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1. 发明申请

WO2007088959A1 光モジュール审中-公开
标题翻译：光学模块
公开(公告)号：WO2007088959A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/JP2007/051766
申请日：2007-02-02
申请人：日本電気株式会社 , 野田有秀 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 古宇田光 , 堺淳
发明人：野田有秀 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 古宇田光 , 堺淳
IPC分类号： H01S5/022 , H01L31/02
CPC分类号： G02B6/4214 , G02B6/4232 , G02B6/4292 , H01L25/167 , H01L31/02002 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/49109 , H01L2224/73253 , H01L2924/15192 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/184 , H05K3/3405 , H05K3/403 , H05K2201/10121 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本発明は、電気信号と光信号とを相互に変換する光電変換素子１０３と、光電変換素子１０３と電気的に接続される光通信用ＬＳＩ１０２とを備える。また、光電変換素子１０３および光通信用ＬＳＩ１０２がフリップチップ実装される複数の電極２０１，２０２と、各電極２０１，２０２を電気的に接続する複数の配線層１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃとを有し、配線層１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃが上面、下面、内部にそれぞれ設けられた電気配線用基板１０１を備える。そして、電気配線用基板１０１の側面には、光電変換素子１０３が接合される電極２０１，２０２が設けられている。
摘要翻译：光模块设置有用于交替地转换电信号和光信号的光电转换元件（103）和与光电转换元件（103）电连接的光通信LSI（102）。光模块还设置有具有多个电极（201,202）的电气布线板（101），随后将光电转换元件（103）和光通信LSI（102）倒装安装，并且多个电连接电极（201,202）的布线层（101a，101b，101c）。布线层（101a，101b，101c）分别布置在电气布线板中的上平面，下平面和侧平面上。在电气布线板（101）的侧面设有用于耦合光电转换元件（103）的电极（201,202）。

2. 发明申请

WO2004010503A1 強誘電体ゲートデバイス审中-公开
标题翻译：电炉门装置
公开(公告)号：WO2004010503A1
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：PCT/JP2003/008951
申请日：2003-07-15
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 大塚隆
发明人：豊田健治 , 大塚隆
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： G11C11/22
摘要：強誘電体キャパシタ（１）と、印加電圧に応じて抵抗またはキャパシタとして振る舞うスイッチ素子（２）と、ソース、ドレイン、およびゲートを有する電界効果トランジスタ（６）とを備え、前記強誘電体キャパシタ（１）の一端には入力端子（ＩＮ）が備えられ、前記強誘電体キャパシタ（１）の他端と前記スイッチ素子（２）の一端とが接続され、前記スイッチ素子（２）の他端と前記電界効果トランジスタ（６）のゲートとが接続され、　前記入力端子に電圧が印加されることにより、前記強誘電体キャパシタ（１）が備えている強誘電体の抗電圧（Ｖc）以上の電圧が前記強誘電体キャパシタ（１）に印加されるとき、前記スイッチ素子（２）は抵抗として振る舞い、　前記入力端子に電圧が印加されることにより、前記強誘電体キャパシタ（１）が備えている強誘電体の抗電圧（Ｖc）よりも小さい電圧が前記強誘電体キャパシタ（１）に印加されるとき、前記スイッチ素子（２）はキャパシタとして振る舞う強誘電体ゲートデバイス。　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：铁电栅极器件包括铁电电容器（1），根据施加的电压起电阻器或电容器起作用的开关元件（2），具有源极，漏极和栅极的场效应晶体管（6）。铁电电容器（1）的一端具有输入端（IN）。铁电电容器（1）的另一端连接到开关元件（2）的一端。开关元件（2）的另一端连接到场效应晶体管（6）的栅极。当对输入端子施加电压，并且对铁电电容器（1）施加等于或高于强电介质电容器（1）的铁电体的矫顽电压（Vc）的电压时，开关元件（2）作为一个电阻当向输入端子施加电压并且将小于电介质铁电电容器（1）的铁电体的矫顽电压（Vc）的电压施加到铁电电容器（1）时，开关元件（2）用作电容器。

