专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2002080248A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2002080248A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003107
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也 , 本郷俊明
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也 , 本郷俊明
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要： A micro wave plasma processing device having a radial line slot antenna capable of suppressing an abnormal discharge to increase the exciting efficiency of micro wave plasma, wherein the tip part of a power supply line in a coaxial wave guide is separated from a slot plate forming a radiating surface at a connection part between the radial line slot antenna and the coaxial wave guide.
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，具有能够抑制异常放电以提高微波等离子体的激励效率的径向线槽天线，其中同轴波导中的电源线的前端部分与形成在径向线槽天线和同轴波导之间的连接部分处的辐射表面。

2. 发明申请

WO2005013005A1 パターン描画方法、及びパターン描画装置审中-公开
标题翻译：图案绘图方法和图案绘图装置
公开(公告)号：WO2005013005A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/011387
申请日：2004-08-02
申请人：ボールセミコンダクターインク. , 大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70275 , G03F7/70041
摘要：マイクロレンズを用いたパターン描画装置において、微小な設計グリッドに対応させるためのグレースケールの算出が容易にするために、紫外光源から生成されるパルスから次のパルスまでの時間内に基板を移動させる距離を、スポット間隔より短く、且つ、スポット間隔から１つのスポットの直径を差し引いた長さよりも長くする。パルスごとにスキャンさせていくと、スキャン方向に関しては、次第にスポットがつながっていき、連続的な線が描かれる。一方、スキャン方向と直交する方向に関しては、離散的な直線となるため、この方向に関しては１回のスキャンが終わったら、スポット径以下の距離だけステップ移動すればよい。
摘要翻译：使用微透镜的图案绘制装置。衬底在从紫外光源产生的脉冲到下一个脉冲的持续时间内移动。移动距离比点间隔短，并且长于从点间隔减去光斑直径的差异，以便于计算用于适应微设计网格的灰度级。在扫描每个脉冲输出后，点沿扫描方向连接，从而绘制连续的线。在垂直于扫描方向的方向上，绘制离散线。因此，在一次扫描结束之后，进行等于点直径或更小的阶梯移动的垂直方向。

3. 发明申请

WO2004112238A1 低雑音増幅器审中-公开
标题翻译：低噪声放大器
公开(公告)号：WO2004112238A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008217
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/785 , H03F1/26 , H03F2200/372 , H03G1/0029 , H03G1/007
摘要：　ＭＩＳトランジスタを有し、雑音を低レベルに抑えて入力信号を増幅する低雑音増幅器を前提とし、上記ＭＩＳトランジスタは、第１の結晶面を主面として有する半導体基板と、該半導体基板の一部として形成され、上記第１の結晶面とは異なった第２の結晶面により画成された１対の側壁面と、上記第２の結晶面とは異なった第３の結晶面により画成された頂面とよりなる、半導体構造と、上記主面及び上記側壁面及び上記頂面を一様な厚さで覆うゲート絶縁膜と、上記主面及び上記側壁面及び上記頂面を、上記ゲート絶縁膜を介して連続的に覆うゲート電極と、上記半導体基板中及び上記半導体構造中の、上記ゲート電極を介する一方側及び他方側に形成され、いずれも上記主面及び上記側壁面及び上記頂面に沿って連続的に延在する、同一導電型拡散領域と、を有するように構成する。　　このように構成することにより、低雑音増幅器によって出力信号に与えられる１／ｆ雑音や信号歪が大幅に低減され、それらの低減を補償する回路が不要になり、小型化が可能になる。
摘要翻译：一种具有用于将噪声抑制到低电平并且放大输入信号的MIS晶体管的低噪声放大器。 MIS晶体管包括具有作为主表面的第一晶面和形成为半导体衬底的一部分的半导体结构的半导体衬底和具有相同导电类型的扩散区。半导体结构具有由不同于第一晶体面的第二晶面和由不同于第二晶体的第三晶面限定的顶面限定的一对侧壁面，覆盖主表面的均匀厚度的栅极绝缘膜，侧壁面和顶面，以及栅极电极，其间隔着栅极绝缘膜连续地覆盖主表面，侧壁面和顶面。扩散区域形成在一端和另一端，栅电极插入，并且沿主表面，侧壁面和顶面连续延伸。这种结构大大降低了由低噪声放大器给予输出信号的1 / f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿减小的电路并减小尺寸。

