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1. 发明申请

WO2004084319A1 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置审中-公开
标题翻译：发光元件安装构件及使用其的半导体器件
公开(公告)号：WO2004084319A1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：PCT/JP2004/003443
申请日：2004-03-15
申请人：住友電気工業株式会社 , 石津定 , 桧垣賢次郎 , 石井隆 , 筑木保志
发明人：石津定 , 桧垣賢次郎 , 石井隆 , 筑木保志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02292 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　加工が容易で、かつ十分な放熱が可能な発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置を提供する。　発光素子搭載用部材２００は、半導体発光素子１を搭載する素子搭載面２ａと、その素子搭載面２ａに設けられて半導体発光素子１に接続される第１および第２の導電領域２１および２２とを有する基板２と、半導体発光素子１が収納される内部空間６ｂを規定する反射面６ａを有し、素子搭載面１ａの上に設けられる金属を含む反射部材６と、反射面６ａに設けられた金属層１３とを備える。反射面６ａは、素子搭載面２ａから離れるにつれて内部空間６ｂの径が大きくなるように素子搭載面２ａに対して傾斜している。
摘要翻译：发光元件安装构件易于处理并允许足够的散热; 以及使用该半导体装置的半导体装置。发光元件安装构件（200）包括用于安装半导体发光元件（1）的元件安装表面（2a），具有设置在元件安装件上的第一和第二导电区域（21,22）的板（2）表面（2a）并且连接到半导体发光元件（1），反射构件（6）具有限定用于接收半导体发光元件（1）的内部空间（6b）的反射表面（6a），并且包含金属设置在元件安装面（1a）上，设置在反射面（6a）上的金属层（13）。反射面（6a）相对于元件安装面（2a）倾斜，使得内部空间（6b）的直径随着与元件安装面（2a）的距离的增加而增大。

2. 发明申请

WO2004082034A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2004082034A1
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/JP2004/002982
申请日：2004-03-08
申请人：住友電気工業株式会社 , 石津定 , 桧垣賢次郎 , 石井隆 , 筑木保志
发明人：石津定 , 桧垣賢次郎 , 石井隆 , 筑木保志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/642 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
摘要：　半導体素子から発生する熱を十分に除去することができる半導体装置を提供する。半導体装置１００は、底面２ｂと、その底面２ｂと反対側に位置する素子載置面２ａとを有する基板２と、素子載置面２ａに載置される主面１ａを有する半導体素子１とを備える。主面１の長辺方向の長さをＬと、底面２ｂから素子載置面２ａまでの距離Ｈとの比率Ｈ／Ｌは０．３以上である。半導体素子が発光素子の場合、素子載置面２ａは凹部２ｕをなし、そこに同素子１が配設され設けられ、凹部２ｕの表面には、金属層１３が設けられている。また主面１ａに外部と接続する電極３２を設ける場合には、それを接続する部分の凹部側の主面１ａ上には、同電極３２の接続部材３４の流出を防ぐための溝が設けられている。
摘要翻译：可以充分地去除从半导体元件产生的热量的半导体器件。半导体器件（100）包括具有底面（2b）和与底面（2b）相对设置的元件安装面（2a）的基板（2）和具有主表面（1a）的半导体元件）安装在元件安装面（2a）上。长边方向上的主表面（1a）的长度L与从底面（2b）到元件安装面（2a）的距离H之间的比率H / L设定为不小于3.0。当半导体元件是发光元件时，元件安装面（2a）成为用于接收元件（1）的凹部（2u），并且在凹部（2u）的表面上设置有金属层（13）。当用于外部连接的电极（32）设置在主表面（1a）上时，在连接部分的主表面（1a）中形成用于防止电极（32）的连接材料（34）流出的槽在凹槽侧。

3. 发明申请

WO2004015756A1 サブマウントおよび半導体装置审中-公开
标题翻译： SUBMOUNT和SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：WO2004015756A1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/JP2003/009706
申请日：2003-07-30
申请人：住友電気工業株式会社 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
发明人：石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： B23K35/0238 , B23K1/0016 , B23K1/19 , B23K35/262 , B23K35/268 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K2201/40 , B32B15/01 , B32B15/018 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/13111 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01S5/02272 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：　高い接合強度で半導体発光素子を取りつけることができるサブマウントを提供する。　サブマウント３は、基板４と、基板４の主表面４ｆ上に形成されたはんだ層８とを備える。はんだ層８の密度がはんだ層８を構成する材質の理論密度の５０％以上９９．９％以下である。はんだ層８は、金錫合金、銀錫合金および鉛錫合金からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。溶融前のはんだ層８は、基板４の上に形成され、Ａｇ膜８ｂと、Ａｇ膜８ｂの上に形成されたＳｎ膜８ａとを有する。サブマウント３は、基板４とはんだ層８との間に形成されたＡｕ膜６をさらに備える。
摘要翻译：其上以高粘合强度安装半导体发光器件的基座。基座（3）包括形成在基板（4）的主表面（4f）上的基板（4）和焊料层（8）。焊料层（8）的密度不低于构成焊料层（8）的材料的理论密度的50％且不超过99.9％。焊料层（8）包括选自金 - 锡合金，银 - 锡合金和铅 - 锡合金中的至少一种。在熔融之前，焊料层（8）形成在基板（4）上并且包括Ag膜（8b）和设置在Ag膜（8b）上的Sn膜（8a）。基座（3）还包括形成在基板（4）和焊料层（8）之间的Au膜（6）。

