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1. 发明申请

WO2010079073A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ZYLINDERGLEICHSTELLUNG EINER BRENNKRAFTMASCHINE, COMPUTERPROGRAMM, COMPUTERPROGRAMMPRODUKT 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR气缸平等内燃机，计算机程序，计算机程序产品
公开(公告)号：WO2010079073A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/EP2009/067377
申请日：2009-12-17
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , PORTEN, Guido , CHEN, Lu , SCHOTT, Marc
发明人： PORTEN, Guido , CHEN, Lu , SCHOTT, Marc
IPC分类号： F02D41/14 , F02D41/22 , F02D41/00
CPC分类号： F02D41/221 , F02D41/0085 , F02D41/1498 , F02D41/3076 , Y02T10/40
摘要： Die Zusammenfassung betrifft eine Vorrichtung ein Verfahren, ein Computerprogramm und ein Computerprogrammprodukt zur Diagnoseeiner Brennkraftmaschine (100), bei der ein erster Zylinder (102) eine Brennkammer (101) umfasst, wobei der Brennkammer (101) eine Kraftstoffmenge und eine Frischluftmenge zur Verbrennung zugeführt werden, wobei ein durch die Verbrennung erzeugter Drehmomentenbeitrag D des ersten Zylinders (102) in einer ersten Betriebsart (B1) der Brennkraftmaschine (100) von der zugeführten Frischluftmenge und in einer zweiten Betriebsart (B2) und der Brennkraftmaschine (100) im Wesentlichen von der Kraftstoffmenge abhängt, wobei - eine erste eine Laufruhe der Brennkraftmaschine (100) in der ersten Betriebsart (B1) charakterisierende Größe (L1) ermittelt wird, - eine zweite die Laufruheder Brennkraftmaschine (100) in der zweiten Betriebsart charakterisierende Größe (L2) ermittelt wird - die erste Größe (L1) mit der zweiten Größe (L2) verglichen wird, - eine Diagnose der Brennkraftmaschine (100) abhängig vom Ergebnis des Vergleichs durchgeführt wird.
摘要翻译：抽象涉及一种装置的方法，计算机程序和用于诊断内燃机（100）的计算机程序产品包括在第一圆筒（102）的燃烧室（101），其中，所述燃烧室（101）的燃料量和新鲜空气量被用于燃烧供给其中本质上对燃料的量通过在新鲜空气的供给量的，并且在第二操作模式中（B2）和所述内燃机（100）的内燃机（100）的第一操作模式（B1）的第一气缸（102）的燃烧转矩贡献ð产生的电流取决于，由此： - 第一，在第一操作模式（B1）可变特征（L1）的内燃发动机（100）的运行平稳被确定， - 第二对Laufruheder内燃在第二模式尺寸（L2）表征发动机（100）被确定 - 的第一尺寸（L1），其具有所述第二尺寸（L2）相比， - 一个诊断内燃发动机（100）根据所述比较的结果来执行。

2. 发明申请

WO2005096108A2 ABLAUFSTEUERUNG VON FUNKTIONEN AUF MITEINANDER WECHSELWIRKENDEN GERÄTEN 审中-公开
标题翻译：流程函数控制在彼此交互设备
公开(公告)号：WO2005096108A2
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/EP2005/051389
申请日：2005-03-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , HILLNER, Hans , HERZ, Klaus , CHEN, Lu , EBERT, Michael , KOENIG, Timo
发明人： HILLNER, Hans , HERZ, Klaus , CHEN, Lu , EBERT, Michael , KOENIG, Timo
IPC分类号： G05B
CPC分类号： G05B19/0421 , G05B2219/2222 , G05B2219/24063 , G05B2219/2623 , G05B2219/35283 , G06F9/52
摘要： Die Erfindung behandelt ein Verfahren zur Ablaufsteuerung einer Mehrzahl von Funktionen (4, 5), die auf wenigstens zwei miteinander wechselwirkenden Geräten (2, 3) ausführbar sind, wobei erste der Funktionen (4, 5) auf einem ersten der Geräte (2, 3) und zweite der Funktionen (4, 5) auf einem zweiten der Geräte (2, 3) implementiert sind. Die Erfindung betrifft auch ein System zur Ausführung des Verfahrens mit einer Verwaltungseinheit (6, 7), die einen Ablauf der Funktionen (4, 5) derart steuert, dass sie ein gleichzeitiges Ablaufen einer ersten Funktion (4, 5) und einer zweiten Funktion (4, 5), die sich gegenseitig störend beeinflussen, vermeidet.
摘要翻译：与用于调度的多个功能的方法本发明涉及（4，5），设置在至少两个相互作用的装置（2，3）被执行，由此，第一功能（4,5）上的第一设备（2，3的）和第二功能（4,5）上的设备（2的第二，3）被实现。本发明还涉及一种用于与管理装置（6,7）的功能的流执行该方法的系统（4，5），以便它们（第一函数（4的同时通过，5）和一个第二功能 4，5），其与相互干扰，避免它们。

