专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2013004547A1 HOCHVOLT-LED-MULTICHIP-MODUL UND VERFAHREN ZUR EINSTELLUNG EINES LED-MULTICHIP-MODULS 审中-公开
标题翻译：高压LED多芯片模块和方法用于设置LED芯片的多模块
公开(公告)号：WO2013004547A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/EP2012/062319
申请日：2012-06-26
申请人： OSRAM AG , BAUMANN, Frank , BIEBEL, Ulrich , BIEBERSDORF, Andreas , MAIWALD, Hubert , SCHÖLL, Hansjörg , KALTENBACHER, Axel
发明人： BAUMANN, Frank , BIEBEL, Ulrich , BIEBERSDORF, Andreas , MAIWALD, Hubert , SCHÖLL, Hansjörg , KALTENBACHER, Axel
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0821 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H05B33/0806 , H05B33/083 , H01L2924/00014
摘要： Das LED-Modul weist eine Mehrzahl von LED-Chips (1) auf, die elektrische Anschlüsse (2) besitzen und über elektrische Verbindungen (3) in Reihe geschaltet sind. Es ist mindestens eine Kurzschlussverbindung (4) vorhanden, die zwei der Anschlüsse oder Verbindungen elektrisch leitend miteinander verbindet und mindestens einen der LED-Chips überbrückt. Durch Herstellen oder Unterbrechen solcher Kurzschlussverbindungen (4) werden elektrische und/oder optische Eigenschaften, insbesondere die Betriebsspannung, des LED-Moduls eingestellt.
摘要翻译： LED模块包括多个LED芯片（1），其具有电连接（2）和电连接（3）串联连接。至少一个短路连接（4）的存在，这两个端子或连接导电彼此和桥梁的LED芯片中的至少一个相连接。通过使这样的或短路连接的断裂（4）被设置电气和/或光学性质，尤其是LED模块的操作电压。

2. 发明申请

WO2013020920A1 VERBINDUNGSELEMENT FÜR EIN MULTICHIPMODUL UND MULTICHIPMODUL 审中-公开
标题翻译： Connector建立一个多芯片模块和多芯片模块
公开(公告)号：WO2013020920A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/EP2012/065257
申请日：2012-08-03
申请人： OSRAM AG , HOXHOLD, Bjoern , HUEBNER, Holger , KALTENBACHER, Axel
发明人： HOXHOLD, Bjoern , HUEBNER, Holger , KALTENBACHER, Axel
IPC分类号： H01L23/538 , H01L25/075
CPC分类号： H05K1/181 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L2224/24011 , H01L2224/24101 , H01L2224/24137 , H01L2224/24155 , H01L2224/25171 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/96 , H01L2924/12041 , H01L2224/82 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verbindungselement (1) für ein Multichipmodul (10) angegeben, das zur Realisierung einer elektrischen Verbindung zwischen zwei Elementen (11a, 11b, 12) vorgesehen ist und das einen Träger (2) und eine erste elektrisch leitende Verbindungsstruktur (5) auf einer ersten Hauptfläche (3) des Trägers (2) aufweist, wobei die erste Verbindungsstruktur (5) derart ausgebildet ist, dass sie das erste und das zweite Element (11a, 11b, 12) miteinander verbindet. Ferner wird ein Multichipmodul (10) mit einem derartigen Verbindungselement (1) und zwei Elementen (11a, 11b, 12) angegeben, wobei die beiden Elemente (11a, 11b, 12) mittels des Verbindungselements (1) miteinander drahtlos elektrisch verbunden sind.
摘要翻译：提供了一种用于在多芯片模块（10）用于实现两个元件（11A，11B，12）设置和支撑之间的电连接的连接元件（1）（2）和第一导电连接结构（5）该载体（2），其中，所述第一连接结构（5）被形成为使得它连接第一和第二元件（11A，11B，12）彼此的第一主表面（3）。此外，多芯片模块（10）具有这样的连接元件（1）和两个元件（11A，11B，12），其中，所述两个元件（11A，11B，12）由所述连接元件（1）的装置是电连接彼此无线。

3. 发明申请

WO2012010519A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：辐射分量及其制造方法可发射组件
公开(公告)号：WO2012010519A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/062157
申请日：2011-07-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/58 , G02B6/00 , G02F1/13357 , H01L33/20 , H01L33/60 , H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/60 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit - einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; - einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; - einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种发射辐射的部件，包括： - 具有第一主表面（25），相对的第二主表面（26）的第一主表面的半导体芯片（2）和用于产生辐射有源区域（23）所提供的; - 支撑（5）由所述第二主表面固定在半导体芯片（26）; - 其被布置在半导体芯片的第一主表面（25）上的去耦层（4）（2）和在隔开的所述半导体芯片（2）的横向方向的横向输出表面（40），其中，在所述耦合输出层（4）具有一对半导体芯片（2）凹部逐渐变细（45）形成为从辐射的第一主表面（25）在横向耦合输出表面（40）的方向上发出的操作偏转。此外，被指定的制造发射辐射的器件的方法。

