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1. 发明申请

WO2008050567A1 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：用气体释放孔组件烧结的淋浴板及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050567A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/068613
申请日：2007-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
摘要：　プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。
摘要翻译：本发明提供了一种喷淋板，其包括通过一体烧结而没有任何空间结合的气体释放孔构件（陶瓷构件或多孔气体流动体），用于等离子体回流防止目的在淋浴板的垂直孔内。上述结构的优点在于，在淋浴板使用期间气体释放构件不从垂直孔脱落，从每个垂直孔释放的气体量没有变化，等离子体的反向流动可以更完全可以实现高效率的等离子体激发。喷淋板（105）设置在等离子体处理装置的处理室（102）中，等离子体激发气体释放到用于产生等离子体的处理室（102）中。具有多个直径为20μm至70μm的气体释放孔的陶瓷构件和/或具有气体流动方向上彼此连通的最大直径不大于75μm的孔的多孔气体流动体是通过与作为等离子体激发气体的释放路径的多个垂直孔（105）中的每一个的内部一体地烧结而结合。

2. 发明申请

WO2008114799A1 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2008114799A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/055014
申请日：2008-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆 , 田才忠 , 野沢俊久
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆 , 田才忠 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J2237/0206
摘要：　天板の機能を有するシャワーヘッドに形成したガス導入路に異常放電が発生することを防止することが可能なプラズマ処理方法が開示される。このプラズマ処理方法は、減圧可能になされた処理容器内へ少なくともプラズマ励起用ガスを含むガスを導入するガス導入路と、ガス導入路に連通されて処理容器内へガスを放出する複数のガス放出口を有するシャワーヘッドとを備えるプラズマ処理装置において行われる、シャワーヘッドを介して処理容器内へ電磁波を導入して被処理体Ｗに対してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法であり、ガス導入路８４内のガスの圧力が４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以上に設定される。
摘要翻译：公开了一种等离子体处理方法，其能够防止在具有屋顶功能的淋浴头中形成的气体入口通道中发生异常放电。这种等离子体处理方法是在等离子体处理装置中进行的，该等离子体处理装置包括气体导入通道，用于将至少含有等离子体激发气体的气体引入制成排气的处理室，以及具有与气体导入口连通的多个排气口的喷淋头从而将气体排出到处理室中。在等离子体处理方法中，通过淋浴喷头将电磁波引入处理室，从而对工件（W）进行等离子体处理。气体导入通道（84）中的气体设定为4000Pa（30Torr）以上的压力。

3. 发明申请

WO2007145229A1 シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，制造淋浴板的方法，使用淋浴板的等离子体处理装置，等离子体处理方法和电子设备制造方法
公开(公告)号：WO2007145229A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061857
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： B05B1/18 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：　プラズマの逆流の発生、若しくは縦孔部分でのプラズマ励起用ガスの着火をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる縦孔１１２に、ガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体１１４を装着した。多孔質ガス流通体１１４の連通した気孔によって形成されたガス流通経路における隘路の気孔径を１０μｍ以下とした。
摘要翻译：提供一种能够完全防止在垂直孔部分产生等离子体反向流动或等离子体激发气体点燃的喷淋板，以实现更有效的等离子体激发。在等离子体处理装置的处理室（102）中设置喷淋板（105），在处理室（102）中排出等离子体激发气体，以产生等离子体。具有在气体连通方向连通的孔的多孔气体连通体（114）安装在垂直孔（112）上，作为等离子体激发气体的排出路径。由多孔质气体连通体（114）的连通孔形成的气体连通路径中的溢流路径的孔径为10μm以下。

4. 发明申请

WO2008010520A1 シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，其制造方法，使用淋浴板的等离子体处理装置，等离子体处理方法以及制造电子设备的方法
公开(公告)号：WO2008010520A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/JP2007/064191
申请日：2007-07-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244
摘要：　プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出する複数のガス放出孔１１３ａを備えたシャワープレート１０５において、ガス放出孔の長さと孔径のアスペクト比（長さ／孔径）を２０以上とした。ガス放出孔１１３ａは、シャワープレート１０６とは別体のセラミックス部材１１３に形成し、このセラミックス部材１１３をシャワープレート１０６に開けた縦孔１０５に装着した。
摘要翻译：公开了一种能够有效等离子体激发的喷淋板，同时完全防止等离子体的回流。具体公开了一种布置在等离子体处理设备的处理室（102）中的喷淋板（105），并且包括用于在处理室中排出用于产生等离子体的等离子体激发气体的多个排气孔（113a） 102）。在该喷淋板（105）中，气体排出孔的长度和直径之间的纵横比（长度/直径）不小于20.气体排出孔（113a）形成在陶瓷构件（113）中，与淋浴板（106）分开，并且陶瓷构件（113）装配到形成在淋浴板（106）中的竖直孔（105）中。