3. 发明申请

WO2003001599A1 半導体装置及びその駆動方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：WO2003001599A1
公开(公告)日：2003-01-03
申请号：PCT/JP2002/006250
申请日：2002-06-21
申请人：松下電器産業株式会社 , 上田路人 , 大塚隆 , 森田清之
发明人：上田路人 , 大塚隆 , 森田清之
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11502 , G11C11/22 , G11C11/223 , G11C11/54 , G11C11/5657 , H01L27/105 , H01L27/11507 , H01L29/7881
摘要： A semiconductor device has a control voltage supply section (110), a MOS transistor having a gate electrode (109), drain region (103a), and source region (103b), and a dielectric capacitor (104) and a resistance element (106) interposed in parallel between the gate electrode (109) and the control voltage supply section (110). This constitution makes it possible to vary the threshold value of the MOS transistor by the accumulation of charges in the intermediate electrode and the gate electrode (109) of the dielectric capacitor (104) with a voltage impressed. Therefore, the history of input signals can be stored as the variation of the drain current of the MOS transistor, thereby holding multivalued information.
摘要翻译：半导体器件具有控制电压供给部（110），具有栅极（109），漏极区（103a）和源极区（103b）的MOS晶体管，以及介电电容器（104）和电阻元件（106））插入在栅电极（109）和控制电压供给部（110）之间。该结构使得可以通过施加电压的介电电容器（104）的中间电极和栅电极（109）中的电荷的累积来改变MOS晶体管的阈值。因此，可以将输入信号的历史存储为MOS晶体管的漏极电流的变化，从而保持多值信息。

4. 发明申请

WO2002101928A1 不揮発性セレクタ及び集積回路装置审中-公开
标题翻译：非线性选择器和集成电路器件
公开(公告)号：WO2002101928A1
公开(公告)日：2002-12-19
申请号：PCT/JP2002/005631
申请日：2002-06-06
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚隆 , 森田清之
发明人：大塚隆 , 森田清之
IPC分类号： H03K17/00
CPC分类号： G11C11/22 , G11C8/10 , H03K17/693
摘要： A multiplexer comprises a first stage gate having first to fourth switching units (10A−10D). Each switching unit (10) comprises a series capacitor (3) and an FET (4). The series capacitor (3) has a ferroelectric capacitor (1) and a paraelectric capacitor (2), and the intermediate node thereof is connected to a gate electrode (8) of the FET (4). A voltage is distributed to the intermediate node (9) according to the difference between the capacitances of the two capacitors so that the FETs (4) of the switching units (10A and 10B) are alternately switched on/off according to the logical values 1 and 0 of a selection signal (D1) in a unit sellector (Usell) comprising the switching units (10A and 10B), and the operating state is stored in the ferroelectric capacitor (1) in a nonvolatile manner.
摘要翻译：多路复用器包括具有第一至第四开关单元（10A-10D）的第一级门。每个开关单元（10）包括串联电容器（3）和FET（4）。串联电容器（3）具有铁电电容器（1）和顺电电容器（2），其中间节点连接到FET（4）的栅电极（8）。根据两个电容器的电容之间的差异，将电压分配给中间节点（9），使得开关单元（10A和10B）的FET（4）根据逻辑值1交替地接通/断开和包含开关单元（10A和10B）的单元谐振器（Usell）中的选择信号（D1）的0，并且操作状态以非易失性方式存储在铁电电容器（1）中。

5. 发明申请

WO2009001822A1 光モジュール审中-公开
标题翻译：光学模块
公开(公告)号：WO2009001822A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/061462
申请日：2008-06-24
申请人：日本電気株式会社 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 中野嘉一郎 , 前田勝美 , 田中千恵美 , 石田智隆 , 古宇田光
发明人：小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 中野嘉一郎 , 前田勝美 , 田中千恵美 , 石田智隆 , 古宇田光
IPC分类号： H01S5/022 , G02B6/42 , H01L31/02
CPC分类号： G02B6/421 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/02438 , H01S5/02469
摘要：　光モジュールは、光が出射又は入射する方向と、光モジュールからの放熱方向とが同じ方向である。光素子と光結合された光伝送路とヒートシンクとは、直接に又は熱良導体を介して接触する。光モジュールから発生する熱が、光伝送路１４及びヒートシンク１９を経由して効果的に放熱される。
摘要翻译：公开了一种光学模块，其中发射或入射光的方向和来自光学模块的热量的散发方向是相同的。光学耦合到光学装置和散热器的光传输线路直接或通过高度导热的主体相互接触。因此，可以通过光传输线（14）和散热片（19）有效地消散由光学模块产生的热量。

