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31. 发明申请

WO2014179461A2 TUNABLE LASER WITH HIGH THERMAL WAVELENGTH TUNING EFFICIENCY 审中-公开
标题翻译：具有高热波长调谐效率的柔性激光器
公开(公告)号：WO2014179461A2
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/US2014/036165
申请日：2014-04-30
申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. , FUTUREWEI TECHNOLOGIES, INC.
发明人： CHEN, Hongmin , YAN, Xuejin , MIAO, Rongshen , SHEN, Xiao , LIU, Zongrong
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/223 , H01S5/06 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/0612 , G02B2006/12176 , H01L21/311 , H01S3/042 , H01S5/02453 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/06256 , H01S5/125 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/2275 , H01S5/5045
摘要： A monolithically integrated thermal tunable laser comprising a layered substrate comprising an upper surface and a lower surface, and a thermal tuning assembly comprising a heating element positioned on the upper surface, a waveguide layer positioned between the upper surface and the lower surface, and a thermal insulation layer positioned between the waveguide layer and the lower surface, wherein the thermal insulation layer is at least partially etched out of an Indium Phosphide (InP) sacrificial layer, and wherein the thermal insulation layer is positioned between Indium Gallium Arsenide (InGaAs) etch stop layers.
摘要翻译：一种单片集成的热可调激光器，包括包括上表面和下表面的分层基板，以及包括位于上表面上的加热元件的热调节组件，位于上表面和下表面之间的波导层，以及热绝缘层位于所述波导层和所述下表面之间，其中所述绝热层至少部分地从磷化铟（InP）牺牲层蚀刻出去，并且其中所述绝热层位于砷化镓（InGaAs）蚀刻停止点之间层。

32. 发明申请

WO2014016024A1 STEGLASER 审中-公开
标题翻译： STEG LASER
公开(公告)号：WO2014016024A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/EP2013/061396
申请日：2013-06-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MÜLLER, Jens , AVRAMESCU, Adrian, Stefan
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/042 , H01S5/20 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要： In mindestens einer Ausführungsform weist der Steglaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) auf. Ein Wellenleiter (3) mit einer bestimmten Breite (B) ist aus der Halbleiterschichtenfolge (2) als Erhebung geformt. Auf einer der aktiven Zone (20) abgewandten Oberseite (30) des Wellenleiters (3) ist eine Kontaktmetallisierung (4) aufgebracht. Eine Bestromungsschicht (5) steht in direktem Kontakt mit der Kontaktmetallisierung (4). Über die Bestromungsschicht (5) ist die Kontaktmetallisierung (4) elektrisch angeschlossen. Eine Bestromungsbreite (C) der aktiven Zone (20) und/oder des Wellenleiters (3) ist kleiner als die Breite (B) des Wellenleiters (3).
摘要翻译：在脊激光器（1）的至少一个实施例具有与活性区（20）的半导体层序列（2）。的波导（3）具有一定的宽度（B）形成为从所述半导体层序列（2）的正视图。在远离波导的上侧（30）的有源区（20）中的一个（3）是一个接触金属化物（4）被施加。甲Bestromungsschicht（5）与所述接触金属化（4）直接接触。在Bestromungsschicht（5）的接触金属化物（4）电连接。有源区（20）和/或所述波导（3）的甲Bestromungsbreite（C）比波导的宽度（B）的情况下（3）。

33. 发明申请

WO2012048962A3 EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：边缘发射半导体激光二极管和方法及其
公开(公告)号：WO2012048962A3
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/EP2011065477
申请日：2011-09-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL ALFRED , NELZ CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN , HARTAUER STEFAN
发明人： LELL ALFRED , NELZ CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN , HARTAUER STEFAN
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
摘要： The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser diode (1) comprising an epitactic semiconductor layer stack (2) and a planarization layer (3). The semiconductor layer stack (2) comprises a main body (2a) and a ridge waveguide (2b), wherein the main body (2a) comprises an active layer (2c) for generating electromagnetic radiation. The planarization layer (3) embeds the ridge waveguide (2b) such that a surface (21) of the ridge waveguide (2b) and a surface (22) of the planarization layer (3) form a flat main surface (4). The invention further relates to a method for producing such a semiconductor laser diode (1).
摘要翻译：（2）和平坦化层（3），提供了包含一个半导体外延层堆叠的边缘发射半导体激光二极管（1）。半导体层堆叠（2）具有基体（2a）和一个脊形波导（2b）中，其特征在于，具有用于产生电磁辐射的有源层（2c）的所述基体（2a）中。所述平坦化层（3）嵌入的脊形波导（2b）的一个，使得脊形波导（2b）和所述平坦化层（3）的表面（22）的表面（21）具有平坦的主表面（4）的形式。此外，提供了用于制造这样的半导体激光二极管（1）的方法。