4. 发明申请

WO2004112142A1 リミッタ回路及びその半導体集積回路审中-公开
标题翻译：限制电路和半导体集成电路
公开(公告)号：WO2004112142A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008219
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H03G1/0029 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03G1/0023 , H03G7/00 , H03K5/08
摘要：　シリコン基板上に高さＨＢで、幅がＷＢの直方体状の突出部２１を形成し、突出部２１の頂面及び側壁面の一部にゲート酸化膜を形成する。ゲート電極２６の両側にソースとドレインを形成してＭＯＳトランジスタを形成する。ＭＯＳトランジスタ６１と６２とからなる差動増幅回路でリミッタ回路を構成する。これにより、リミッタ回路の利得を大きくとれるようにする。
摘要翻译：在硅衬底上形成具有高度HB和宽度WB的长方体突起部分（21），并且在突出部分（21）的顶壁和侧壁表面的部分上形成栅极氧化膜。源极和漏极形成在栅电极（26）的两个相对侧上，从而形成MOS晶体管。包括MOS晶体管（61,62）的差分放大器电路用于配置限幅器电路。以这种方式，限幅器电路可以表现出更大的增益。

5. 发明申请

WO2004112121A1 ＭＩＳトランジスタ及びＣＭＯＳトランジスタ审中-公开
标题翻译： MIS晶体管和CMOS晶体管
公开(公告)号：WO2004112121A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008218
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/82385 , H01L29/045
摘要：　半導体基板に形成されるＭＩＳトランジスタを前提とし、該ＭＩＳトランジスタは、表面が少なくとも二つの異なる結晶面を有する凸部（７０４、９１０Ｂ）を主面に対して構成する半導体基板（７０２、９１０）と、前記凸部の表面を構成する前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜（７０８、９２０Ｂ）と、前記ゲート絶縁膜を介して、前記凸部の表面を構成する前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々に対して構成されるゲート電極（７０６、９３０Ｂ）と、前記少なくとも二つの異なる結晶面の各々に面して前記凸部中に形成され、かつ前記ゲート電極の両側にそれぞれ形成される同一導電型拡散領域（７１０ａ、７１０ｂ、９１０ｃ、９１０ｄ）と、を有する。このように構成することにより、素子面積の増大を抑えながら、チャネル幅を増大できる。
摘要翻译：公开了一种形成在半导体衬底中的MIS晶体管，其包括具有突出部分（704,910B）的半导体衬底（702,910），所述突出部分的表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同的晶面;栅极覆盖构成突出部分的表面的每个晶面的至少一部分的绝缘膜（708,920B），经由栅极绝缘膜形成在每个晶面上的栅电极（706,930B）和扩散区域形成在面对各个晶面的突出部分和栅绝缘电极的两侧上的相同导电类型（710a，710b，910c，910d）。通过具有这种结构，MIS晶体管可以具有增加的沟道宽度，同时抑制器件面积的增加。

6. 发明申请

WO2004095549A1 パターン描画装置及びパターン描画方法审中-公开
标题翻译：图案绘图装置和图案绘图方法
公开(公告)号：WO2004095549A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/JP2004/005134
申请日：2004-04-09
申请人：ボールセミコンダクターインク. , 大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/70291 , G03F7/70358 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70466 , G03F7/70866
摘要：二次元的に配列された微小ミラーを含むミラーデバイスから出力された投影パターンを使用して、基板上にパターンを描画するパターン描画方法において、各微小ミラーをオンオフ制御すると共に、ミラーデバイスからの投影パターンを少なくとも一次元方向に部分的にオーバーラップさせて露光を行うことにより、中間光量露光を正確に制御することができる。
摘要翻译：提供了一种通过使用从具有以二维方式布置的精细反射镜的反射镜装置输出的投影图案来将图案灌封在基板上的图案绘制方法。每个微反射镜被控制为接通和断开，并且来自反射镜装置的投影图案至少在一维方向上部分地重叠以进行曝光，从而精确地控制中间光强度的曝光。

7. 发明申请

WO2004079799A1 マスクレピータ及びマスク製造方法审中-公开
标题翻译：屏蔽复制器和屏蔽制造方法
公开(公告)号：WO2004079799A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2004/002548
申请日：2004-03-02
申请人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 柳田公雄 , 武久究
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/70291 , G03F7/70358 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70466 , G03F7/70475 , G03F7/70866
摘要：マスターマスクのパターンを実マスク上に転写露光すると共に、当該実マスクに転写されたパターンを半導体ウエハ等の基板上に転写するマスクレピータにおいて、マスターマスクのサイズを実マスクとのサイズよりも大きくすると共に、軟Ｘ線を縮小投影する光学系を使用することにより、次世代マスクである等倍マスクを作成する。また、スキャン型露光装置では、スキャンに使用されるスリット形状を一定にし、照射領域内でのみ、露光を行うことにより傾斜露光を行えると共に、スリット形状を台形形状にすると共に、スキャン方向に露光領域を往復させることにより、繋ぎ合わせ露光の回数を減少させることができる。
摘要翻译：一种掩模中继器，用于通过曝光将主掩模的图案转印到真实掩模上，并将真实掩模上的图案转印到诸如半导体晶片的基板上。主掩模的尺寸大于真面罩的尺寸。通过使用用于还原投射软X射线的光学系统，制造作为下一代掩模的1：1放大掩模。在扫描曝光系统中，用于扫描的狭缝的形状被固定，并且仅对曝光区域进行曝光以实现倾斜曝光。当狭缝的形状是梯形时，并且当暴露区域沿扫描方向往复运动时，可以减少关节暴露的次数。

