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21. 发明申请

WO2005017852A2 ISOLATED CONTROL APPARATUS INCORPORATING LIGHT CONTROLLED POWER SEMICONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：隔离控制装置包含光控功率半导体
公开(公告)号：WO2005017852A2
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/US2004024882
申请日：2004-08-02
申请人： BAE SYSTEMS
发明人： ZUCKER OVED , LEONOV VLADIMIR P
IPC分类号： H02M1/092 , H03K17/691 , H03K17/785 , G08C23/00
CPC分类号： H03K17/785 , H02M1/092 , H03K17/691 , Y10T307/773
摘要： A system for direct optical control of electronic power semiconductors includes an optical triggering circuit at a first location, wherein said optical triggering circuit generates an optical trigger signal, a power circuit located at a second location remote from the first location, wherein said power circuit includes a photoconductor that is responsive to the optical trigger signal generated by the optical triggering circuit, and an optical cable coupling the optical triggering circuit to the power circuit, and an optical cable coupling the optical triggering circuit to the power circuit. In operation, the power circuit is directly driven by the transmission of the optical trigger signal from the optical triggering circuit to the power circuit via the optical cable. Inductive elements or transformers may be applied to facilitate triggering performance.
摘要翻译：一种用于电子功率半导体的直接光学控制的系统包括在第一位置处的光学触发电路，其中所述光学触发电路产生光学触发信号，位于远离第一位置的第二位置处的电源电路，其中所述电源电路包括响应光触发电路产生的光触发信号的光电导体和将光触发电路耦合到电源电路的光缆，以及将光触发电路耦合到电源电路的光缆。在操作中，电源电路直接由光学触发信号通过光缆传输到电源电路来驱动。可以应用电感元件或变压器来促进触发性能。

22. 发明申请

WO1990012452A1 OPTICAL RECEIVERS 审中-公开
标题翻译：光接收机
公开(公告)号：WO1990012452A1
公开(公告)日：1990-10-18
申请号：PCT/CA1990000117
申请日：1990-04-11
申请人： NORTHERN TELECOM LIMITED , KAHN, David, Alexander
发明人： NORTHERN TELECOM LIMITED
IPC分类号： H03F03/08
CPC分类号： H03K17/785 , H03F3/087 , H04B10/6911
摘要： An optical receiver includes a reverse biassed photodiode (10) whose output is coupled to a transimpedance amplifier (13). A load impedance for the photodiode can comprise a forward biassed semiconductor diode (20), enabling the photodiode to be biassed using a low voltage supply (V+). A signal compressing arrangement (25-27) can be provided between the transimpedance amplifier output and the semiconductor diode (20). The transimpedance amplifier (13) can have a capacitive transimpedance element (28) to provide an integrating response; a filter (44), including an open circuit transmission line (40), is described which is coupled to the output of such an optical receiver (42) to provide a desirable form of optical receiver arrangement. The capacitive transimpedance element can be constituted by a capacitance of the photodiode (10).
摘要翻译：光接收器包括反向偏置光电二极管（10），其输出耦合到跨阻放大器（13）。光电二极管的负载阻抗可以包括前偏置的半导体二极管（20），使得能够使用低电压源（V +）使光电二极管偏置。可以在跨阻放大器输出和半导体二极管（20）之间提供信号压缩装置（25-27）。跨阻放大器（13）可以具有电容跨阻元件（28）以提供积分响应; 描述了包括开路传输线（40）的滤波器（44），其耦合到这种光接收器（42）的输出端以提供期望形式的光接收机布置。电容跨阻元件可以由光电二极管（10）的电容构成。

23. 发明申请

WO1983000746A1 SOLID-STATE RELAY AND REGULATOR 审中-公开
标题翻译：固态继电器和稳压器
公开(公告)号：WO1983000746A1
公开(公告)日：1983-03-03
申请号：PCT/US1982000958
申请日：1982-07-15
申请人： MOTOROLA, INC.
发明人： MOTOROLA, INC. , PHIPPS, John, P.
IPC分类号： G02B27/00
CPC分类号： H03K17/6877 , H03K17/785
摘要： Un relais et régulateur à semiconducteurs amélioré (24, 34) présentant un temps de mise hors tension réduit, une entrée analogique ou numérique et une sortie analogique ou numérique, est obtenu en utilisant un JFET à appauvrissement (40, 50) en tant que chemin de décharge à résistance variable pour une porte (28) d'un dispositif de commutation de puissance à MOSFET (25) dans lequel la porte (28) est chargée par un premier groupe de cellules photovoltaïques (17) couplées optiquement à une entrée LED (11) mais isolées électriquement de celle-ci. Un deuxième groupe de cellules photovoltaïques (60, 70) sensibles à la même entrée LED (11a) ou à une entrée LED séparée (116) maintiennent le JFET (40, 50) dans un état hors tension tandis que la porte MOSFET (28) est mise sous tension. Une sortie variable et une logique AND sont ainsi obtenues.

24. 发明申请

WO1981001926A1 CONTROL CIRCUITRY USING TWO BRANCH CIRCUITS FOR HIGH-VOLTAGE SOLID-STATE SWITCHES 审中-公开
标题翻译：使用两个分支电路进行高电压固态开关的控制电路
公开(公告)号：WO1981001926A1
公开(公告)日：1981-07-09
申请号：PCT/US1980001697
申请日：1980-12-22
申请人： WESTERN ELECTRIC CO INC
发明人： WESTERN ELECTRIC CO INC , DAVIS J , MUSSMAN H , SCHACKLE P , MACPHERSON W
IPC分类号： H03L05/00
CPC分类号： H03K17/785 , H03K17/567 , H03K17/74
摘要： To switch a first gated diode switch (GDSL1) to the "OFF" state requires a voltage applied to the gate which is more positive than that of the anode or cathode and a sourcing of current into the gate of substantially the same order of magnitude as flows between the anode and cathode of the first switch. Control circuitry, which uses a second gated diode switch (GDSC) coupled by the cathode to the gate of the first switch (GDSL1), is used to control the state of the first switch (GDSL1). The control circuitry also comprises a first branch circuit coupled to the anode of the GDSC and to a first potential source V1 and a second branch circuit coupled to the anode of GDSC and to a second potential source V2 which is of a lower potential than V1. The second branch circuit has a high voltage and high current capability switch in series between V2 and the anode of GDSC. The first branch circuit has a high voltage but modest current handling switch in series between V1 and the anode of GDSC. The second branch circuit is used to provide a surge of current if and when needed during the current break operation to turn GDSL1 to an OFF state and the first branch circuit is used to maintain the state of the load switch. The second branch circuit can be shared by many control circuits.
摘要翻译：要将第一门控二极管开关（GDSL1）切换到“OFF”状态，需要施加到栅极的电压，该电压比阳极或阴极的正电压更大，并且电流进入栅极的电流大致相同的数量级，在第一开关的阳极和阴极之间流动。使用由阴极耦合到第一开关（GDSL1）的栅极的第二门控二极管开关（GDSC）的控制电路来控制第一开关（GDSL1）的状态。控制电路还包括耦合到GDSC的阳极的第一分支电路和耦合到GDSC的阳极的第一电势源V1和第二分支电路以及具有比V1低的电位的第二电位源V2。第二分支电路具有V2和GDSC的阳极之间串联的高电压和高电流能力开关。第一分支电路具有V1和GDSC的阳极之间串联的高电压但适中的电流处理开关。第二分支电路用于在当前中断操作期间和当需要时提供电流浪涌以将GDSL1转为断开状态，并且第一分支电路用于维持负载开关的状态。第二分支电路可以由许多控制电路共享。

25. 发明申请

WO2019114165A1 一种抗干扰的光耦继电器审中-公开
公开(公告)号：WO2019114165A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/CN2018/083025
申请日：2018-04-13
申请人：无锡豪帮高科股份有限公司
发明人：袁野 , 袁瓅 , 张国珠 , 滕爱武
IPC分类号： H03K17/78
CPC分类号： H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/72 , H03K17/78 , H03K17/785
摘要：一种抗干扰的光耦继电器，涉及电子技术领域，包括耦合电路（100）、过零驱动电路（200）和开关电路（300）；所述过零驱动电路（200）用于延时触发；所述耦合电路（100）包括信号发送端（110）和信号接收端（120），所述信号发送端（110）与所述信号接收端（120）物理隔离；所述信号发送端（110）用于与所述光耦继电器外部的输入信号相连；所述开关电路（300）包括控制端（310）和开关端（320）；所述过零驱动电路（200）连接在所述信号接收端（120）与所述开关电路（300）的控制端（310）之间；所述开关电路（300）的开关端（320）用于与所述光耦继电器外部的负载电路相连。解决了传统的光耦继电器容易出现较大的噪声干扰的问题，达到了避免产生噪声干扰的效果。

