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1. 发明申请

WO2013013964A1 TRÄGERVORRICHTUNG, ELEKTRISCHE VORRICHTUNG MIT EINER TRÄGERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DIESER 审中-公开
标题翻译： CARRIER设备，具有生产这些载具装置和方法电气设备
公开(公告)号：WO2013013964A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/EP2012/063397
申请日：2012-07-09
申请人： OSRAM AG , BERGENEK, Krister , BIEBERSDORF, Andreas , SORG, Jörg
发明人： BERGENEK, Krister , BIEBERSDORF, Andreas , SORG, Jörg
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H05K1/183 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05K1/18 , H05K1/182 , H05K3/301 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Trägervorrichtung für ein elektrisches Bauelement angegeben, das einen Träger (1), der eine elektrisch isolierende Schicht (10) aufweist, und - eine elektrische Kontaktschicht (2) auf der elektrisch isolierenden Schicht (10) aufweist, wobei die elektrische Kontaktschicht (2) zumindest einen stegförmigen Kontaktbereich (20) aufweist, wobei zumindest eine Aussparung (3) in der elektrisch isolierenden Schicht (10) zumindest an einer Seitenfläche (21) des stegförmigen Kontaktbereichs (20) angeordnet ist und/oder wobei der stegförmige Kontaktbereich (20) eine sich zur isolierenden Schicht (10) hin verringernde Stegbreite aufweist. Weiterhin werden eine elektrische Vorrichtung mit der Trägervorrichtung und einem elektrischen Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung einer Trägervorrichtung und einer elektrischen Vorrichtung angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种支撑装置用于电气部件，包括一支架（1）具有电绝缘层（10），以及 - 一个电接触层（2）的电绝缘层（10）上，所述电接触层（ 2）具有至少一个片状的接触区域（20），所述至少一个凹部（3）的幅状接触区域的至少一个侧表面（21）上的电绝缘层（10）在（20）被布置和/或其中，所述web形接触区域（20 ）具有朝向减小腹板宽度具有（绝缘层10）。此外，所述支撑装置的电气设备和用于制造载体装置的电组件及方法和电气装置进行指定。

2. 发明申请

WO2013004547A1 HOCHVOLT-LED-MULTICHIP-MODUL UND VERFAHREN ZUR EINSTELLUNG EINES LED-MULTICHIP-MODULS 审中-公开
标题翻译：高压LED多芯片模块和方法用于设置LED芯片的多模块
公开(公告)号：WO2013004547A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/EP2012/062319
申请日：2012-06-26
申请人： OSRAM AG , BAUMANN, Frank , BIEBEL, Ulrich , BIEBERSDORF, Andreas , MAIWALD, Hubert , SCHÖLL, Hansjörg , KALTENBACHER, Axel
发明人： BAUMANN, Frank , BIEBEL, Ulrich , BIEBERSDORF, Andreas , MAIWALD, Hubert , SCHÖLL, Hansjörg , KALTENBACHER, Axel
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0821 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H05B33/0806 , H05B33/083 , H01L2924/00014
摘要： Das LED-Modul weist eine Mehrzahl von LED-Chips (1) auf, die elektrische Anschlüsse (2) besitzen und über elektrische Verbindungen (3) in Reihe geschaltet sind. Es ist mindestens eine Kurzschlussverbindung (4) vorhanden, die zwei der Anschlüsse oder Verbindungen elektrisch leitend miteinander verbindet und mindestens einen der LED-Chips überbrückt. Durch Herstellen oder Unterbrechen solcher Kurzschlussverbindungen (4) werden elektrische und/oder optische Eigenschaften, insbesondere die Betriebsspannung, des LED-Moduls eingestellt.
摘要翻译： LED模块包括多个LED芯片（1），其具有电连接（2）和电连接（3）串联连接。至少一个短路连接（4）的存在，这两个端子或连接导电彼此和桥梁的LED芯片中的至少一个相连接。通过使这样的或短路连接的断裂（4）被设置电气和/或光学性质，尤其是LED模块的操作电压。