4. 发明申请

WO2012020062A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2012020062A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/EP2011/063788
申请日：2011-08-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , KRÄUTER, Gertrud
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , KRÄUTER, Gertrud
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/52 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/44 , H01L23/29 , H01L24/24 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2924/12041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das eine Schutzschicht (80) umfasst, die ein Material aufweist, das hydrophobe Gruppen enthält. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, mit dem ein optoelektronisches Bauelement hergestellt werden kann, und bei dem eine Schutzschicht (80), die hydrophobe Gruppen aufweist, aufgebracht wird.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括包含含疏水性基团的材料的保护层（80）。此外，提供了一种方法，通过该光电子器件可以制造，并且其中具有疏水基团的保护层（80），被施加。

5. 发明申请

WO2011032853A1 OPTOELEKTRONISCHES MODUL 审中-公开
标题翻译：光电模块
公开(公告)号：WO2011032853A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/EP2010/063035
申请日：2010-09-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEGLEITER, Walter , KALTENBACHER, Axel , BARCHMANN, Bernd , WEIDNER, Karl , REBHAN, Matthias
发明人： WEGLEITER, Walter , KALTENBACHER, Axel , BARCHMANN, Bernd , WEIDNER, Karl , REBHAN, Matthias
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/24
摘要： Es wird ein optoelektronisches Modul (100) angegeben, umfassend einen Träger (1) mit zumindest einer Kontaktstelle (1A); einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der Strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) eine erste Kontaktfläche (2A) und eine zweite Kontaktfläche (2B) aufweist; eine elektrisch isolierende Schicht (4), die eine erste (4A) und eine zweite Aussparung (4B) aufweist; zumindest eine elektrisch leitfähige Leitstruktur (8), wobei die erste Kontaktfläche (2A) auf der von dem Träger (1) abgewandten Seite des Strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) angeordnet ist, die elektrisch isolierende Schicht (4) zumindest stellenweise auf den Träger (1) und dem Halbleiterchip (2) aufgebracht ist und die erste Aussparung (4A) im Bereich der ersten Kontaktfläche (2A) und die zweite Aussparung (4B) im Bereich der Kontaktstelle (1A) aufweist, die elektrisch leitfähige Leitstruktur (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) angeordnet ist und die erste Kontaktfläche (2A) mit der Kontaktstelle (1A) des Trägers (1) elektrisch kontaktiert, und die elektrisch isolierende Schicht (4) überwiegend mit einem keramischen Material gebildet ist.
摘要翻译：本发明提供一种光电模块（100）包括一个支架（1）与至少一个接触点（1A）; 发射辐射的半导体芯片（2），其特征在于，发射辐射的半导体芯片（2），其具有第一接触表面（2A）和第二接触面（2B）; 的电绝缘层（4），具有第一（4A）和第二凹部（4B）; 至少一个导电引线结构（8），其中，在所述（1）从发射辐射的半导体芯片（2）的面向远离侧被布置在所述载体的第一接触面（2A），该电绝缘层至少局部地以所述支撑件（4）（1）和（2）被施加在半导体芯片与在第一接触面的区域中的第一凹部（4A）（2A）和在接触点的（1A）的区域中的第二凹部（4B），其导电引线结构（8）上的电绝缘层（4）和所述第一接触表面（2A）的支架（1）的接触点（图1A）被电接触，所述电绝缘层（4）主要与陶瓷材料形成。

