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1. 发明申请

WO2012141090A1 基板処理装置に用いられるプロセスモニター装置、プロセスモニター方法、および基板処理装置审中-公开
标题翻译：在基板处理装置中使用的处理监视装置，处理监视器方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2012141090A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/JP2012/059495
申请日：2012-04-06
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 野沢俊久 , 茂山和基 , 仙田孝博 , 加藤和行 , 山上宗隆
发明人：田　才忠 , 野沢　俊久 , 茂山　和基 , 仙田　孝博 , 加藤　和行 , 山上　宗隆
IPC分类号： G01B11/06 , G01N21/84 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： G01B11/24 , G01B11/02 , G01B11/06 , G01N21/9501 , H01J37/32009 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　プロセスモニター装置（１１）は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハ（Ｗ）まで導き、ウェハ（Ｗ）から反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路（２１）と、第一光経路（２１）と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハ（Ｗ）を経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路（２１）を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハ（Ｗ）の構造を解析するコントローラ（１７）とを備える。
摘要翻译：一种处理监视装置（11）具有：输出光的光源部; 光检测部，其能够检测光的强度; 将从光源部输出的光引导到晶片（W）的第一光路（21），将从晶片（W）反射的反射波引导到光检测部; 第二光路，其被配置为具有与第一光路（21）的光传播特性相同的光传播特性，并且将光源部分输出的光引导到光检测部分，而不会使光通过晶片（W ）; 以及控制器（17），其通过所述第一光路（21），根据由所述光检测部检测出的光的强度信息经由所述第一光路（21）来校正通过所述光检测部检测出的光的强度信息，第二光路，并分析晶片（W）的结构。

2. 发明申请

WO2012026117A1 プラズマ処理装置及び光学モニタ装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和光学监测装置
公开(公告)号：WO2012026117A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/JP2011/004698
申请日：2011-08-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 仙田孝博 , 西本伸也 , 山上宗隆 , 茂山和基
发明人：野沢　俊久 , 仙田　孝博 , 西本　伸也 , 山上　宗隆 , 茂山　和基
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： G01N21/55 , H01J37/32192 , H01J37/32972 , H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】平板スロットアンテナの電磁波放射特性の均一性に影響を与えずに波長領域の広い非コヒーレントなモニタ光を用いて処理容器内の被処理基板の表面に対する光学的なモニタリングを高精度に行う。【解決手段】このマイクロ波プラズマエッチング装置における光学モニタ装置１００は、サセプタ１２上に載置される半導体ウエハＷのエッジよりも半径方向内側にあって、かつ同軸管６６よりも半径方向外側の位置で、冷却ジャケット板７２の上に配置されるモニタヘッド１０２と、このモニタヘッド１０２から鉛直下方にカバープレート７２、誘電体板５６、スロット板５４および誘電体窓５２を縦断して設けられるモニタリング用の光導波路１０４と、光ファイバ１０６を介してモニタヘッド１０２と光学的に結合されるモニタ本体１０８とを有している。
摘要翻译： [问题]使用具有宽波长范围的非相干监视光，在处理容器内进行待处理基板的表面的高精度光学监视，而不影响来自平面缝隙天线的电磁辐射的均匀性。本发明的微波等离子体蚀刻装置的光学监测装置（100）具有：位于比安装在基座（12）上的半导体晶片（W）的边缘更径向向内的位置的监视器头（102）比同轴管（66）更径向向外，并且在冷却套管板（72）上方; 用于垂直于监视器头部（102）下方设置并纵向穿过盖板（72），电介质板（56），槽板（54）和介电窗口（52）的用于监视的光波导（104）。以及经由光纤（106）与监视器头（102）光学连接的监视器主体（108）。

3. 发明申请

WO2008126595A1 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2008126595A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/JP2008/054487
申请日：2008-03-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 小谷光司
发明人：野沢俊久 , 小谷光司
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/3244
摘要：【課題】シャワープレートの温度を所望の温度に維持すると共に面内温度の均一性を向上させて、ガス供給部材の変形、歪みの発生を抑え、安定した基板の処理ができるようにする。【解決手段】処理容器内に基板を収納し、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置であって、処理容器内に処理ガス供給用のガス供給部材が配置され、ガス供給部材の内部に、熱媒を流通させる熱媒流路が形成され、熱媒流路における熱媒の流通方向を変更させる流路切替機構を有する。
摘要翻译： [问题]不仅将喷淋板的温度保持在期望的温度，而且可以提高其面内温度的均匀性，从而实现气体供给部件的任何变形或应变产生的抑制和基板的稳定处理。解决问题的手段等离子体处理装置是将处理容器内的基材容纳在等离子体中，将处理气体转化为等离子体的处理装置，其中，处理气体供给用的供给部件配置在所述处理容器，其中，所述气体供给部件设置有用于热介质循环的热介质流动通道，并且其中设置有流路切换装置，其能够沿热介质流路改变热介质的循环方向。

