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1. 发明申请

WO2017048596A1 LOW TEMPERATURE CONFORMAL DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON HIGH ASPECT RATIO STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：硅酸盐在高比例结构上的低温一致沉积
公开(公告)号：WO2017048596A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/US2016/050922
申请日：2016-09-09
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： BARMAN, Soumendra Narayan , CHEN, Jian J. , JHA, Praket P. , KIM, Bok Hoen , FUNG, Miguel S.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/505 , C23C16/5096 , C23C16/515 , H01L21/02205 , H01L21/02219 , H01L21/02274
摘要： Embodiments described herein generally relate to methods for forming a conformal silicon nitride layer at low temperatures. The conformal silicon nitride layer may be formed by pulsing a radio frequency (RF) power into a processing chamber while a gas mixture including trisilylamine is flowing into the processing chamber. Pulsed RF power increases the ratio of neutral to ionic species and activated species of trisilylamine have low sticking coefficients and greater surface migration. As a result, conformality of the deposited silicon nitride layer is improved.
摘要翻译：本文描述的实施例一般涉及在低温下形成共形氮化硅层的方法。可以通过将射频（RF）功率脉冲到处理室中而形成共形氮化硅层，同时包括三甲胺的气体混合物流入处理室。脉冲RF功率增加中性离子物质的比例和三甲胺的活化物质具有低粘附系数和更大的表面迁移。结果，提高了沉积的氮化硅层的一致性。

2. 发明申请

WO2015120513A1 ELECTROSTATIC CONTROL OF METAL WETTING LAYERS DURING DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：沉积期间金属湿润层的静电控制
公开(公告)号：WO2015120513A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/AU2015/050026
申请日：2015-01-28
申请人： BUTCHER, Kenneth Scott Alexander
发明人： BUTCHER, Kenneth Scott Alexander
IPC分类号： B82B1/00 , C23C16/00 , C23C4/06
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/06 , C23C16/303 , C23C16/4401 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/515 , C30B25/16 , C30B29/406 , C30B30/02 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/02653
摘要： There is disclosed a system for the electrostatic control of a metal wetting layer during deposition and a method of electrostatically controlling a metal wetting layer during deposition using a deposition system. In one example, control of the metal wetting layer is provided by changing or applying an electrostatic field acting on a deposited material or acting on a substrate on which a material is deposited. In another example, control is of the thickness of the metal wetting layer. In another example, control is of the presence or absence of the metal wetting layer. The metal wetting layer can be a liquid metal or liquid metal alloy, for example the metal wetting layer could be Boron, Aluminium, Indium, Gallium or Thallium. In another example, control is of the thickness, or presence, of a Gallium wetting layer during GaN film growth.
摘要翻译：公开了一种用于在沉积期间静电控制金属润湿层的系统以及使用沉积系统在沉积期间静电控制金属润湿层的方法。在一个实例中，通过改变或施加作用在沉积材料上或作用在其上沉积材料的基底上的静电场来提供金属润湿层的控制。在另一个实例中，控制是金属润湿层的厚度。在另一个实例中，控制是存在或不存在金属润湿层。金属润湿层可以是液态金属或液态金属合金，例如金属润湿层可以是硼，铝，铟，镓或铊。在另一个实例中，控制在GaN膜生长期间具有镓湿润层的厚度或存在。

3. 发明申请

WO2013118822A1 炭素膜成膜装置および炭素膜成膜方法审中-公开
标题翻译：用于形成碳膜的装置和形成碳膜的方法
公开(公告)号：WO2013118822A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/JP2013/052868
申请日：2013-02-07
申请人：株式会社ジェイテクト
发明人：鈴木　雅裕 , 山川　和芳 , 齊藤　利幸
IPC分类号： C23C16/455 , C01B31/02 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/45578 , C23C16/26 , C23C16/272 , C23C16/4412 , C23C16/45502 , C23C16/45561 , C23C16/503 , C23C16/515
摘要：　炭素膜成膜装置は、処理室内に原料ガスを吐出するための複数の吐出口、および各吐出口と連通するガス流通路を、内部に区画形成するガス導入配管を有するノズルを有する。複数の吐出口の形成領域に対応するガス導入配管の管壁は、当該管壁の流路径が、原料ガス供給手段による原料ガスの供給側から離れるほど縮径になるように、階段状に形成されている。
摘要翻译：用于形成碳膜的装置具有喷嘴，其具有用于形成的用于形成的气体引入管的喷嘴，用于将原料气体排放到处理室中的多个排出口和用于与每个排出口连通的气体流路。形成与形成有多个排出口的区域相对应的气体导入管的管壁，使得管壁的流路直径被减小到足以与原料侧分离由原料气体供给装置供给的原料气体。

