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1. 发明申请

WO2015029635A1 ワイドバンドギャップ半導体装置および半導体モジュールの製造方法、ならびにワイドバンドギャップ半導体装置および半導体モジュール审中-公开
标题翻译：用于制造宽带隙半导体器件的方法，制造半导体器件的方法，宽带隙半导体器件和半导体器件
公开(公告)号：WO2015029635A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/JP2014/069010
申请日：2014-07-17
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：酒井　光彦
IPC分类号： H01L21/336 , G01R31/26 , G01R31/28 , H01L21/52 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1608 , G01R31/129 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L29/1602 , H01L29/2003 , H01L29/7802 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/0132 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　ワイドバンドギャップ半導体装置の製造方法は、ワイドバンドギャップ半導体基板を準備する工程と、ワイドバンドギャップ半導体基板を複数の第１半導体チップ（８０）に分離する工程と、固定部材（７０）に対して複数の第１半導体チップ（８０）を固定する工程と、少なくとも第１半導体チップ（８０）が不活性液体（９１）に浸漬された状態で第１半導体チップ（８０）の耐圧を測定する工程と、第１半導体チップ（８０）の耐圧を測定する工程の後、固定部材（７０）を切断することにより、固定部材（７０）に対して第１半導体チップ（８０）が固定された複数の第２半導体チップを得る工程とを備えている。
摘要翻译：这种制造宽带隙半导体器件的方法包括：制备宽带隙半导体衬底的步骤; 用于将宽带隙半导体衬底分离成多个第一半导体芯片（80）的步骤; 用于将多个第一半导体芯片（80）固定到固定构件（70）的步骤; 同时保持至少第一半导体芯片（80）处于浸入惰性液体（91）的状态的步骤，用于测量第一半导体芯片（80）的耐受电压; 以及用于获得多个第二半导体芯片的步骤，每个第二半导体芯片是固定到固定构件（70）上的第一半导体芯片（80），通过在用于测量所述固定构件（70）的耐受电压的步骤之后切割所述固定构件第一半导体芯片（80）。

2. 发明申请

WO02001235A2 CDM SIMULATOR FOR TESTING ELECTRICAL DEVICES 审中-公开
标题翻译：用于测试电气设备的CDM模拟器
公开(公告)号：WO02001235A2
公开(公告)日：2002-01-03
申请号：PCT/US2001/019951
申请日：2001-06-18
IPC分类号： G01R31/00 , G01R31/12 , G11B5/40 , G11B5/455
CPC分类号： G01R31/002 , G01R31/129 , G11B5/40 , G11B5/455
摘要： A CDM simulator for a magnetic recording head ca be used for the in situ testing of such heads and also for electrical and/or magnetic characterization. The recording head is disposed in the simulator adjacent a discharge plate of an electrically conductive material with a dielectric layer disposed therebetween. The recording head is resistively coupled to a ground potential. A stored charge is injected into the discharge plate. When the charge is injected, a current transient similar to electrostatic discharge, is developed through the magnetic recording head.
摘要翻译：用于磁记录头的CDM模拟器可用于这种磁头的原位测试，也用于电和/或磁特性。记录头被布置在邻近导电材料的放电板的模拟器中，其间设置介电层。记录头电阻耦合到地电位。将储存的电荷注入放电板。当注入电荷时，通过磁记录头产生类似于静电放电的电流瞬变。

3. 发明申请

WO2018125173A1 ON-DIE ISOLATION INTEGRITY DETERMINATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2018125173A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/US2016/069350
申请日：2016-12-29
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： KUMAR, Suriya Kumar Ashok , KASIM, Rahim , AUGUSTINE, Charles , LAKAMRAJU, Narendra V. , GILL, Balkaran Singh
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2853 , G01R31/129 , G01R31/2856 , G01R31/2896
摘要： Herein described are apparatuses, systems, and methods for testing dielectric isolation. A semiconductor package may include a device under test (DUT). The DUT may have a first conductive element and a second conductive element, the first conductive element isolated from the second conductive element by a dielectric material. The semiconductor package may further include measurement circuitry coupled to the DUT. The measurement circuitry may apply an initial voltage to the DUT, the initial voltage applied to the first conductive element, and may couple the second conductive element to ground. The measurement circuitry may further determine a time period of discharge for the first conductive element to discharge to a threshold voltage from the initial voltage, and determine an integrity of dielectric isolation between the first conductive element and the second conductive element based on the time period of discharge.