5. 发明申请

WO2009031413A1 天板及びこれを用いたプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：顶板和等离子体加工设备使用它
公开(公告)号：WO2009031413A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/064915
申请日：2008-08-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 石橋清隆 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 桶作正広
发明人：石橋清隆 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 桶作正広
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T83/0481
摘要：　開示される天板は、内部が真空引き可能なプラズマ処理装置の処理容器の天井における開口部に設けられる一体化された天板であって、天板の平面方向に沿って形成された複数のガス通路と、複数のガス通路に連通し、処理容器内に臨む天板の第１の面に開口するガス噴出孔とを含む。
摘要翻译：顶板整体设置有等离子体处理装置的处理容器的天花板上的开口部分，其内部可以处于真空状态。顶板设置有沿着顶板的平面方向形成的多个气体通道，以及与气体通道连通并在面向处理容器内部的顶板第一表面上打开的气体喷射口。

6. 发明申请

WO2007145230A1 シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，使用其的等离子体处理装置，等离子体处理方法和制造电子装置的方法
公开(公告)号：WO2007145230A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061858
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244
摘要：　カバープレートが不要なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、シャワープレート１０５を一体物とし、このシャワープレート１０５に、プラズマ処理装置のガス導入ポート１１０からのプラズマ励起用ガスを導入する横孔１１１と、この横孔１１１に連通する縦孔１１２とを設けた。
摘要翻译：公开了一种不需要盖板的喷淋板。具体公开了一种喷淋板（105），其布置在用于在处理室（102）中排出用于产生等离子体的等离子体激发气体的等离子体处理装置的处理室（102）中。淋浴板（105）形成为一体的构件，其设置有用于从等离子体处理装置的气体导入口（110）引入等离子体激发气体的水平孔（111），以及连通与水平孔（111）。

7. 发明申请

WO2006092985A1 マイクロ波プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2006092985A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303048
申请日：2006-02-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 山本伸彦
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 山本伸彦
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32192
摘要：　本発明は、被処理体が収容されるチャンバーと、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内で前記処理ガスのプラズマを形成するマイクロ波を発生させるマイクロ波発生源と、マイクロ波発生源で発生されるマイクロ波を前記チャンバーに向けて導く導波手段と、前記導波手段によって導かれるマイクロ波を前記チャンバーに向けて放射する複数のマイクロ波放射孔を有する導体からなる平面アンテナと、前記チャンバーの天壁を構成し、前記平面アンテナのマイクロ波放射孔を通過したマイクロ波を透過する、誘電体からなるマイクロ波透過板と、前記平面アンテナの前記マイクロ波透過板に対して反対側に設けられ、前記平面アンテナに到達するマイクロ波の波長を短くする機能を有する、誘電体からなる遅波板と、を備えたマイクロ波プラズマ処理装置である。前記平面アンテナと前記マイクロ波透過板とは、実質的に空気を介さずに密着しており、前記遅波板と前記マイクロ波透過板とは、同じ材質で形成され、前記遅波板、前記平面アンテナ、前記マイクロ波透過板、及び、前記チャンバー内で形成される前記処理ガスのプラズマ、によって形成される等価回路が、共振条件を満たす。
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，包括容纳待处理材料的室，用于将处理气体供应到室中的处理气体供给装置，用于产生在室内形成处理气体等离子体的微波的微波发生源，波导装置，将在微波发生源中产生的微波导向腔室，由具有多个微波辐射孔的导体构成的平面天线，用于将由波导装置引导的微波照射到腔室;构成腔室顶壁的微波透射板传输通过平坦天线的微波辐射孔并由电介质构成的微波，以及设置在平面天线的微波传输板的相对侧的延迟板，具有缩短微波到达平面的波长的功能天线，由电介质组成。扁平天线和微波透射板基本上彼此紧密接触，其间没有空气，延迟板和微波透射板由相同的材料形成，延迟板，平面天线，微波透射板和由室内形成的处理气体等离子体形成的等效电路满足谐振条件。

