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1. 发明申请

WO2002080248A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080248A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003107
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也 , 本郷俊明
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也 , 本郷俊明
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要： A micro wave plasma processing device having a radial line slot antenna capable of suppressing an abnormal discharge to increase the exciting efficiency of micro wave plasma, wherein the tip part of a power supply line in a coaxial wave guide is separated from a slot plate forming a radiating surface at a connection part between the radial line slot antenna and the coaxial wave guide.
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，具有能够抑制异常放电以提高微波等离子体的激励效率的径向线槽天线，其中同轴波导中的电源线的前端部分与形成在径向线槽天线和同轴波导之间的连接部分处的辐射表面。

2. 发明申请

WO2002080632A1 マイクロ波プラズマプロセス装置及びプラズマプロセス制御方法审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理的装置和控制方法
公开(公告)号：WO2002080632A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003114
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H05H1/00
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32954 , H01J37/3299
摘要： A micro wave plasma processing device, wherein micro wave is led into a process chamber through a wave guide (26) to generate plasma, the power of the reflected wave reflected by the plasma generated in the process chamber is monitored by a reflection monitor (40) and a power monitor (42), the frequency of the micro wave generated by a magnetron (24) is monitored by an incident monitor (36) and a frequency monitor (48), and a power fed to the magnetron (24) is controlled based on the monitored power and frequency of the reflected wave, whereby the density of the plasma can be controlled at a constant.
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，其中通过波导（26）将微波引入处理室以产生等离子体，由反射监视器（40）监视由处理室中产生的等离子体反射的反射波的功率）和功率监视器（42），由磁控管（24）产生的微波的频率由入射监视器（36）和频率监视器（48）监视，馈送到磁控管（24）的功率为基于受监测的反射波的功率和频率进行控制，由此可以将等离子体的密度控制在一定的范围。

3. 发明申请

WO2002080253A1 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び遅波板审中-公开
标题翻译：用于等离子体处理的装置和方法以及慢波板
公开(公告)号：WO2002080253A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003112
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192
摘要： A micro wave plasma processing device using a radial line slot antenna, wherein a slot plate (16) is formed with a material having a coefficient of thermal expansion near the coefficient of thermal expansion of a slow-wave plate (18) or by depositing a metal on a dielectric plate forming the slow-wave plate (18), and an adhesion between the slow-wave plate and the slot plate forming a micro wave radiation surface in the antenna is increased to prevent an abnormal discharge.
摘要翻译：一种使用径向线槽天线的微波等离子体处理装置，其中槽板（16）形成有具有靠近慢波板（18）的热膨胀系数的热膨胀系数的材料，或者通过沉积形成慢波板（18）的电介质板上的金属，并且在天线中形成微波辐射表面的慢波板和狭槽板之间的粘合力增加，以防止异常放电。

4. 发明申请

WO2002080249A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080249A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003108
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/3244
摘要： A plasma processing device comprises a processing vessel defined by an outer wall and having a holding block for holding a board to be processed, an exhaust system connected to the processing vessel, a plasma gas feed section for feeding plasma gas to the processing vessel, a microwave antenna installed on the processing vessel in opposed relation to the board to be processed, a processing gas feeding section disposed between the board to be processed on the holding block and the plasma gas feeding section in opposed relation to the board to be processed, wherein the processing gas feeding section comprises a plurality of first openings formed in the processing vessel to allow the plasma gas to pass therethrough, a processing gas passageway adapted to be connected to a processing gas source, a plurality of second openings communicating with the processing gas passageway, a diffusion section disposed in opposed relation to the second openings for diffusing the processing gas which is discharged through the second openings.
摘要翻译：等离子体处理装置包括由外壁限定的处理容器，并具有用于保持要处理的板的保持块，连接到处理容器的排气系统，用于将等离子体气体送入处理容器的等离子体气体供给部，安装在处理容器上的微波天线，与待处理的板相对;处理气体供给部分，设置在待处理板与等离子体气体供给部之间，与加工板相对; 处理气体供给部分包括形成在处理容器中以允许等离子体气体通过的多个第一开口，适于连接到处理气体源的处理气体通道，与处理气体通道连通的多个第二开口，与第二开口相对设置的用于使处理气体扩散的扩散部分通过第二个开口充电。

5. 发明申请

WO2003005435A1 基板処理装置および基板処理方法、基板平坦化方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法，基板平铺方法
公开(公告)号：WO2003005435A1
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/JP2002/006737
申请日：2002-07-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78603
摘要： A substrate treating device comprising a treating space provided with a holding table for holding an untreated substrate, a hydrogen catalyst member disposed in the treating space so as to face the untreated substrate, for decomposing hydrogen molecules into hydrogen radicals H*, and a gas supply port provided on the side facing the untreated substrate of the hydrogen catalyst member in the treating space, for introducing a treating gas containing at least hydrogen gas, wherein the distance between the hydrogen catalyst member and the untreated substrate on the holding table is set to be within the hydrogen radial H* reaching distance.
摘要翻译：一种基板处理装置，包括设置有用于保持未处理基板的保持台的处理空间，设置在处理空间中以与未处理基板相对的氢催化剂构件，用于将氢分子分解成氢自由基H *，气体供给设置在处理空间中面向氢催化剂构件的未处理基板的一侧的端口，用于引入至少包含氢气的处理气体，其中将氢气催化剂构件与保持台上的未处理基板之间的距离设定为在氢气径向H *到达距离内。