4. 发明申请

WO2012144580A1 非晶質炭素膜およびその成膜方法审中-公开
标题翻译：非晶碳膜及其形成方法
公开(公告)号：WO2012144580A1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/JP2012/060664
申请日：2012-04-20
申请人： NTN株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 大平晃也 , 中西雅樹 , 田口陽介 , 中尾節男
发明人：大平　晃也 , 中西　雅樹 , 田口　陽介 , 中尾　節男
IPC分类号： C23C16/26 , C23C14/14
CPC分类号： C23C14/0605 , C23C16/26 , C23C16/515 , Y10T428/265
摘要：　バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００～３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。
摘要翻译：提供：使用双极性PBII器件的电源在低真空中形成良好的非晶碳膜的成膜方法; 以及通过成膜法得到的无定形碳膜。一种使用双极性PBII器件的电源在低真空（大约1000-30,000Pa）下形成非晶碳膜的方法，其中连接到电源（6）的电源侧电极（3）对于面对电极（3）的PBII装置和接地侧电极（4）配置在室（1）内，基座（2）设置在电源侧电极（3）或接地侧电极通过在基体（2）和电极（2）之间产生稀有气体和含烃气体的等离子体，在基底（2）的表面上形成无定形碳膜，）没有处理。

5. 发明申请

WO2011115250A1 成膜装置、成膜方法、回転数の最適化方法及び記憶媒体审中-公开
标题翻译：电影成型装置，成膜方法，旋转频率优化方法和存储介质
公开(公告)号：WO2011115250A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/JP2011/056546
申请日：2011-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 伊藤章三
发明人：伊藤　章三
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/507 , C23C16/515 , C23C16/52
摘要：［課題］成膜した膜の膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる成膜装置を提供する。［解決手段］被処理体Ｗに膜を形成する成膜装置２において、処理容器４と、ガスを噴射するガス噴射口３４Ａ，３６Ａを有するガス供給手段２８，３０と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段１２と、保持手段をガス噴射口に対して相対的に回転又は周期的に移動させる駆動機構２１と、少なくとも１種類以上のガスの供給を行う供給期間と供給の停止を行う供給停止期間とを１回行うサイクルを複数回繰り返す時に、サイクルの繰り返し数をＰ（Ｐは２以上の自然数）として被処理体の中心から見て、Ｐ回の各サイクル毎におけるガス供給開始位置を、被処理体の１周分の周囲を任意の分割数Ｋ（Ｋ＝Ｐ）個に分割した１つ分ずつだけ被処理体の周方向へ順次移動する様に制御する制御手段４８とを備える。
摘要翻译：公开了一种能够抑制形成的膜的膜厚的面内均匀性下降的成膜装置。所公开的在待处理物体（W）上形成膜的成膜装置（2）设有：处理容器（4）; 气体供给装置（28,30），其包括喷射气体的气体喷射孔（34A，36A）保持装置（12），其将待处理物体保持在处理容器中; 驱动机构（21），其使所述保持装置相对于所述气体喷射口旋转，或者相对于所述气体喷射开口周期性地移动所述保持装置; 以及控制装置（48），其当进行至少一种气体供给时的供给期间和供给停止时的供给停止期间的循环进行一次循环时，重复多次，循环的重复次数为P（P为自然数不小于2），控制从待处理物体的中心看每个循环的P次的气体供给开始位置，使得位置沿着待处理物体的圆周方向一次一个地移动位置，所述部分是围绕被处理物体的周长，除以任意分割数（K）（K = P），单位。

6. 发明申请

WO2011007653A1 ダイアモンドライクカーボン膜形成体の製造方法审中-公开
标题翻译：生产金刚石碳膜体的方法。
公开(公告)号：WO2011007653A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/JP2010/060742
申请日：2010-06-24
申请人：日本碍子株式会社 , 齊藤隆雄 , 寺澤達矢
发明人：齊藤　隆雄 , 寺澤　達矢
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/42 , C23C16/515
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/0245 , C23C16/0272 , C23C16/515
摘要：　ＤＬＣ膜の剥離を抑制したＤＬＣ膜形成体の製造方法を提供する。膜硬度が１０ＧＰａ以上のＤＬＣ膜形成体の製造にあたって、ＤＬＣ膜の形成に先立って、基体の表面を放電プラズマにより前処理し、中間層の炭化ケイ素膜を基体の表面に形成する。基体の表面の前処理は、基体が収容されたチャンバの内部の圧力を２０ｈＰａ以上常圧以下に調整しながら１００体積部のヘリウムガスに１体積部以上１０体積部以下のアルゴンガスを混合した混合ガスをチャンバの内部に供給し混合ガスに放電プラズマを発生させることにより行う。
摘要翻译：公开了一种具有抑制DLC膜分层的类金刚石碳（DLC）膜体的制造方法。该方法产生具有至少10GPa的膜硬度的DLC膜体。在形成DLC膜之前，通过放电等离子体对衬底表面进行预处理，并且在衬底表面上形成碳化硅膜中间层。基板表面的预处理是通过向其中容纳基板的室中供给混合气体来进行的，所述混合气体是至少一个体积份数和不超过10体积份的氩气的混合物，每100体积份的氦气，并且在混合气体中产生放电等离子体，同时将室内的压力调节为至少20hPa且不大于大气温度。

