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1. 发明申请

WO2012152719A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体部件和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2012152719A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/EP2012/058299
申请日：2012-05-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： B81B3/00 , B81C3/00 , F21V14/02 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/0079 , F21S41/657 , F21V14/02 , F21V19/02 , F21Y2107/50 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einer Mehrzahl von Emissionsbereichen (10) angegeben, bei dem zumindest ein Emissionsbereich (10) einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, und mit einem Träger (3), der eine Montagefläche (34) aufweist. Der Halbleiterkörper (2) ist auf einer der Montagefläche (34) abgewandten Seite des Trägers (3) angeordnet und zwischen dem aktiven Bereich (20) und der Montagefläche (34) ist eine Auslenkungseinrichtung (6) ausgebildet, die dafür vorgesehen ist, den aktiven Bereich (20) relativ zur Montagefläche (34) auszulenken. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：它是具有多个提供发光部（10），其中至少一个发射区（10）的半导体主体（2），其具有用于产生辐射激活区（20）的半导体器件（1），并与载体（3 ）具有安装面（34）。从背向所述支撑件（3）的安装表面侧上的半导体主体（2）（34）设置在所述有源区（20）和具有一个位移构件的安装面（34）（6）之间形成，其被提供用于有源区域（20）以偏转相对于所述安装表面（34）。此外，提供了一种制造半导体器件的方法。

2. 发明申请

WO2011038708A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM ANPASSEN EINER KONTAKTSTRUKTUR ZUR ELEKTRISCHEN KONTAKTIERUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电半导体芯片和调整方法的接触结构用于电接触光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011038708A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/DE2010/001077
申请日：2010-09-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L27/15
CPC分类号： H01L27/153 , G01R31/318516 , H01H85/0417 , H01H85/32 , H01L23/5256 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02H3/046 , H03K17/74 , H03K19/17728 , H05B33/083 , H05B33/0893 , Y10T29/49204
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip umfasst einen ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) mit einem ersten Terminal (211) und einem zweiten Terminal (212), sowie eine Kontaktstruktur (4) zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips, welche elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) verbunden ist. Die Kontaktstruktur (4) weist eine auftrennbare Leiterstruktur (41, 71, 42) auf, wobei - bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur ein Betriebsstromspfad über das erste Terminal des ersten Halbleiterfunktionsbereichs und das zweite Terminal festgelegt ist, der bei aufgetrennter Leiterstruktur unterbrochen ist, oder - bei aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) ein Betriebsstrompfad über das erste Terminal (211) des ersten Halbleiterfunktionsbereichs (21) und das zweite Terminal (212) festgelegt ist, wobei bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) die Leiterstruktur (41, 71, 42) das erste Terminal (211) mit dem zweiten Terminal (212) verbindet und den ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) kurzschließt.
摘要翻译：的光电子半导体芯片包括具有第一端子（211）和第二端子（212），以及用于光电子半导体芯片的电接触，这是导电地连接到第一半导体功能区域中的接触结构（4）的第一半导体功能区域（21）（21），接触结构（4）具有可分离的导体结构（41，71，42），其特征在于， - 在不被切断导体结构，工作电流路径经由所述第一半导体功能区域和第二端子，其在分离的导体结构的中断，或所述第一端子组 - 中分离导体结构（41，71，42），经由第一半导体功能区域（21）和第二终端（212）的第一端子（211）的工作电流路径是固定的，其中，当没有被切断的导体结构（41，71，42），该导体结构（41 ，71，42）连接所述第一终端（211）至所述第二终端（212）和所述第一半导体区域的功能（21）短路。

3. 发明申请

WO2010072191A1 OPTOELEKTRONISCHE PROJEKTIONSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：亚光电子投影设备
公开(公告)号：WO2010072191A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/DE2009/001694
申请日：2009-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , STREUBEL, Klaus , RODE, Patrick , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： VON MALM, Norwin , STREUBEL, Klaus , RODE, Patrick , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist eine optoelektronische Projektionsvorrichtung vorgesehen, die im Betrieb ein vorgegebenes Bild (10) erzeugt. Die Projektionsvorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (101) und eine Strahlungsaustrittsseite (102) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist ein Bild gebendes Element der Projektionsvorrichtung. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (1) sind eine erste Kontaktschicht (2) und eine zweite Kontaktschicht (3) an einer der Strahlungsaustrittsseite (102) gegenüberliegenden Rückseite (103) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet und mittels einer Trennschicht (4) elektrisch voneinander isoliert.
摘要翻译：它是光电突出部被设置装置，该装置产生在操作的预定的图像（10）。投影装置包括半导体主体（1），适于产生电磁辐射活性层（101）和具有辐射出射侧（102）的装置构成。半导体本体（1）是所述投影装置的成像元件。用于半导体本体（1），第一接触层的电接触（2）和第二接触层（3）在半导体本体的辐射出射侧（102）相对的后侧（103）的一（1），并通过分离层（4）从每个电隔离，

