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1. 发明申请

WO2009110409A1 太陽電池审中-公开
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：WO2009110409A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/053823
申请日：2009-03-02
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , シャープ株式会社 , 三洋電機株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 田中宏治 , 佐野雄一 , 井上広匡
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 田中宏治 , 佐野雄一 , 井上広匡
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：　発電層と電極との間に、仕事関数の低い下地金属層を設けて、発電層と電極との間のコンタクト抵抗を低減することによって、太陽電池又は光電変換素子の変換効率を改善することができた。
摘要翻译：通过在发电层和电极之间设置功函数低的贱金属层，可以改善太阳能电池或光电转换器的转换效率，从而降低发电层与电极之间的接触电阻。

2. 发明申请

WO2009110403A1 光電変換素子構造及び太陽電池审中-公开
标题翻译：光电转换元件结构与太阳能电池
公开(公告)号：WO2009110403A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/053814
申请日：2009-03-02
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , シャープ株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 田中宏治 , 佐野雄一
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 田中宏治 , 佐野雄一
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/07 , H01L31/105 , H01L31/1055 , H01L31/108 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548
摘要：　本発明の課題は、コンタクト抵抗を低減することによって光電変換素子構造の変換効率を改善することである。本発明のｐｉｎ構造の光電変換素子構造は、ｐ型半導体の荷電子帯の上限のエネルギ準位又はｎ型半導体層の電子親和力と、当該半導体と接触する金属層の仕事関数を選択することによって、電極としてＡｌ、Ａｇ等を用いた場合に比較してコンタクト抵抗を低減する。選択された金属層は、Ａｌ、Ａｇ等によって形成された電極と半導体との間に設けられても良いし、ｎ又はｐ型半導体と置換されても良い。
摘要翻译：可以降低接触电阻，从而提高光电转换元件结构的转换效率。提供了选择p型半导体的价带的上限能量电位或n型半导体层的电子亲和力的pin结构的光电转换元件结构以及金属层的功函数与使用Al或Ag作为电极的情况相比，与半导体接触，从而降低接触电阻。所选择的金属层可以布置在由Al或Ag形成的电极和半导体之间，或者可以由n型或p型半导体代替。

3. 发明申请

WO2007145229A1 シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，制造淋浴板的方法，使用淋浴板的等离子体处理装置，等离子体处理方法和电子设备制造方法
公开(公告)号：WO2007145229A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061857
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： B05B1/18 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：　プラズマの逆流の発生、若しくは縦孔部分でのプラズマ励起用ガスの着火をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる縦孔１１２に、ガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体１１４を装着した。多孔質ガス流通体１１４の連通した気孔によって形成されたガス流通経路における隘路の気孔径を１０μｍ以下とした。
摘要翻译：提供一种能够完全防止在垂直孔部分产生等离子体反向流动或等离子体激发气体点燃的喷淋板，以实现更有效的等离子体激发。在等离子体处理装置的处理室（102）中设置喷淋板（105），在处理室（102）中排出等离子体激发气体，以产生等离子体。具有在气体连通方向连通的孔的多孔气体连通体（114）安装在垂直孔（112）上，作为等离子体激发气体的排出路径。由多孔质气体连通体（114）的连通孔形成的气体连通路径中的溢流路径的孔径为10μm以下。

4. 发明申请

WO2002080248A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080248A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003107
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也 , 本郷俊明
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也 , 本郷俊明
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要： A micro wave plasma processing device having a radial line slot antenna capable of suppressing an abnormal discharge to increase the exciting efficiency of micro wave plasma, wherein the tip part of a power supply line in a coaxial wave guide is separated from a slot plate forming a radiating surface at a connection part between the radial line slot antenna and the coaxial wave guide.
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，具有能够抑制异常放电以提高微波等离子体的激励效率的径向线槽天线，其中同轴波导中的电源线的前端部分与形成在径向线槽天线和同轴波导之间的连接部分处的辐射表面。