7. 发明申请

WO2010147038A1 ＤＬＣ膜形成方法およびＤＬＣ膜审中-公开
标题翻译： DLC薄膜成型方法和DLC薄膜
公开(公告)号：WO2010147038A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/JP2010/059774
申请日：2010-06-09
申请人：株式会社ジェイテクト , 鈴木雅裕 , 齊藤利幸 , 山川和芳
发明人：鈴木　雅裕 , 齊藤　利幸 , 山川　和芳
IPC分类号： C23C16/27
CPC分类号： C23C16/0245 , C23C16/26 , C23C16/515 , F16D69/00 , Y10T428/24355
摘要：　本発明は、低温環境下であっても、良好な密着性を有するＤＬＣ膜、およびこのＤＬＣ膜を形成することができるＤＬＣ膜形成方法を提供する。また、初期なじみ性の優れたＤＬＣ膜、およびこのＤＬＣ膜を形成することができるＤＬＣ膜形成方法を提供する。本発明において、アウタークラッチプレート（１５）の基材（３０）におけるインナークラッチプレートと対向する第１対向面（３１）は、ＤＬＣ膜（２６）で被覆されている。また、基材（３０）の表層部には、処理層（３３）が形成されている。処理層（３３）は、直流パルス電圧を基材（３０）に印加して、アルゴンガスおよび水素ガスを含む雰囲気中でプラズマを発生させることにより形成されている。
摘要翻译：提供即使在低温环境下也具有良好的粘附性的DLC膜，以及可以形成DLC膜的DLC膜形成方法。还提供了具有优异的初始相容性的DLC膜和可以形成该DLC膜的DLC膜形成方法。在外离合器板（15）的基板（30）处与内离合器板相对的第一相对表面（31）被DLC膜（26）覆盖。此外，在基板（30）的表层部形成有处理层（33）。通过向基板（30）施加直流脉冲电压并在含有氩气和氢气的气氛中产生等离子体来形成处理层（33）。

8. 发明申请

WO2010120079A2 플라스마 표면 처리 장치 및 방법 审中-公开
标题翻译：表面处理装置和使用等离子体的方法
公开(公告)号：WO2010120079A2
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/KR2010/002245
申请日：2010-04-12
申请人： 주식회사 다원시스 , 박선순 , 유효열
发明人： 박선순 , 유효열
IPC分类号： C21D1/09 , C21D1/42 , C21D9/46 , C21D10/00
CPC分类号： C21D10/005 , C21D1/09 , C21D1/42 , C21D9/46 , C23C16/515 , C23C16/545 , Y02P10/253
摘要： 본 발명은 표면처리방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도전성 대상물의 표면을 플라스마 이온을 이용하여 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 플라스마 이온을 이용하여 금속 판재나 선재와 같이 연속적으로 공급되는 대상물의 표면을 처리할 수 있는 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 의하면, 전기전도성 대상물의 피처리부 표면을 플라스마를 이용하여 처리하는 플라스마 표면 처리 장치에 있어서, 상기 대상물의 피처리부에 부의 펄스 전압을 인가하도록, 상기 대상물의 피처리부에 전기적으로 접속된 접속장치; 상기 접속장치에 전기적으로 접속된 펄스전압발생장치; 및 상기 대상물의 피처리부에 인가된 부의 펄스 전압에 의해 상기 대상물의 피처리부에 흐르는 전류가 상기 대상물의 피처리부의 경계를 벋어나 흐르는 것을 차단하도록, 상기 대상물의 피처리부의 경계 주위에 배치된 자성코어(magnetic core);를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치가 제공된다. 본 발명에 의한 플라스마 표면 처리 장치 및 방법은 마이너스 고전압 펄스와 자성 코어를 이용하여 전압이 인가되는 영역을 한정할 수 있다. 따라서 플라스마 표면 처리 부위를 한정할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种表面处理方法和装置，更具体地涉及使用等离子体离子处理导电物体的表面的方法和装置。本发明的目的是提供一种使用等离子体离子处理连续供给物体如金属板或线材的表面的设备和方法。根据本发明，使用等离子体处理导电体的表面的表面处理装置包括：电连接到物体表面的连接装置，以对物体的表面施加负脉冲电压; 电连接到所述连接装置的脉冲电压产生装置; 以及设置在物体表面的周边周围的磁芯，以防止通过施加到物体表面的负脉冲电压沿物体的表面流动的电流流过表面的周边的对象。根据本发明的使用等离子体的表面处理装置和方法使用高负脉冲电压和磁芯来限制施加电压的面积，从而限制使用等离子体的表面处理面积。

