性能铜喷溅目的的铜材料和高纯度铜喷溅目标
公开(公告)号：WO2015005348A1
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：PCT/JP2014/068198
申请日：2014-07-08
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：櫻井　晶 , 谷　雨 , 佐藤　雄次 , 熊谷　訓
IPC分类号： C25C1/12 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/00
CPC分类号： H01J37/3426 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25C1/12 , H01J2237/081 , H01J2237/3323
摘要：　本発明の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９８ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｉの含有量が０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
摘要翻译：用于高纯度铜溅射靶的铜材料使得不含O，H，N和C的Cu的纯度在99.999980至99.999998质量％的范围内，Al含量为0.005质量ppm以下， Si含量为0.05质量ppm以下。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式