4. 发明申请

WO2004107438A1 サブマウントおよびそれを用いた半導体装置审中-公开
标题翻译：使用相同的子和半导体器件
公开(公告)号：WO2004107438A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/JP2004/005955
申请日：2004-04-23
申请人：住友電気工業株式会社 , 天羽映夫 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
发明人：天羽映夫 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　高精度なパターニングが可能であるとともに、優れた絶縁性を実現できる絶縁膜を備えるサブマウントおよびそれを用いた半導体装置を提供する。　サブマウント５０は、主表面１ａを有し、２種以上の金属の複合体または１種以上の金属と１種以上のセラミックスとの複合体からなる導電性の複合金属放熱板１と、複合金属放熱板１の主表面１ａ上に形成された絶縁膜２とを備える。絶縁膜２の表面粗さＲａおよびＲｚは、Ｒａ＜０．２０μｍおよびＲｚ＜２．０μｍの関係を満たす。
摘要翻译：公开了一种包括实现优异绝缘并能够进行高精度图案化的绝缘膜的基座。还公开了使用这种基座的半导体器件。底座（50）包括具有主表面（1a）的导电复合金属散热板（1），并由由两种或多种金属制成的复合材料或由一种或多种金属制成的复合材料构成，更多的陶瓷，以及形成在复合金属散热板（1）的主表面（1a）上的绝缘膜（2）。绝缘膜（2）的表面粗糙度参数（Ra，Rz）满足Ra <0.20μm和Rz <2.0μm的关系。

5. 发明申请

WO2003094220A1 サブマウントおよび半導体装置审中-公开
标题翻译： SUBMOUNT和SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：WO2003094220A1
公开(公告)日：2003-11-13
申请号：PCT/JP2003/005303
申请日：2003-04-24
申请人：住友電気工業株式会社 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
发明人：石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01S5/02236 , H01L23/488 , H01L33/62 , H01L2224/83192 , H01S5/02272 , H01S5/02476
摘要：　高い接合強度で半導体発光素子を取りつけることができるサブマウントを提供する。　サブマウントは、サブマウント基板と、サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層と、それらの間に、サブマウント基板側から遷移元素の少なくとも１種を主成分とする遷移元素層と貴金属の少なくとも１種を主成分とする貴金属層とが積層されたはんだ密着層を備える。半導体装置は、サブマウントのはんだ層上に搭載された半導体発光素子を備える。
摘要翻译：一种能够实现半导体发光元件的高粘合强度安装的基座。所述基座包括副安装座基板，形成在所述副安装座基板的主表面上的焊料层，并且保持在其间，由从所述副安装座基板一侧层叠的焊接接合层，所述过渡元件层主要包含至少一种过渡元素和主要含有至少一种贵金属的贵金属层。半导体器件设置有安装在基座的焊料层上的半导体发光元件。

6. 发明申请

WO2003075341A1 サブマウントおよび半導体装置审中-公开
标题翻译： SUBMOUNT和SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：WO2003075341A1
公开(公告)日：2003-09-12
申请号：PCT/JP2003/002451
申请日：2003-03-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 天羽映夫 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
发明人：天羽映夫 , 石井隆 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01S5/02272 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/02476 , H01L2924/00
摘要： A submount to which a semiconductor light emitting element can be fixed surely. The submount (3) comprises a substrate (4), and a solder layer (8) formed on the major surface (4f) of the substrate (4). The solder layer (8) has a surface roughness Ra not larger than 0.18 mum before melting. Surface roughness Ra of the solder layer (8) is preferably not larger than 0.15 mum, and more preferably, not larger than 0.10 mum. A semiconductor device (1) comprises a laser diode (2) mounted on the solder layer (8) of the submount (3).
摘要翻译：能够可靠地固定半导体发光元件的基座。基座（3）包括基板（4）和形成在基板（4）的主表面（4f）上的焊料层（8）。焊料层（8）在熔融前的表面粗糙度Ra不大于0.18μm。焊料层（8）的表面粗糙度Ra优选为0.15μm以下，更优选为0.10μm以下。半导体器件（1）包括安装在基座（3）的焊料层（8）上的激光二极管（2）。

7. 发明申请

WO2003069743A1 サブマウントおよび半導体装置审中-公开
标题翻译：子安装和半导体器件
公开(公告)号：WO2003069743A1
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/JP2002/012870
申请日：2002-12-09
申请人：住友電気工業株式会社 , 今村誠 , 石井隆 , 天羽映夫 , 桧垣賢次郎 , 笹目彰 , 筑木保志
发明人：今村誠 , 石井隆 , 天羽映夫 , 桧垣賢次郎 , 笹目彰 , 筑木保志
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/492 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01S5/02272
摘要： A sub-mount enabling solder from climbing the edge of a semiconductor laser device and a semiconductor device are disclosed. A sub-mount for mounting a semiconductor device 2 thereon comprising a sub-mount substrate 4 and a solder film 8 formed on the sub-mount substrate 4, wherein the width WS microm and thickness d microm of the solder film are determined so that the following conditions may be satisfied. 0. 3
摘要翻译：公开了一种使焊料能够爬上半导体激光器件和半导体器件的边缘的子安装架。用于安装其上的半导体器件2的子座，其中包括形成在副安装基板4上的子安装基板4和焊料膜8，其中确定焊料膜的宽度WS微米和厚度d microm，使得可以满足以下条件。当30微米

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