3. 发明申请

WO2013004538A3 LIGHTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：照明装置
公开(公告)号：WO2013004538A3
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012062244
申请日：2012-06-25
申请人： OSRAM GMBH , BIEBERSDORF ANDREAS , WINDISCH REINER , BERGENEK KRISTER
发明人： BIEBERSDORF ANDREAS , WINDISCH REINER , BERGENEK KRISTER
IPC分类号： H01L25/075 , F21V9/40 , H01L33/50 , H01L33/58
CPC分类号： F21K9/64 , H01L25/0753 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A lighting device is specified, comprising - a carrier (5) having a mounting surface (5a), - at least one luminescence diode chip (4) having, at its side facing away from the carrier (5), a radiation exit surface (4a), through which electromagnetic radiation generated in the luminescence diode chip (4) during operation emerges at least partly, - at least one optical body (2) designed in a radiation-transmissive fashion, and - a shaped body (1) comprising a phosphor, wherein - each luminescence diode chip (4) is fixed to the mounting surface (5a) on the carrier (5), - each optical body (2) is fixed to the radiation exit surface (4a) of an assigned luminescence diode chip (4), - the shaped body (1) encloses each luminescence diode chip (4) in a positively locking manner at a side surface (4b) of the luminescence diode chip (4), - the shaped body (1) encloses each optical body (2) in a positively locking manner at a side surface (2a) of the optical body (2), and - the phosphor converts at least part of the electromagnetic radiation generated in at least one of the luminescence diode chips (4) during operation.
摘要翻译：提供了一种照明装置，包括： - 支承件（5），其具有安装表面（5a）中， - 至少一个LED芯片（4），从载体背向侧（5）具有一个辐射出射面（4a）的通过，在使用中， LED芯片（4）至少部分地产生的电磁辐射离开， - 至少一个光学体（2），其形成透明的辐射，以及 - 成形体（1），包括磷光体，其中 - 每个LED芯片（4）（到安装表面5a ）是在固定的支撑件（5）， - 每个光学体（2）（在辐射出射表面4a）相关联的LED芯片（4）是固定的，的 - 模制（1）每个LED芯片（4）（在该侧表面4b）的 LED芯片（4）以形状配合的包裹 - 模塑（1）每一个光学体（2）的形式配合到光学体的一个侧表面（2A）（2）umhüll 吨，以及 - 所述荧光体中，至少一个在所述LED芯片的至少一个操作的部件（4）的电磁辐射生成的已转换。

4. 发明申请

WO2012001059A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2012001059A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/060931
申请日：2011-06-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BIEBERSDORF, Andreas , BERGENEK, Krister , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： BIEBERSDORF, Andreas , BERGENEK, Krister , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , F21V5/002 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauteil (100) angegeben, mit - zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (1); - zumindest einem Konverterelement (2), welches zur Konversion der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung dient; - zumindest einem Filtermittel (3), welches Filterpartikel (31) umfasst oder mit diesen gebildet ist, wobei - das Filtermittel (3) zumindest einen vorgebbaren Wellenlängenbereich der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung stärker streut und/oder absorbiert als einen von dem vorgegebenen Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich, und - die Filterpartikel (31) einen d 50 -Wert, in Q 0 gemessen, von wenigstens 0,5 nm bis höchstens 500 nm und/oder - die Filterpartikel (31) zumindest stellenweise fadenartig ausgebildet sind und in einem fadenartigen Bereich (31A) einen Durchmesser (D) aufweisen, der wenigstens 0,5 nm und höchstens 500 nm beträgt.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件（100），具有： - 至少一个发射辐射的半导体元件（1）; - 至少一个转换元件（2），其用于从所述半导体部件（1）的电磁辐射发射的光转换; - 至少一个滤波器装置（3）包括所述过滤器的颗粒（31）或与其一起，其特征在于形成 - 散射滤波器装置（3）的半导体器件中的至少一个预先确定的波长范围内的（1）的电磁辐射发射的更强和/或吸收的作为一个在预定的波长范围不同的波长范围，以及 - 具有d 50值，所述过滤器的颗粒（31）在Q0测量的至少0.5纳米，和至多500nm和/或 - 形成（31）的地方，线状至少过滤颗粒和细丝状的具有区域（31A）的直径（D），这是在500nm以下为至少0.5nm和。

