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1. 发明申请

WO2012126735A1 LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2012126735A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/EP2012/053914
申请日：2012-03-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , PLÖSSL, Andreas , LUGAUER, Hans-Jürgen , LINKOV, Alexander , RODE, Patrick
发明人： SABATHIL, Matthias , PLÖSSL, Andreas , LUGAUER, Hans-Jürgen , LINKOV, Alexander , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/504
摘要： Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.
摘要翻译：本发明公开一种发光半导体器件，包括： - 第一半导体本体（1），它包括一个有源区（11），在光半导体装置的操作期间的发射产生的电磁辐射，所述第一半导体本体（1）至少部分地由一辐射出射表面（1a）的通过叶，以及 - 第二半导体主体（2），其适合用于将电磁辐射转换成转换后的电磁辐射更短的波长，其特征在于， - 所述第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）彼此分开地制造， - 所述第二半导体本体（2）是电惰性，以及 - 所述第二半导体本体（2）与所述辐射出射表面（1a）的直接接触，并有连接装置自由所述第一半导体本体（1）附接在。

2. 发明申请

WO2010020213A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT GAS-GEFÜLLTEM SPIEGEL 审中-公开
标题翻译：与充气明镜光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010020213A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/DE2009/001111
申请日：2009-08-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas
发明人： GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/02161 , H01L33/387 , H01L33/405
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der einen aktiven Bereich (10) enthält, - einer Spiegelschicht (2), und - Kontaktstellen (3), die zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegelschicht (2) angeordnet sind und einen Abstand (D) zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegelschicht (2) vermitteln, wodurch zumindest ein Hohlraum (4) zwischen Spiegelschicht (2) und Halbleiterkörper (1) gebildet ist, wobei - der zumindest eine Hohlraum (4) ein Gas (40) enthält.
摘要翻译：它是设置有光电子半导体芯片 - （1）含有的有源区（10）的半导体主体， - 一个镜层（2），以及 - 所述半导体主体之间的接触垫（3）（1）和镜面层（2），其布置介导并且是半导体主体（1）和镜面层（2），由此，反射层（2）和半导体主体（1）之间形成至少一个空腔（4）之间的距离（D），其中， - 所述至少一个腔体（4），气体（40）。

3. 发明申请

WO2003025978A2 VERFAHREN ZUM TRENNEN ZWEIER ZUSAMMENGEFÜGTER MATERIALSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：方法切割两个接合的材料层
公开(公告)号：WO2003025978A2
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003453
申请日：2002-09-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PLÖSSL, Andreas
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/187
摘要： Verfahren zum Trennen zweier zusammengefügter Materialschichten entlang einer Grenzfläche, bei dem beim Zusammenfügen der Materialschichten an deren Grenzfläche und/oder in der Nähe der Grenzfläche eine Mehrzahl von Hohlräumen ausgebildet wird, die zwischen den Materialschichten eine Perforation ausbilden.
摘要翻译：一种用于分离两个方法接合材料层沿着其中在它们的界面和/或在界面附近接合的材料层当多个被空隙的形成界面，形成材料层之间的穿孔。

4. 发明申请

WO2002075819A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射光学元件
公开(公告)号：WO2002075819A2
公开(公告)日：2002-09-26
申请号：PCT/DE2002/000943
申请日：2002-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG , ULRICH, Jacob , KRÄUTER, Gertrud , PLÖSSL, Andreas
发明人： ULRICH, Jacob , KRÄUTER, Gertrud , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, mit einer Schichtstruktur (30), die eine aktive Schicht (32) enthält, die im Betrieb Strahlung einer spektralen Verteilung (60) emittiert, und elektrischen Kontakten (36,38,40) zur Einprägung eines Stroms in die Schichtstruktur (30), weist eine die aktive Schicht (32) zumindest teilweise umgebende Vergütungsschicht (44) auf, die einen kurzwelligen Anteil der emittierten Strahlung (60) zurückhält.
摘要翻译：与包含有源层（32）发射在操作辐射的光谱分布（60），以及电触点（36,38,40）（用于施加电流到层结构的层结构（30）的辐射的半导体器件 30）具有限制所发射的辐射（60）的短波成分的有源层（32）至少部分地包围涂层（44）。

5. 发明申请

WO2010054618A1 VERBUNDSUBSTRAT FÜR EINEN HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：复合基板用于半导体芯片
公开(公告)号：WO2010054618A1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/DE2009/001500
申请日：2009-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , STAUSS, Peter , PLÖSSL, Andreas
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , STAUSS, Peter , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02491 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L2924/0002 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verbundsubstrat (1) für einen Halbleiterchip (6) angegeben. Das Verbundsubstrat (1) umfasst eine erste Deckschicht (2), die ein Halbleitermaterial enthält, eine zweite Deckschicht (4), und eine Kernschicht (3), die zwischen der ersten Deckschicht (2) und der zweiten Deckschicht (4) angeordnet ist, wobei die Kernschicht (3) einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist als die Deckschichten (2, 4). Ferner wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (6) mit einem derartigen Verbundsubstrat (1) angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种用于半导体芯片（6）的复合基板（1）。复合基板（1）包括第一外层（2）包含半导体材料，第二层（4），并且所述第一外层（2）和所述第二外层（4）被布置之间的芯层（3），其中，核心层（3）具有比外层更大的热膨胀系数（2,4）。此外，光电子半导体芯片（6）具有这样的复合衬底（1）中指定。