3. 发明申请

WO2011069760A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR DIAGNOSE VON ABWEICHUNGEN BEI EINER EINZELZYLINDER-LAMBDAREGELUNG 审中-公开
标题翻译：方法和设备诊断单缸λ调节差异的
公开(公告)号：WO2011069760A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/EP2010/066930
申请日：2010-11-05
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHNAIBEL, Eberhard , FEY, Michael , KORING, Andreas , CHEN, Lu , HOTZEL, Richard
发明人： SCHNAIBEL, Eberhard , FEY, Michael , KORING, Andreas , CHEN, Lu , HOTZEL, Richard
IPC分类号： F02D41/14 , F02D41/00 , G01N27/419 , F02D41/22
CPC分类号： F02D41/1454 , F02D41/008 , F02D41/0082 , F02D41/1456 , F02D41/1495 , F02D2041/1432
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Diagnose von Abweichungen bei einer Einzelzylinder-Lambdaregelung bei einer Brennkraftmaschine mit mindestens zwei Zylindern und einer als Breitband-Lambdasonde ausgeführten Abgassonde, bei der ein Pumpstrom durch eine Pumpzelle ausgewertet wird und dieser wenigstens zeitweilig zu einer zylinderindividuellen Lambdaregelung verwendet wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass zusätzlich zum Pumpstrom eine Pumpspannung bzw. eine Pumpspannungsänderung über der Pumpzelle bestimmt und dieser Wert an eine Diagnoseeinrichtung übermittelt wird. Abweichungen der Einzelzylinder-Lambdaregelung können somit besser ohne zusätzlichen materiellen Aufwand diagnostiziert werden, was insbesondere im Hinblick auf verschärfte Gesetzgebungen bei der On-Board-Diagnose Vorteile bietet. Eine bevorzugte Anwendung des Verfahrens sieht den Einsatz bei Brennkraftmaschinen mit Mehrbank-Abgassystemen vor.
摘要翻译：本发明涉及一种方法和偏差的诊断用于在具有至少两个气缸和一个排气传感器被设计为在其中一个泵浦电流是由一个泵单元评价宽带λ传感器的内燃机单缸λ调节的装置，并且所述至少暂时单独气缸来的λ控制被使用。根据本发明，提供的是除了泵浦电流确定泵浦电压和在所述泵单元的泵的电压变化，并且该值被发送到诊断设备。各汽缸的λ调节的偏差，可能没有额外的物质资源从而有什么特别的车载诊断的好处视图更严格的立法提供诊断更好。该方法的一个优选的应用提供了一种用于在具有多存储体的排气系统的内燃发动机中使用。

4. 发明申请

WO2013016526A1 DETECTING DEFECTS ON A WAFER 审中-公开
标题翻译：检测波形上的缺陷
公开(公告)号：WO2013016526A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/US2012/048324
申请日：2012-07-26
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION , CHEN, Lu , ZHANG, Qiang
发明人： CHEN, Lu , ZHANG, Qiang
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/9501 , H01L22/12
摘要： Systems and methods for detecting defects on a wafer are provided.
摘要翻译：提供了用于检测晶片上的缺陷的系统和方法。

5. 发明申请

WO2012119243A2 METHOD AND SYSTEM FOR CELL DETECTION AND ANALYSIS 审中-公开
标题翻译：用于细胞检测和分析的方法和系统
公开(公告)号：WO2012119243A2
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/CA2012/000227
申请日：2012-03-07
申请人： AITCHISON, James Stewart , CHEN, Lu , DOU, James Jiahua , NAYYAR, Rakesh Kumar
发明人： AITCHISON, James Stewart , CHEN, Lu , DOU, James Jiahua , NAYYAR, Rakesh Kumar
IPC分类号： C12M1/34
CPC分类号： G01N33/56972 , B01L3/502715 , B01L3/502746 , B01L2200/0647 , B01L2300/0877 , B01L2400/086 , G01N15/1459 , G01N15/1463 , G01N15/1484 , G01N21/6456 , G01N21/6458 , G01N21/6486 , G01N33/582 , G01N2015/1006 , G01N2021/6421 , G01N2021/6439 , G01N2021/6441 , G01N2201/0221
摘要： The present invention is a method and a system of cell detection and analysis. The present invention may incorporate at least an optical source, a fluidic chip and a detection module. Cells may be caused to flow within the fluidic chip and specifically past a detection window section accessible by the optical source. The flowing cells may be identified and/or analyzed. The detection module may specifically count the cells of interest as they flow past the detection window section of the chip. The detection module may further be operable to generate or otherwise capture images of the cells as they flow past the window and to use these images collectively for the purpose of analyzing the cells. The present invention may be portable and operable in remote locations.
摘要翻译：本发明是细胞检测和分析的方法和系统。本发明可以至少包括光源，流体芯片和检测模块。可能使细胞在流体芯片内流动并且特别地通过可由光源访问的检测窗口部分。可以识别和/或分析流动的细胞。当检测模块流过芯片的检测窗口部分时，可以具体地对感兴趣的单元进行计数。检测模块还可以用于在单元流过窗口时生成或以其他方式捕获单元的图像，并且为了分析单元的目的而集体使用这些图像。本发明可以是便携式的并且可在远程位置操作。

6. 发明申请

WO2006086674A2 COMPENSATION CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：补偿电路
公开(公告)号：WO2006086674A2
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：PCT/US2006/004811
申请日：2006-02-10
申请人： VISHAY-SILICONIX , CHEN, Lu , FERRARIO, Bruno
发明人： CHEN, Lu , FERRARIO, Bruno
CPC分类号： H02M3/156 , H02M2001/0025
摘要： One embodiment of the invention is a compensation circuit that includes a comparator that is coupled to receive a reference voltage. The compensation circuit can also include a capacitance coupled to receive a feedback voltage associated with an output voltage of a converter. Furthermore, the compensation circuit can include an adjustable resistance that is coupled to the capacitance and to the comparator.
摘要翻译：本发明的一个实施例是一种补偿电路，其包括被耦合以接收参考电压的比较器。补偿电路还可以包括被耦合以接收与转换器的输出电压相关联的反馈电压的电容。此外，补偿电路可以包括耦合到电容和比较器的可调电阻。

7. 发明申请

WO2012162196A2 METHODS FOR IMPROVED GROWTH OF GROUP III NITRIDE BUFFER LAYERS 审中-公开
标题翻译：改善III组氮化物缓冲层生长的方法
公开(公告)号：WO2012162196A2
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/US2012/038729
申请日：2012-05-18
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , MELNIK, Yuriy , CHEN, Lu , KOJIRI, Hidehiro
发明人： MELNIK, Yuriy , CHEN, Lu , KOJIRI, Hidehiro
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02304 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/872
摘要： Methods are disclosed for growing high crystal quality group III-nitride epitaxial layers with advanced multiple buffer layer techniques. In an embodiment, a method includes forming group III-nitride buffer layers that contain aluminum on suitable substrate in a processing chamber of a hydride vapor phase epitaxy processing system. A hydrogen halide or halogen gas is flowing into the growth zone during deposition of buffer layers to suppress homogeneous particle formation. Some combinations of low temperature buffers that contain aluminum (e.g., AlN, AlGaN) and high temperature buffers that contain aluminum (e.g., AlN, AlGaN) may be used to improve crystal quality and morphology of subsequently grown group III-nitride epitaxial layers. The buffer may be deposited on the substrate, or on the surface of another buffer. The additional buffer layers may be added as interlayers in group III-nitride layers (e.g., GaN, AlGaN, AlN).
摘要翻译：公开了用于生长具有先进的多缓冲层技术的高结晶质量III族氮化物外延层的方法。在一个实施例中，一种方法包括在氢化物气相外延处理系统的处理室中形成在合适的衬底上含有铝的III族氮化物缓冲层。在沉积缓冲层期间，卤化氢或卤素气体流入生长区以抑制均匀的颗粒形成。可以使用含有铝的低温缓冲液（例如AlN，AlGaN）和含有铝的高温缓冲液（例如AlN，AlGaN）的一些组合来改善随后生长的III族氮化物外延层的晶体质量和形态。缓冲液可以沉积在衬底上，或者沉积在另一缓冲液的表面上。附加的缓冲层可以作为III族氮化物层（例如，GaN，AlGaN，AlN）中的中间层添加。

8. 发明申请

WO2011133304A2 GROUP III-NITRIDE N-TYPE DOPING 审中-公开
标题翻译： III类氮化物N型掺杂
公开(公告)号：WO2011133304A2
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/US2011/030603
申请日：2011-03-30
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , MELNIK, Yuriy , KRYLIOUK, Olga , CHEN, Lu , KOJIRI, Hidehiro , TETSUYA, Ishikawa
发明人： MELNIK, Yuriy , KRYLIOUK, Olga , CHEN, Lu , KOJIRI, Hidehiro , TETSUYA, Ishikawa
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/32 , H01L33/34
CPC分类号： H01L21/2233 , C23C16/30 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/67115 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/007 , H01L33/325
摘要： Group III-nitride N-type doping techniques are described.
摘要翻译：描述了III族氮化物N型掺杂技术。

9. 发明申请

WO2010085679A2 SYSTEMS AND METHODS FOR DETECTING DEFECTS ON A WAFER 审中-公开
标题翻译：用于检测晶片上缺陷的系统和方法
公开(公告)号：WO2010085679A2
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：PCT/US2010/021850
申请日：2010-01-22
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION , CHEN, Lu , KIRKWOOD, Jason , MAHADEVAN, Mohan , SMITH, James A. , GAO, Lisheng , HUANG, Junqing , LUO, Tao , WALLINGFORD, Richard
发明人： CHEN, Lu , KIRKWOOD, Jason , MAHADEVAN, Mohan , SMITH, James A. , GAO, Lisheng , HUANG, Junqing , LUO, Tao , WALLINGFORD, Richard
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/88
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N2021/887 , H01L22/12
摘要： Systems and methods for detecting defects on a wafer are provided. One method includes generating output for a wafer by scanning the wafer with an inspection system using first and second optical states of the inspection system. The first and second optical states are defined by different values for at least one optical parameter of the inspection system. The method also includes generating first image data for the wafer using the output generated using the first optical state and second image data for the wafer using the output generated using the second optical state. In addition, the method includes combining the first image data and the second image data corresponding to substantially the same locations on the wafer thereby creating additional image data for the wafer. The method further includes detecting defects on the wafer using the additional image data.
摘要翻译：提供了用于检测晶片上的缺陷的系统和方法。一种方法包括通过使用检查系统的第一和第二光学状态的检查系统扫描晶片来产生晶片的输出。第一和第二光学状态由检查系统的至少一个光学参数的不同值限定。该方法还包括使用使用第一光学状态产生的输出和使用使用第二光学状态产生的输出的晶片的第二图像数据来产生晶片的第一图像数据。此外，该方法包括将第一图像数据和第二图像数据组合起来，所述第二图像数据对应于晶片上基本上相同的位置，由此产生用于晶片的附加图像数据。该方法还包括使用附加图像数据检测晶片上的缺陷。

10. 发明申请

WO2012162197A3 METHODS FOR IMPROVED GROWTH OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2012162197A3
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/US2012/038730
申请日：2012-05-18
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , MELNIK, Yuriy , CHEN, Lu , KOJIRI, Hidehiro
发明人： MELNIK, Yuriy , CHEN, Lu , KOJIRI, Hidehiro
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
摘要： Methods are disclosed for growing group III-nitride semiconductor compounds with advanced buffer layer technique. In an embodiment, a method includes providing a suitable substrate in a processing chamber of a hydride vapor phase epitaxy processing system. The method includes forming an AlN buffer layer by flowing an ammonia gas into a growth zone of the processing chamber, flowing an aluminum halide containing precursor to the growth zone and at the same time flowing additional hydrogen halide or halogen gas into the growth zone of the processing chamber. The additional hydrogen halide or halogen gas that is flowed into the growth zone during buffer layer deposition suppresses homogeneous AlN particle formation. The hydrogen halide or halogen gas may continue flowing for a time period while the flow of the aluminum halide containing precursor is turned off.

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