5. 发明申请

WO2013056916A3 PAD FOR A LIGHTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：照明装置垫
公开(公告)号：WO2013056916A3
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/EP2012068044
申请日：2012-09-14
申请人： OSRAM GMBH , KRAEUTER GERTRUD , BARCHMANN BERND , BERGENEK KRISTER , BECKER DIRK , BIEBERSDORF ANDREAS , WIRTH RALPH
发明人： KRAEUTER GERTRUD , BARCHMANN BERND , BERGENEK KRISTER , BECKER DIRK , BIEBERSDORF ANDREAS , WIRTH RALPH
IPC分类号： H01L33/48 , H01L25/075 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a pad (17) that is provided for a substrate (12) of a lighting device (11) and has at least one opening (18) for at least one semiconductor light source (14) of the lighting device (11), wherein the pad (17) has at least one peripheral wall (19a-g), which surrounds at least one opening (18). The lighting device (11) has a substrate (12) on which at least one semiconductor light source (14) is mounted, wherein the substrate (12) is provided with a pad (17) according to one of the preceding claims, such that the at least one semiconductor light source (14) is located within an opening (18) of the pad (17), and wherein at least one box (20a-g) formed by at least one peripheral wall (19a-g) is filled with at least one filling mass (23, 24a-c, 25).
摘要翻译：的支撑件（17）的基板（12）上的发光装置（11）设置，并且具有至少一个凹部（18），用于所述照明装置（11）中的至少一个半导体光源（14），所述支承件（17）的至少一个外周壁（19a-g），其围绕至少一个凹部（18）。的照明装置（11）包括（14），其安装基板（12）上的至少一个半导体光源，其特征在于，具有支承件（17）在基板（12）通过前述权利要求中的一个占用，使得该至少一个半导体光源（14）位于支撑件（17）的凹部（18）内，并且其中至少一个由至少一个周向壁（19a-g）形成的盒子（20a-g）填充有至少一种填充化合物（23,24a-c，25），

6. 发明申请

WO2012116978A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DÜNNFILM-HALBLEITERKÖRPERS UND DÜNNFILM-HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：用于生产薄膜半导体主体与薄膜半导体BODY
公开(公告)号：WO2012116978A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/EP2012/053348
申请日：2012-02-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , RUMBOLZ, Christian
发明人： LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , RUMBOLZ, Christian
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1); Epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschicht (3) mit trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4) auf das Aufwachssubstrat (1); Verfüllen der Vertiefungen (4) mit einem Halbleitermaterial (6) derart, dass pyramidenförmige Auskoppelstrukturen (13) entstehen; Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (7) mit einer aktiven Schicht (8), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, auf den Auskoppelstrukturen (13); Aufbringen eines Trägers (11) auf die Halbleiterschichtenfolge (7), und Ablösen zumindest der Halbleiterschicht (3) mit den trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4), so dass die pyramidenförmigen Auskoppelstrukturen (13) als Vorsprünge (14) auf einer Strahlungsaustrittsfläche (12) des Dünnfilm-Halbleiterkörpers ausgebildet werden. Weiterhin wird ein Dünnfilm-Halbleiterkörper angegeben.
摘要翻译：一种制造薄膜半导体本体的方法，提供了一种包括以下步骤：准备生长衬底（1）; 外延生长用漏斗形和/或倒金字塔形的生长衬底（1）上的凹陷（4）的半导体层（3）; 填充（4）包括在该锥体输出耦合结构（13）形成这样的方式的半导体材料（6）的凹部; 施加具有有源层（8），其适于产生电磁辐射，所述输出耦合结构（13）的半导体层序列（7）; 施加在载体（11），以在半导体层序列（7），和至少剥离半导体层（3）与所述漏斗形和/或倒金字塔形的凹陷（4），使得在辐射出射表面上的棱锥形外耦合结构（13）和突起（14）薄膜半导体本体（12）而形成。此外，薄膜半导体本体中指示。

7. 发明申请

WO2012116893A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012116893A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/EP2012/052617
申请日：2012-02-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , BUTENDEICH, Rainer
发明人： LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , BUTENDEICH, Rainer
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/24 , H01L33/22 , H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L21/02513 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L31/03044 , H01L31/03529 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/24
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) in einer Epitaxieanlage, epitaktisches Abscheiden zumindest einer Zwischenschicht (2) auf das Aufwachssubstrat (1), Erzeugen einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten strukturierten Oberfläche (3) an der dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der Zwischenschicht (2), epitaktisches Abscheiden einer aktiven Schicht (4) auf die strukturierte Oberfläche (3), wobei die strukturierte Oberfläche (3) in der Epitaxieanlage erzeugt wird, und die aktive Schicht (4) der Strukturierung der strukturierten Oberfläche (3) zumindest stellenweise konform oder zumindest stellenweise im Wesentlichen konform folgt.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法：提供一生长衬底（1）中的外延，外延沉积的至少一个中间层（2）在生长衬底（1），产生（1）的面向远离所述结构化表面的在生长衬底上侧的结构化表面（3），其中所述结构化表面（3）设置在所述外延生产的，并且所述活性在背离（3）在生长衬底（1）的中间层（2）的外延沉积的有源层（4）的距离层（4）如下所述结构化表面（3）至少局部适应性或在基本上符合至少局部地的结构。