8. 发明申请

WO2008090951A1 天板部材及びこれを用いたプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：天花板和使用天花板的等离子体处理设备
公开(公告)号：WO2008090951A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/050980
申请日：2008-01-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：　本発明は、マイクロ波によって発生されるプラズマにより被処理体に対して処理を施すために、真空引き可能な処理容器の天井部に設けられて、前記マイクロ波を透過する機能を有する誘電体板よりなる天板部材であって、当該天板部材の前記処理容器内側に、プラズマ着火時に電界集中を行うための着火用凹部が設けられていることを特徴とする天板部材である。
摘要翻译：提供一种天花板构件，其安装在排气处理容器的天花板中，以便用由微波产生的等离子体处理物体，并且由具有传输微波功能的电介质板制成。顶棚部件的特征在于，在天花板部件的处理容器的内侧形成有用于在等离子体点火时间聚集电场的点火凹部。

9. 发明申请

WO2003105544A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2003105544A1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：PCT/JP2003/006901
申请日：2003-05-30
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：　プラズマ処理装置は、プラズマ処理を内部で行なうためのチャンバ（１）と、このチャンバ（１）の上側を塞ぐ誘電体からなる天板（１５）と、この天板（１５）を介して高周波をチャンバ（１）内に供給する高周波供給手段としてのアンテナ部（３）とを備える。天板（１５）は、その内部に反射部材（２３ａ，２３ｂ）を備える。反射部材（２３ａ，２３ｂ）の側壁は、天板（１５）内を径方向に伝播する高周波を反射するための波反射手段として作用する。あるいは、反射部材がなく、天板（１５）の凹部の側壁を波反射手段としてもよい。
摘要翻译：等离子体处理装置包括用于在室内进行等离子体处理的室（1），用于封闭室（1）的上侧并由电介质形成的顶板（15）和天线部分 3）作为用于通过顶板（15）将高频波提供到腔室（1）中的高频波供给装置。顶板（15）的内部设置有反射构件（23a，23b）。反射构件（23a，23b）的侧壁用作用于反射在顶板（15）中沿其径向传播的高频波的波反射装置。或者，顶板（15）中的凹部的侧壁可以用作波反射装置，而不使用反射构件。

10. 发明申请

WO2009101927A1 マイクロ波プラズマ処理装置の天板、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理装置，等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2009101927A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2009/052200
申请日：2009-02-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32238
摘要：　プラズマ処理装置のプラズマ発生室は天板（３）により塞がれている。天板（３）はプラズマ発生室側に向かう面に凹部（３Ａ）を設け、反対側の面に中心部の凹部（３Ｂ）を備える。天板（３）上には、アンテナが結合されている。アンテナには、導波管が接続されている。導波管よりマイクロ波を供給すると、供給されたマイクロ波はアンテナ間を径方向に伝播し、アンテナのスロットより放射される。マイクロ波は天板（３）を伝播して偏波面を有し、全体として円偏波を形成する。このとき、天板（３）に備えられた凹部（３Ａ）の側面でマイクロ波の共鳴吸収が起こり、凹部（３Ａ）の内部では単一のモードで伝播する。複数ある凹部（３Ａ）それぞれの内部で強いプラズマが形成され、天板（３）に安定したプラズマモードができる。
摘要翻译：等离子体处理装置的等离子体产生室由顶板（3）覆盖。顶板（3）设置有在与等离子体发生室的一侧相对的表面上形成的凹部（3A）和在反面的中央部形成的凹部（3B）。天线耦合在顶板（3）上。天线与波导连接。当通过波导提供微波时，所提供的微波在天线之间沿径向行进并从天线的槽辐射。微波行进通过顶板（3），具有偏振波表面并整体形成圆偏振波。在这种情况下，在顶板（3）上形成的凹部（3A）的侧面发生微波共振吸收，微波在凹部（3A）的内部以单一模式行进。在多个凹部（3A）的每个内部形成强等离子体，使得在顶板（3）处产生稳定的等离子体模式。

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