4. 发明申请

WO2010119666A1 半導体基板の電気的特性の測定方法审中-公开
标题翻译：测量半导体基板电气特性的方法
公开(公告)号：WO2010119666A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/JP2010/002659
申请日：2010-04-13
申请人：住友化学株式会社 , 福原昇 , 秦雅彦
发明人：福原　昇 , 秦　雅彦
IPC分类号： H01L21/66 , G01N27/00
CPC分类号： G01R31/025 , G01R31/129
摘要：　ベース基板およびバッファ層を含む半導体基板における正孔または電子の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法を提供する。具体的には、ベース基板と、ベース基板上に設けられたバッファ層とを有する半導体基板における漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法であって、バッファ層に、電界が印加されるとバッファ層に正孔を注入する材料からなる正孔注入電極を含む複数の電極を設ける段階と、複数の電極から選択した、少なくとも一つの正孔注入電極を含む第１の一対の電極に電圧または電流を印加した場合における、第１の一対の電極を流れる電流および第１の一対の電極間の電圧を測定する段階と、第１の一対の電極を流れる電流および第１の一対の電極間の電圧に基づいて、半導体基板における正孔の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧を測定する段階とを備える測定方法を提供する。
摘要翻译：提供了一种用于测量由于包括基底衬底和缓冲层的半导体衬底中的空穴或电子的传输引起的漏电流或介电击穿电压的方法，具体地，用于测量漏电流或介电击穿电压的方法具有基底基板和设置在基底基板上的缓冲层的半导体基板。该方法具有：向缓冲层提供多个电极的步骤，包括在施加电场时由向空隙中注入空穴的材料构成的空穴注入电极; 在从电极中选出的一对第一电极中流过的电流测定电流的步骤，包括至少一个空穴注入电极和一对第一电极之间的电压，在电压或电流为施加到所述一对第一电极; 以及基于在一对第一电极中流动的电流和一对第一电极之间的电压来测量由于半导体衬底中的空穴传输引起的漏电流或介电击穿电压的步骤。

5. 发明申请

WO2012168249A2 VERFAHREN ZUR MESSUNG DER HOCHSPANNUNGSDEGRADATION VON ZUMINDEST EINER SOLARZELLE ODER EINES PHOTOVOLTAIK-MODULS SOWIE VERWENDUNG DESSELBEN BEI DER HERSTELLUNG VON SOLARZELLEN UND PHOTOVOLTAIK-MODULEN 审中-公开
标题翻译： HOCHSPANNUNGSDEGRADATION至少一个太阳能电池的测量或光伏模块及其使用太阳能电池和光伏组件的制备方法
公开(公告)号：WO2012168249A2
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/EP2012/060613
申请日：2012-06-05
申请人： SCHOTT SOLAR AG , NAGEL, Henning
发明人： NAGEL, Henning
IPC分类号： G01R31/12 , G01R31/40
CPC分类号： G01R31/129 , H01L22/14 , H02S50/10
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung der Hochspannungsdegradation (PID) von zumindest einer Solarzelle. Erfindungsgemäß wird ein leitfähiger Kunststoff auf die Ober- oder Unterseite, insbesondere die Vorderseite, der jeweiligen Solarzelle aufgedrückt und eine Gleichspannung, die größer als 50 V ist, zwischen den Kunststoff und die jeweilige Solarzelle angelegt. Alternativ können Coronaentladungen auf Solarzellen bzw. Photovoltaik-Module aufgebracht werden. In einer Ausführungsform wird eine elektrische Kenngröße der jeweiligen Solarzelle bzw. des Photovoltaik-Moduls wiederholt in zeitlichen Abständen gemessen. Das erfindungsgemäße Verfahren kann an einzelnen Solarzellen ausgeführt werden, die nach bestandenem Test ohne weitere aufwändige Aufbereitung unmittelbar weiterverarbeitet werden können, beispielsweise zu einem Photovoltaik-Modul. Grundsätzlich ist das Verfahren auch geeignet zur Messung an kompletten Photovoltaik-Modulen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于至少一个太阳能电池的测量Hochspannungsdegradation（PID）。根据本发明，在顶侧或底侧的导电性塑料，特别是相应的太阳能电池的前侧被推动，并施加直流电压，其大于50伏的塑料和各太阳能电池之间。可替代地，电晕放电可以应用于太阳能电池或光伏模块。在一个实施例中，各太阳能电池或光伏模块的电特性中的时间间隔被重复地进行测量。可以在单独的太阳能电池，其可以直接通过使测试进一步处理来执行本发明的方法，无需进一步复杂的处理，例如，对光伏模块。基本上，该方法也适用于完全光伏模块的测量。