9. 发明申请

WO2010045595A2 METHOD FOR IMPROVING PROCESS CONTROL AND FILM CONFORMALITY OF PECVD FILMS 审中-公开
标题翻译：改善PECVD膜的过程控制和膜一致性的方法
公开(公告)号：WO2010045595A2
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/US2009061064
申请日：2009-10-16
申请人： NOVELLUS SYSTEMS INC , HAUSMANN DENNIS , SIMS JAMES S , ANTONELLI ANDREW , VARADARAJAN SESHA , VAN SCHRAVENDIJK BART
发明人： HAUSMANN DENNIS , SIMS JAMES S , ANTONELLI ANDREW , VARADARAJAN SESHA , VAN SCHRAVENDIJK BART
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/515 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3185
摘要： A method for forming a silicon-based dielectric film on a substrate with a single deposition process operation using pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) wherein the high frequency radio frequency power of the plasma is pulsed, allows enhanced control, efficiency and product quality of the PECVD process. Pulsing the high frequency RF power of the plasma reduces the deposited film thickness per unit time the high frequency RF power of the plasma is on. This yields silicon-based dielectric films that are both thin and conformal.
摘要翻译：一种使用脉冲等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的单个沉积工艺操作在衬底上形成硅基电介质膜的方法，其中等离子体的高频射频功率被脉冲化，允许增强的控制，效率和产品质量的PECVD过程。脉冲等离子体的高频RF功率降低了等离子体的高频RF功率每单位时间的沉积膜厚度。这产生了薄且共形的硅基电介质膜。

10. 发明申请

WO2009107196A1 プラズマ成膜方法、およびプラズマＣＶＤ装置审中-公开
标题翻译：等离子体沉积和等离子体CVD系统的方法
公开(公告)号：WO2009107196A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/JP2008/053249
申请日：2008-02-26
申请人：株式会社島津製作所 , 鈴木正康
发明人：鈴木正康
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/34 , C23C16/509
CPC分类号： H01L21/318 , C23C16/345 , C23C16/515 , C23C16/52
摘要：容量結合型プラズマＣＶＤ装置による成膜において、低周波ＲＦ電源をパルス制御することによって、アーク放電が発生する前に高温電子の密度を周期的に抑制し、これによってアーク放電の発生を抑制する。パルス制御は、電力供給を行うオン時間と、電力供給を停止するオフ時間とを一期間として電力供給を周期的に繰り返して行う。パルス制御は、電力供給を停止した後のプラズマ中の電子密度の低下において、電子密度が電力供給を停止してからアーク放電を発生する残留プラズマ閾値となるまでの時間と、電力供給を停止した後のプラズマ中の　高温電子の密度の低下において、電力供給を停止してから所定のプラズマ状態となるまでの時間との間の時間間隔を、電力供給を停止するオフ時間とし、電力供給を開始した後のプラズマ中の　高温電子の密度の上昇において、飽和時間を電力供給のオン時間の上限とする条件で電力供給を断続する。
摘要翻译：在使用电容耦合等离子体CVD系统的沉积中，低频RF电源的脉冲控制在产生电弧放电之前周期性地抑制高温电子的密度，从而抑制电弧放电的产生。脉冲控制是通过在供电时间周期性地周期性地重复供电而进行电源的供给，而在电源的供给停止时为一个循环周期的关闭时间进行的。脉冲控制在以下条件下中断电源的供给：当等离子体中的电子密度降低时，电子密度达到剩余等离子体阈值所需的时间间隔，导致在停止电源供应之后产生电弧放电在停止电源供给之后等离子体中的高温电子的密度降低时停止电源的供给，停止电源供给后的电子密度达到规定的等离子体状态所需的时间为止的电源停止，并且饱和时间是在开始供电之后等离子体中的高温电子的密度增加时提供电源的接通时间的上限。

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