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1. 发明申请

WO2016210249A1 APPARATUS AND METHODS FOR HIGH VOLUME PRODUCTION OF GRAPHENE AND CARBON NANOTUBES ON LARGE-SIZED THIN FOILS 审中-公开
标题翻译：石墨和碳纳米管在大尺寸薄膜上的大批量生产的装置和方法
公开(公告)号：WO2016210249A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/US2016/039217
申请日：2016-06-24
申请人： MANCEVSKI, Vladimir
发明人： MANCEVSKI, Vladimir
IPC分类号： C23C16/458 , B21D51/10
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/26 , C23C16/45546 , C23C16/545
摘要： Apparatus and methods for growing nanomaterials in high volume production on large-sized thin metal foils that includes one or more metal foils physically separated by one or more gas permeable separators that are stacked or rolled with high density packing, placed in a gas deposition chamber, and exposed to a gas deposition process. The gas permeable separator (s) allows gases and heat from the gas deposition process to form the nanomaterials on both sides of the foil(s) stacked or rolled with the separator (s). Nanomaterials, such as graphene, carbon nanotubes, graphene-carbon nanotube hybrid materials, are some of the nanomaterials that may be grown. The nanomaterials may be used in anodes and cathodes for batteries, supercapacitors, sensors, and other devices.
摘要翻译：在大尺寸薄金属箔上生长大量生产纳米材料的装置和方法，其包括一个或多个金属箔，该金属箔通过一个或多个放置在气相沉积室中的以高密度填料堆叠或滚压的气体可渗透分离器分离，并暴露于气体沉积工艺。透气分离器允许来自气体沉积过程的气体和热量在与分离器堆叠或卷绕的箔的两侧上形成纳米材料。纳米材料，例如石墨烯，碳纳米管，石墨烯 - 碳纳米管混合材料，是可能生长的一些纳米材料。纳米材料可用于电池，超级电容器，传感器和其他器件的阳极和阴极。

2. 发明申请

WO2015100065A1 UNIFORM CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING ON A 3-DIMENSIONAL ARRAY OF UNIFORMLY SHAPED ARTICLES 审中-公开
标题翻译：均匀化学蒸气沉积涂料在三维阵列上的均匀形状文章
公开(公告)号：WO2015100065A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/US2014/070507
申请日：2014-12-16
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人： OUDERKIRK, Andrew J. , POWERS, Max , GABRIEL, Nicholas T. , DODGE, Bill H. , MCDOWELL, Erin A. , KIESCHKE, Robert R. , JESUDOSS, Arokiaraj
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/56 , H01L33/00
CPC分类号： G02B5/3083 , C23C16/442 , C23C16/45502 , C23C16/45546 , C23C16/458 , G02B1/08 , G02B27/14 , G02B27/283 , H01L2933/0025
摘要： The present invention is a method of coating uniformly shaped and sized articles. The method includes providing a reactor having an arrayed inner surface, positioning the articles within the reactor, and coating the articles.
摘要翻译：本发明是一种涂覆均匀成型和尺寸的制品的方法。该方法包括提供具有排列的内表面的反应器，将制品定位在反应器内并涂覆物品。

3. 发明申请

WO2013054655A1 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理方法，衬底处理装置和记录介质
公开(公告)号：WO2013054655A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/JP2012/074408
申请日：2012-09-24
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：島本　聡 , ▲ひろせ▼　義朗 , 佐野　敦
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/36 , C23C16/452 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/45553 , C23C16/509 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：　処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対して所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、基板上に、所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、処理室内の基板に対してアミン系原料ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層を形成する工程と、処理室内の基板に対して各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、第２の層を改質して、第３の層を形成する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する。
摘要翻译：通过执行预定次数的步骤，在基板上形成具有含有预定元素的预定组成的薄膜，所述循环包括：在其上形成含有预定元素，氮和碳的第一层通过在处理室中交替地进行向所述基板供给含有规定元素和卤素基团的第一原料气体的规定次数的工序，以及供给含有规定元素的第二原料气体的工序，在处理室中的基底上的氨基; 其中通过向所述处理室中的所述衬底供应胺类起始材料气体来修饰所述第一层而形成第二层; 以及通过在处理室中向原料气体供给不同于原料气体的反应气体来修饰第二层而形成第三层的步骤。