6. 发明申请

WO2005055425A1 不揮発性フリップフロップ回路およびその駆動方法审中-公开
标题翻译：非挥发性FLIP-FLOP电路及其驱动方法
公开(公告)号：WO2005055425A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/JP2004/017786
申请日：2004-11-30
申请人：松下電器産業株式会社 , 西川孝司 , 豊田健治 , 大塚隆
发明人：西川孝司 , 豊田健治 , 大塚隆
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： H03K3/356008 , G11C11/22
摘要：　第１のクロックトインバータ（６０４）、第２のクロックトインバータ（６０３）及び第３のスイッチング素子（６０２）がオンの状態で、且つ、第１のスイッチング素子（６０５）、第２のスイッチング素子（６０７）及び第３のクロックトインバータ（６０８）がオフの状態で、データ信号Ｄが入力されることにより、強誘電体ゲートトランジスタ（６０１）が有する強誘電体の分極を利用して、入力されたデータ信号Ｄが保持されるデータ保持ステップと、第１のクロックトインバータ（６０４）、第２のクロックトインバータ（６０３）及び第３のスイッチング素子（６０２）がオフの状態で、且つ、第１のスイッチング素子（６０５）、第２のスイッチング素子（６０７）及び第３のクロックトインバータ（６０８）がオンの状態となるように切り替えることにより、データ信号Ｄの入力が遮断されると共に強誘電体ゲートトランジスタ（６０１）が有する強誘電体の分極の状態が維持され、保持されたデータ信号Ｄに基づき出力信号Ｑ（−Ｑ）が出力されるデータ出力ステップとを備える不揮発性フリップフロップ回路の駆動方法である。
摘要翻译：一种用于驱动非易失性触发电路的方法，包括数据保持步骤，其中第一时钟反相器（604），第二时钟反相器（603）和第三开关元件（602）处于导通状态，第一开关元件（605），第二开关元件（607）和第三时钟反相器（608）处于截止状态，并且输入数据信号（D），由此铁电栅极晶体管（601）的铁电极化被用于保持输入数据信号（D）; 以及数据输出步骤，其中第一时钟反相器（604），第二时钟反相器（603）和第三开关元件（602）截止，第一开关元件（605），第二开关元件（607）和第三时钟反相器（608）导通，从而切断数据信号（D）的施加，并且维持铁电栅极晶体管（601）的铁电极化，从而输出输出信号Q（-Q）基于所保持的数据信号（D）。

7. 发明申请

WO2003085741A1 不揮発性フリップフロップ审中-公开
标题翻译：非挥发性飞溅
公开(公告)号：WO2003085741A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004204
申请日：2003-04-02
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚隆 , 田中英行
发明人：大塚隆 , 田中英行
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： G11C14/0072 , G11C8/16 , G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L21/28291 , H01L27/101 , H01L27/11 , H03K3/356008
摘要：本発明の不揮発性フリップフロップは、一対の逆論理のデータを記憶するための一対の記憶ノード（５、６）を有するフリップフロップ部（４）と、スイッチング素子（９、１０）を介して、前記一対の記憶ノード（５、６）とそれぞれ接続され、その抵抗が保存可能に変化する一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）とを備え、ストア動作において、前記一対の記憶ノード（５、６）のそれぞれの電位に応じて、前記一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）の抵抗を変化させ、リコール動作において、前記一対の記憶ノード（５、６）のそれぞれを前記一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）の抵抗の差に応じた電位にすることが可能なように構成されている。
摘要翻译：非易失性触发器包括具有用于存储一对反向逻辑数据的一对存储节点（5,6）和一对非易失性电阻变化元件（11,12）的触发器单元（4）分别经由开关元件（9,10）连接到所述一对存储节点（5,6）并且以可以存储的方式改变其电阻。在存储操作中，一对非易失性电阻变化元件（11,12）的电阻根据该对存储节点（5,6）的电位而改变，并且在调用操作中，该对存储节点 5，6）被设定为对应于该对非易失性电阻变化元件（11,12）的电阻之差的电位。

8. 发明申请

WO2003050872A1 不揮発性メモリ审中-公开
标题翻译：非易失性存储器
公开(公告)号：WO2003050872A1
公开(公告)日：2003-06-19
申请号：PCT/JP2002/012691
申请日：2002-12-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 田中英行 , 大塚隆 , 森田清之 , 森本廉
发明人：田中英行 , 大塚隆 , 森田清之 , 森本廉
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625
摘要： A nonvolatile memory (1) comprising an insulation substrate (11) having first electrodes (15) penetrating through front and back faces, second electrodes (12) formed on one face of the insulation substrate (11), and recording layers (14) sandwiched by the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and changing a resistance value by impressing an electric pulse between the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and keeping the first electrodes (15) electrically connected to the recording layers (14)in a region constituting a single memory cell (MC). This nonvolatile memory (1) enables a reduction in power consumption to provide a high degree of design freedom and a high reliability.
摘要翻译：一种非易失性存储器（1），包括具有穿过前后表面的第一电极（15）的绝缘基板（11），形成在所述绝缘基板（11）的一个面上的第二电极（12）和夹在所述绝缘基板通过第一电极（15）和第二电极（12），并且通过在第一电极（15）和第二电极（12）之间施加电脉冲来改变电阻值，并且保持第一电极（15）电连接到记录层（14）在构成单个存储单元（MC）的区域中。该非易失性存储器（1）能够降低功耗以提供高度的设计自由度和高可靠性。

