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71. 发明申请

WO2009037555A2 HIGH POWER SEMICONDUCTOR LASER DIODES 审中-公开
标题翻译：高功率半导体激光二极管
公开(公告)号：WO2009037555A2
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/IB2008002442
申请日：2008-09-18
申请人： BOOKHAM TECHNOLOGY PLC , KREJCI MARTIN , LICHTENSTEIN NORBERT , WEISS STEFAN , TROGER HANS JOERG
发明人： KREJCI MARTIN , LICHTENSTEIN NORBERT , WEISS STEFAN , TROGER HANS JOERG
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0021 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/02492
摘要： A high power laser source comprises a bar of laser diodes, a submount onto which said laser bar is affixed, and a cooler onto which said submount is affixed. The laser bar has a first coefficient of thermal expansion (CTEbar), the submount has a second coefficient of thermal expansion (CTEsub), and the cooler has a third coefficient of thermal expansion (CTEcool), the third coefficient (CTEcool) being higher than both said first coefficient (CTEbar) and said second coefficient (CTEsub). According to the invention, the second coefficient (CTEsub) is selected lower than both the first coefficient (CTEbar) and the third coefficient (CTEcool), contrary to the usual approach with the CTEsub matching the CTEbar. A preferred range is CTEsub= k * CTEbar, with 0.4
摘要翻译：高功率激光源包括一束激光二极管，所述激光棒固定在其上的基座和将所述基座固定在其上的冷却器。激光棒具有第一热膨胀系数（CTEbar），基座具有第二热膨胀系数（CTEsub），并且冷却器具有第三热膨胀系数（CTEcool），第三系数（CTEcool）高于所述第一系数（CTEbar）和所述第二系数（CTEsub）两者。根据本发明，第二系数（CTEsub）被选择为低于第一系数（CTEbar）和第三系数（CTEcool），这与CTEub与CTEbar匹配的通常方法相反。优选的范围是CTEsub = k * CTEbar，其中0.4

72. 发明申请

WO2008142755A1 光半導体装置审中-公开
标题翻译：光学半导体器件
公开(公告)号：WO2008142755A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2007/060224
申请日：2007-05-18
申请人：三菱電機株式会社 , 島田尚往 , 小野健一 , 花巻吉彦
发明人：島田尚往 , 小野健一 , 花巻吉彦
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/022
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0014 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/3201 , H01S2304/02
摘要：　本発明に係る光半導体装置は、歪量子井戸構造の活性層を含む半導体層を半導体基板上にエピタキシャル成長した半導体発光素子と、半導体発光素子が搭載されたサブマウントとを備える。半導体発光素子をサブマントに搭載した後に活性層が有する歪量は、エピタキシャル成長時に活性層が有する歪量よりも大きい。エピタキシャル成長時に活性層が有する歪量は、半導体層の表面が鏡面になる値である。半導体発光素子をサブマントに搭載した後に活性層が有する歪量は、エピタキシャル成長時にその歪量を得ようとすると半導体層の表面が鏡面にならない値である。
摘要翻译：光学半导体器件包括半导体发光元件，其中包括应变量子阱结构的有源层的半导体层在半导体衬底上外延生长，并且其上安装有半导体发光元件的子座。在将半导体发光元件安装在子座上之后，有源层具有的应变量大于在外延生长时有源层具有的应变量。活性层在外延生长时具有的应变量是当半导体层的顶表面成为镜面时发现的值。在将半导体发光元件安装在副底座上之后，活性层的应变量是当半导体层的顶表面不会变成镜面时发现的值，如果试图在外延生长的时间。

