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1. 发明申请

WO2011016242A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011016242A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/JP2010/004937
申请日：2010-08-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 根本剛直 , 大見忠弘 , 大橋朋貢 , 後藤哲也
发明人：根本　剛直 , 大見　忠弘 , 大橋　朋貢 , 後藤　哲也
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/306 , H01L21/316 , H01L23/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L21/31612 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/30604 , H01L21/76898
摘要：【課題】半導体基板の裏面側で貫通ビア回りに損傷や欠陥を生じないようにし、あるいは大幅に低減すること。【解決手段】ビア・ラストにおいて、ＢＥＯＬまで終えたシリコン基板１０に対し、基板のおもて面に穴１６を開け、穴１６の内壁に絶縁膜１８を形成し、穴１６の中にビア導体２４としてＣuを電解めっき法により埋め込んでから、穴１６の底部つまりＣuビア導体２４の底部が露出するまでシリコン基板１０の裏面をウエットエッチングで削る。
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法，其中在半导体衬底的后侧的贯通通孔的周围防止产生或显着降低损伤和缺陷。在通孔最后的方法中，在硅衬底（10）的前表面上形成有一个孔（16），其中已经进行了一个BEOL步骤的步骤，绝缘膜（18）形成在内壁，并且通过电解电镀将Cu作为通路导体（24）嵌入孔（16）中。然后，通过湿蚀刻研磨硅衬底（10）的后表面，直到孔（16）的底部，即Cu通孔导体（24）的底部露出。

2. 发明申请

WO2010080216A2 PRECURSOR ADDITION TO SILICON OXIDE CVD FOR IMPROVED LOW TEMPERATURE GAPFILL 审中-公开
标题翻译：用于改善低温胶粘剂的硅氧烷CVD的前驱物
公开(公告)号：WO2010080216A2
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/US2009065181
申请日：2009-11-19
申请人： APPLIED MATERIALS INC , VENKATARAMAN SHANKAR , HAMANA HIROSHI , HERNANDEZ MANUEL A , INGLE NITIN K , GEE PAUL EDWARD
发明人： VENKATARAMAN SHANKAR , HAMANA HIROSHI , HERNANDEZ MANUEL A
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/76224
摘要： Methods of depositing silicon oxide layers on substrates involve flowing a silicon-containing precursor, an oxidizing gas, water and an additive precursor into a processing chamber such that a uniform silicon oxide growth rate is achieved across the substrate surface. The surface of silicon oxide layers grown according to embodiments may have a reduced roughness when grown with the additive precursor. In other aspects of the disclosure, silicon oxide layers are deposited on a patterned substrate with trenches on the surface by flowing a silicon-containing precursor, an oxidizing gas, water and an additive precursor into a processing chamber such that the trenches are filled with a reduced quantity and/or size of voids within the silicon oxide filler material.
摘要翻译：在衬底上沉积氧化硅层的方法包括使含硅前体，氧化气体，水和添加剂前体流入处理室，使得在衬底表面上实现均匀的氧化硅生长速率。根据实施例生长的氧化硅层的表面可以在与添加剂前体一起生长时具有减小的粗糙度。在本公开的其他方面中，通过使含硅前体，氧化气体，水和添加剂前体流入处理室，将硅氧化物层沉积在具有表面上的沟槽的图案化衬底上，使得沟槽填充有氧化硅填充材料内的空隙的数量和/或尺寸减小。

3. 发明申请

WO2010045595A2 METHOD FOR IMPROVING PROCESS CONTROL AND FILM CONFORMALITY OF PECVD FILMS 审中-公开
标题翻译：改善PECVD膜的过程控制和膜一致性的方法
公开(公告)号：WO2010045595A2
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/US2009061064
申请日：2009-10-16
申请人： NOVELLUS SYSTEMS INC , HAUSMANN DENNIS , SIMS JAMES S , ANTONELLI ANDREW , VARADARAJAN SESHA , VAN SCHRAVENDIJK BART
发明人： HAUSMANN DENNIS , SIMS JAMES S , ANTONELLI ANDREW , VARADARAJAN SESHA , VAN SCHRAVENDIJK BART
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/515 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3185
摘要： A method for forming a silicon-based dielectric film on a substrate with a single deposition process operation using pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) wherein the high frequency radio frequency power of the plasma is pulsed, allows enhanced control, efficiency and product quality of the PECVD process. Pulsing the high frequency RF power of the plasma reduces the deposited film thickness per unit time the high frequency RF power of the plasma is on. This yields silicon-based dielectric films that are both thin and conformal.
摘要翻译：一种使用脉冲等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的单个沉积工艺操作在衬底上形成硅基电介质膜的方法，其中等离子体的高频射频功率被脉冲化，允许增强的控制，效率和产品质量的PECVD过程。脉冲等离子体的高频RF功率降低了等离子体的高频RF功率每单位时间的沉积膜厚度。这产生了薄且共形的硅基电介质膜。

