基本信息:
- 专利标题： プラズマ成膜方法、およびプラズマＣＶＤ装置
- 专利标题（英）：Method for plasma deposition and plasma cvd system
- 专利标题（中）：等离子体沉积和等离子体CVD系统的方法
- 申请号：PCT/JP2008/053249 申请日：2008-02-26
- 公开(公告)号：WO2009107196A1 公开(公告)日：2009-09-03
- 发明人： 鈴木 正康
- 申请人： 株式会社島津製作所 , 鈴木 正康
- 申请人地址： 〒6048511 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 Kyoto JP
- 专利权人： 株式会社島津製作所,鈴木 正康
- 当前专利权人： 株式会社島津製作所,鈴木 正康
- 当前专利权人地址： 〒6048511 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地 Kyoto JP
- 代理机构： 塩野入 章夫
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; C23C16/34 ; C23C16/509
摘要：
容量結合型プラズマＣＶＤ装置による成膜において、低周波ＲＦ電源をパルス制御することによって、アーク放電が発生する前に高温電子の密度を周期的に抑制し、これによってアーク放電の発生を抑制する。パルス制御は、電力供給を行うオン時間と、電力供給を停止するオフ時間とを一期間として電力供給を周期的に繰り返して行う。パルス制御は、電力供給を停止した後のプラズマ中の電子密度の低下において、電子密度が電力供給を停止してからアーク放電を発生する残留プラズマ閾値となるまでの時間と、電力供給を停止した後のプラズマ中の 高温電子の密度の低下において、電力供給を停止してから所定のプラズマ状態となるまでの時間との間の時間間隔を、電力供給を停止するオフ時間とし、電力供給を開始した後のプラズマ中の 高温電子の密度の上昇において、飽和時間を電力供給のオン時間の上限とする条件で電力供給を断続する。
摘要（中）：
在使用电容耦合等离子体CVD系统的沉积中，低频RF电源的脉冲控制在产生电弧放电之前周期性地抑制高温电子的密度，从而抑制电弧放电的产生。 脉冲控制是通过在供电时间周期性地周期性地重复供电而进行电源的供给，而在电源的供给停止时为一个循环周期的关闭时间进行的。 脉冲控制在以下条件下中断电源的供给：当等离子体中的电子密度降低时，电子密度达到剩余等离子体阈值所需的时间间隔，导致在停止电源供应之后产生电弧放电 在停止电源供给之后等离子体中的高温电子的密度降低时停止电源的供给，停止电源供给后的电子密度达到规定的等离子体状态所需的时间为止 的电源停止，并且饱和时间是在开始供电之后等离子体中的高温电子的密度增加时提供电源的接通时间的上限。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |