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1. 发明申请

WO2006013731A1 集合基板、半導体素子搭載部材、半導体装置、撮像装置、発光ダイオード構成部材、および発光ダイオード审中-公开
标题翻译：集成基板，半导体元件安装构件，半导体器件，成像装置，发光二极管构成部件和发光二极管
公开(公告)号：WO2006013731A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/013402
申请日：2005-07-21
申请人：株式会社アライドマテリアル , 桧垣賢次郎 , 高木大輔 , 石津定 , 筑木保志
发明人：桧垣賢次郎 , 高木大輔 , 石津定 , 筑木保志
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L33/62 , H01L23/49827 , H01L24/97 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/0052 , H05K3/403 , H05K2201/09181 , H05K2201/09827 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　集合基板１は、セラミックグリーンシートを焼成後、貫通穴１１を形成して製造され、貫通穴１１の内面が、主面２１側、外部接続面２２側から、最小穴部１１ａにかけて、開口寸法が徐々に小さくなるテーパー面１１ｂ、１１ｃとされて、両テーパー面１１ｂ、１１ｃと、主面２１、外部接続面２２のなす角度θ 1 、θ 2 が、共に鈍角に設定される。半導体素子搭載部材ＢＬは、集合基板１を切り出した絶縁部材２を備える。撮像装置ＰＥ２は、絶縁部材２の主面２１側に接合した枠体４で囲まれた領域に撮像素子ＰＥ１を搭載し、蓋体ＦＬで閉じた。発光ダイオード構成部材ＬＥ２は、最小穴部１１ａを導電材料３３ａで埋めた絶縁部材２の主面２１に発光素子ＬＥ１を搭載し、蛍光体および／または保護樹脂ＦＲで封止した。発光ダイオードＬＥ３は、発光ダイオード構成部材ＬＥ２をパッケージ７に搭載した。
摘要翻译：通过在烧结陶瓷生片之后形成通孔（11）而制造的集合基板（1），其中，所述通孔（11）的内表面具有锥形表面（11b，11c），使得所述孔径尺寸从主表面21和外连接表面22朝向最小孔部分11a和形成在锥形面11b和11c之间的角度θ1和θ2与主表面21之间，和外连接表面（22）都被设置成钝角。半导体元件安装构件BL包括从集体基板（1）切出的绝缘构件（2）。成像装置PE2将半导体元件PE1安装在由与绝缘构件（2）的主表面（21）侧接合的框架（4）包围的区域中，并且由盖FL闭合。发光二极管构成部件LE2将发光元件LE1安装在绝缘部件（2）的主要表面（21）上，其中最小孔部分（11a）填充有导电材料（33a），并被荧光体和/或保护树脂FR。发光二极管LE3将发光二极管构成部件LE2安装在封装（7）中。

2. 发明申请

WO2004016567A1 窒化アルミニウム焼結体、メタライズ基板、ヒータ、治具および窒化アルミニウム焼結体の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化铝烧结紧密，金属化基板，加热器和制造氮化铝烧结的方法
公开(公告)号：WO2004016567A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2003/009705
申请日：2003-07-30
申请人：住友電気工業株式会社 , 伊藤靖 , 石津定 , 筑木保志
发明人：伊藤靖 , 石津定 , 筑木保志
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： C04B35/638 , B32B2311/08 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/6303 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/6021 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/668 , C04B2235/94 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/408 , H05B3/141
摘要：　従来より大面積かつ厚みの薄い窒化アルミニウム焼結体であって、反りやうねりが管理された平坦な窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法、さらにこの窒化アルミニウム焼結体を用いたメタライズ基板およびヒータを提供することである。　窒化アルミニウム基板１は、最大長さＭＬが３２０ｍｍ以上、厚みＴが０ｍｍ超え２ｍｍ以下、反りが０μｍ／ｍｍ以上２μｍ／ｍｍ未満、局所的なうねり高さが０μｍ以上１００μｍ以下である。
摘要翻译：一种氮化铝烧结体基板（1），其最大长度（ML）为320mm以上，厚度（T）大于0mm且不大于2mm，翘曲为0μm以上且小于 2个妈妈，局部挥舞高度0〜100个妈妈; 和烧结体的制造方法。金属化基板和使用该氮化铝烧结体的加热器。与常规的氮化铝烧结体相比，氮化铝烧结体具有更大的面积和更小的厚度，并且也是具有受控的翘曲和波动的扁平烧结体。

3. 发明申请

WO2008001579A1 加熱用窒化アルミニウム基板、加熱装置および加熱用窒化アルミニウム基板の製造方法审中-公开
标题翻译：加热氮化铝板，加热器和制造加热氮化铝板的工艺
公开(公告)号：WO2008001579A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/JP2007/061164
申请日：2007-06-01
申请人：株式会社アライドマテリアル , 石津定 , 廣瀬義幸 , 成田雅士 , 筑木保志
发明人：石津定 , 廣瀬義幸 , 成田雅士 , 筑木保志
IPC分类号： H05B3/10 , G03G15/20 , H05B3/00 , H05B3/16 , H05B3/20
CPC分类号： H05B3/0095 , G03G15/20
摘要：　簡単な構成で電極部の温度上昇を防止することが可能な加熱用窒化アルミニウム基板、加熱装置および加熱用窒化アルミニウム基板の製造方法を提供する。加熱用窒化アルミニウム基板（１００）は、相対的に高い熱伝導率を有する高熱伝導部分（１１０）と、相対的に低い熱伝導率を有する低熱伝導部分（１２０）とを備える。高熱伝導部分（１１０）は、少なくとも発熱体の一部が形成されるべき平面領域に配置されている。低熱伝導部分（１２０）は、少なくとも電極の一部が形成されるべき平面領域に配置されている。セラミックヒーター（１）は加熱用窒化アルミニウム基板（１０）と高熱伝導部（１１）に形成された発熱層（２０）と低熱伝導部分（１２）に形成された電極層（３０）とを備える。酸化雰囲気中で窒化アルミニウム基板を部分的に酸化して、酸化アルミニウムを含む部分を窒化アルミニウム基板内に形成することによって低熱伝導部分（１２０）を形成する。
摘要翻译：一种加热氮化铝板，通过简单的结构，可以防止电极部分的任何温度升高; 相关加热器以及这种加热氮化铝板的制造方法。加热氮化铝板（100）包括具有较高导热率的高导热部分（110）和具有相对较低导热率的低导热部分（120）。高导热部分（110）设置在平面区域中，以提供至少一部分发热体。低导热部分（120）设置在平面区域中，以设置至少一部分电极。提供包括加热氮化铝板（10）的陶瓷加热器（1）; 放置在高导热部分（11）中的发热层（20）; 和放置在低导热部分（12）中的电极层（30）。低导热部分（120）在氧化气氛中通过部分氧化氮化铝板形成，从而在氮化铝板中提供含有氧化铝的部分。

4. 发明申请

WO2004084319A1 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置审中-公开
标题翻译：发光元件安装构件及使用其的半导体器件
公开(公告)号：WO2004084319A1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：PCT/JP2004/003443
申请日：2004-03-15
申请人：住友電気工業株式会社 , 石津定 , 桧垣賢次郎 , 石井隆 , 筑木保志
发明人：石津定 , 桧垣賢次郎 , 石井隆 , 筑木保志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01S5/0224 , H01S5/02292 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　加工が容易で、かつ十分な放熱が可能な発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置を提供する。　発光素子搭載用部材２００は、半導体発光素子１を搭載する素子搭載面２ａと、その素子搭載面２ａに設けられて半導体発光素子１に接続される第１および第２の導電領域２１および２２とを有する基板２と、半導体発光素子１が収納される内部空間６ｂを規定する反射面６ａを有し、素子搭載面１ａの上に設けられる金属を含む反射部材６と、反射面６ａに設けられた金属層１３とを備える。反射面６ａは、素子搭載面２ａから離れるにつれて内部空間６ｂの径が大きくなるように素子搭載面２ａに対して傾斜している。
摘要翻译：发光元件安装构件易于处理并允许足够的散热; 以及使用该半导体装置的半导体装置。发光元件安装构件（200）包括用于安装半导体发光元件（1）的元件安装表面（2a），具有设置在元件安装件上的第一和第二导电区域（21,22）的板（2）表面（2a）并且连接到半导体发光元件（1），反射构件（6）具有限定用于接收半导体发光元件（1）的内部空间（6b）的反射表面（6a），并且包含金属设置在元件安装面（1a）上，设置在反射面（6a）上的金属层（13）。反射面（6a）相对于元件安装面（2a）倾斜，使得内部空间（6b）的直径随着与元件安装面（2a）的距离的增加而增大。