4. 发明申请

WO2010038900A1 酸化珪素膜、酸化珪素膜の形成方法、および、プラズマＣＶＤ装置审中-公开
标题翻译：硅氧烷膜，形成硅氧烷膜的方法和等离子体CVD装置
公开(公告)号：WO2010038900A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/JP2009/067440
申请日：2009-09-30
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 本多稔 , 中西敏雄 , 鴻野真之 , 宮原準弥
发明人：本多稔 , 中西敏雄 , 鴻野真之 , 宮原準弥
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/308 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3145
摘要：０．５％希フッ酸溶液によるエッチングレートが、０．１１ｎｍ／秒以下である緻密で絶縁性に優れ、高品質な酸化珪素膜（ＳｉＯ 2 膜、ＳｉＯＮ膜）を形成するために、複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、処理容器内の圧力を０．１Ｐａ以上６．７Ｐａ以下の範囲内に設定し、ＳｉＣｌ 4 ガスまたはＳｉ 2 Ｈ 6 ガスと酸素含有ガスとを含む処理ガスを用いてプラズマＣＶＤを行う。
摘要翻译：为了形成具有优异的绝缘性能和通过0.5％稀氢氟酸溶液的蚀刻速度不大于0.11nm / sec的致密高质量的氧化硅膜（SiO 2膜或SiON膜），进行等离子体CVD 使用含有SiCl 4气体或Si 2 H 6气体和氧气的工艺气体，通过使用等离子体CVD装置，其中通过将具有多个槽的平面天线将微波引入处理室而产生等离子体，同时将压力设定在处理室不小于0.1Pa但不大于6.7Pa。

5. 发明申请

WO2009139485A1 FILM FORMING METHOD OF SILICON OXIDE FILM, SILICON OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICOMDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：硅氧烷膜的薄膜形成方法，氧化硅膜，半导体器件和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2009139485A1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/JP2009/059106
申请日：2009-05-11
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , UEDA, Hirokazu , TANAKA, Yoshinobu , OHSAWA, Yusuke , NOZAWA, Toshihisa , MATSUOKA, Takaaki
发明人： UEDA, Hirokazu , TANAKA, Yoshinobu , OHSAWA, Yusuke , NOZAWA, Toshihisa , MATSUOKA, Takaaki
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L21/8247 , H01L23/522 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/76224 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/28273 , H01L21/31612
摘要： A silicon compound gas, an oxidizing gas, and a rare gas are supplied into a chamber (2) of a plasma processing apparatus (1). A microwave is supplied into the chamber (2), and a silicon oxide film is formed on a target substrate with plasma generated by the microwave. A partial pressure ratio of the rare gas is 10% or more of a total gas pressure of the silicon compound gas, the oxidizing gas, and the rare gas, and an effective flow ratio of the silicon compound gas and the oxidizing gas (oxidizing gas/silicon compound gas) is not less than 3 but not more than 11.
摘要翻译：将硅化合物气体，氧化气体和稀有气体供给到等离子体处理装置（1）的室（2）中。微波供应到室（2）中，并且在目标衬底上用微波产生的等离子体形成氧化硅膜。稀有气体的分压比为硅化合物气体，氧化气体和稀有气体的总气体压力的10％以上，硅化合物气体和氧化气体的有效流量比（氧化气体 /硅化合物气体）不小于3但不大于11。

6. 发明申请

WO2008023748A1 酸化膜形成方法とその装置审中-公开
标题翻译：氧化膜形成方法及方法
公开(公告)号：WO2008023748A1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/JP2007/066312
申请日：2007-08-22
申请人：株式会社明電舎 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 西口哲也 , 亀田直人 , 斉藤茂 , 野中秀彦 , 一村信吾
发明人：西口哲也 , 亀田直人 , 斉藤茂 , 野中秀彦 , 一村信吾
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/482 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02277 , H01L21/02304 , H01L21/2686 , H01L21/3121 , H01L21/31633 , H01L29/4908
摘要：　酸化膜形成装置１は基板７に紫外光領域の光を照射すると共に基板７に有機シリコンからなる原料ガスＧ１とオゾンガスＧ２とを供して基板７の表面に酸化膜を形成させる。処理炉２には基板７が格納される。配管３は室温のもとで原料ガスＧ１とオゾンガスＧ２とを混合させて処理炉２内の基板７に供する。光源５は紫外光領域の光として２１０ｎｍより長波長の光を基板７に照射する。配管３に供される原料ガスＧ１に対するオゾンガスＧ２の混合量は少なくとも原料ガスＧ１を完全に酸化するのに必要な化学当量以上となるように設定される。酸化膜形成装置１によれば原料ガスの利用効率が高まると共に２００°C以下の製膜プロセスで電気特性に優れた酸化膜を形成できる。
摘要翻译：本发明提供一种用于氧化膜形成的装置（1）。在装置（1）中，将紫外光范围的光施加到基板（7），同时将有机硅和臭氧气体（G2）的起始气体（G1）供给到基板（7）在基板（7）的表面上形成氧化膜。基板（7）容纳在处理炉（2）中。管（3）用于在室温下将起始气体（G1）和臭氧气体（G2）混合在一起，以制备混合物，然后将其加入到处理炉（2）中的基板（7）中。光源（5）在紫外线范围内向衬底（7）发射并施加波长超过210nm的光。将供给到管道（3）的起始气体（G1）中混合的臭氧气体（G2）的量设定为至少为全部氧化起始气体（G1）所需的化学当量以上的值。根据用于氧化膜形成的装置（1），起始气体的利用效率提高，同时可以通过在200℃以下的成膜过程形成具有优异的电特性的氧化膜。

