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1. 发明申请

WO2013069483A1 集積型半導体レーザ素子审中-公开
标题翻译：集成电路型半导体激光元件
公开(公告)号：WO2013069483A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/JP2012/077777
申请日：2012-10-26
申请人：古河電気工業株式会社 , 木本竜也 , 小林剛 , 向原智一
发明人：木本　竜也 , 小林　剛 , 向原　智一
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/227 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/4087 , B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S5/2222 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/50
摘要：　互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をＮ、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬdfb、Δν０とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬsoa、Ａ、Δνとし、Δν／Δν０をＲとすると、所定の関係式が成り立つ。
摘要翻译：集成电路型半导体激光元件以集成形式组合：半导体激光器以单一模式以相互不同的振荡波长振荡; 多个分布式反馈光耦合装置，分别输入从所述多个半导体激光器输出并且具有与这些半导体激光器相同数量的输入端口并且能够合并和输出其输出光束的光束; 以及放大来自所述光耦合器件的输出光的半导体光放大器。如果这些半导体激光器的数量为N，则半导体激光器的振荡器长度和输出的激光束的谱线宽度分别为Ldfb，Deltanu0，半导体放大器的放大器长度和放大率以及光谱线宽度放大输出激光束分别为Lsoa，A，Deltanu，Deltanu / Deltanu0为R，它们之间存在规定的关系。

2. 发明申请

WO2013066318A1 DIRECT MODULATED LASER 审中-公开
标题翻译：直接调制激光
公开(公告)号：WO2013066318A1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/US2011/058756
申请日：2011-11-01
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. , LIANG, Di
发明人： LIANG, Di
IPC分类号： H01S5/062 , H01S5/10
CPC分类号： H01S3/136 , H01S3/10 , H01S5/021 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/0265 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/0427 , H01S5/06203 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/0624 , H01S5/1032 , H01S5/1071 , H01S5/222 , H01S5/2222 , H01S2301/176
摘要： A laser system can include an electrode to transmit electrical carriers into an active region in response to first electrical stimulation. The laser system can also include another electrode to transmit electrical carriers into the active region in response to second electrical stimulation. The electrical carriers can be combined in the active region to emit photons to generate an optical signal. The system can further include yet another electrode responsive to electrical stimulation to affect a concentration of electrical carriers in a device layer to change a capacitance of an internal capacitance region associated with at least one of first and second waveguide regions and the device layer. The third electrical stimulation can be modulated to modulate the optical signal based on the change to the capacitance of the internal capacitance region.
摘要翻译：激光系统可以包括电极以响应于第一电刺激将电载体传输到有源区域。激光系统还可以包括另一电极，以响应于第二电刺激将电载体传输到有源区域。电载体可以在有源区域中组合以发射光子以产生光信号。该系统还可包括响应于电刺激的另一电极，以影响器件层中的电载体的浓度，以改变与第一和第二波导区域和器件层中的至少一个相关联的内部电容区域的电容。可以根据对内部电容区域的电容的变化来调制第三电刺激以调制光信号。

3. 发明申请

WO2008146651A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2008146651A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/059195
申请日：2008-05-20
申请人：ソニー株式会社 , 岡野展賢 , 狩野祥男 , 鎌田満 , 高瀬英治 , 大金誠 , 長竹剛 , 成井啓修
发明人：岡野展賢 , 狩野祥男 , 鎌田満 , 高瀬英治 , 大金誠 , 長竹剛 , 成井啓修
IPC分类号： H01S5/223 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2222
摘要：　（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層（以下、層と略称する）（２１）、活性層（２３）、及び、第２導電型を有する第２層（２２）から構成された発光部（２０）、並びに、（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた、第１導電型を有する第３層（４３）、及び、第２導電型を有する第４層（４４）から構成された電流ブロック層（４０）を備え、第１層（２１）を第１導電型とするための不純物は、第１層（２１）における不純物の置換サイトが、第２層（２２）を第２導電型とするための第２層（２２）における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、第３層（４３）を第１導電型とするための不純物は、第３層（４３）における不純物の置換サイトが、第４層（４４）を第２導電型とするための第４層（４４）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る、電流ブロック層におけるリーク電流の一層の低減を図ることができる半導体発光素子を提供する。
摘要翻译：公开了一种半导体发光器件，包括：（A）由具有第一导电类型的第一化合物半导体层（21）（以下称为“化合物半导体层”被称为“层”）组成的发光单元（20），具有第二导电类型的有源层（23）和第二层（22），以及（B）形成为与发光单元的侧表面接触并由第三层构成的电流阻挡层（40）（43）和具有第二导电类型的第四层（44）。使第一层（21）具有第一导电类型的杂质由这样的杂质构成，使得第一层（21）中的杂质的取代位置不与第二层（22）中的杂质的取代位置竞争），该杂质使得第二层（22）具有第二导电类型。使第三层（43）具有第一导电类型的杂质由第三层（43）中的杂质的取代位置与第四层（44）中的杂质的取代位置相竞争的杂质构成，哪个杂质使得第四层（44）具有第二导电类型。在这种半导体发光器件中，可以进一步减小电流阻挡层中的漏电流。