26. 发明申请

WO2016121114A1 デジタル出力回路、プリント配線基板および工業機器审中-公开
标题翻译：数字输出电路，印刷电路板和工业设备
公开(公告)号：WO2016121114A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/JP2015/052751
申请日：2015-01-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：塩野谷　浩生 , 石坂　哲 , 廣川　悠 , 射延　誠悟
IPC分类号： H03K17/687 , G05B19/05 , H03K17/78
CPC分类号： H03K17/795 , H03K17/785 , H03K2217/0081
摘要：　絶縁電源回路４が生成した電源電圧により駆動され、コントローラ５によって処理された信号に応答する絶縁回路７の受光素子９ａにより出力されるゲート信号により、負荷である出力機器に接続された外部電源をＯＮ／ＯＦＦ制御する出力トランジスタを備えて構成されるデジタル出力回路であって、受光素子９と出力トランジスタ１７のソースまたはエミッタとの間の配線接続の接続未接続を２箇所において切り替える第１の接続切り替え機構１４ａおよび第２の接続切り替え機構１４ｂを有する配線切り替え機能部１４と、出力トランジスタ１３のタイプに対応して受光素子９の出力論理の反転を調整する論理調整機能部２０と、を備えて、シンク電流タイプの回路構成とソース電流タイプの回路構成とを切り替える。
摘要翻译：数字输出电路包括输出晶体管，其根据由绝缘电路7产生的电源电压驱动的绝缘电路7的光接收元件9输出的栅极信号进行输出，并且响应于由控制器5处理的信号，对连接到作为负载的输出装置的外部电源进行ON / OFF控制。数字输出电路包括：布线切换功能单元14，包括第一连接切换机构14a和第二连接切换机构14b，其在两个位置处执行光接收元件9和源之间的布线的连接和断开的切换，或输出晶体管13的发射极; 以及逻辑调整功能单元20，其根据输出晶体管13的类型调整光接收元件9的输出逻辑的反相，并执行灌电流型电路配置和源电流型电路配置之间的切换。

27. 发明申请

WO2011151681A3 SEMICONDUCTOR DEVICE AND SOLID STATE RELAY USING SAME 审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用相同的固态继电器
公开(公告)号：WO2011151681A3
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/IB2011000350
申请日：2011-02-23
申请人： PANASONIC CORP , OKADA HIROSHI , SUNADA TAKUYA , OOMORI TAKESHI
发明人： OKADA HIROSHI , SUNADA TAKUYA , OOMORI TAKESHI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L31/12 , H03K17/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/167 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/7811 , H01L2224/37011 , H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H03K17/6874 , H03K17/785 , H03K2217/0009 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要： A semiconductor device wherein at least one transistor cell is provided in a silicon carbide (SiC) substrate (1) of a first conductivity type. Each transistor cell is provided with: a well region (3) of a second conductivity type, which is formed in the first surface of the SiC substrate (1); a source region (4) configured from a region of the first conductivity type, which is formed within the well region (3); a gate electrode (7) formed thereupon with a gate-insulating film (6) interposed therebetween; a source electrode (5) formed so as to contact the source region (4); and a drain electrode (9) formed on the second surface side of the SiC substrate (1). The semiconductor device is further provided with a region (3p) of the second conductivity type, which is located to the outside of the outermost transistor cells, surrounds the well regions (3) at positions adjacent thereto, and is insulated from the gate electrode (7) and the source electrode (5). As a result of this configuration, it is possible to reduce the leakage current when applying a high voltage.
摘要翻译：一种半导体器件，其中至少一个晶体管单元设置在第一导电类型的碳化硅（SiC）衬底（1）中。每个晶体管单元设置有形成在SiC衬底（1）的第一表面中的第二导电类型的阱区（3）; 源区域（4），其由形成在所述阱区域（3）内的所述第一导电类型的区域构成; 在其间形成有栅极绝缘膜（6）的栅电极（7）; 形成为与源极区域（4）接触的源极（5）; 和形成在SiC衬底（1）的第二表面侧上的漏电极（9）。半导体器件还设置有位于最外晶体管单元的外侧的第二导电类型的区域（3p），在与其相邻的位置处围绕阱区域（3），并与栅电极（ 7）和源电极（5）。作为该结构的结果，可以在施加高电压时减小漏电流。