7. 发明申请

WO2007129579A1 基板処理方法、コンピュータ可読記録媒体、基板処理装置、および基板処理システム审中-公开
标题翻译：基板处理方法，计算机可读记录介质，基板处理装置和基板处理系统
公开(公告)号：WO2007129579A1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/JP2007/058955
申请日：2007-04-25
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 有賀美輝 , 山▲崎▼ 和良 , 青山真太郎 , 下村晃司
发明人：有賀美輝 , 山▲崎▼ 和良 , 青山真太郎 , 下村晃司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3144 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31641 , H01L29/518
摘要：　基板処理方法は、高誘電体膜に窒素原子を導入する第１の処理位置と、前記高誘電体膜を熱処理する第２の処理位置とを備えた枚葉式基板処理装置において、複数の被処理基板を一枚ずつ、前記第1および第２の処理位置に順次搬送し、前記被処理基板上の高誘電体膜に対して前記窒素原子導入処理および前記熱処理を順次行い、前記被処理基板は前記第1の処理位置での処理の後、前記第２の処理位置において、３０秒以内に処理を開始される。
摘要翻译：一种基板处理方法，其特征在于，使用具有用于在高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置的片材进给基板处理装置和用于高介电膜的热处理的第二处理位置，顺序地输送将待处理的多个基板一个接一个地处理到第一处理位置和第二处理位置，从而对要处理的基板的高电介质膜依次进行氮原子引入处理和加热处理，其中在第一处理位置处理之后，在第二处理位置处理所得到的基材在30秒内开始。

8. 发明申请

WO2007118026A2 METHOD TO IMPROVE THE STEP COVERAGE AND PATTERN LOADING FOR DIELECTRIC FILMS 审中-公开
标题翻译：用于改进电介质膜的步骤覆盖和图案加载的方法
公开(公告)号：WO2007118026A2
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/US2007065592
申请日：2007-03-30
申请人： APPLIED MATERIALS INC , BALSEANU MIHAELA , XIA LI-QUN , SHEK MEI-YEE , M SAAD HICHEM
发明人： BALSEANU MIHAELA , XIA LI-QUN , SHEK MEI-YEE , M SAAD HICHEM
IPC分类号： H01L21/469
CPC分类号： H01L21/3141 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/31612 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/76826 , H01L21/76834
摘要： Methods of controlling the step coverage and pattern loading of a layer on a substrate are provided. In one aspect, a method includes exposing the substrate to a silicon-containing precursor in the presence of a plasma to deposit a layer, treating the deposited layer with a plasma, and repeating the exposing and treating until a desired thickness of the layer is obtained. The plasma may be generated from an oxygen-containing gas. In another aspect, a method comprises depositing a dielectric layer on a substrate having at least one formed feature across a surface of the substrate and etching the dielectric layer with a plasma from an oxygen or a halogen-containing gas to provide a desired profile of the dielectric layer on the feature. The deposition and etching may be repeated for multiple cycles to provide the desired profile.
摘要翻译：提供了控制衬底上的层的阶梯覆盖和图案加载的方法。在一个方面，一种方法包括在存在等离子体的情况下将衬底暴露于含硅前体以沉积一层，用等离子体处理沉积层，并重复曝光和处理，直到获得所需层厚度。等离子体可以由含氧气体产生。在另一方面，一种方法包括在衬底上沉积介电层，所述衬底具有横跨衬底的表面的至少一个成形特征，并用来自氧或含卤素气体的等离子体蚀刻介电层，以提供所需的轮廓电介质层上的特征。可以重复沉积和蚀刻多个循环以提供所需的轮廓。