4. 发明申请

WO2005074047A1 光半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：光学半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2005074047A1
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：PCT/JP2005/000288
申请日：2005-01-13
申请人：アンリツ株式会社 , 山田敦史 , 長島靖明 , 下瀬佳治 , 菊川知之
发明人：山田敦史 , 長島靖明 , 下瀬佳治 , 菊川知之
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , B82Y20/00 , H01L33/0045 , H01L33/24 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/16 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/305 , H01S5/3213 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/18 , H01S2304/04
摘要：　光半導体素子（１）は、ＩｎＰからなる半導体基板（２）と、前記半導体基板（２）の上方に、該半導体基板（２）の上面２ａ平行に形成される活性層（７）と、前記活性層　（７）の下側に形成されるＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型の第１のクラッド層（６）と、前記活性層（７）の両光出射端面のうち少なくとも一方の光出射端面に、該光出射端面から素子端面（１ａ，１ｂ）の間に形成される窓領域（４ａ，４ｂ）とを有している。前記活性層（７）で生起される光の電界強度分布を前記ｎ型の第１のクラッド層（６）側に偏らせるように、前記ｎ型の第１のクラッド層（６）の屈折率をｎａ、前記ｐ型の第２のクラッド層（８）の屈折率をｎｂとしたとき、前記ｎ型の第１のクラッド層（６）の屈折率ｎａが前記ｐ型の第２のクラッド層（８）の屈折率ｎｂより高いｎａ＞ｎｂなる関係に設定されている。
摘要翻译：光学半导体器件（1）包括InP的半导体衬底（2），形成在半导体衬底（2）上并平行于半导体衬底（2）的顶表面（2a）的有源层（7），n 形成在有源层（7）下面并由InGaAsP制成的窗型区（4a，4b）形成在活性层（7）的两个发光边缘表面中的至少一个上并且在发光边缘表面和器件边缘表面（1a，1b）。为了使有源层（7）中产生的光的电场强度分布向n型第一覆盖层（6）偏置，n型第一覆盖层（6）的折射率na ）和p型第二包覆层（8）的折射率nb是折射率na大于折射率nb，即，na> nb。

5. 发明申请

WO2013115179A1 半導体光素子、集積型半導体光素子および半導体光素子モジュール审中-公开
标题翻译：半导体光学元件，集成半导体光学元件和半导体光学元件模块
公开(公告)号：WO2013115179A1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/JP2013/051892
申请日：2013-01-29
申请人：古河電気工業株式会社 , 清田和明
发明人：清田　和明
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/227 , H01S5/50
CPC分类号： H01S5/1014 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/02284 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/0655 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/12 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/4012
摘要：　半導体基板上に形成された光導波路を備える半導体光素子であって、前記光導波路は、入力された光を単一モードで導波する単一モード導波部と、前記光の導波方向に対して前記単一モード導波部の後段側に配置された曲げ部と、前記導波方向に対して前記曲げ部の後段側に配置され、前記導波方向に向かって導波路幅が広くなるように形成されており、前記光の入射側では前記光を単一モードで導波し、前記光の出射側では前記光を多モードで導波し得る導波路幅を有するフレア部と、を備える半導体光素子。
摘要翻译：该半导体光学元件设置有形成在半导体衬底上的光波导。光波导设置有：单模波导部，用于以单一模式引导输入的光; 相对于光的波导方向位于单模波导部分的后半部分中的弯曲部分; 并且相对于波导方向位于弯曲部分的后半部分中的扩口部分以这样的方式形成，使得波导宽度在波导方向上变宽，在单一模式下将光引导到其上光入射，并且具有使得光能够在光出射的一侧以多种模式被引导的波导宽度。

6. 发明申请

WO2005053126A1 半導体レーザとその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：WO2005053126A1
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：PCT/JP2004/017576
申请日：2004-11-26
申请人：日本電気株式会社 , 小林隆二
发明人：小林隆二
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2222 , H01S5/2272 , H01S2304/04
摘要：選択ＭＯＶＰＥ成長を用いて作製した半導体レーザにおいて、広幅部に成長した再結合層の格子緩和を抑制し、リーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体レーザを実現することを目的とする。選択ＭＯＶＰＥ成長を用いて半導体レーザを作製する際に、酸化シリコンマスク１３の間隙となる狭幅部１４にエピタキシャル成長したＤＨメサストライプ６の平均歪量を格子緩和が起こらない範囲で圧縮歪側にずらすことにより、広幅部１５に成長した再結合層１６の引張歪を低減する。
摘要翻译：通过选择性MOVPE生长制造的半导体激光器，其中抑制了在大宽度部分上生长的复合层的晶格松弛，泄漏电流被抑制，并且可靠性高。当通过选择性MOVPE生长制造半导体层时，在作为氧化硅掩模（13）的间隔的小宽度部分（14）上外延生长DH台面条纹（6）。 DH台面条纹（6）的平均应变向压缩应变侧移动到没有引起晶格弛豫的程度。结果，减轻了在大宽度部分（15）上生长的复合层（16）的拉伸应变。