28. 发明申请

WO2011151682A2 半導体装置およびこれを用いた半導体リレー审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用相同的固态继电器
公开(公告)号：WO2011151682A2
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/IB2011/000361
申请日：2011-02-23
申请人：パナソニック電工株式会社 , 岡田洋 , 砂田卓也 , 大森猛司
发明人：岡田　洋 , 砂田　卓也 , 大森　猛司
IPC分类号： H03K17/78
CPC分类号： H01L29/7806 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L23/62 , H01L25/167 , H01L27/0255 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/173 , H01L2924/0002 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H03K17/785 , H01L2924/00
摘要：半導体装置は、ユニポーラ型の化合物半導体素子と、前記化合物半導体素子に並列的に外部接続されたバイパス用半導体素子とを具備する。前記バイパス用半導体素子の通電開始電圧が前記化合物半導体素子のソースからトレイン方向の通電開始電圧よりも小さい。
摘要翻译：半导体器件设置有与化合物半导体元件并联外部连接的单极化合物半导体元件和旁路半导体元件。旁路半导体元件的击穿电压低于化合物半导体元件在从源极到漏极方向的击穿电压。

29. 发明申请

WO2011151681A2 半導体装置およびこれを用いた半導体リレー审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用相同的固态继电器
公开(公告)号：WO2011151681A2
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/IB2011/000350
申请日：2011-02-23
申请人：パナソニック電工株式会社 , 岡田洋 , 砂田卓也 , 大森猛司
发明人：岡田　洋 , 砂田　卓也 , 大森　猛司
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/167 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/7811 , H01L2224/37011 , H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H03K17/6874 , H03K17/785 , H03K2217/0009 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要：第１導電型の炭化珪素（ＳｉＣ）基板１内に、少なくとも一つのトランジスタセルを備える。それぞれのトランジスタセルは、上記ＳｉＣ基板の第１面に形成された第２導電型のウェル領域と、上記ウェル領域内に形成された第１導電型の領域からなるソース領域と、上記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ソース領域にコンタクトするように形成されたソース電極と、上記ＳｉＣ基板１の第２の面側に形成されたドレイン電極とを具備しており、上記半導体装置は、上記トランジスタセルのうちの最外セルの外側に、隣接して上記ウェル領域を囲み、上記ゲート電極および上記ソース電極のいずれに対しても絶縁された第２導電型領域を具備している。
摘要翻译：一种半导体器件，其中至少一个晶体管单元设置在第一导电类型的碳化硅（SiC）衬底（1）中。每个晶体管单元设置有形成在SiC衬底的第一表面中的第二导电类型的阱区; 源区域，其由形成在所述阱区域内的所述第一导电类型的区域构成; 在其间形成有栅极绝缘膜的栅电极; 形成为与源极区域接触的源电极; 和形成在SiC衬底（1）的第二表面侧上的漏电极。半导体器件还具有第二导电类型的区域，该区域位于最外面的晶体管单元的外部，以便围绕相邻位置处的阱区域并与栅电极和源电极绝缘。

30. 发明申请

WO2007037212A1 受光回路およびディジタルシステム审中-公开
标题翻译：光接收电路和数字系统
公开(公告)号：WO2007037212A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/319006
申请日：2006-09-26
申请人：日本電気株式会社 , 水野正之 , 大橋啓之 , 野瀬浩一 , 西研一
发明人：水野正之 , 大橋啓之 , 野瀬浩一 , 西研一
IPC分类号： H04B10/04 , H03K17/687 , H03K19/0944 , H04B10/06 , H04B10/14 , H04B10/26 , H04B10/28
CPC分类号： H04B10/69 , H03K17/785
摘要：　受光回路（114）に、光伝送路（101）から出力される１系統の光信号を電気信号に変換し且つ該電気信号の電位を光信号の検出ごとに反転させる光入力回路（113）と、光入力回路により変換された電気信号を増幅して出力するバッファ回路（110）とを備える。かかる構成によれば、受光回路に１系統の光信号を入力すればよいことから、システムの回路構成が複雑になることを回避できる。　
摘要翻译：光接收电路（114）设置有光输入电路（113），该光输入电路将从光传输路径（101）输出的一个系统的光信号转换成电信号，并且每次光学信号转换电信号的电位信号被检测，以及缓冲电路（110），放大由光输入电路转换的电信号，并输出放大的信号。因此，由于仅需要将一个系统的光信号输入到光接收电路，所以可以防止系统的电路结构复杂化。

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