4. 发明申请

WO2010146234A1 APPARATUS 审中-公开
标题翻译：仪器
公开(公告)号：WO2010146234A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/FI2010/050492
申请日：2010-06-14
申请人： BENEQ OY , SOININEN, Pekka , SKARP, Jarmo
发明人： SOININEN, Pekka , SKARP, Jarmo
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/00
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/45546 , H01L21/6719 , H01L21/67207
摘要： The invention relates to an apparatus (1) for carrying out atomic layer deposition onto a surface of a substrate by exposing the surface of the substrate (11) to alternate starting material surface reactions, the apparatus comprising two or more low-pressure chambers (2), two or more separate reaction chambers (8, 12) arranged to be placed inside the low-pressure chambers (2), and at least one starting material feed system (5) common to two or more low-pressure chambers (2) for carrying out atomic layer deposition. According to the invention, the apparatus comprises at least one loading device (6, 16) arranged to load and unload substrates (11) to/from the reaction chamber (8, 12) and further to load and unload the reaction chambers (8, 12) to/from the low-pressure chambers (2).
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过将基板（11）的表面暴露于交替的起始材料表面反应来进行原子层沉积到基板的表面上的装置（1），该装置包括两个或更多个低压室（2 ），布置成放置在低压室（2）内的两个或更多个分离的反应室（8,12）和至少一个两个或更多个低压室（2）共用的原料供给系统（5）用于进行原子层沉积。根据本发明，该装置包括至少一个装载装置（6,16），其被布置成将载体（11）装载到反应室（8,12）上并将其卸载，并进一步装载和卸载反应室 12）到/从低压室（2）。

5. 发明申请

WO2009144371A1 METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITION REACTORS 审中-公开
标题翻译：沉积反应器的方法和装置
公开(公告)号：WO2009144371A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/FI2009/050432
申请日：2009-05-25
申请人： PICOSUN OY , LINDFORS, Sven
发明人： LINDFORS, Sven
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/44 , C23C16/455 , C30B25/00
CPC分类号： C23C16/403 , C23C16/45504 , C23C16/45546 , C30B25/165 , C30B29/20
摘要： The invention relates to a method and an apparatus in which precursor vapor (101) is guided along at least one in-feed line (141,142) into a reaction chamber (110) of a deposition reactor, and material is deposited on surfaces of a batch of vertically placed substrates (170) by establishing a vertical flow of precursor vapor in the reaction chamber and having it enter in a vertical direction in between said vertically placed substrates (170).
摘要翻译：本发明涉及一种方法和装置，其中将前体蒸汽（101）沿着至少一个进料管线（141,142）引导到沉积反应器的反应室（110）中，并且将材料沉积在批料的表面上通过在反应室中建立垂直的前体蒸气流并使其在垂直方向上进入所述垂直放置的基板之间的垂直放置的基板（170）。