5. 发明申请

WO2008114799A1 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2008114799A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/055014
申请日：2008-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆 , 田才忠 , 野沢俊久
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆 , 田才忠 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J2237/0206
摘要：　天板の機能を有するシャワーヘッドに形成したガス導入路に異常放電が発生することを防止することが可能なプラズマ処理方法が開示される。このプラズマ処理方法は、減圧可能になされた処理容器内へ少なくともプラズマ励起用ガスを含むガスを導入するガス導入路と、ガス導入路に連通されて処理容器内へガスを放出する複数のガス放出口を有するシャワーヘッドとを備えるプラズマ処理装置において行われる、シャワーヘッドを介して処理容器内へ電磁波を導入して被処理体Ｗに対してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法であり、ガス導入路８４内のガスの圧力が４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以上に設定される。
摘要翻译：公开了一种等离子体处理方法，其能够防止在具有屋顶功能的淋浴头中形成的气体入口通道中发生异常放电。这种等离子体处理方法是在等离子体处理装置中进行的，该等离子体处理装置包括气体导入通道，用于将至少含有等离子体激发气体的气体引入制成排气的处理室，以及具有与气体导入口连通的多个排气口的喷淋头从而将气体排出到处理室中。在等离子体处理方法中，通过淋浴喷头将电磁波引入处理室，从而对工件（W）进行等离子体处理。气体导入通道（84）中的气体设定为4000Pa（30Torr）以上的压力。

6. 发明申请

WO2006082718A1 誘電体膜及びその形成方法审中-公开
标题翻译：电介质膜及其形成方法
公开(公告)号：WO2006082718A1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/JP2006/300838
申请日：2006-01-20
申请人：国立大学法人東北大学 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 後藤哲也 , 河瀬和雅
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 後藤哲也 , 河瀬和雅
IPC分类号： H01L21/318 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L29/518 , Y10T428/265
摘要：　酸化膜の表面側にSi 3 ≡N結合の状態にあるNが3 原子%以上，界面側に0.1原子%以下の濃度で存在させることにより，B拡散の防止と，NBTI耐性の劣化を防止両立させる。Ar/N 2 ラジカル窒化を用いた場合，上記結合状態にあるNの濃度を，表面側3 原子%以上，界面側0.1 原子%以下を同時に満たすことは困難であるが，Xe/N 2 , Kr/N 2 , Ar/NH 3 ， Xe/NH 3 , Kr/NH 3 , Ar/N 2 /H 2 , Xe/N 2 /H 2 , Kr/N 2 /H 2 のいずれかのガスの組み合わせを用いることにより，上記N濃度分布を実現可能とする。
摘要翻译：在氧化膜表面侧以3原子％以上的浓度存在Si 3 N = N键状态的电介质膜，也以0.1的浓度存在在氧化物膜的界面侧的原子％以下可以实现B扩散的防止，防止NBTI电阻的劣化。当使用Ar / N 2自由基氮化时，所得到的氧化物膜难以满足在上述接合状态下的N以3原子％以上的浓度存在的条件氧化膜的表面侧，同时在氧化膜的界面侧以0.1原子％以下的浓度存在，而N浓度的上述分布可以通过使用Xe / N / 2，Kr / N 2，Ar / NH 3，Xe / NH 3，Kr / NH 2， 2/3/2/2/2/2/2/2 和Kr / N 2 H 2 / H 2。

7. 发明申请

WO2003036700A1 マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置审中-公开
标题翻译：用于微波等离子体处理的装置和方法以及微波电源装置
公开(公告)号：WO2003036700A1
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：PCT/JP2002/010847
申请日：2002-10-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 後藤尚久 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
发明人：後藤尚久 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32192
摘要： A microwave plasma processing device, comprising a processing container (12), a microwave generator (24), a wave guide tube (22) for guiding microwave from the microwave generator (24), and a microwave radiating member (19) for radiating the microwave having a wave length shortened by a wave−slowing plate (18) into a space inside the processing container, the wave guide tube (22) further comprising a single microwave output opening (22a) located at the position thereof corresponding to the center portion of the microwave radiating member (19).
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，包括处理容器（12），微波发生器（24），用于引导来自微波发生器（24）的微波的波导管（22），以及微波辐射构件（19）具有由波浪减速板（18）缩短为波长的波长的微波加工成处理容器内的空间，波导管（22）还包括位于其对应于中心部分的位置的单个微波输出开口（22a）的微波辐射构件（19）。

