基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR IMPROVING PROCESS CONTROL AND FILM CONFORMALITY OF PECVD FILMS
- 专利标题（中）：改善PECVD膜的过程控制和膜一致性的方法
- 申请号：PCT/US2009061064 申请日：2009-10-16
- 公开(公告)号：WO2010045595A2 公开(公告)日：2010-04-22
- 发明人： HAUSMANN DENNIS , SIMS JAMES S , ANTONELLI ANDREW , VARADARAJAN SESHA , VAN SCHRAVENDIJK BART
- 申请人： NOVELLUS SYSTEMS INC , HAUSMANN DENNIS , SIMS JAMES S , ANTONELLI ANDREW , VARADARAJAN SESHA , VAN SCHRAVENDIJK BART
- 专利权人： NOVELLUS SYSTEMS INC,HAUSMANN DENNIS,SIMS JAMES S,ANTONELLI ANDREW,VARADARAJAN SESHA,VAN SCHRAVENDIJK BART
- 当前专利权人： NOVELLUS SYSTEMS INC,HAUSMANN DENNIS,SIMS JAMES S,ANTONELLI ANDREW,VARADARAJAN SESHA,VAN SCHRAVENDIJK BART
- 优先权： US25380708 2008-10-17
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L21/31
摘要：
A method for forming a silicon-based dielectric film on a substrate with a single deposition process operation using pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) wherein the high frequency radio frequency power of the plasma is pulsed, allows enhanced control, efficiency and product quality of the PECVD process. Pulsing the high frequency RF power of the plasma reduces the deposited film thickness per unit time the high frequency RF power of the plasma is on. This yields silicon-based dielectric films that are both thin and conformal.
摘要（中）：
一种使用脉冲等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的单个沉积工艺操作在衬底上形成硅基电介质膜的方法，其中等离子体的高频射频功率被脉冲化，允许增强的控制，效率和产品质量 的PECVD过程。 脉冲等离子体的高频RF功率降低了等离子体的高频RF功率每单位时间的沉积膜厚度。 这产生了薄且共形的硅基电介质膜。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |