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1. 发明申请

WO2010051790A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNG EMITTIERENDEN DÜNNSCHICHTBAUELEMENTS UND STRAHLUNG EMITTIERENDES DÜNNSCHICHTBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产辐射发射的薄膜成分和发射辐射的薄膜COMPONENT
公开(公告)号：WO2010051790A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/DE2009/001449
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUGAUER, Hans-Jürgen , STREUBEL, Klaus , STRASSBURG, Martin , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl
发明人： LUGAUER, Hans-Jürgen , STREUBEL, Klaus , STRASSBURG, Martin , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements (1) weist dieses folgende Schritte auf: - Bereitstellen eines Substrats (2), - Aufwachsen von Nanostäben (3) auf dem Substrat (2), - epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (4) mit mindestens einer aktiven Schicht (5) auf den Nanostäben (3), - Aufbringen eines Trägers (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (4), und - Abtrennen von Halbleiterschichtenfolge (4) und Träger (6) vom Substrat (2) durch mindestens teilweises Zerstören der Nanostäbe (3). Durch ein solches Herstellungsverfahren können mechanische Spannungen und Risse in der Halbleiterschichtenfolge (4), die durch das Aufwachsen resultieren, reduziert werden.
摘要翻译：在用于制造发射辐射的薄膜元件（1）具有在此以下步骤的方法的至少一个实施例中： - 在衬底（2）上的纳米棒（3）的生长， - - 提供衬底（2），外延生长的半导体层序列（4- ），具有至少一个有源层（5）上的纳米棒（3）， - 将载体（6）在该半导体层序列（4），以及 - （4）和载体从衬底（2）由至少（6）分离所述半导体层序列纳米棒的部分破坏（3）。由机械应力和裂纹这样的制造方法，能够在半导体层序列中的（4）可以减小通过生长得到的。

2. 发明申请

WO2009149687A1 HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译：半导体本体及其制造方法的半导体主体
公开(公告)号：WO2009149687A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/DE2009/000756
申请日：2009-05-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , LUGAUER, Hans-Jürgen , GROLIER, Vincent , HAHN, Berthold , FLÖTER, Richard
发明人： STRASSBURG, Martin , LUGAUER, Hans-Jürgen , GROLIER, Vincent , HAHN, Berthold , FLÖTER, Richard
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/225
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/325 , H01S5/305
摘要： Es wird ein Halbleiterkörper (2) mit einer n-leitenden Halbleiterschicht (21) und einer p-leitenden Halbleiterschicht (22) angegeben. Die p-leitende Halbleiterschicht (22) enthält einen p-Dotierstoff und die n-leitende Halbleiterschicht (21) einen n-Dotierstoff und einen weiteren Dotierstoff. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers angegeben.
摘要翻译：有与n型半导体层（21）和p型半导体层（22）提供一个半导体主体（2）。在p型半导体层（22）含有p型掺杂物和n型半导体层（21）包括n型掺杂剂和另外的掺杂剂。此外，制造半导体主体的方法中指示。

3. 发明申请

WO2010051786A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010051786A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/DE2009/001415
申请日：2009-10-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BIEBERSDORF, Andreas , GROLIER, Vincent , HOEPPEL, Lutz , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRASSBURG, Martin
发明人： BIEBERSDORF, Andreas , GROLIER, Vincent , HOEPPEL, Lutz , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/16
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: A) Ausbilden einer Halbleiterschichtenfolge (200) mit zumindest einer dotierten funktionellen Schicht (7), die Bindungskomplexe mit zumindest einem Dotierstoff und zumindest einem Kodotierstoff aufweist, wobei einer ausgewählt aus dem Dotierstoff und dem Kodotierstoff ein Elektronenakzeptor und der andere ein Elektronendonator ist, B) Aktivieren des Dotierstoffs durch Aufbrechen der Bindungskomplexe mittels Einbringen einer Energie (14, 15), wobei der Kodotierstoff zumindest teilweise in der Halbleiterschichtenfolge (200) verbleibt und zumindest teilweise keine Bindungskomplexe mit dem Dotierstoff bildet. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法：（7），其具有至少一种掺杂剂和至少一种共掺杂剂，所述结合复合物，其中一个从所选择的A）形成具有至少一个掺杂的功能层的半导体层序列（200）掺杂剂和共掺杂剂是电子，和所述其它电子给体，b）通过通过引入能量（14,15），其中所述共掺杂剂至少部分（半导体层序列200）中保持，并且至少部分地与没有结合复合物的手段破坏结合复合激活所述掺杂剂形成掺杂剂。此外，光电子半导体芯片被指定。

4. 发明申请

WO2013045574A1 PHOTOVOLTAISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光伏半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045574A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/069124
申请日：2012-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： VON MALM, Norwin , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein photovoltaischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von elektrischer Energie vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben. Der aktive Bereich (20) ist zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps ausgebildet ist. Der Halbleiterkörper (2) ist auf einem Trägerkörper (5) angeordnet. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Trägerkörper (5) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet. Der Halbleiterkörper (2) weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich vom Trägerkörper (5) durch die zweite Halbleiterschicht (22) hindurch erstreckt. Zumindest bereichsweise zwischen dem Trägerkörper (5) und dem Halbleiterkörper (2) ist eine erste Anschlussstruktur (31) angeordnet, die in der Ausnehmung (25) mit der ersten Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：它是包含具有与所提供的用于产生电能的有源区域（20）所表示的半导体层序列的半导体主体（2）的光电半导体芯片（1）。第一导电类型的第一半导体层（21）和从所述第二导电型不同的第一导电类型的第二半导体层（22）之间的有源区（20）形成。该半导体主体（2）被布置在载体上（5）。在第一半导体层（21）是在承载体（5）的面对从所述第二半导体层（22）远侧。该半导体主体（2）具有从承载体的至少一个凹部（25）（5）延伸穿过所述第二半导体层（22）穿过其中。至少在所述载体本体（5）和所述半导体主体之间的区域（2）是布置在所述凹部（25）的第一连接结构（31）与所述第一半导体层（21）被导电地连接。

5. 发明申请

WO2012152719A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体部件和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2012152719A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/EP2012/058299
申请日：2012-05-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： B81B3/00 , B81C3/00 , F21V14/02 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/0079 , F21S41/657 , F21V14/02 , F21V19/02 , F21Y2107/50 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einer Mehrzahl von Emissionsbereichen (10) angegeben, bei dem zumindest ein Emissionsbereich (10) einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, und mit einem Träger (3), der eine Montagefläche (34) aufweist. Der Halbleiterkörper (2) ist auf einer der Montagefläche (34) abgewandten Seite des Trägers (3) angeordnet und zwischen dem aktiven Bereich (20) und der Montagefläche (34) ist eine Auslenkungseinrichtung (6) ausgebildet, die dafür vorgesehen ist, den aktiven Bereich (20) relativ zur Montagefläche (34) auszulenken. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：它是具有多个提供发光部（10），其中至少一个发射区（10）的半导体主体（2），其具有用于产生辐射激活区（20）的半导体器件（1），并与载体（3 ）具有安装面（34）。从背向所述支撑件（3）的安装表面侧上的半导体主体（2）（34）设置在所述有源区（20）和具有一个位移构件的安装面（34）（6）之间形成，其被提供用于有源区域（20）以偏转相对于所述安装表面（34）。此外，提供了一种制造半导体器件的方法。

6. 发明申请

WO2003043092A2 OHMSCHE KONTAKTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：电阻接触的结构及方法及其
公开(公告)号：WO2003043092A2
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/DE2002/004178
申请日：2002-11-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRÜDERL, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
发明人： BRÜDERL, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L29/45
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/14 , H01L33/325 , H01L33/40
摘要： Die Erfindung beschreibt eine ohmsche Kontaktstruktur mit einer Metallisierung (14), die auf einem Halbleitermaterial (10) angeordnet ist, wobei in dem Halbleitermaterial (10) eine Kontaktschicht gebildet ist, die einen an die Metallisierung (14) grenzenden ersten Teilbereich und einen dem ersten Teilbereich nachgeordneten zweiten Teilbereich (18) aufweist. Die Kontaktschicht ist so dotiert, dass die Dotierungskonzentration (N 2 ) im ersten Teilbereich (12) größer als die Dotierungskonzentration (N 1 ) im zweiten Teilbereich (18) ist.
摘要翻译：本发明涉及的欧姆接触结构，其具有金属化14，其被设置在半导体材料10，其中在所述半导体材料10中，形成有接触层，其具有邻接的金属化14第一部分区域和所述第一部分的第二部分18的下游接触层被掺杂以杂质浓度在N2第一部分12比第二部分18是掺杂浓度N1大。

7. 发明申请

WO2009033448A3 LICHTEMITTIERENDE STRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2009033448A3
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/DE2008/001426
申请日：2008-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian, Stefan , LUGAUER, Hans-Jürgen , PETER, Matthias , MILLER, Stephan
发明人： AVRAMESCU, Adrian, Stefan , LUGAUER, Hans-Jürgen , PETER, Matthias , MILLER, Stephan
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird eine lichtemittierende Struktur (7) angegeben mit einem p-dotierten Gebiet (1) zur Injektion von Löchern, einem n-dotierten Gebiet (2) zur Injektion von Elektronen, mindestens einem InGaN-Quantentopf (4) einer ersten Sorte und mindestens einem InGaN-Quantentopf (5) einer zweiten Sorte, die zwischen dem n-dotierten Gebiet (2) und dem p-dotierten Gebiet (1) angeordnet sind, wobei der InGaN-Quantentopf (5) der zweiten Sorte einen höheren Indiumgehalt aufweist als der InGaN-Quantentopf (4) der ersten Sorte.

8. 发明申请

WO2012126735A1 LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2012126735A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/EP2012/053914
申请日：2012-03-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , PLÖSSL, Andreas , LUGAUER, Hans-Jürgen , LINKOV, Alexander , RODE, Patrick
发明人： SABATHIL, Matthias , PLÖSSL, Andreas , LUGAUER, Hans-Jürgen , LINKOV, Alexander , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/504
摘要： Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.
摘要翻译：本发明公开一种发光半导体器件，包括： - 第一半导体本体（1），它包括一个有源区（11），在光半导体装置的操作期间的发射产生的电磁辐射，所述第一半导体本体（1）至少部分地由一辐射出射表面（1a）的通过叶，以及 - 第二半导体主体（2），其适合用于将电磁辐射转换成转换后的电磁辐射更短的波长，其特征在于， - 所述第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）彼此分开地制造， - 所述第二半导体本体（2）是电惰性，以及 - 所述第二半导体本体（2）与所述辐射出射表面（1a）的直接接触，并有连接装置自由所述第一半导体本体（1）附接在。

9. 发明申请

WO2011080144A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERWENDUNG EINER AUF ALGAN BASIERENDEN ZWISCHENSCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2011080144A3
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070274
申请日：2010-12-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , TAKI, Tetsuya , LUGAUER, Hans-Jürgen , WALTER, Alexander
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , TAKI, Tetsuya , LUGAUER, Hans-Jürgen , WALTER, Alexander
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/16 , H01L33/12
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (100) umfasst dieser eine auf GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN basierende Halbleiterschichtenfolge (1). Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet eine p-dotierte Schichtenfolge (2), eine n-dotierte Schichtenfolge (4) und eine aktive Zone (3), die sich zwischen der p-dotierten (2) und der n-dotierten Schichtenfolge (4) befindet. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest eine auf Al x Ga 1-x N basierende Zwischenschicht (5), wobei 0

10. 发明申请

WO2004077578A2 BELEUCHTUNGSMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：照明模块与方法研究
公开(公告)号：WO2004077578A2
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/DE2004/000040
申请日：2004-01-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/22 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Beleuchtungsmodul mit zumindest einem auf einem elektrische Anschlussleiter aufweisenden Chipträger aufgebrachten Dünnfilm-Leuchtdiodenchip, der eine erste une eine zweite elektrische Anschlussseite sowie eine epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtfolge aufweist. Die Halbleiterschichtfolge weist eine n-leitende Halbleiterschicht, eine p-leitende Halbleiterschicht und einen zwischen diesen beiden Halbleiterschichten angeordneten elektromagnetische Strahlung erzeugenden Bereich auf und ist auf einem Träger angeordnet. Zudem weist sie an einer zu dem Träger hin gewandten Hauptfläche eine reflektierende Schicht auf, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert. Die Halbleiterschichtfolge weist mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer mikrostrukturierten, rauhen Fläche auf. Die Auskoppelfläche des Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist im Wesentlichen durch eine von der reflektierenden Schicht abgewandten Hauptfläche definiert und ist frei von Gehäusematerial wie Verguss- oder Verkapselungsmaterial.
摘要翻译：本发明涉及一种照明模块，包括至少一个具有一种半导体芯片载体具有第一UNE的第二电端子侧和外延制造的半导体层序列淀积薄膜发光二极管芯片电连接。半导体层序列具有n型半导体层，p型半导体层和设置在这两个半导体层之间的电磁辐射产生部分和设置在载体上。此外，它有一个朝向正对支撑主表面上的反射层，其反射回在它的半导体层序列中产生的电磁辐射的至少一部分。半导体层序列具有至少一个微结构化的，粗糙的表面的至少一个半导体层。该薄膜发光芯片的输出表面基本上由面向从反射层主表面远离的一侧形成，并且自由外壳材料，如灌封或包封材料的。

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