6. 发明申请

WO2009045250A1 SEMICONDUCTOR PROCESSING 审中-公开
标题翻译：半导体处理
公开(公告)号：WO2009045250A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/US2008/009457
申请日：2008-08-07
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC. , SURTHI, Shyam
发明人： SURTHI, Shyam
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608
摘要： Embodiments of the present disclosure include semiconductor processing methods and systems. One method includes forming a material layer (104-1, 104-2) on a semiconductor substrate by exposing a deposition surface of the substrate to at least a first (REACTANTl, Rl) and a second (REACTANT2, R2) reactant sequentially introduced into a reaction chamber (202, 402) having an associated process temperature. The method includes removing residual first reactant (REACTANTl, Rl) from the chamber (202, 402) after introduction of the first reactant (REACTANTl, Rl), removing residual second reactant (REACTANT2, R2) from the chamber (202, 402) after introduction of the second reactant(REACTANT2, R2), and establishing a temperature differential substantially between an edge of the substrate and a center (105)of the substrate via a purge process.
摘要翻译：本公开的实施例包括半导体处理方法和系统。一种方法包括在半导体衬底上形成材料层（104-1,104-2），通过将衬底的沉积表面暴露于至少第一（REACTANT1，R1）和第二（REACTANT2，R2）具有相关联的处理温度的反应室（202,402）。该方法包括在引入第一反应物（REACTANT1，R1）之后从腔室（202,402）中除去残余的第一反应物（REACTANT1，R1），然后从腔室（202,402）中除去残留的第二反应物（REACTANT2，R2）引入第二反应物（REACTANT2，R2），以及通过净化过程基本上在衬底的边缘和衬底的中心（105）之间建立温差。

7. 发明申请

WO2007038050A2 TREATMENT PROCESSES FOR A BATCH ALD REACTOR 审中-公开
标题翻译：一种批号ALD反应器的处理工艺
公开(公告)号：WO2007038050A2
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/US2006036292
申请日：2006-09-18
申请人： APPLIED MATERIALS INC , MCDOUGALL BRENDAN ANTHONY
发明人： MCDOUGALL BRENDAN ANTHONY
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45546 , C23C16/4404 , C23C16/4408 , C23C16/45527
摘要： Embodiments of the invention provide treatment processes to reduce substrate contamination during a fabrication process within a vapor deposition chamber. A treatment process may be conducted before, during, or after a vapor deposition process, such as an atomic layer deposition (ALD) process. In one example of an ALD process, a process cycle, containing an intermediate treatment step and a predetermined number of ALD cycles, is repeated until the deposited material has a desired thickness. The chamber and substrates may be exposed to an inert gas, an oxidizing gas, a nitriding gas, a reducing gas, or plasmas thereof during the treatment processes. In some examples, the treatment gas may contain ozone, water, ammonia, nitrogen, argon, or hydrogen. In one example, a process for depositing a hafnium oxide material within a batch process chamber includes a pretreatment step, an intermediate step during an ALD process, and a post-treatment step.
摘要翻译：本发明的实施例提供了在气相沉积室内的制造过程期间减少基底污染的处理过程。处理过程可以在诸如原子层沉积（ALD）工艺的气相沉积工艺之前，期间或之后进行。在ALD方法的一个实例中，重复包含中间处理步骤和预定数量的ALD循环的处理循环，直到沉积材料具有期望的厚度。在处理过程中，室和衬底可以暴露于惰性气体，氧化气体，氮化气体，还原气体或等离子体中。在一些实例中，处理气体可以含有臭氧，水，氨，氮，氩或氢。在一个实例中，用于在间歇处理室内沉积氧化铪材料的方法包括预处理步骤，ALD工艺期间的中间步骤和后处理步骤。

8. 发明申请

WO2006087893A1 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：WO2006087893A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2006/301338
申请日：2006-01-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 水野謙和 , 佐藤武敏 , 境正憲 , 奥田和幸
发明人：水野謙和 , 佐藤武敏 , 境正憲 , 奥田和幸
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45546 , C23C16/345 , C23C16/50 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3141
摘要：　基板を処理する空間を成す処理室に対し複数の処理ガスを交互に供給、排出して、基板に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、薄膜中に存在し薄膜の膜ストレスがその存在量に依存する化学種の量を複数の処理ガスの内の一つの処理ガスの供給時間を制御することによって制御し、これにより薄膜の膜ストレスを制御する基板処理方法が開示されている。
摘要翻译：一种基板处理方法，其中通过向具有用于处理基板的处理空间的处理室交换和排出多个处理气体而在基板上形成期望的薄膜。在基板处理方法中，通过控制处理气体中的一种处理气体的供给时间来控制存在于薄膜中的化学物质的量和薄膜的膜应力依赖于该膜，因此膜控制薄膜的应力。