6. 发明申请

WO2003054949A1 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：WO2003054949A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/JP2002/012926
申请日：2002-12-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02247 , C23C8/36 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01L21/02252 , H01L21/3143 , H01L21/318
摘要： A substrate processing apparatus has a process space (11C) containing a substrate to be processed and a plasma creating space (11B) not containing the substrate and separated from the process space (11C) by a control electrode (131). The control electrode is composed of a conductive member having openings (131a) through which a plasma created in a process vessel passes. The control electrode is covered with aluminum oxide or conductive nitride. A gas containing He and N 2 is supplied into the process chamber of the substrate processing apparatus. A plasma is created under such a condition that atomic nitrogen N* is excited in the plasma creating space, and the substrate is nitrided with the atomic nitrogen N*.
摘要翻译：基板处理装置具有包含待处理基板的处理空间（11C）和不包含基板的等离子体产生空间（11B），并通过控制电极（131）与处理空间（11C）分离。控制电极由具有开口（131a）的导电构件构成，等离子体通过该开口等离子体产生。控制电极被氧化铝或导电氮化物覆盖。将含有He和N 2 的气体供给到基板处理装置的处理室中。在等离子体产生空间中激发原子氮N *的条件下产生等离子体，并且用原子氮N *氮化基板。

7. 发明申请

WO2002080254A1 マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理装置，等离子体点火方法，等离子体成型方法和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2002080254A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003113
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
摘要： A microwave plasma process device (10) is provided with a plasma ignition enhancing means for enhancing plasma ignition by microwaves. The plasma ignition enhancing means comprises a deuterium lamp (30) which generates vacuum ultraviolet rays, and a penetration window (32) guiding the vacuum ultraviolet rays, which have penetrated the same, to a plasma excitation space (26). The penetration window (32) is constructed as a convex lens, focusing the vacuum ultraviolet rays to enhance the ionization of the plasma excitation gas. Such arrangement makes it possible to effect plasma ignition easily and rapidly.
摘要翻译：微波等离子体处理装置（10）具有用于通过微波增强等离子体点火的等离子体点火提高装置。等离子体点火提高装置包括产生真空紫外线的氘灯（30）和将其穿透的真空紫外线引导到等离子体激发空间（26）的穿透窗（32）。穿透窗（32）被构造为凸透镜，聚焦真空紫外线以增强等离子体激发气体的离子化。这样的布置使得可以容易且快速地实现等离子体点火。

8. 发明申请

WO2002080252A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080252A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003111
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要： In a microwave plasma-processing device, a shower plate or plasma penetration window opposed to a board to be processed is recessed on the side opposed to the board to be processed, whereby a decrease in plasma density in the peripheral region of the board to be processed is compensated. As a result, even when plasma processing at low pressure, such as etching, is effected, stabilized uniform plasma is maintained in the vicinity of the surface of the board to be processed. Further, such arrangement enhances ignition of plasma.
摘要翻译：在微波等离子体处理装置中，与被处理板相对的喷淋板或等离子体渗透窗凹陷在与被处理板相对的一侧，由此板的周边区域的等离子体密度的降低为处理得到补偿。结果，即使进行了诸如蚀刻等低压等离子体处理，也能够在被处理板的表面附近保持均匀的均匀等离子体。此外，这种布置增强了等离子体的点燃。

9. 发明申请

WO2002080251A1 プラズマ処理装置および半導体製造装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080251A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003110
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
摘要： A micro wave plasma processing device having a radial line slot antenna, wherein the radiating surface of the radial line slot antenna is fitted closely to a cover plate forming a part of the outer wall of a processing chamber and fitted closely to a shower plate, and a cooler is installed on the radial line slot antenna so as to absorb a heat flowing in the outer walls of the processing chamber in thickness direction, whereby the cooling efficiency of the shower plate can be optimized and, at the same time, the excitation efficiency of microwave can be optimized.
摘要翻译：一种具有径向线槽天线的微波等离子体处理装置，其中，径向线槽天线的辐射表面紧密地配合到形成处理室的外壁的一部分且与喷淋板紧密配合的盖板，在径向槽缝天线上安装冷却器，以便在厚度方向上吸收在处理室的外壁中流动的热量，从而能够优化喷淋板的冷却效率，并且同时提高激发效率的微波可以优化。

10. 发明申请

WO2002080250A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080250A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003109
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
摘要： A micro wave plasma processing device, wherein a tapered surface for relieving a variation in impedance and a member having an intermediate dielectric constant are installed between a micro wave feeding wave guide and a micro wave antenna, whereby the formation of reflected wave at the connection part between the micro wave feeding wave guide and the micro wave antenna can be suppressed to increase a power feeding efficiency and suppress discharge so as to stabilize the formation of plasma in the plasma processing device.
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，其中，在微波馈送波导与微波天线之间安装用于缓和阻抗变化的锥形表面和具有中等介电常数的构件，由此在连接部分形成反射波可以抑制微波馈送波导与微波天线之间的距离，从而提高供电效率并抑制放电，从而稳定等离子体处理装置中的等离子体的形成。

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