4. 发明申请

WO2012100868A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2012100868A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/EP2011/071526
申请日：2011-12-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , LINKOV, Alexander , MOOSBURGER, Jürgen , TAEGER, Sebastian , HAHN, Berthold
发明人： HÖPPEL, Lutz , LINKOV, Alexander , MOOSBURGER, Jürgen , TAEGER, Sebastian , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/501 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) angegeben, der eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) und eine Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweist, und mit einer Konversionsschicht (2), die auf der Strahlungsaustrittsseite (1b) des Halbleiterschichtenstapels (1) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (2) weist ein Matrixmaterial und Konverterpartikel auf, die geeignet sind, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (1a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Matrixmaterial der Konversionsschicht (2) weist einen Brechungsindex auf, der an den Brechungsindex des Halbleiterschichtenstapels (1) angepasst ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：它是具有高于半导体层堆叠（1），具有用于产生辐射活性层（1a）和一个辐射出射侧上的开口的光电子半导体芯片（10）（1b）中，并用在辐射出射侧上的转换层（2）（图1b）的布置半导体层堆叠（1）。转换层（2）包括适于至少从有源层（1a）中成不同波长的辐射发射的光的一部分转换基质材料和颗粒转换器。转换层（2）的所述基质材料具有匹配于半导体层堆叠（1）的折射率的折射率。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

5. 发明申请

WO2012001059A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2012001059A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/060931
申请日：2011-06-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BIEBERSDORF, Andreas , BERGENEK, Krister , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： BIEBERSDORF, Andreas , BERGENEK, Krister , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , F21V5/002 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauteil (100) angegeben, mit - zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (1); - zumindest einem Konverterelement (2), welches zur Konversion der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung dient; - zumindest einem Filtermittel (3), welches Filterpartikel (31) umfasst oder mit diesen gebildet ist, wobei - das Filtermittel (3) zumindest einen vorgebbaren Wellenlängenbereich der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung stärker streut und/oder absorbiert als einen von dem vorgegebenen Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich, und - die Filterpartikel (31) einen d 50 -Wert, in Q 0 gemessen, von wenigstens 0,5 nm bis höchstens 500 nm und/oder - die Filterpartikel (31) zumindest stellenweise fadenartig ausgebildet sind und in einem fadenartigen Bereich (31A) einen Durchmesser (D) aufweisen, der wenigstens 0,5 nm und höchstens 500 nm beträgt.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件（100），具有： - 至少一个发射辐射的半导体元件（1）; - 至少一个转换元件（2），其用于从所述半导体部件（1）的电磁辐射发射的光转换; - 至少一个滤波器装置（3）包括所述过滤器的颗粒（31）或与其一起，其特征在于形成 - 散射滤波器装置（3）的半导体器件中的至少一个预先确定的波长范围内的（1）的电磁辐射发射的更强和/或吸收的作为一个在预定的波长范围不同的波长范围，以及 - 具有d 50值，所述过滤器的颗粒（31）在Q0测量的至少0.5纳米，和至多500nm和/或 - 形成（31）的地方，线状至少过滤颗粒和细丝状的具有区域（31A）的直径（D），这是在500nm以下为至少0.5nm和。

6. 发明申请

WO2011039052A1 BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG FÜR EINE KAMERA SOWIE VERFAHREN ZUM BETRIEB DERSELBEN 审中-公开
标题翻译：照明装置用于操作该相机和方法
公开(公告)号：WO2011039052A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/EP2010/063465
申请日：2010-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , MORGOTT, Stefan , VON MALM, Norwin , STREPPEL, Ulrich , BRANDL, Michael
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , MORGOTT, Stefan , VON MALM, Norwin , STREPPEL, Ulrich , BRANDL, Michael
IPC分类号： H04N5/225 , H04N5/235 , G03B15/02 , G03B15/05
CPC分类号： G03B15/05 , F21V23/04 , G03B2215/0571 , G03B2215/0592 , H01L25/0753 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H04N5/2256 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Beleuchtungseinrichtung für eine Kamera angegeben. Die Beleuchtungseinrichtung enthält einen Licht emittierenden Halbleiterchip (1), der eine Mehrzahl von einzeln ansteuerbaren Emissionsbereichen (2A, 2B, 2B') enthält. Die Beleuchtungseinrichtung enthält weiter ein optisches Element (15), das dazu ausgebildet ist, von den Emissionsbereichen (2A, 2B, 2B') emittiertes Licht (210, 220) zu einem Strahlenbündel zu formen. Die Beleuchtungseinrichtung (10) ist derart ausgebildet, dass mittels der einzeln ansteuerbaren Emissionsbereiche (2A, 2B, 2B') unterschiedliche Strahlprofile des Strahlenbündels einstellbar sind. Weiterhin werden eine Kamera, ein Betriebsverfahren für die Beleuchtungseinrichtung und ein Betriebsverfahren für die Kamera angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种用于照相机的照明装置。该照明装置包括：具有多个独立可控发光区域的发光半导体芯片（1）（2A，2B，2B“）包含。所述照明装置还包括适合于发射区域（2A，2B，2B“）发出的光（210，220），以形成一个光束的光学元件（15）。该照明装置（10）被设计为使得由单独可控发光区域（2A，2B，2B“）的装置具有光束的不同束轮廓是可调节的。此外，相机，操作所述照明装置的方法和操作方法给出了摄像机。