5. 发明申请

WO2004082034A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2004082034A1
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/JP2004/002982
申请日：2004-03-08
申请人：住友電気工業株式会社 , 石津定 , 桧垣賢次郎 , 石井隆 , 筑木保志
发明人：石津定 , 桧垣賢次郎 , 石井隆 , 筑木保志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/642 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
摘要：　半導体素子から発生する熱を十分に除去することができる半導体装置を提供する。半導体装置１００は、底面２ｂと、その底面２ｂと反対側に位置する素子載置面２ａとを有する基板２と、素子載置面２ａに載置される主面１ａを有する半導体素子１とを備える。主面１の長辺方向の長さをＬと、底面２ｂから素子載置面２ａまでの距離Ｈとの比率Ｈ／Ｌは０．３以上である。半導体素子が発光素子の場合、素子載置面２ａは凹部２ｕをなし、そこに同素子１が配設され設けられ、凹部２ｕの表面には、金属層１３が設けられている。また主面１ａに外部と接続する電極３２を設ける場合には、それを接続する部分の凹部側の主面１ａ上には、同電極３２の接続部材３４の流出を防ぐための溝が設けられている。
摘要翻译：可以充分地去除从半导体元件产生的热量的半导体器件。半导体器件（100）包括具有底面（2b）和与底面（2b）相对设置的元件安装面（2a）的基板（2）和具有主表面（1a）的半导体元件）安装在元件安装面（2a）上。长边方向上的主表面（1a）的长度L与从底面（2b）到元件安装面（2a）的距离H之间的比率H / L设定为不小于3.0。当半导体元件是发光元件时，元件安装面（2a）成为用于接收元件（1）的凹部（2u），并且在凹部（2u）的表面上设置有金属层（13）。当用于外部连接的电极（32）设置在主表面（1a）上时，在连接部分的主表面（1a）中形成用于防止电极（32）的连接材料（34）流出的槽在凹槽侧。

6. 发明申请

WO2013008697A1 ＡｌＮ基板およびその製造方法审中-公开
标题翻译： ALN基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2013008697A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/JP2012/067100
申请日：2012-07-04
申请人：株式会社アライドマテリアル , 山本剛久 , 石津定
发明人：山本　剛久 , 石津　定
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： H01L23/3731 , C04B35/581 , C04B35/638 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6021 , C04B2235/606 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　接合面に接合される半導体基板等の他部材との間の熱伝達の効率に優れたＡｌＮ基板と、前記ＡｌＮ基板を製造するための製造方法とを提供する。　ＡｌＮ基板は、２Ａ族元素、３Ａ族元素を含むＡｌＮの焼結体からなり、接合面の表面粗さＲａが３ｎｍ以下、前記接合面に露出した、長径０．２５μｍ以上のボイドの、前記長径の平均値が１．５μｍ以下で、かつ最大値が１．８μｍ以下である。製造方法は、ＡｌＮを８８．７～９８．５質量％、２Ａ族元素を酸化物換算で０．０１～０．３質量％、３Ａ族元素を酸化物換算で０．０５～５質量％の範囲で含む焼結材料によって形成した前駆体を１５００～１９００℃の温度で焼結して焼結体を形成し、前記焼結体を１４５０～２０００℃の温度、および９．８ＭＰａ以上の圧力でＨＩＰ処理する。
摘要翻译：提供一种AlN衬底，其与其它构件（例如要接合到接合表面的半导体衬底）之间的传热效率优异，以及AlN衬底的制造方法。 AlN基板由包含2A族元素和3A族元素的AlN烧结体构成，接合面的表面粗糙度Ra为3nm以下，长度为0.25μm的空洞的长度的平均值，在接合面上露出的多数为1.5μm以下，最大值为1.8μm以下。制造AlN基板的方法包括在1500〜1900℃的温度下烧结由烧结材料形成的前体，该前体含有88.7-98.5质量％的AlN，0.01〜0.3质量％的以氧化物计的2A组元素和0.05-5质量％的以氧化物计的3A族元素以形成烧结体，并且在1450-2000℃的温度和9.8MPa或更高的压力下对烧结体进行HIP处理。