34. 发明申请

WO2010142988A1 SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：半导体光源及其制造方法
公开(公告)号：WO2010142988A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/GB2010/050967
申请日：2010-06-09
申请人： THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD , GROOM, Kristian , HOGG, Richard
发明人： GROOM, Kristian , HOGG, Richard
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/50 , H01S5/16 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/1014 , H01S5/168 , H01S5/205 , H01S5/2202 , H01S5/2209 , H01S5/2231
摘要： Embodiments of the present invention provided a method of fabricating a semiconductor light source structure. The method comprises providing a GaAs substrate; forming a lower cladding layer above the substrate, the lower cladding layer comprising an AI x Ga 1-x As alloy; forming an active region above the lower cladding layer, the active region comprising a GaAs separate confinement heterostructure; and forming an upper cladding layer comprising an AI x Ga 1-X As alloy above the active region in the form of an elongate stripe bounded on either side by an InGaP current-blocking layer, the elongate stripe defining an index-guided optical waveguide. The stripe is formed such that at least one free end of the stripe is spaced apart from an edge of the substrate in a direction parallel to a longitudinal axis of the stripe such that a portion of the lower cladding layer, active region, current blocking layer and upper cladding layer extend beyond the at least one free end of the stripe thereby to provide an unpumped and laterally unguided window region.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种制造半导体光源结构的方法。该方法包括提供GaAs衬底; 在所述衬底上形成下包层，所述下包层包含Al x Ga 1-x As合金; 在所述下包层上形成有源区，所述有源区包括GaAs分离的限制异质结构; 并且在InGaP电流阻挡层上形成由两边限定的细长条形式的有源区上方的包含Al x Ga 1-x As合金的上覆层，所述细长条限定折射率导引光波导。条纹形成为使得条带的至少一个自由端在平行于条纹的纵向轴线的方向上与衬底的边缘间隔开，使得下包层的一部分，有源区，电流阻挡层并且上包层延伸超过条带的至少一个自由端，从而提供未抽空和横向未导向的窗口区域。

35. 发明申请

WO2008010374A1 半導体レーザ装置审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2008010374A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/JP2007/062274
申请日：2007-06-19
申请人：松下電器産業株式会社 , 佐藤智也 , 高山徹 , 早川功一 , 木戸口勲
发明人：佐藤智也 , 高山徹 , 早川功一 , 木戸口勲
IPC分类号： H01S5/223
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/221 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
摘要：　リッジストライプ構造を有する半導体レーザ装置１００であって、凸部を有するｎ型クラッド層１０５と、凸部の上面を除く前記クラッド層を覆うｎ型電流ブロック層１０７とを有し、前記上面の幅をＷ、前後両へき開面間の距離をＬ、前方のへき開面における前記上面の幅をＷｆ、後方のへき開面における前記上面の幅をＷrとするとき、Ｗf>Ｗrであって、前方のへき開面からの距離がＬ／２までの範囲において、前記上面の占める面積Ｓcが、Ｌ／８×（３Ｗｆ＋Ｗｒ）＜Ｓc≦Ｌ／２×Ｗｆ、前記範囲内の任意の位置において、Ｗが１／２（Ｗf＋Ｗr）＜Ｗ≦Ｗfの範囲にある。
摘要翻译：具有脊条结构的半导体激光器件（100）包括具有突起的n型覆盖层（105）和覆盖该突起的上表面以外的覆盖层的n型电流阻挡层（107）。假设上表面的宽度为W，前后解理面间的距离为L，前解理面的上表面的宽度为Wf，后解理面的上表面的宽度为Wr，满足以下关系： WF> Wr的。在与前解理面的距离L / 2的范围内，由上表面占据的面积Sc落在以下范围内; L / 8×（3WF + WR）