4. 发明申请

WO2008090951A1 天板部材及びこれを用いたプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：天花板和使用天花板的等离子体处理设备
公开(公告)号：WO2008090951A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/050980
申请日：2008-01-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：　本発明は、マイクロ波によって発生されるプラズマにより被処理体に対して処理を施すために、真空引き可能な処理容器の天井部に設けられて、前記マイクロ波を透過する機能を有する誘電体板よりなる天板部材であって、当該天板部材の前記処理容器内側に、プラズマ着火時に電界集中を行うための着火用凹部が設けられていることを特徴とする天板部材である。
摘要翻译：提供一种天花板构件，其安装在排气处理容器的天花板中，以便用由微波产生的等离子体处理物体，并且由具有传输微波功能的电介质板制成。顶棚部件的特征在于，在天花板部件的处理容器的内侧形成有用于在等离子体点火时间聚集电场的点火凹部。

5. 发明申请

WO2008050567A1 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：用气体释放孔组件烧结的淋浴板及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050567A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/068613
申请日：2007-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
摘要：　プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。
摘要翻译：本发明提供了一种喷淋板，其包括通过一体烧结而没有任何空间结合的气体释放孔构件（陶瓷构件或多孔气体流动体），用于等离子体回流防止目的在淋浴板的垂直孔内。上述结构的优点在于，在淋浴板使用期间气体释放构件不从垂直孔脱落，从每个垂直孔释放的气体量没有变化，等离子体的反向流动可以更完全可以实现高效率的等离子体激发。喷淋板（105）设置在等离子体处理装置的处理室（102）中，等离子体激发气体释放到用于产生等离子体的处理室（102）中。具有多个直径为20μm至70μm的气体释放孔的陶瓷构件和/或具有气体流动方向上彼此连通的最大直径不大于75μm的孔的多孔气体流动体是通过与作为等离子体激发气体的释放路径的多个垂直孔（105）中的每一个的内部一体地烧结而结合。

6. 发明申请

WO2008044602A1 薄膜形成方法及び薄膜の積層構造审中-公开
标题翻译：薄膜薄膜和薄膜多层结构的方法
公开(公告)号：WO2008044602A1
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：PCT/JP2007/069487
申请日：2007-10-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 上田博一 , 野沢俊久
发明人：上田博一 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10T428/24612 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、被処理体の表面上に、チャージングダメージを防止するためのチャージングダメージ防止膜をスパッタリングによって形成する防止膜形成工程と、被処理体の表面上に形成されたチャージングダメージ防止膜の表面上に、所望の薄膜をスパッタリングによって形成する薄膜形成工程と、を備えたことを特徴とする薄膜形成方法である。
摘要翻译：公开了一种形成薄膜的方法，其特征在于包括防止膜形成步骤，其中通过溅射在被处理物体的表面上形成用于防止充电损伤的充电损坏防止膜，以及薄膜形成步骤，形成步骤，其中通过溅射形成所需的薄膜，所述薄膜通过形成在待处理对象上的充电损伤防止膜的表面上而形成。

7. 发明申请

WO2007145256A1 発光素子の製造装置および発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造发光装置的装置及制造发光装置的方法
公开(公告)号：WO2007145256A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061925
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 茂山和基 , 八木靖司 , 野沢俊久 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
发明人：茂山和基 , 八木靖司 , 野沢俊久 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/0021 , H01L51/56
摘要：　被処理基板上に、有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成するための複数の処理室を有し、複数の処理室に被処理基板が順次搬送される発光素子の製造装置であって、複数の処理室が実質的に直線状に接続されるとともに、隣接する２つの処理室の間で被処理基板が搬送される場合、２つの処理室が被処理基板上の層と反応性を有しないガスで満たされるよう構成されていることを特徴とする発光素子の製造装置が開示される。
摘要翻译：公开了一种用于制造发光器件的设备，其包括多个处理室，用于形成具有包括待处理对象上的有机层的多个层的发光器件，并且其中待处理的衬底为依次传送到处理室。该装置的特征在于，处理室基本上线性地连接，并且当待处理的基板在两个相邻的处理室之间传送时，两个处理室被填充有不与基板上的层反应的气体。