6. 发明申请

WO2012087697A1 SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING ISOLATION BARRIER BREAKDOWN 审中-公开
标题翻译：用于检测隔离障碍物的系统和方法
公开(公告)号：WO2012087697A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/US2011/064812
申请日：2011-12-14
申请人： ANALOG DEVICES, INC. , CHEN, Baoxing , GLIBBERY, Adam
发明人： CHEN, Baoxing , GLIBBERY, Adam
IPC分类号： H01L21/70
CPC分类号： G01R31/129
摘要： A circuit system includes a first circuit for receiving an input signal, a second circuit for interfacing with a user, a signal path connecting the first circuit to the second circuit, the signal path including a first isolator and a second isolator serially connected to the first isolator, and a capacitance detector that detects a change in a combined capacitance of the first and second isolators as an indicator of a breakdown of one of the first and second isolators.
摘要翻译：电路系统包括用于接收输入信号的第一电路，用于与用户接口的第二电路，将第一电路连接到第二电路的信号路径，信号路径包括串联连接到第一电路的第一隔离器和第二隔离器隔离器和电容检测器，其检测第一和第二隔离器的组合电容的变化，作为第一和第二隔离器之一的击穿的指示。

7. 发明申请

WO2011021076A1 TRANSISTOR POWER SWITCH DEVICE AND METHOD OF MEASURING ITS CHARACTERISTICS 审中-公开
标题翻译：晶体管功率开关装置及其特性测量方法
公开(公告)号：WO2011021076A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/IB2009/055086
申请日：2009-08-18
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , BERNOUX, Beatrice , ESCOFFIER, Rene , REYNES, Jean, Michel
发明人： BERNOUX, Beatrice , ESCOFFIER, Rene , REYNES, Jean, Michel
IPC分类号： H01L29/78 , G01R31/26 , G01R31/28 , G01N27/04 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7808 , G01R31/129 , G01R31/275 , H01L24/05 , H01L29/0696 , H01L29/7815 , H01L2224/04042 , H01L2224/4847 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
摘要： A transistor power switch device (700, 1000, 1402) comprising an array of vertical transistor elements (108) for carrying current between first and second faces of a semiconductor body (101 ). The device also comprises a semiconductor monitor element (702, 1002, 1404) comprising first and second semiconductor monitor regions (704, 706) in the semiconductor body (101 ) and a monitor conductive layer (708, 1004, 1406) distinct from the current carrying conductive layer (110) of the transistor array. The semiconductor monitor element (702, 1002, 1404) presents semiconductor properties representative of the transistor array. Characteristics of the semiconductor monitor element (702, 1002, 1404) are measured as representative of characteristics of the transistor array. Source metal ageing of a transistor power switch device (1402) is monitored by measuring and recording a parameter which is a function of a sheet resistance of the monitor conductive layer (1406) when the transistor power switch device is new and comparing it with its value after operation of the device (1402). A measured current (I0) is applied between a first location on an elongate strip element (1802) of the monitor conductive layer (1406) and a first location on one of a pair of lateral extensions of the strip, and the corresponding voltage (ΔV) developed between a second location on the elongate strip element (1802) and the other of said pair of lateral extensions is measured.
摘要翻译：一种晶体管功率开关装置（700,1000,1402），包括用于承载半导体本体（101）的第一和第二面之间的电流的垂直晶体管元件阵列（108）。该器件还包括半导体主体（101）中包括第一和第二半导体监测区域（704,706）的半导体监测元件（702,1002,1404）和与电流不同的监测导电层（708,1004,1406）承载晶体管阵列的导电层（110）。半导体监视元件（702,1002,1404）呈现代表晶体管阵列的半导体特性。测量半导体监测元件（702,1002,1404）的特性作为晶体管阵列的特性的代表。晶体管功率开关器件（1402）的源极金属老化通过测量和记录当晶体管功率开关器件新的时候是监测导电层（1406）的薄层电阻的函数并将其与其值进行比较在设备（1402）的操作之后。测量电流（I0）被施加在监视器导电层（1406）的细长带状元件（1802）上的第一位置和条带的一对横向延伸部之一上的第一位置和相应的电压测量在细长带状元件（1802）上的第二位置和所述一对侧向延伸部分中的另一个之间形成的V（V）。