8. 发明申请

WO2003005435A1 基板処理装置および基板処理方法、基板平坦化方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法，基板平铺方法
公开(公告)号：WO2003005435A1
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/JP2002/006737
申请日：2002-07-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78603
摘要： A substrate treating device comprising a treating space provided with a holding table for holding an untreated substrate, a hydrogen catalyst member disposed in the treating space so as to face the untreated substrate, for decomposing hydrogen molecules into hydrogen radicals H*, and a gas supply port provided on the side facing the untreated substrate of the hydrogen catalyst member in the treating space, for introducing a treating gas containing at least hydrogen gas, wherein the distance between the hydrogen catalyst member and the untreated substrate on the holding table is set to be within the hydrogen radial H* reaching distance.
摘要翻译：一种基板处理装置，包括设置有用于保持未处理基板的保持台的处理空间，设置在处理空间中以与未处理基板相对的氢催化剂构件，用于将氢分子分解成氢自由基H *，气体供给设置在处理空间中面向氢催化剂构件的未处理基板的一侧的端口，用于引入至少包含氢气的处理气体，其中将氢气催化剂构件与保持台上的未处理基板之间的距离设定为在氢气径向H *到达距离内。

9. 发明申请

WO2009110404A1 回転マグネットスパッタ装置审中-公开
标题翻译：旋转磁铁溅射装置
公开(公告)号：WO2009110404A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/053815
申请日：2009-03-02
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01J37/3497
摘要：　プラズマ遮蔽部材とグランドに接続された外壁とを備え、プラズマ遮蔽部材と外壁間に、直列共振回路、及び、並列共振回路を有する回転マグネットスパッタ装置が得られる。直列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に低いインピーダンスを有し、並列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に高いインピーダンスを有する。このような構造とすることにより、基板ＲＦ電力とプラズマ遮蔽部材との間のインピーダンスが非常に高くなり、被処理基板１０とプラズマ遮蔽部材との間でのプラズマ発生を抑制することができる。また、ターゲットとグランドとの間は、直列共振回路が設けられているため、被処理基板がターゲットの下を通過する領域のみに効率よくＲＦ電力が供給され、セルフバイアス電圧が発生する。
摘要翻译：旋转磁体溅射装置设置有等离子体阻挡构件和连接到地面的外壁，并且该装置在等离子体阻挡构件和外壁之间具有串联谐振电路和并联谐振电路。串联谐振电路仅具有谐振频率的极低阻抗，并联谐振电路只有谐振频率具有极高的阻抗。利用这种结构，衬底RF功率和等离子体阻挡构件之间的阻抗变得非常高，并且可以抑制待处理衬底（10）和等离子体阻挡构件之间的等离子体的产生。由于串联谐振电路配置在目标和地之间，所以RF功率仅被有效地提供给基板通过目标以下的区域，并且产生自偏压。

10. 发明申请

WO2008050567A1 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：用气体释放孔组件烧结的淋浴板及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050567A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/068613
申请日：2007-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
摘要：　プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。
摘要翻译：本发明提供了一种喷淋板，其包括通过一体烧结而没有任何空间结合的气体释放孔构件（陶瓷构件或多孔气体流动体），用于等离子体回流防止目的在淋浴板的垂直孔内。上述结构的优点在于，在淋浴板使用期间气体释放构件不从垂直孔脱落，从每个垂直孔释放的气体量没有变化，等离子体的反向流动可以更完全可以实现高效率的等离子体激发。喷淋板（105）设置在等离子体处理装置的处理室（102）中，等离子体激发气体释放到用于产生等离子体的处理室（102）中。具有多个直径为20μm至70μm的气体释放孔的陶瓷构件和/或具有气体流动方向上彼此连通的最大直径不大于75μm的孔的多孔气体流动体是通过与作为等离子体激发气体的释放路径的多个垂直孔（105）中的每一个的内部一体地烧结而结合。

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