9. 发明申请

WO2007008705A2 UNIFORM BATCH FILM DEPOSITION PROCESS AND FILMS SO PRODUCED 审中-公开
标题翻译：均质隔膜沉积工艺和生产的薄膜
公开(公告)号：WO2007008705A2
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/US2006026588
申请日：2006-07-10
申请人： AVIZA TECH INC , BAILEY ROBERT JEFFREY , QIU TAIQUING THOMAS , PORTER COLE , LAPARRA OLIVIER , CHATHAM ROERT HOOD , MOGAARD MARTIN , TREICHEL HELMUTH
发明人： BAILEY ROBERT JEFFREY , QIU TAIQUING THOMAS , PORTER COLE , LAPARRA OLIVIER , CHATHAM ROERT HOOD , MOGAARD MARTIN , TREICHEL HELMUTH
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45504 , C23C16/45578 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要： A batch of wafer substrates is provided with each wafer substrate having a surface. Each surface is coated with a layer of material applied simultaneously to the surface of each of the batch of wafer substrates. The layer of material is applied to a thickness that varies less than four thickness percent across the surface and exclusive of an edge boundary and having a wafer-to-wafer thickness variation of less than three percent. The layer of material so applied is a silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride with the layer of material being devoid of carbon and chlorine. Formation of silicon oxide or a silicon oxynitride requires the inclusion of a co-reactant. Silicon nitride is also formed with the inclusion of a nitrification co-reactant. A process for forming such a batch of wafer substrates involves feeding the precursor into a reactor containing a batch of wafer substrates and reacting the precursor at a wafer substrate temperature, total pressure, and precursor flow rate sufficient to create such a layer of material. The delivery of a precursor and co-reactant as needed through vertical tube injectors having multiple orifices with at least one orifice in registry with each of the batch of wafer substrates and exit slits within the reactor to create flow across the surface of each of the wafer substrates in the batch provides the within- wafer and wafer-to-wafer uniformity.
摘要翻译：一批晶片基板设置有每个晶片基板具有表面。每个表面涂覆有同时施加到每批晶片衬底的表面的一层材料。该材料层被施加到在整个表面上变化小于四个厚度百分比的厚度，而不是边缘边界，并且晶片到晶片的厚度变化小于3％。如此施加的材料层是氧化硅，氮化硅或氮氧化硅，其中该材料层不含碳和氯。氧化硅或氮氧化硅的形成需要包含共反应物。氮化氮也通过包含硝化共反应物形成。用于形成这样一批晶片衬底的方法包括将前体进料到含有一批晶片衬底的反应器中，并在足以产生这种材料层的晶片衬底温度，总压力和前体流速下使前体反应。根据需要通过具有多个孔的垂直管注射器输送前体和共反应物，其中至少一个孔与反应器内的每批晶片基板和出口狭缝对齐，以产生跨过每个晶片的表面的流动该批次中的基板提供了晶片内和晶片与晶片的均匀性。

10. 发明申请

WO2007008027A1 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
标题翻译：制造半导体存储器件的方法
公开(公告)号：WO2007008027A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/KR2006/002718
申请日：2006-07-11
申请人： AHN, Kang-Ho
发明人： AHN, Kang-Ho
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , C23C16/4551 , C23C16/45519 , C23C16/482 , C23C16/483 , C23C16/484 , C23C16/513 , C23C16/517 , H01L21/02164 , H01L21/02186 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/28556 , H01L21/31612 , H01L21/3162 , H01L21/31637 , H01L21/31641
摘要： A method is disclosed for manufacturing a semiconductor memory device by obtaining ultra- fine particles of a nanometer size from a reaction gas through irradiation of high-energy rays, corona discharge and formation of an electric field. The method includes forming a source, a drain and a channel on a surface of a substrate, placing the substrate into a chamber of a ultra-fine particle producing apparatus for producing ultra- fine particles from a reaction gas, irradiating high energy light beams into the chamber by the high energy light source, supplying the reaction gas from a reaction gas supply means to a reaction gas inlet tube, producing the ultra-fine particles by introducing the reaction gas into the chamber, applying a voltage to the reaction gas inlet tube by a power supply means, and forming a nanocrystalline layer by depositing the ultra-fine particles on the surface of the substrate.
摘要翻译：公开了一种制造半导体存储器件的方法，其通过高能射线的照射，电晕放电和电场的形成，从反应气体中获得纳米尺寸的超微粒子。该方法包括在基板的表面上形成源极，漏极和沟道，将基板放置在用于从反应气体生成超细颗粒的超细颗粒产生装置的室中，将高能量光束照射到通过高能量光源将反应气体从反应气体供给装置供给到反应气体导入管，通过将反应气体引入室内而产生超细颗粒，向反应气体导入管施加电压通过电源装置，并且通过在基板的表面上沉积超细颗粒而形成纳米晶层。

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