7. 发明申请

WO2005017568A2 SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCES WITH DOPING GRADIENTS IN OPTICAL CONFINEMENT LAYERS FOR IMPROVED DEVICE EFFICIENCY 审中-公开
标题翻译：具有改善设备效率的光学配准层中的掺杂层的半导体光源
公开(公告)号：WO2005017568A2
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/US2004/013979
申请日：2004-05-05
申请人： WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION , BOTEZ, Dan
发明人： BOTEZ, Dan
IPC分类号： G02B
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/2222 , H01S5/2226
摘要： Semiconductor light emitting sources are formed to have a substrate, an active region layer having one or more quantum wells, optical confinement layers surrounding the active region layer, and a p-type cladding layer and an n-type cladding layer surrounding the confinement layers and the active region layer. At least one of the optical confinement layers has a region of doping therein that is formed to provide a built-in electric field in the confinement layer that is directed to cause drift of carriers toward the active region. The electric field increases the transport speed of the injected holes or electrons, thereby reducing the non-ohmic voltage drop and increasing the overall efficiency of the light emitting source.
摘要翻译：半导体发光源形成为具有基板，具有一个以上的量子阱的有源区域层，围绕该有源区域层的光限制层，以及围绕限制层的p型覆层和n型覆层，活性区域层。光学限制层中的至少一个具有其中的掺杂区域，其被形成为在约束层中提供内部电场，该内部电场被引导以使载流子朝向有源区域漂移。电场增加注入的空穴或电子的传输速度，从而减少非欧姆电压降并提高发光源的整体效率。

8. 发明申请

WO2003055020A1 HYBRID CONFINEMENT LAYERS OF BURIED HETEROSTRUCTURE SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
标题翻译：混合型结构半导体激光器的混合层
公开(公告)号：WO2003055020A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/GB2002/005799
申请日：2002-12-19
申请人： BOOKHAM TECHNOLOGY PLC
发明人： PAKULSKI, Grzegorz , KNIGHT, Gordon , BLAAUW, Cornelius
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2222 , H01S5/2275
摘要： A semiconductor device such as a buried heterostructure semiconductor laser (10) includes a semiconductor substrate (12) supporting an active layer (14) comprising a multiple quantum well active region and confinement layers having defined gratings and grating overgrowth regions to produce a laser device. The device also includes a current confinement layer including a sequence of doped n-p-n-p semiconductor layers to produce a n-p-n-p blocking structure and a semi-insulating semiconductor material deposited over the n-p-n-p blocking structure.
摘要翻译：诸如掩埋异质结构半导体激光器（10）的半导体器件包括支撑包括多量子阱有源区的有源层（14）的半导体衬底（12）和具有限定的光栅和光栅过度生长区域的约束层以产生激光器件。该器件还包括电流限制层，其包括掺杂的n-p-n-p半导体层序列以产生n-p-n-p阻挡结构和沉积在n-p-n-p阻挡结构上的半绝缘半导体材料。