73. 发明申请

WO2008119309A2 WÄRMESENKE SOWIE BAU- ODER MODULEINHEIT MIT EINER WÄRMESENKE 审中-公开
标题翻译：散热器和建或模块单元的带散热器
公开(公告)号：WO2008119309A2
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/DE2007/002186
申请日：2007-12-04
申请人： ELECTROVAC AG , HAMMEL, Ernst , SCHULZ-HARDER, Jürgen
发明人： HAMMEL, Ernst , SCHULZ-HARDER, Jürgen
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01S5/02476 , H01L23/3735 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01S5/02272 , H01S5/02423 , H01S5/02469 , H01S5/4025 , H05K7/20481 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： Wärmesenke zum Kühlen von Bauteilen, Baugruppen, Modulen oder dergleichen Komponenten, insbesondere zum Kühlen von elektrischen oder elektronischen Komponenten, mit zumindest einem Kühlkörper, der wenigstens eine Kühlfläche zum Ankoppeln der zu kühlenden Komponente bildet und an dieser Kühlfläche aus einem metallischen Werkstoff besteht.
摘要翻译：散热器，用于冷却部件，组件，模块等的部件，特别是用于冷却电气或电子元件，与至少一个冷却体为耦合部件形成至少一个冷却待冷却表面，并且在金属材料的该冷却表面上。

74. 发明申请

WO2008114160A1 VERTICAL EXTENDED CAVITY SURFACE EMISSION LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING COMPONENT OF THE SAME 审中-公开
标题翻译：垂直延伸的表面辐射激光器及其发光元件的制造方法
公开(公告)号：WO2008114160A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/IB2008/050859
申请日：2008-03-10
申请人： PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , MOENCH, Holger , VALSTER, Adriaan , GRABHERR, Martin
发明人： MOENCH, Holger , VALSTER, Adriaan , GRABHERR, Martin
IPC分类号： H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/02 , H01S3/109 , H01S5/042
CPC分类号： H01S5/18305 , H01S3/109 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/02272 , H01S5/024 , H01S5/0425 , H01S5/14
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing the light emitting component of a VECSEL and the corresponding VECSEL. In the method a layer stack (2) is epitaxially grown on a semiconductor substrate (1). The layer stack comprises an active region (4), an upper distributed Bragg reflector (5) and a n-or p- doped current injection layer (13) arranged between the active region (4) and the semiconductor substrate (1). A mechanical support (6) or submount is bonded to an upper side of the layer stack (2) and the semiconductor substrate (1) is subsequently removed. A metallization layer (7) is optionally deposited on the lower side of the layer stack (2) and an optically transparent substrate (8) is bonded to this lower side. The proposed method allows the manufacturing of such a component in a standard manner and results in a VECSEL with a homogenous current injection and high efficiency of heat dissipation.
摘要翻译：本发明涉及一种制造VECSEL发光元件的方法及相应的VECSEL。在该方法中，在半导体衬底（1）上外延生长层堆叠（2）。层叠包括有源区（4），上分布布拉格反射器（5）和布置在有源区（4）和半导体衬底（1）之间的n或p-掺杂电流注入层（13）。机械支撑件（6）或基座被接合到层堆叠（2）的上侧，并且随后去除半导体衬底（1）。金属化层（7）任选地沉积在层叠体（2）的下侧，并且光学透明基板（8）结合到该下层。所提出的方法允许以标准方式制造这种部件，并且产生具有均匀电流注入和高效散热的VECSEL。

75. 发明申请

WO2008021982A2 SURFACE MOUNTABLE CHIP 审中-公开
标题翻译：表面安装芯片
公开(公告)号：WO2008021982A2
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/US2007/075625
申请日：2007-08-09
申请人： BRIDGELUX, INC.
发明人： SHUM, Frank, T.
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2933/0066 , H01S5/02272 , H01S5/423 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： A surface mountable device[40] having a circuit device[58] and a base section[59]. The circuit device[58] includes top and bottom layers having a top contact and a bottom contact, respectively. The base section[59] includes a substrate[48] having a top base surface and a bottom base surface. The top base surface includes a top electrode bonded[53] to the bottom contact[44], and the bottom base surface includes first and second bottom electrodes[51, 52] that are electrically isolated from one another. The top electrode is connected to the first bottom electrode, and the second bottom electrode is connected to the top contact by a vertical conductor [45]. An insulating layer[57] is bonded to a surface of the circuit device and covers a portion of a vertical surface of the bottom layer. The vertical conductor includes a layer of metal bonded to the insulating layer.
摘要翻译：具有电路装置[58]和基座部分[59]的可表面安装的装置[40]。电路装置[58]包括分别具有顶部触点和底部触点的顶层和底层。底部部分[59]包括具有顶部基面和底部底面的基底[48]。顶部基面包括与底部触点[44]接合的顶部电极，并且底部底表面包括彼此电隔离的第一和第二底部电极[51,52]。顶部电极连接到第一底部电极，第二底部电极通过垂直导体连接到顶部触点[45]。绝缘层[57]结合到电路器件的表面并且覆盖底层的垂直表面的一部分。垂直导体包括结合到绝缘层的金属层。