9. 发明申请

WO2008090833A1 光電変換接続装置审中-公开
标题翻译：光电转换/连接装置
公开(公告)号：WO2008090833A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/050677
申请日：2008-01-21
申请人：日本航空電子工業株式会社 , 日本電気株式会社 , 是枝雄一 , 大津亘 , 小田三紀雄 , 高橋久弥 , 大塚隆 , 古宇田光 , 小野秀之
发明人：是枝雄一 , 大津亘 , 小田三紀雄 , 高橋久弥 , 大塚隆 , 古宇田光 , 小野秀之
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： G02B6/4292 , G02B6/4284
摘要：　光素子（３２０）と、この光素子を実装する実装基板（３１０）と、この実装基板に接続され、光素子と光学的に結合する光コネクタ（４００）とを有する光電変換接続装置（１００）に於いて、光コネクタ（４００）は、実装基板（３１０）の、光素子の実装面（３１０ｂ）とは反対側の面（３１０ａ）に設けられており、光素子（３２０）が露出している。光電変換接続装置（１００）は、主面（２１０ａ）を持つマザー基板（２１０）と、このマザー基板の主面上に実装される電気コネクタ（２２０）とを備える。電気コネクタ（２２０）は、実装基板（３１０）を着脱自在に接続可能である。
摘要翻译：提供一种光电转换/连接装置（100），其包括：光学元件（320），安装有光学元件的基板（310）和连接到基板的光连接器（400）以光学连接到光学元件。光连接器（400）布置在与基板（310）的安装表面（310b）相对的表面（310a）上，并且光学元件（320）暴露。光电转换/连接装置（100）包括具有主表面（210a）的母基板（210）和安装在母基板主表面上的电连接器（220）。电连接器（220）可拆卸地连接到基板（310）。

10. 发明申请

WO2006016656A1 ディスクドライブ装置审中-公开
标题翻译：磁盘驱动器
公开(公告)号：WO2006016656A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/014765
申请日：2005-08-11
申请人：ソニー株式会社 , 大森清 , 鈴木裕次 , 大塚隆 , 實川啓司 , 武藤智 , 夏堀公士 , 相澤秀邦
发明人：大森清 , 鈴木裕次 , 大塚隆 , 實川啓司 , 武藤智 , 夏堀公士 , 相澤秀邦
IPC分类号： G11B17/04
CPC分类号： G11B17/051
摘要：　本発明は、光ディスク（２）が着脱自在に装着されるディスクドライブ装置であり、長手方向が光ディスクの径と略同一の長さとされたディスク挿脱口（１９）が設けられた前面パネル（１８）を有する筐体（３）と、光ディスクの外周を挟持する複数の回動アーム（６１）（６２）を光ディスクの搬送位置に応じて所定方向に付勢する付勢部材（７０）とを備え、ディスク挿脱位置とディスク装着位置との間で、光ディスクの搬送を行うディスク搬送機構（６０）と、光ディスクが装着されるディスク装着部（４１）と、光ディスクのディスク回転駆動機構（４２）と、光ディスクに対して情報信号の記録及び／又は再生を行う光ピックアップ（４３）と、光ピックアップを送り操作するピックアップ送り機構（４４）とを備え、ディスク挿脱口の長手方向の一端部に、ディスク挿脱口から挿脱される光ディスクの外周面と摺接される摺接片（２３）を設け、光ディスクの急峻な移動を規制する。
摘要翻译：一种光盘驱动装置，其中可拆卸地安装光盘（2），该盘驱动装置包括具有前面板（18）的外壳（3），其中纵向长度近似等于形成光盘，并且根据光盘的携带位置，向沿着指定方向保持光盘外周的多个旋转臂（61）和（62）通电的通电构件（70）。该装置还包括在光盘插入/提取位置和盘安装位置之间承载光盘的盘片传送机构（60），安装光盘的光盘安装部分（41），盘旋转驱动机构（42）），用于在光盘中记录和/或再现信息信号的光学拾取器（43）以及馈送光学拾取器的拾取器馈送机构（44）。与光盘插入/提取孔插入和拔出的光盘的外周面可滑动接触的可滑动接触片（23）装配到盘插入/提取孔的纵向端部，以限制光盘。

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