8. 发明申请

WO2007142315A1 発光素子の製造装置および発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：发光元件制造设备和发光元件制造方法
公开(公告)号：WO2007142315A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/061585
申请日：2007-06-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 八木靖司
发明人：野沢俊久 , 八木靖司
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： C23C16/00 , C23C14/12 , C23C14/3464 , H01L51/56 , H05B33/10
摘要：　発光素子の製造装置は、被処理基板上に、発光層を含む有機層を形成して発光素子を製造する発光素子の製造装置であって、前記被処理基板が順次搬送され、それぞれ基板処理が行われる複数の処理室と、前記複数の処理室にそれぞれ接続される複数の基板搬送室と、を有し、前記被処理基板を内部に保持可能に構成された基板保持容器が、前記複数の基板搬送室に順次接続されることで前記複数の処理室に前記被処理基板が順次搬送され、複数の前記基板処理が順次行われるよう構成されていることを特徴とする。
摘要翻译：提供一种发光元件制造装置，用于通过在待处理的基板上形成包括发光层的有机层来制造发光元件。发光元件制造装置设置有多个处理室，待处理的基板顺序地转印到处理室，以及分别连接到处理室的多个基板传送室。构成保持在基板内的基板保持容器依次连接到基板传送室，以将基板依次传送到处理室中，并且顺序地进行基板处理。

9. 发明申请

WO2007102464A1 処理装置审中-公开
标题翻译：加工设备
公开(公告)号：WO2007102464A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/JP2007/054189
申请日：2007-03-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 湯浅珠樹
发明人：野沢俊久 , 湯浅珠樹
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67126 , C23C16/4412 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32834 , H01L21/67017 , Y10T137/85978
摘要：　弁解度を実用領域で使用する際に処理空間の雰囲気を載置台の周囲に均等に分散させて排気することができる処理装置を提供する。　底部に排気口５０を有して真空引き可能になされた処理容器４２と、被処理体Ｗを載置するために処理容器内に設けられた載置台４４と、排気口に連結されると共にスライド式の弁体９４により弁口９８の開口領域の面積を変えることができる圧力制御弁８８と、圧力制御弁に接続された排気系９０と、を備えて被処理体に対して所定のプロセス圧力下にて所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、圧力制御弁の弁開度の実用領域によって形成される開口領域内に前記載置台の中心軸が位置するように圧力制御弁を偏心させて設ける。
摘要翻译：一种加工装置，其中当所述装置以阀开度设定在实用区域时，可以以均匀分散的方式将处理空间中的气氛排放到放置台的周边。处理装置具有单晶片加工型，并且在预定的处理压力下处理物体。处理装置具有在其底部具有气体排出口（50）的处理容器（42），并适于使得能够从容器抽出真空;设置在处理容器中的放置台（44）以放置物体（W ），连接到气体排出口的压力控制阀（88），其中通过滑动式阀体（94）可以改变阀开口（98）的开口面积，并且气体排出系统（90）连接到压力控制阀。压力控制阀相对于放置台的中心轴偏心定位，使得放置台位于由压力控制阀的开度的实际区域形成的开口区域中。

10. 发明申请

WO2007052534A1 エッチング方法及びエッチング装置审中-公开
标题翻译：蚀刻方法和蚀刻装置
公开(公告)号：WO2007052534A1
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：PCT/JP2006/321410
申请日：2006-10-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 西塚哲也
发明人：野沢俊久 , 西塚哲也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/31144
摘要：　本発明は、被処理体の表面に形成されている被加工層をエッチングするエッチング方法において、前記被処理体の表面にレジスト層を均一に形成するレジスト形成工程と、前記レジスト層に所定のエッチング用窪み部を形成することによりパターン化されたエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、前記エッチング用窪み部の底部及び側面を含んで前記エッチングマスクの表面全体にプラズマ耐性膜を形成するプラズマ耐性膜形成工程と、前記エッチング用窪み部の底部に形成された前記プラズマ耐性膜を除去する底部プラズマ耐性膜除去工程と、前記底部プラズマ耐性膜除去工程後に前記エッチングマスクをマスクとして前記被加工層をエッチングする本エッチング工程と、を備えたことを特徴とするエッチング方法である。
摘要翻译：公开了一种用于蚀刻形成在物体表面上的被处理层的蚀刻方法。该蚀刻方法的特征在于包括抗蚀剂形成步骤，其中抗蚀剂层均匀地形成在物体的表面上; 掩模形成步骤，其中通过为抗蚀剂层提供用于蚀刻的某个凹部来形成图案化的蚀刻掩模; 等离子体成膜步骤，其中在包括用于蚀刻的凹槽的底表面和侧表面的蚀刻掩模的整个表面上形成耐等离子体膜; 底部等离子体抗蚀膜去除步骤，其中形成在用于蚀刻的凹槽的底表面上的耐等离子体膜被去除; 以及主要蚀刻步骤，其中在底部等离子体抗蚀膜去除步骤之后，通过使用蚀刻掩模来蚀刻待处理的层。

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