8. 发明申请

WO2013004762A1 DETECTION D'ARCS ELECTRIQUES DANS LES INSTALLATIONS PHOTOVOLTAÏQUES 审中-公开
标题翻译：检测光伏设备中的电磁场
公开(公告)号：WO2013004762A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/EP2012/063063
申请日：2012-07-04
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , CHAINTREUIL, Nicolas , CHAUVE, Vincent
发明人： CHAINTREUIL, Nicolas , CHAUVE, Vincent
IPC分类号： G01R31/12
CPC分类号： G01R31/025 , G01R31/1272 , G01R31/129 , H02H1/0015 , H02S50/10
摘要： On décrit un procédé de détection d'un arc série dans un dispositif photovoltaïque, fonctionnant en courant continu, comportant N (N=1 ou N>1) modules photovoltaïques (100, 1, 2, 3), reliés à un dispositif de charge (10) présentant un comportement capacitif pour les modules, ce procédé comportant : a) détecter, aux bornes de n des N modules (1≤ n ≤ N), l'évolution temporelle de la tension, b) identifier une variation de tension entre une première zone (A) de tension stable et une deuxième zone (B) de tension stable pendant une durée d'au moins 5µs, qui suit immédiatement ladite variation de tension, et c) déterminer si la variation de tension est comprise entre une valeur Vmin supérieure ou égale à 0,2 V et une valeur Vmax inférieure ou égale à 20 V, avec un temps de montée de cette variation compris entre une durée Tmin supérieure ou égale à 0,5 µs et une durée Tmax inférieure ou égale à 5 µs.
摘要翻译：本发明涉及一种用于检测在直流电工作的光伏器件中的串联电弧的方法，包括连接到充电装置（10）的N（N = 1或N≥1）个光伏模块（100,1,2,3）具有模块的电容性能，所述方法包括：a）在N个模块（1 = n = N）中的n个模块的端子处检测电压随时间的变化; b）识别具有稳定电压的第一区域（A）和具有稳定电压的第二区域（B）之间的电压变化，持续至少5μs，持续所述电压变化; 以及c）确定电压的变化是否在大于或等于0.2V的值Vmin和小于或等于20V的值Vmax之间，并且所述变化的上升时间在持续时间 Tmin大于或等于0.5μs，持续时间Tmax小于或等于5μs。