36. 发明申请

WO2005124876A3 BROADBAND LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：宽带灯发光装置
公开(公告)号：WO2005124876A3
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/CH2005000323
申请日：2005-06-10
申请人： EXALOS AG , LI LIANHE , FIORE ANDREA , OCCHI LORENZO , VELEZ CHRISTIAN
发明人： LI LIANHE , FIORE ANDREA , OCCHI LORENZO , VELEZ CHRISTIAN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01S5/14 , H01S5/223 , H01S5/34 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/0045 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01S5/14 , H01S5/2231 , H01S5/3412 , H01S5/34313 , H01S5/34353
摘要： The invention concerns a superluminescent light emitting diode (SLED) comprising a semiconductor heterostructure forming a PN junction and a waveguide. The semiconductor heterostructure includes a gain region (4) with a contact means (7, 8) for biasing the PN junction so as to produce light emission including stimulated emission from an active zone of the gain region (4), and in the active zone a plurality of quantum dot layers (11.1, 11.2), each quantum dot layer (11) made up of a plurality of quantum dots and a plurality of adjoining layers (13.1, 13.2), each adjoining layer (13) adjacent to one of said quantum dot layers (11). The material composition or a deposition parameter of at least two adjoining layers (13) is different. This ensures an enhanced emission spectral width.
摘要翻译：本发明涉及包含形成PN结和波导的半导体异质结构的超发光发光二极管（SLED）。半导体异质结构包括具有用于偏置PN结的接触装置（7,8）的增益区域（4），以产生包括来自增益区域（4）的有源区域的受激发射的光发射，以及在激活区域多个量子点层（11.1,11.2），由多个量子点和多个相邻层（13.1,13.2）构成的每个量子点层（11），每个邻接层（13）邻近所述量子点层（11）。至少两个相邻层（13）的材料组成或沉积参数是不同的。这确保了增强的发射光谱宽度。

37. 发明申请

WO2004064207A3 QUANTUM DOT DEVICES HAVING PROXIMITY-PLACED ACCEPTOR IMPURITIES 审中-公开
标题翻译：具有接近接受限制的量子设备
公开(公告)号：WO2004064207A3
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：PCT/US2004000178
申请日：2004-01-06
申请人： UNIV TEXAS , DEPPE DENNIS G , SHCHEKIN OLEG B
发明人： DEPPE DENNIS G , SHCHEKIN OLEG B
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01S20060101 , H01S1/00 , H01S5/00 , H01S5/10 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/30 , H01S5/34 , H04B10/12
CPC分类号： B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L29/127 , H01S5/06226 , H01S5/1039 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/341 , H01S5/3412
摘要： Solid state optoelectronic and electronic devices that use semiconductor quantum dots for manipulation of photonic or electronic properties include a semiconductor active region (215) forming a quantum dot heterostructure (fig. 2b) having a plurality of quantum dot layers (240) each having discrete quantum hole states and a p-type impurity layer (245) formed proximate to at least one of the quantum dot layers (240) to provide excess equilibrium hole charge to occupy at least some of the discrete quantum hole states to improve To and other performance characteristics of quantum dot devices.
摘要翻译：使用半导体量子点来处理光子或电子特性的固态光电子和电子器件包括形成量子点异质结构的半导体有源区（215），其具有多个量子点层（240），每个量子点层具有离散的量子空穴状态和靠近至少一个量子点层（240）形成的p型杂质层（245），以提供过量的平衡空穴电荷以占据至少一些离散的量子阱状态以改善To和其他性能特征的量子点设备。

38. 发明申请

WO2004059809A3 METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SELF ALIGNED SEMICONDUCTOR MESAS AND CONTACT LAYERS AND RELATED DEVICES 审中-公开
标题翻译：形成具有自对准半导体器件和接触层及相关器件的半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004059809A3
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：PCT/US0340377
申请日：2003-12-18
申请人： CREE INC , HABERERN KEVIN W , BERGMANN MICHAEL J , ROSADO RAYMOND , EMERSON DAVID T
发明人： HABERERN KEVIN W , BERGMANN MICHAEL J , ROSADO RAYMOND , EMERSON DAVID T
IPC分类号： C30B1/00 , H01L21/00 , H01L33/14 , H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/227 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/145 , H01S5/021 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2206 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/2275 , H01S5/32341 , H01S2301/176
摘要： Methods of forming a semiconductor device can include forming a semiconductor structure on a substrate, the semiconductor structure having mesa sidewalls and a mesa surface opposite the substrate. A contact layer can be formed on the mesa surface wherein the contact layer has sidewalls and a contact surface opposite the mesa surface and wherein the contact layer extends across substantially an entirety of the mesa surface. A passivation layer can be formed on the mesa sidewalls and on portions of the contact layer sidewalls adjacent the mesa surface, and the passivation layer can expose substantially an entirety of the contact surface of the contact layer.
摘要翻译：形成半导体器件的方法可以包括在衬底上形成半导体结构，半导体结构具有台面侧壁和与衬底相对的台面。接触层可以形成在台面表面上，其中接触层具有侧壁和与台面表面相对的接触表面，并且其中接触层在基本上整个台面表面上延伸。可以在台面侧壁和邻近台面表面的接触层侧壁的部分上形成钝化层，并且钝化层可以暴露接触层的基本上整个接触表面。