6. 发明申请

WO2012022695A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法用于生产至少一个光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012022695A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/063987
申请日：2011-08-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , WULKESCH, Hans , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , RAMCHEN, Johann
发明人： WEIDNER, Karl , WULKESCH, Hans , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L21/768 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/48
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L21/76804 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/0095 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0066 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schrittenangegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1), der eine Oberseite (12), eine der Oberseite (12) des Trägers (1) gegenüberliegende Unterseite (11), sowie eine Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) nebeneinander an der Oberseite (12) angeordneten Anschlussflächen (13) aufweist; (b) Aufbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen (2), die jeweils zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Kontaktfläche (22) aufweisen; c) Aufbringen von Schutzelementen (41, 42) auf die Kontaktflächen (22) und die Anschlussflächen (13); d) Aufbringen zumindest einer elektrisch isolierenden Schicht (3) auf freiliegende Stellen des Trägers (1), der Kontaktflächen (22) sowie der Schutzelemente (4); e) Entfernen der Schutzelemente (41, 42), wodurch Öffnungen (51, 52) in der elektrisch isolierenden Schicht (3) erzeugt werden; f) Anordnen von elektrisch leitfähigen Material (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (3) und zumindest stellenweise in den Öffnungen (5), wobei das elektrisch leitfähige Material (8) jeweils eine Kontaktfläche (22) mit der ihr zugeordneten Anschlussfläche (13) elektrisch leitend verbindet.
摘要翻译：它是用于产生至少包括以下步骤的光电子半导体器件的方法表示：a）提供载体（1），其具有顶部（12），所述底部（11相对所述支撑件（1）的顶部（12）中的一个），和一个多个在横向方向（L）彼此相邻的顶部（12），其设置焊盘（13）; （B）将多个光电元件（2）（1）背离所述接触表面（22）远离每一个具有至少一个所述支撑; c）中的保护元件（41应用，42）（与接触表面22）和所述衬垫（13）; d）施加至少一个电绝缘层（3）（在支撑体1）的暴露的位点，（所述接触表面（22）和所述保护元件4）; E）除去保护元件（41，42），由此，开口（51，52）的电绝缘层中产生的（3）; F）（3），并且在所述开口至少局部地在电绝缘层上放置导电材料（8）（5），其中，所述导电材料（8）的每一个具有接触表面（22）与它的相关联的垫（13）导电连接。

7. 发明申请

WO2011051084A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2011051084A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/EP2010/064800
申请日：2010-10-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BARCHMANN, Bernd , KALTENBACHER, Axel , STATH, Norbert , WEGLEITER, Walter , WEIDNER, Karl , WIRTH, Ralph
发明人： BARCHMANN, Bernd , KALTENBACHER, Axel , STATH, Norbert , WEGLEITER, Walter , WEIDNER, Karl , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L2224/24998 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Trägerkörper (3) mit einem Anschlussbereich (5) auf. Auf dem Trägerkörper (3) ist ein Halbleiterchip (7) angeordnet. Auf der vom Trägerkörper (3) abgewandten Oberfläche (8) des Halbleiterchips (7) ist ein Kontaktbereich (10) aufgebracht. Der Anschlussbereich (5; ist mit dem Kontaktbereich (10) über eine freitragende Leitungsstruktur (13) elektrisch leitend verbunden. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben.
摘要翻译：光电子器件包括支撑体（3）与连接区域（5）。在承载体（3），半导体芯片（7）布置。表面背离所述载体本体（3）的距离（8）的半导体芯片（7）是一个接触区域（10）施加。连接区域（5;是（悬臂管结构13）电连接（与接触部分10）一种用于生产描述的光电器件的方法..