9. 发明申请

WO2010122889A1 パワーモジュールの絶縁劣化検知装置および方法、ならびにパワーモジュールシステム审中-公开
标题翻译：用于检测功率模块和功率模块系统的绝缘降级的装置和方法
公开(公告)号：WO2010122889A1
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/JP2010/056017
申请日：2010-04-01
申请人：三菱電機株式会社 , 殷暁紅 , 西村隆 , 山本圭 , 多田和弘 , 奥田達也 , 大井健史
发明人：殷　暁紅 , 西村　隆 , 山本　圭 , 多田　和弘 , 奥田　達也 , 大井　健史
IPC分类号： G01R31/02 , H01L25/04 , H01L25/18
CPC分类号： G01R31/129 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01077 , H01L2924/01087 , H01L2924/00014
摘要：　絶縁シートに流れる電流値から、絶縁特性が破壊する直前の電流変化に基づいて絶縁シートの劣化を事前に検知し、絶縁劣化に起因したパワーモジュールの故障を検知可能なパワーモジュールの絶縁劣化検知装置を得る。パワーモジュールの絶縁シート３に流れる電流値を所定の時間間隔でサンプリングして検出する電流検出手段１０と、電流値に基づいて、絶縁シート３の絶縁特性が劣化して破壊する直前の状態を判定し、絶縁シート３の破壊直前の状態を判定したときに劣化判定結果ＹＥＳを出力する演算手段１１Ａと、前回のサンプリング時点の電流値ｉ（ｎ－１）を記憶する電流記憶手段１４と、劣化判定結果ＹＥＳに応答して警報を発生する警報手段１２とを備えている。演算手段１１Ａは、現在の電流値ｉｎが、前回の電流値ｉ（ｎ－１）の１０倍を超えた場合に、劣化判定結果ＹＥＳを出力する。
摘要翻译：本发明提供一种功率模块绝缘劣化检测装置，其能够根据流过绝缘片的电流值预先检测基于绝缘击穿之前的电流变化导致的绝缘片的劣化，并且检测到电源模块由于绝缘退化。该装置包括：电流检测装置（10），用于以预定的时间间隔进行采样来检测流过功率模块的绝缘片（3）的电流的值; 一种用于基于当前值确定在绝缘片（3）的绝缘特性刚好劣化并且绝缘击穿发生之前的状态的计算装置（11A），并且当确定绝缘片断裂之前的状态（3），输出“是”的劣化判定结果。用于存储在先前采样时间点的当前值（i（n-1））的电流存储装置（14）以及响应于“是”的劣化判定结果进行报警的报警装置（12）。当当前值（in）超过前一个当前值（i（n-1））的10倍时，计算装置（11A）输出“是”的劣化判定结果。

10. 发明申请

WO0201235A3 TESTING DEVICE WITH A CDM SIMULATOR FOR PROVIDING A RAPID DISCHARGE 审中-公开
标题翻译：具有用于提供快速放电的CDM模拟器的测试装置
公开(公告)号：WO0201235A3
公开(公告)日：2002-04-18
申请号：PCT/US0119951
申请日：2001-06-18
申请人： INTEGRAL SOLUTIONS INTERNAT , GORIN IGOR ANATOLY , MOORE CHRISTOPHER THOMAS
发明人： GORIN IGOR ANATOLY , MOORE CHRISTOPHER THOMAS
IPC分类号： G01R31/00 , G01R31/12 , G11B5/40 , G11B5/455 , G01R19/00
CPC分类号： G01R31/002 , G01R31/129 , G11B5/40 , G11B5/455
摘要： A CDM simulator for a magnetic recording head ca be used for the in situ testing of such heads and also for electrical and/or magnetic characterization. The recording head is disposed in the simulator adjacent a discharge plate of an electrically conductive material with a dielectric layer disposed therebetween. The recording head is resistively coupled to a ground potential. A stored charge is injected into the discharge plate. When the charge is injected, a current transient similar to electrostatic discharge, is developed through the magnetic recording head.
摘要翻译：用于磁记录头的CDM模拟器可用于这种磁头的原位测试，也用于电和/或磁特性。记录头被布置在邻近导电材料的放电板的模拟器中，其间设置介电层。记录头电阻耦合到地电位。将储存的电荷注入放电板。当注入电荷时，通过磁记录头产生类似于静电放电的电流瞬变。

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