76. 发明申请

WO2006129211A3 BROADBAND LASER LAMP WITH REDUCED SPECKLE 审中-公开
标题翻译：带减少规格的宽带激光灯
公开(公告)号：WO2006129211A3
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/IB2006051531
申请日：2006-05-16
申请人： PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY , KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV , HEUSLER GERO , MOENCH HOLGER , VAN DEN BRANDT AD , DE VAAN ADRIANUS JOHANNES STEP
发明人： HEUSLER GERO , MOENCH HOLGER , VAN DEN BRANDT AD , DE VAAN ADRIANUS JOHANNES STEP
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S3/0632 , H01S3/08022 , H01S3/08059 , H01S3/09415 , H01S3/1608 , H01S3/173 , H01S3/2383 , H01S3/2391 , H01S5/005 , H01S5/02272 , H01S5/0652
摘要： The present invention is directed to a laser resonator emitting visible ra diation with reduced speckle noise, wherein said optical resonator is formed by at least two mirrors (16a, 16b) at both ends of a visible radiation emitting lasing material, wherein that optical resonator enhances multimode operation, so that said visible radiation emitting lasing material emits a spectrally broadened visible radiation, wherein the enveloping function of said spectrally broadened visible radiation has a full width at half maximum (FWHW) within 1 nm to 15 nm.
摘要翻译：本发明涉及发射具有减少的散斑噪声的可见辐射的激光谐振器，其中所述光学谐振器由可见光发射激光材料的两端的至少两个反射镜（16a，16b）形成，其中所述光学谐振器增强使得所述可见光发射激光材料发射光谱扩展的可见光辐射，其中所述光谱扩展的可见光辐射的包络功能在1nm至15nm内具有半高的全宽（FWHW）。

77. 发明申请

WO2007050575A2 EDGE EMITTING LASER DIODE ASSEMBLY HAVING ADJUSTABLE MOUNTING OF DIODES 审中-公开
标题翻译：边缘发射激光二极管组件具有可调节的二极管安装
公开(公告)号：WO2007050575A2
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/US2006/041423
申请日：2006-10-24
申请人： OMRON NETWORK PRODUCTS, LLC
发明人： RAY, Curtis, A. , GRANN, Eric, B.
IPC分类号： H01S3/08
CPC分类号： G02B6/4221 , G02B6/4249 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/4031
摘要： A novel edge emitting laser diode assembly with adjustable mounting of the diodes is described. A laser diode submount carrier is adjustably mounted onto a base assembly in such a manner as to compensate for variations in thickness of each of the edge emitting laser diodes. The laser array assembly is usable for applications in either parallel optical modules or wavelength-division multiplexing modules.
摘要翻译：描述了具有可调安装二极管的新型边缘发射激光二极管组件。激光二极管底座载体可以以这样的方式可调节地安装到基座组件上，以补偿每个边缘发射激光二极管的厚度变化。激光阵列组件可用于并行光模块或波分复用模块中的应用。