8. 发明申请

WO2009030562A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND KONTAKTIERUNG VON ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN MITTELS EINER SUBSTRATPLATTE, INSBESONDERE DCB-KERAMIK-SUBSTRATPLATTE 审中-公开
标题翻译：法用于通过基底板手段，特别是DCB陶瓷衬底板制造并接触电子元件
公开(公告)号：WO2009030562A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/EP2008/060196
申请日：2008-08-04
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , KALTENBACHER, Axel , WEINKE, Robert , KASPAR, Michael , SCHIMETTA, Gernot , WEIDNER, Karl , ZAPF, Jörg
发明人： KALTENBACHER, Axel , WEINKE, Robert , KASPAR, Michael , SCHIMETTA, Gernot , WEIDNER, Karl , ZAPF, Jörg
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/538 , H01L21/98 , H01L23/373
CPC分类号： H01L24/33 , H01L23/3735 , H01L23/49562 , H01L23/5389 , H01L24/18 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/18 , H01L2224/82039 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/30107 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49146 , Y10T29/49169 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung mindestens eines ungehäusten elektronischen Bauelements (1), insbesondere eines Leistungsbauelements oder HaIbleiterleistungsbauelements, mit mindestens einer jeweils auf einer Oberseite (3) und/oder einer Unterseite (5) angeordneten Anschlussfläche (7) zur Befestigung und/oder zur elektrischen Kontaktierung. Es sollen eine kostengünstige elektrische Kontaktierung mindestens eines ungehäusten elektronisehen Bauelements (1), insbesondere eines Leistungsbauelements oder Halbleiterleistungsbauelements, insbesondere für den Hochspannungsbereich größer als 1000 Volt, mit Anschlussflächen (7) zur Befestigung und/oder zur elektrischen Kontaktierung auf einer Oberseite (3) und/oder Unterseite (5) bereit zu stellen. Des Weiteren sollen eine hohe Integrationsdichte, niederinduktives Verhalten der Kontaktierung, eine hohe Stromtragfähigkeit, eine wirksame Kühlung und/oder eine hohe Zuverlässigkeit hinsichtlich elektrischer und thermischer Zykelbeanspruchung geschaffen sein. Das Bauelement (1) ist mit dessen Unterseite (5), im Bereich der Anschlussfläche (7), mit jeweils einer gegenüberliegenden Anschlussfläche (9) auf einem Substrat (11), insbesondere DCB-Keramik-Substrat, befestigt und/oder elektrisch kontaktiert; eine elektrisch isolierende Trägerfolie (13) außerhalb des Bereichs der Anschlussfläche (7) und über die Unterseite (5) hinausgehend, ist auf dem Substrat (11) auf der dem Bauelement (1) zugewandten Seite erzeugt; mit der Anschlussfläche (7) auf der Oberseite (3) ist jeweils ein eine vorgeformte, dreidimensionale Struktur ausbildendes, elektrisch leitendes Leiterteil (15) befestigt und/oder elektrisch kontaktiert, das sich über die Fläche der Oberseite (3) hinaus erstreckt, wobei zwischen Trägerfolie (13) und der dreidimensionalen Struktur des Leiterteils (15) eine elektrisch isolierende Masse (17) erzeugt ist.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在其上表面（3）和/或底部，每个接触至少一种未封装的电子元件（1），特别是功率器件或HaIbleiterleistungsbauelements，与至少一种（5），其布置在连接面，用于固定（7）和/ 或用于电接触。有至少一个未封装elektronisehen组分（1）的一种低成本的电接触，特别是功率器件或半导体功率器件，尤其是用于高压范围内大于1000伏，与固定和/或用于在其上侧形成电接触连接表面（7）（3）和提供/或底部表面（5）提供。除了高的集成密度，以便在电和热Zykelbeanspruchung方面提供接触，高电流承载能力，有效的冷却，和/或高可靠性的低电感行为。所述装置（1），其底部（5），（7）在所述垫的区域中，每一个衬底（11），特别是DCB陶瓷基底，附接和/或电接触上具有相反的端表面（9）; 连接表面的区域之外的电绝缘性的载体膜（13）（7）和下侧（5）此外，连续地，该组件在所述基板（11）（1）上产生面向的侧; 在顶部（3）的连接面（7）是每一个形成预成形，三维结构，固定导电导体部分（15）和/或电接触，其延伸在上侧的面积（3）时，其中间载体箔（13）和所述导体部分（15）电绝缘的物质（17）的三维结构被生成。

9. 发明申请

WO2012034826A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件与方法研究
公开(公告)号：WO2012034826A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064377
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L23/055
CPC分类号： H01L33/60 , H01L23/055 , H01L24/18 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt. Weiterhin wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括一个支撑件（3），具有第一（1）和第二端子部（2），并用发射辐射的半导体芯片（4）具有一底座（5）和辐射出射面相对的基体的一个（6），其中所述半导体芯片（4）上的支承件（3）的底表面（5）布置。另外，包括在半导体芯片的一个壳体（10）具有下部外壳部分（8），所述侧翼（14）中的光电部件（4）相邻，和（9）具有用于一个反射器（15）（从半导体芯片的上壳体部 4发射）辐射（16）的形式，上。辐射出射表面的电连接层（7）（6）经由底部（8）和上部壳体部件之间的界面（19）的一部分的半导体芯片（4）的（9），并通过下部壳体部件（8）通过对在载体上的第一连接区域外（1）（3）。此外，被指定用于制造光电子器件的有利方法。

10. 发明申请

WO2012010377A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2012010377A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/060336
申请日：2011-06-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/38 , H01L33/52 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2224/24
摘要： Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是提供一种具有支撑构件（1）的光电元件，设置在支承元件上的一（1）的半导体芯片（2）和密封化合物（3）。半导体芯片（2）具有适于产生或电磁辐射活性层的检测的形式。包围所述半导体芯片密封化合物（3）（2）至少部分地并形成组件的最终主表面（31）。在密封化合物（3）具有其中一个导电接触结构（5）被布置成使得这些是主要的表面（31）不会突出（4）形成有凹部。此外，被指定制造这种器件的方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式