9. 发明申请

WO2003041121A2 A CURRENT BLOCKING STRUCTURE TO IMPROVE SEMICONDUCTOR LASER PERFORMANCE 审中-公开
标题翻译：提高半导体激光器性能的电流阻塞结构
公开(公告)号：WO2003041121A2
公开(公告)日：2003-05-15
申请号：PCT/GB2002/004994
申请日：2002-11-06
申请人： DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD , FINNIE, Peter, John
发明人： LAM, Yee, Loy , CHAN, Yuen, Chuen , ONG, Teik, Kooi
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/06226 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2277
摘要： The layer structure of a DC-PBH laser diode consists of an n-InP substrate (51), an n-InP buffer layer (52), an undoped-InGaAsP active layer (53), a p-Inp cladding layer (54), a p-InP current blocking layer (55), an n-InP current blocking layer (56), a p-InP cladding layer (57), and a p-InGaAsP contact layer (58). An additional layer of Fe-doped InP layer (55a) creates an acceptor level (Fe 3+ /Fe 2+ ) near mid-band gap.The iron impurities are deep level traps, and will make the capacitance C 2 less dependent of the impurity concentration of layer (56) which is normally doped with a concentration larger than 1 x 10 18 CM -3 to lower the leakage current from p-InP blocking layer (57) to p-InP blocking layer (55) that does not contribute to light emission. The capacitance C 2 and hence the overall capacitance C p-n-p-n will be reduced with this Fe doped InP layer (55a) and consequently the displacement current through the current blocking structure during high speed operation will be lowered. In addition, as this Fe-doped InP layer is also a thermally stable semi-insulating material, a high resistivity layer is thus formed between the n-InP blocking layer (56) and P-InP blocking layer (55). Thus, this Fe doped InP layer (55a) will also effectively reduce the leakage current flowing through the p-n-p-n current blocking channel as mentioned above.
摘要翻译： DC-PBH激光二极管的层结构由n-InP衬底（51），n-InP缓冲层（52），未掺杂的InGaAsP有源层（53），p-Inp覆层（54），p-InP电流阻挡层（55），n-InP电流阻挡层（56），p-InP包覆层（57）和p-InGaAsP接触层（58）。附加的Fe掺杂InP层（55a）在中间带隙附近产生受主电平（Fe 3+ / Fe 2+）。铁杂质是深层陷阱，并且将使电容C2更小依赖于通常掺杂浓度大于1×10 18 CM 3的层（56）的杂质浓度以降低从p-InP阻挡层（57）到p-InP阻挡层的漏电流（55）对发光没有贡献。由于Fe掺杂的InP层（55a），电容C2和整体电容Cp-n-p-n将被降低，因此在高速运行期间通过电流阻挡结构的位移电流将降低。此外，由于该Fe掺杂InP层也是热稳定的半绝缘材料，因此在n-InP阻挡层（56）和P-InP阻挡层（55）之间形成高电阻率层。因此，如上所述，该Fe掺杂InP层（55a）还将有效地减少流过p-n-p-n电流阻塞通道的漏电流。

10. 发明申请

WO2016150838A1 LASERDIODE 审中-公开
标题翻译：激光二极管
公开(公告)号：WO2016150838A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/EP2016/055928
申请日：2016-03-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LELL, Alfred , KOENIG, Harald , AVRAMESCU, Adrian Stefan
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0217 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2222 , H01S5/2234 , H01S5/2235 , H01S5/2237 , H01S5/32 , H01S5/3211
摘要： Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (1) mit einer Schichtanordnung mit aufeinander angeordneten Schichten, wobei die Schichtanordnung eine erste, eine zweite und eine dritte Schichtstruktur (15, 26, 27) mit wenigstens einer aktiven Zone (18) und zwei Wellenleiterschichten (16, 17) umfasst, wobei die aktive Zone (18) zwischen den zwei Wellenleiterschichten (16, 17) angeordnet ist, mit einer ersten Schichtstruktur (15), wobei sich die erste Schichtstruktur entlang einer Z-Achse in einer Längsrichtung, entlang einer X-Achse in einer Querrichtung und entlang einer Y-Achse in einer Höhenrichtung erstreckt, mit einer zweiten und einer dritten Schichtstruktur (26, 27), die entlang der Z-Achse an gegenüberliegenden Längsseiten der ersten Schichtstruktur angeordnet sind, und an die erste Schichtstruktur (15) angrenzen, wobei die aktive Zone der ersten Schichtstruktur (15) in der Höhe versetzt gegenüber den aktiven Zonen (18) der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist. Die aktive Zone (18) ist zwischen einem p-Kontakt (28) und einem n-Kontakt (56) angeordnet, wobei seitlich der ersten Schichtstruktur (15) eine Zwischenschicht (7) in der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht (7) als elektrisch sperrende Schicht ausgebildet ist, die einen Stromfluss erschwert oder unterbindet, und wobei die Zwischenschicht (7) zwischen der aktiven Zone (18) und dem n-Kontakt (56) angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der Laserdiode.
摘要翻译：本发明涉及一种激光二极管（1）布置成彼此层的层结构，该层结构包括第一，第二和具有至少一个有源区（18）和两个波导层（16，17的第三层结构（15，26，27）），其特征在于，所述两个波导层之间的有源区（18）（16，17）设置（与第一层结构15），其中，沿Z轴在纵向方向沿着X轴在第一层结构在高度方向的横向方向和沿Y轴延伸，第二和第三层结构（26，27），其沿着在第一层结构的相对的纵向侧上的Z轴布置，并且与第一层结构（15）相邻的其中，在高度偏移相对于所述第二和第三层结构（26，27）angeordn的有源区（18），第一层结构（15）的有源区是等。有源区（18）被布置在p型接触（28）和n接触（56）之间，其中第一层结构的侧（15）在所述第二和第三层结构的中间层（7）（26，27）被布置，其中，所述中间层（7）被设计为电阻挡层，其阻碍了电流或防止流动，并且其中所述有源区（18）和n型接触（56）之间的中间层（7）布置。此外，本发明涉及一种方法，用于制造激光二极管。

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