78. 发明申请

WO2006122691A3 LASER DEVICE FORMED BY A STACK OF LASER DIODES 审中-公开
标题翻译：由激光二极管堆叠形成的激光器件
公开(公告)号：WO2006122691A3
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/EP2006004389
申请日：2006-05-10
申请人： LASAG AG , MONTI DI SOPRA FABRICE , FREI BRUNO
发明人： MONTI DI SOPRA FABRICE , FREI BRUNO
IPC分类号： H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4025 , H01S5/02264 , H01S5/02272 , H01S5/02423 , H01S5/4018 , H01S5/4031
摘要： The laser device (22) is formed by a stack of laser diodes (4) placed on wafers (6) made of an electrically conductive material and having a good heat conductivity. In order to obtain a good efficiency in the evacuation of heat toward the cooling body (10) and to avoid the problems associated with an electrical short circuit, each wafer has, on its lower end (24), an electrically non-conductive layer placed on its surface before fastening to the cooling body by a fastening material (26) that preferably conducts heat well, formed, in particular, by a solder layer. According to the invention, the non-conductive layer has a width that is sufficient for enabling the fastening material to partially cover the lateral sides of the non-conductive layers, and the fastening material extends between the wafers, i.e. so that it forms a continuous layer on the cooling body.
摘要翻译：激光装置（22）由放置在由导电材料制成并且具有良好导热性的晶片（6）上的一叠激光二极管（4）形成。为了在朝向冷却体（10）排出热量方面获得良好的效率，并且为了避免与电气短路相关的问题，每个晶片在其下端（24）上具有放置在非导电层通过紧固材料（26）紧固到冷却体之前，其表面优选地导热，特别是由焊料层形成。根据本发明，非导电层的宽度足以使紧固材料部分地覆盖非导电层的侧面，并且紧固材料在晶片之间延伸，即使其形成连续的层在冷却体上。

79. 发明申请

WO2007032182A1 光送信モジュールおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：光传输模块及其制造方法
公开(公告)号：WO2007032182A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/316329
申请日：2006-08-21
申请人：日本電気株式会社 , 金元慎典 , 金子太郎
发明人：金元慎典 , 金子太郎
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H04B10/40 , G02B6/4201 , G02B6/4204 , G02B6/424 , G02B6/4244 , G02B6/4245 , G02B6/4257 , G02B6/4271 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/50
摘要：【課題】　複数の光半導体素子を一つのパッケージに光軸を高精度に一致させて収容する。【解決手段】　光送信ユニット、ベースとなるキャリアと、キャリア上に第１サブキャリアを介して取り付けられた半導体光増幅素子と、キャリア上に第１、第２レンズホルダーを介して固定された第１、第２レンズと、キャリア上に固定された素子支持部材および光アイソレータと、素子支持部材に支持された第３レンズホルダーと、第３レンズホルダーにそれぞれ固定された、第３レンズおよび小キャリアと、小キャリア上に第２サブキャリアを介して取り付けられた半導体レーザ素子と、により構成されている。
摘要翻译： [问题]为了在一个封装中容纳多个光学半导体元件，其光轴被高精度对准。解决问题的手段光传输模块包括光传输单元，成为基底的载体，通过第一副载体安装在载体上的半导体光放大元件，通过第一个固定在载体上的第一和第二透镜和第二透镜保持器，固定在载体上的元件支撑构件和光隔离器，由元件支撑构件支撑的第三透镜保持器，第三透镜和单独固定在第三透镜保持器中的小载体，以及安装在小载体上通过第二副载波。

80. 发明申请

WO2006115856A2 ELECTRO-OPTIC TRANSDUCER DIE MOUNTED DIRECTLY UPON A TEMPERATURE SENSING DEVICE 审中-公开
标题翻译：电光传感器直接安装在温度传感器上
公开(公告)号：WO2006115856A2
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/US2006/014223
申请日：2006-04-14
申请人： FINISAR CORPORATION , HOSKING, Lucy, G.
发明人： HOSKING, Lucy, G.
IPC分类号： H01S3/04
CPC分类号： H01S5/024 , H01L2224/32145 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0226 , H01S5/02272 , H01S5/02415
摘要： An optical transmitter having an electro-optic transducer mounted directly on a temperature sensor. Due to the close proximity of the electro-optic transducer and the temperature sensor, the temperature sensor more accurately measures the temperature of the electro-optic transducer. This permits for more refined control of the frequency characteristics of optical light emitted by the electro-optic transducer since the emitted optical frequencies of most electro-optic transducers are heavily temperature dependent.
摘要翻译：具有直接安装在温度传感器上的电光换能器的光发射器。由于电光传感器和温度传感器的紧密接近，温度传感器更准确地测量了电光传感器的温度。这允许对电光换能器发射的光的频率特性进行更精细的控制，因为大多数电光换能器的发射光频率在很大程度上依赖于温度。

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