8. 发明申请

WO2003054949A1 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：WO2003054949A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/JP2002/012926
申请日：2002-12-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02247 , C23C8/36 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01L21/02252 , H01L21/3143 , H01L21/318
摘要： A substrate processing apparatus has a process space (11C) containing a substrate to be processed and a plasma creating space (11B) not containing the substrate and separated from the process space (11C) by a control electrode (131). The control electrode is composed of a conductive member having openings (131a) through which a plasma created in a process vessel passes. The control electrode is covered with aluminum oxide or conductive nitride. A gas containing He and N 2 is supplied into the process chamber of the substrate processing apparatus. A plasma is created under such a condition that atomic nitrogen N* is excited in the plasma creating space, and the substrate is nitrided with the atomic nitrogen N*.
摘要翻译：基板处理装置具有包含待处理基板的处理空间（11C）和不包含基板的等离子体产生空间（11B），并通过控制电极（131）与处理空间（11C）分离。控制电极由具有开口（131a）的导电构件构成，等离子体通过该开口等离子体产生。控制电极被氧化铝或导电氮化物覆盖。将含有He和N 2 的气体供给到基板处理装置的处理室中。在等离子体产生空间中激发原子氮N *的条件下产生等离子体，并且用原子氮N *氮化基板。

9. 发明申请

WO2003049189A1 貼り合わせウエーハおよび貼り合わせウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光砂浆和生产抛光砂浆的方法
公开(公告)号：WO2003049189A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/JP2002/012277
申请日：2002-11-25
申请人：信越半導体株式会社 , 三谷清 , 出水清史 , 横川功 , 大見忠弘 , 須川成利
发明人：三谷清 , 出水清史 , 横川功 , 大見忠弘 , 須川成利
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/045
摘要： A pasted wafer having a silicon single crystal layer stacked on a silicon single crystal wafer, characterized in that the silicon single crystal layer has a crystal face orientation {110} and the silicon single crystal wafer has a crystal face orientation {100}. A method for producing a pasted wafer characterized in that a first silicon single crystal wafer having a crystal face orientation {110} and a second silicon single crystal wafer having a crystal face orientation {100} are pasted together directly or through an insulating film and then the first silicon single crystal wafer is made thin. According to the method, a wafer that can provide an MIS device having excellent characteristics utilizing a silicon single crystal wafer of {110} can be provided.
摘要翻译：在硅单晶晶片上堆积硅单晶层的粘贴晶片，其特征在于，所述硅单晶层具有晶面取向{110}，所述硅单晶晶片具有晶面取向{100}。一种粘贴晶片的制造方法，其特征在于，具有晶面取向{110}的第一硅单晶晶片和具有晶面取向{100}的第二硅单晶晶片直接或通过绝缘膜粘贴在一起，然后使第一硅单晶晶片变薄。根据该方法，可以提供利用{110}的硅单晶晶片提供具有优异特性的MIS器件的晶片。

10. 发明申请

WO2002080254A1 マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理装置，等离子体点火方法，等离子体成型方法和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2002080254A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/003113
申请日：2002-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 須川成利 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
摘要： A microwave plasma process device (10) is provided with a plasma ignition enhancing means for enhancing plasma ignition by microwaves. The plasma ignition enhancing means comprises a deuterium lamp (30) which generates vacuum ultraviolet rays, and a penetration window (32) guiding the vacuum ultraviolet rays, which have penetrated the same, to a plasma excitation space (26). The penetration window (32) is constructed as a convex lens, focusing the vacuum ultraviolet rays to enhance the ionization of the plasma excitation gas. Such arrangement makes it possible to effect plasma ignition easily and rapidly.
摘要翻译：微波等离子体处理装置（10）具有用于通过微波增强等离子体点火的等离子体点火提高装置。等离子体点火提高装置包括产生真空紫外线的氘灯（30）和将其穿透的真空紫外线引导到等离子体激发空间（26）的穿透窗（32）。穿透窗（32）被构造为凸透镜，聚焦真空紫外线以增强等离子体激发气体的离子化。这样的布置使得可以容易且快速地实现等离子体点火。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式