9. 发明申请

WO2006055984A2 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING A BATCH PROCESSING CHAMBER 审中-公开
标题翻译：使用批处理室的基板处理装置
公开(公告)号：WO2006055984A2
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：PCT/US2005/042762
申请日：2005-11-22
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , THAKUR, Randhir, P.s. , GHANAYEM, Steve, G. , YUDOVSKY, Joseph , WEBB, Aaron , BRAILOVE, Adam, A. , MERRY, Nir , SHAH, Vinay, K. , HEGEDUS, Andreas, G.
发明人： THAKUR, Randhir, P.s. , GHANAYEM, Steve, G. , YUDOVSKY, Joseph , WEBB, Aaron , BRAILOVE, Adam, A. , MERRY, Nir , SHAH, Vinay, K. , HEGEDUS, Andreas, G.
IPC分类号： C12M3/00
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/45593 , C23C16/4584 , C23C16/481 , C23C16/54 , H01L21/67017 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/67757 , H01L21/67781
摘要： Aspects of the invention include a method and apparatus for processing a substrate using a multi-chamber processing system ( e.g., a cluster tool) adapted to process substrates in one or more batch and/or single substrate processing chambers to increase the system throughput. In one embodiment, a system is configured to perform a substrate processing sequence that contains batch processing chambers only, or batch and single substrate processing chambers, to optimize throughput and minimize processing defects. In one embodiment, a batch processing chamber is used to increase the system throughput by performing a process recipe step that is disproportionately long compared to other process recipe steps in the substrate processing sequence. Aspects of the invention also include an apparatus and method for delivering a precursor to a processing chamber so that a repeatable ALD or CVD deposition process can be performed.
摘要翻译：本发明的方面包括使用适于在一个或多个批次和/或单个基板处理室中处理基板以增加系统吞吐量的多室处理系统（例如，集群工具）来处理基板的方法和装置。在一个实施例中，系统被配置为执行仅包含批处理室的衬底处理序列，或批处理和单个衬底处理室，以优化生产量并最小化处理缺陷。在一个实施例中，批处理室用于通过执行与衬底处理序列中的其它工艺配方步骤相比长度不成比例的工艺配方步骤来增加系统通过量。本发明的方面还包括用于将前体输送到处理室的装置和方法，使得可以执行可重复的ALD或CVD沉积工艺。

10. 发明申请

WO2006041267A1 AN APPARATUS FOR DEPOSITING THIN FILM ON A WAFER 审中-公开
标题翻译：用于在薄膜上沉积薄膜的装置
公开(公告)号：WO2006041267A1
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/KR2005/003440
申请日：2005-10-14
申请人： IPS LTD. , LIM, Hong-Joo , LEE, Sang-In , LEE, Sahng-Kyu , SEO, Tae-Wook , CHANG, Ho-Seung
发明人： LIM, Hong-Joo , LEE, Sang-In , LEE, Sahng-Kyu , SEO, Tae-Wook , CHANG, Ho-Seung
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/45544 , C23C16/45546
摘要： A thin film deposition apparatus is provided, including a reactor (100) and a gas box (200) for supplying a reaction gas to the reactor (100). An inert gas heating unit (300) for heating an inert gas for transferring or purging a raw chemical material is installed on an inert gas line S2 of the reactor (100) and/or the gas box (200).
摘要翻译：提供一种薄膜沉积设备，包括用于向反应器（100）供应反应气体的反应器（100）和气体箱（200）。在反应器（100）和/或气箱（200）的惰性气体管线S2上安装用于加热用于转移或清除原料化学物质的惰性气体的惰性气体加热单元（300）。

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