39. 发明申请

WO03003532B1 SEPARATE LATERAL CONFINEMENT QUANTUM WELL LASER 审中-公开
标题翻译：独立的边界限定量子激光器
公开(公告)号：WO03003532B1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/US0219844
申请日：2002-06-24
申请人： UNIV ILLINOIS
发明人： COLEMAN JAMES J , SWINT REUEL B , ZEDIKER MARK S
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/34 , H01S5/00 , H01L33/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/34
摘要： A semiconductor quantum well laser having separate lateral confinement of injected carriers and the optical mode. A ridge waveguide 24 is used to confine the optical mode. A buried heterostructure 16/22, 18/22 confines injected carriers. A preferred embodiment laser of the invention is a layered semiconductor structure including optical confinement layers. A buried heterojunction quantum well 22 within the optical confinement layers 16, 18 is dimensioned and arranged to confine injected carriers during laser operation. A ridge waveguide 24 outside the optical confinement layers is dimensioned and arranged with respect to the buried heterojunction to confine an optical mode during laser operation. An index step created by the buried heterojunction is substantially removed from the optical mode.
摘要翻译：一种半导体量子阱激光器，其具有注入载流子的分离的侧向约束和光学模式。脊状波导24用于限制光学模式。埋地异质结构16/22,18/22限制注入载体。本发明的优选实施例激光器是包括光限制层的分层半导体结构。在光限制层16,18内的掩埋异质结量子阱22的尺寸设置和布置成在激光操作期间限制注入的载流子。在光学限制层外部的脊形波导24相对于掩埋异质结被设计和布置，以在激光操作期间限制光学模式。由掩模异质结产生的折射率步骤基本上从光学模式中去除。

40. 发明申请

WO02052312A1 OPTICALLY ACTIVE WAVEGUIDE DEVICE COMPRISING A CHANNEL ON AN OPTICAL SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在光学基板上包含通道的光学有源波长装置
公开(公告)号：WO02052312A1
公开(公告)日：2002-07-04
申请号：PCT/FR2001/004204
申请日：2001-12-21
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/134 , G02B6/30 , G02F1/01 , H01S5/20 , H01S5/223 , H01S5/50 , G02F1/313 , H01S3/063
CPC分类号： G02F1/011 , G02B6/122 , G02B6/1347 , G02B6/30 , G02B2006/1208 , G02B2006/121 , G02B2006/12142 , G02F1/0147 , G02F2001/0113 , H01S5/204 , H01S5/223 , H01S5/50
摘要： The invention concerns an optically active device comprising an optical waveguide core on an optical substrate (11, 15, 20) and a control element (32-33, 37, 40). The core comprises a channel (12, 17, 25, 35-36, 38-39) and at least an active layer (13, 18, 22) arranged on said channel, the refractive index of the channel and that of the active layer being higher than that of the substrate. The optical substrate (11, 15, 20) has a mobile ion concentration less than 0.01 %. Advantageously, the device further comprises a covering layer (14, 19, 23) arranged on the active layer (13, 18, 22), the index of said covering layer being less than that of the active layer and of the channel. The invention also concerns a method for making said device.
摘要翻译：本发明涉及一种光学器件，其包括在光学衬底（11,15,20）和控制元件（32-33,37,40）上的光波导芯。芯包括通道（12,17,25,35-36,38-39）和布置在所述通道上的至少一个有源层（13,18,22），通道的折射率和有源层的折射率高于基材。光学基板（11,15,20）的移动离子浓度小于0.01％。有利地，该装置还包括布置在有源层（13,18,22）上的覆盖层（14,19,23），所述覆盖层的索引小于有源层和沟道的索引。本发明还涉及制造所述装置的方法。

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