6. 发明申请

WO2009146689A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件与方法研究
公开(公告)号：WO2009146689A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/DE2009/000781
申请日：2009-06-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KAISER, Stephan , PLÖSSL, Andreas
发明人： KAISER, Stephan , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, umfassend die Verfahrensschritte: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1), B) Epitaktisches Aufwachsen zumindest einer Halbleiterschicht (2) zur Erzeugung einer im Betrieb aktiven Zone, C) Aufbringen einer metallischen Spiegelschicht (3) auf die Halbleiterschicht (2), D) Aufbringen zumindest einer Kontaktschicht (8) zur elektronischen Kontaktierung des Bauelements, E) Abtrennen des Aufwachssubstrates (1) von der Halbleiterschicht (2), wobei eine Oberfläche der Halbleiterschicht (2) freigelegt wird, F) Strukturieren der Halbleiterschicht (2) mittels eines Ätzverfahrens von Seiten der Oberfläche, die in Verfahrenschritt E) freigelegt wurde.
摘要翻译：本发明的一个实施方案涉及一种方法，用于制造光电子器件，其包括以下步骤：A）提供生长衬底（1），B）外延生长至少一层半导体层（2），以产生活性在工况区C）施加金属镜层（3）在半导体层（2）上，d）将露出的至少一个接触层（8）的部件，e的生长衬底的分离电子接触）（1）（半导体层2）的，其中，所述半导体层的表面（2），F）通过图案化在其上在方法步骤e暴露表面的所述部分的蚀刻工艺来在半导体层（2））。

7. 发明申请

WO2004068567A1 DÜNNFILMHALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：薄膜半导体元件与方法研究
公开(公告)号：WO2004068567A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/DE2004/000121
申请日：2004-01-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STAUSS, Peter , PLÖSSL, Andreas
发明人： STAUSS, Peter , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/187 , H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L2221/68354 , H01L2224/29 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29144 , H01L2224/29298 , H01L2224/83001 , H01L2224/8319 , H01L2224/83224 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/0106 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/157 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem Dünnfilmhalbleiterkörper (2), der auf einem Germaniumenthaltenden Träger (4) angeordnet ist. Weiterhin ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements beschrieben.
摘要翻译：本发明涉及一种具有薄膜半导体主体（2），其布置在含锗基支撑件（4）的半导体器件。此外，描述了一种制造这种半导体器件的方法。

8. 发明申请

WO2003065420A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2003065420A3
公开(公告)日：2003-08-07
申请号：PCT/DE2003/000260
申请日：2003-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , KAISER, Stephan , OTTE, Frank , PLÖSSL, Andreas
发明人： FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , KAISER, Stephan , OTTE, Frank , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Dünnschichtbauelements, wobei eine Halbleiterschicht durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl, der ein plateauartiges räumliches Strahlprofil aufweist, von einem Substrat getrennt wird. Weiterhin wird die Halbleiterschicht vor der Trennung auf einen Träger mit einem angepaßten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufgebracht. Die Erfindung eignet sich insbesondere für Halbleiterschichten, die einen Nitridverbindungshalbleiter enthalten.

9. 发明申请

WO2010040331A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2010040331A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/DE2009/001269
申请日：2009-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PLÖSSL, Andreas
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, bei dem eine Epitaxieschichtenfolge (5), eine Kontaktschicht (6) und eine Barriereschicht (7) auf ein Aufwachssubstrat (1) aufgewachsen werden, und die Epitaxieschichtenfolge (5) zu einzelnen Halbleiterkörpern (8) durch Erzeugen von Gräben (9) in der Epitaxieschichtenfolge (5) strukturiert wird. Nachfolgend wird eine dielektrische Schicht (11) und vorzugsweise eine Spiegelschicht (21) zumindest auf die in den Gräben (9) freigelegten Seitenflanken (10) der Halbleiterkörper (8) aufgebracht. Nachfolgend werden die Halbleiterkörper (8) an einer von dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite mit einem Trägerkörper (14) mittels einer Lotschicht (13) verbunden, wobei die Gräben (9) zwischen den Halbleiterkörpern (8) von der Lotschicht (13) aufgefüllt werden, und das Aufwachssubstrat (1) wird nachfolgend abgelöst.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体器件，其中，外延层（5），接触层（6）和在生长衬底（1）上的阻挡层（7）生长的方法，以及所述外延层（5）以形成各个半导体本体（8 ）通过形成沟槽结构（9）在所述外延层（5）。随后，将电介质层（11）和优选的反射镜层（21）在半导体本体（8）的沟槽（9）侧的侧面（10）至少暴露于被施加。接着，在半导体本体（8）在所述生长衬底的一（1）通过焊料层（13）的面向从载体主体（14）远边，所述沟槽在半导体本体（13）之间填充的焊料层（9）（8）是，和生长衬底（1）随后剥离。

10. 发明申请

WO2009079969A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES IN DÜNNSCHICHTTECHNIK 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件薄膜技术
公开(公告)号：WO2009079969A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008/001940
申请日：2008-11-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas
发明人： GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079
摘要： Auf einem Epitaxiesubstrat (1) wird eine für Leuchtdioden oder andere optoelektronische Bauelemente in Dünnschichttechnik vorgesehene Schichtstruktur (5, 6, 7) hergestellt und mit einer ersten Verbindungsschicht (2), die ein oder mehrere Lotmaterialien umfasst, versehen. Auf einem Träger (10) wird eine zweite Verbindungsschicht (3) ganzflächig aufgebracht und mit der ersten Verbindungsschicht (2) durch einen Lötprozess dauerhaft verbunden.
摘要翻译：在外延衬底（1）是一种在薄膜技术层结构用于发光二极管或其他光电元件（5，6，7）与第一化合物层（2），其包括一个或多个焊接材料被设置制备。上的载体（10），在整个表面上并与第一化合物层的第二连接层（3）（2）被永久地通过焊接工艺连接。

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