8. 发明申请

WO2011018273A1 ELEKTRISCH GEPUMPTER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：电泵浦光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011018273A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/EP2010/059291
申请日：2010-06-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.
摘要翻译：在电泵浦光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括所述至少两个辐射活性量子阱（2），其中所述辐射 - 活性量子阱（2）或由InGaN构成。此外，光电子半导体芯片（1）包括至少两个覆盖层（4）包含或由AlGaN构成。（4）所述覆盖层中的每一个分配给所述辐射活性量子阱（2）中的一个。外层（4）分别在相关联的辐射活性量子的p侧孔（2）。良好的放射线活性量子之间的距离（2）和相关联的层（4）为至多1.5纳米。

9. 发明申请

WO2013056927A1 AUFSATZSTÜCK FÜR EINEN TRÄGER EINER HALBLEITERLEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：塔筒单元用于车辆的半导体发光装置
公开(公告)号：WO2013056927A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/068150
申请日：2012-09-14
申请人： OSRAM GMBH , KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BIEBERSDORF, Andreas , WIRTH, Ralph
发明人： KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BIEBERSDORF, Andreas , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/54 , H01L23/24
CPC分类号： H01L33/54 , H01L23/24 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： Das Aufsatzstück (14) dient zum Aufsatz auf einen mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (13) bestückbaren Träger (12) einer Halbleiterleuchtvorrichtung (11), wobei das Aufsatzstück (14) eine Wand (15) mit mindestens einer innenseitig angeordneten Stoppkante (17, 18) aufweist. Ein Träger (12) ist für eine Halbleiterleuchtvorrichtung (11) vorgesehen, wobei der Träger (12) randseitig von einem Aufsatzstück (14) abgedichtet ist und wobei das Aufsatzstück (14) von einer mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (13) bestückbaren Oberfläche (V) des Trägers (12) hochsteht, so dass mindestens eine Stoppkante (17, 18) oberhalb der bestückbaren Oberfläche (V) angeordnet ist.
摘要翻译：安装片（14）是用于连接到至少一个半导体光源的半导体发光装置（11），其中所述连接件（14）具有壁（15）的（13）可装备载体（12）与至少一个内部设置的止动边缘（17,18）有。载体（12），提供了一种用于半导体发光器件（11），所述载体（12）上的安装片的端边（14）是密封的，并且其中，所述安装片的至少一个半导体光源（13）表面（V）的（14） - 上下该载体（12）是高的，从而使至少一个止动边缘（17，18）的表面可装备（V）以上布置。

10. 发明申请

WO2013056916A2 AUFLAGE FÜR EINE LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：支持A发光装置
公开(公告)号：WO2013056916A2
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/068044
申请日：2012-09-14
申请人： OSRAM GMBH , KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BERGENEK, Krister , BECKER, Dirk , BIEBERSDORF, Andreas , WIRTH, Ralph
发明人： KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BERGENEK, Krister , BECKER, Dirk , BIEBERSDORF, Andreas , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： Eine Auflage (17) ist für ein Substrat (12) einer Leuchtvorrichtung (11) vorgesehen und weist mindestens eine Aussparung (18) für mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) der Leuchtvorrichtung (11) auf, wobei die Auflage (17) mindestens eine umlaufende Wand (19a-g) aufweist, welche mindestens eine Aussparung (18) umgibt. Die Leuchtvorrichtung (11) weist ein mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (14) bestücktes Substrat (12) auf, wobei das Substrat (12) mit einer Auflage (17) nach einem der vorhergehenden Ansprüche belegt ist, so dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) sich innerhalb einer Aussparung (18) der Auflage (17) befindet, und wobei mindestens ein durch mindestens eine umlaufende Wand (19a-g) gebildeter Kasten (20a-g) mit mindestens einer Füllmasse (23, 24a-c, 25) gefüllt ist.
摘要翻译：的支撑件（17）的基板（12）上的发光装置（11）设置，并且具有至少一个凹部（18），用于所述照明装置（11）中的至少一个半导体光源（14），所述支承件（17）的至少一个外周壁（图19A-G），其围绕至少一个凹部（18）。的照明装置（11）包括（14），其安装基板（12）上的至少一个半导体光源，其特征在于，具有支承件（17）在基板（12）通过前述权利要求中的一个占用，使得该至少一个半导体光源（14）所述支承件（17），并且其中的一凹槽（18）内的至少一个通过至少一个周壁具有至少一个填充材料（23，24A-C，25）（图19A-G）形成箱（20A-G）填充，

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