7. 发明申请

WO2005020338A1 半導体発光素子搭載部材、それを用いた発光ダイオード構成部材、およびそれを用いた発光ダイオード审中-公开
标题翻译：半导体发光器件安装部件，使用相同的发光二极管构成部件和使用相同的发光二极管
公开(公告)号：WO2005020338A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/JP2004/012133
申请日：2004-08-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 桧垣賢次郎 , 石津定 , 天羽映夫 , 筑木保志
发明人：桧垣賢次郎 , 石津定 , 天羽映夫 , 筑木保志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2224/0401
摘要：半導体発光素子搭載部材ＢＬは、主面１０に接続用の電極層４１、４２を設けて素子搭載領域１０ａを形成した高放熱部材１の主面１０上に、素子搭載領域１０ａを囲んで凸条２を設けると共に、当該素子搭載領域１０ａの面積を、半導体発光素子ＬＥ１の面積の１．０５～４倍とした。発光ダイオード構成部材ＬＥ２は、半導体発光素子搭載部材ＢＬの素子搭載領域１０ａに半導体発光素子ＬＥ１を搭載し、凸条２内の空間に蛍光体および／または保護樹脂ＬＲを充てんした。発光ダイオードＬＥ３は、発光ダイオード構成部材ＬＥ２を、パッケージ７に搭載した。
摘要翻译：公开了一种半导体发光器件安装构件（BL），其中用于连接的电极层（41,42）形成在高散热构件（1）的主表面（10）上，从而形成器件安装区域 10a），并且脊（2）形成为围绕装置安装区域（10a）。器件安装区域（10a）的面积是半导体发光器件（LE1）的面积的1.05-4倍。通过将半导体发光装置（LE1）安装在半导体发光装置安装构件（BL）的装置安装区域（10a）上并填充内部的空间来形成发光二极管构成构件（LE2）（2）与磷光体和/或保护树脂（LR）。通过将发光二极管构成部件（LE2）安装在封装（7）中而获得发光二极管（LE3）。

8. 发明申请

WO2005053040A1 半導体発光素子搭載部材とそれを用いた発光ダイオード审中-公开
标题翻译：半导体发光器件安装部件和使用相同的发光二极管
公开(公告)号：WO2005053040A1
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：PCT/JP2004/016081
申请日：2004-10-22
申请人：住友電気工業株式会社 , 石津定 , 桧垣賢次郎 , 天羽映夫 , 筑木保志 , 阪本義人 , 早味宏
发明人：石津定 , 桧垣賢次郎 , 天羽映夫 , 筑木保志 , 阪本義人 , 早味宏
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/64 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：　半導体発光素子搭載部材ＢＬは、第１の高放熱部材１１を含む基体１と、窓枠に相当する耐熱樹脂部材２とを、接合層ＡＬ２を介して接合、一体化した。発光ダイオードＬＥ２は、上記半導体発光素子搭載部材ＢＬの、第１の高放熱部材１１上に半導体発光素子ＬＥ１を搭載し、かつ蛍光体および／または保護樹脂ＦＲによって封止するとともに、半導体発光素子ＬＥ１からの光の取り出し方向にレンズＬＳを配設した。
摘要翻译：公开了一种通过接合层（AL2）将基体（1）与耐热树脂部件（2）接合并整合形成的半导体发光器件安装部件（BL）。基座（1）具有第一高散热构件（11），耐热树脂构件（2）用作窗框。还公开了一种发光二极管（LE2），其中半导体发光器件（LE1）安装在半导体发光器件安装构件（BL）的第一高散热构件（11）上并用磷光体和/或保护树脂（FR），并且透镜（LS）布置在从其中取出来自半导体发光器件（LE1）的光的一侧。

9. 发明申请

WO2005101533A1 半導体発光素子搭載部材と、それを用いた半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光元件安装构件和半导体发光器件使用
公开(公告)号：WO2005101533A1
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/JP2005/002758
申请日：2005-02-22
申请人：住友電気工業株式会社 , 天羽映夫 , 石津定 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志 , 福田洋
发明人：天羽映夫 , 石津定 , 桧垣賢次郎 , 筑木保志 , 福田洋
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/60 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要：　電極層および／または反射層として機能する金属膜における、光の実効的な反射率を、これまでよりも向上した半導体発光素子搭載部材と、上記金属膜の、基材への密着力、機械的な強度、ならびに信頼性をこれまでよりも向上した半導体発光素子搭載部材と、そして上記の半導体発光素子搭載部材を用いた、発光特性などにすぐれた半導体発光装置とを提供する。　半導体発光素子搭載部材（サブマウント１）は、基材１０上に、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの金属を含む合金からなり、その結晶粒の粒径を０．５μｍ以下で、かつ表面の中心線平均粗さＲａを０．１μｍ以下とした金属膜１１、１２を形成した。半導体発光装置ＬＥ２は、上記サブマウント１上に、半導体発光素子ＬＥ１を搭載した。
摘要翻译：一种半导体发光元件安装构件，其中在用作电极层和/或反射层的金属膜中光的有效反射率比以往任何时候都提高;半导体发光元件安装构件，其中对基板的粘合力，机械强度和金属膜的可靠性比以往任何时候都提高，采用半导体发光元件安装部件并具有优异的发射特性的半导体发光器件。半导体发光元件安装构件（基座（1））包括形成在基板（10）上的Ag，Al或其合金的金属膜（11,12），其粒径为0.5μm以下，中心线平均粗糙度Ra为0.1μm以下。半导体发光器件（LE2）包括安装在基座（1）上的半导体发光元件（LE1）。

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