7. 发明申请

WO2012136459A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND DERART HERGESTELLTES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和这样的组件MADE
公开(公告)号：WO2012136459A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2012/054598
申请日：2012-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE, Markus , MOOSBURGER, Jürgen , JEREBIC, Simon
发明人： MAUTE, Markus , MOOSBURGER, Jürgen , JEREBIC, Simon
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于制造光电子器件（10）的方法。提供了一种具有合适的活性层用于产生辐射和在载体上的（1）被配置在半导体芯片（2）。在半导体芯片（2）和/或所述支撑件（1），一分散材料（3）至少部分地施加。分散材料（3）包括一基体材料（31）和在其中嵌入的颗粒（32）。中的分散材料（3）的应用程序之前修改一（1）从背离半导体芯片的芯片边缘（22）远离所述承载器（2），使得分散的材料（3）当施加到芯片边缘（22）至少部分地分离成它的组分，此外，在此方式（10）所制造的装置被指定。

8. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

9. 发明申请

WO2012022657A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012022657A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/063715
申请日：2011-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , NEUREUTHER, Christoph , VON MALM, Norwin
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , NEUREUTHER, Christoph , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/16 , H05B37/03 , H01L31/173 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/15 , H01L31/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei in dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ein Emissionsbereich (23) und ein Detektionsbereich (24) gebildet sind. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und im Emissionsbereich (23) zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt; Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) über eine erste Anschlussschicht (31) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt; Die zweite Halbleiterschicht (22) ist über eine zweite Anschlussschicht (32) mit einem zweiten Kontakt (42) elektrisch leitend verbunden. Der Detektionsbereich (24) ist mit einem zusätzlichen Kontakt (43) elektrisch leitend verbunden. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：（5），其布置在半导体本体，提供一种光电子半导体芯片（1），包括在载体上的支撑件（5）和（2）之一具有半导体层序列，其中，在所述半导体主体（2）与所述半导体层序列，发射区域（23）和检测区域（24）形成。半导体层序列包括第一半导体层（21）和第二半导体层（22）设置在所述发射区域（23）之间的有源区（20）设置用于产生辐射。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有通过所述有源区（20）穿过其延伸的凹部（25）; 在第一半导体层（21）被导电地经由第一连接层（31），在发射区（23）的第一接触（41）连接，其中在所述第一半导体层的凹部（25）的第一连接层（31）（21 ）朝向所述支撑件（5）; 所述第二半导体层（22）导电地经由具有第二触点（42）的第二连接层（32）相连接。检测区域（24）设置有一个附加的接触（43）电传导地连接。此外，被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。

10. 发明申请

WO2012013426A1 LICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LICHTQUELLE 审中-公开
标题翻译：光源和一种用于生产光源
公开(公告)号：WO2012013426A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/EP2011/060346
申请日：2011-06-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： F21K99/00
CPC分类号： F21K9/232 , F21K9/238 , F21V3/00 , F21V7/05 , F21V7/10 , F21V7/22 , F21V23/005 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H05K3/284 , H05K2201/2054
摘要： Es wird eine Lichtquelle angegeben, die einen Träger (1) mit einer Montagefläche (10), zumindest einem Licht emittierenden Halbleiterbauelement (2) auf der Montagefläche (10), das eine vom Träger (1) weg gewandte Lichtabstrahlfläche (20) aufweist, und eine Reflektorschicht (3) auf dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement (2) und der Montagefläche (10), die ein Matrixmaterial mit reflektierenden Partikeln aufweist und die eine Öffnung (30) über der Lichtabstrahlfläche (20) aufweist, umfasst. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光源，其包含载体（1）发射的安装表面（10），至少一个光半导体元件（2）的安装面（10）上，所述一个从所述载体（1）关断面向发光面（20），和所述发光半导体装置（2）上的反射层（3）和安装面（10），其包括具有反射颗粒的基质材料和具有发光表面（20）上方的开口（30）。此外，制造光源的方法中指示。

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