基本信息:
- 专利标题： 半導体装置およびこれを用いた半導体リレー
- 专利标题（英）：Semiconductor device and solid state relay using same
- 专利标题（中）：半导体器件和使用相同的固态继电器
- 申请号：PCT/IB2011/000361 申请日：2011-02-23
- 公开(公告)号：WO2011151682A2 公开(公告)日：2011-12-08
- 发明人： 岡田 洋 , 砂田 卓也 , 大森 猛司
- 申请人： パナソニック電工株式会社 , 岡田 洋 , 砂田 卓也 , 大森 猛司
- 申请人地址： 〒5718686 大阪府門真市大字門真1048番地 Osaka JP
- 专利权人： パナソニック電工株式会社,岡田 洋,砂田 卓也,大森 猛司
- 当前专利权人： パナソニック電工株式会社,岡田 洋,砂田 卓也,大森 猛司
- 当前专利权人地址： 〒5718686 大阪府門真市大字門真１０４８番地 Osaka JP
- 代理机构： 第一廣場特許法人
- 优先权： JP2010-128095 20100603
- 主分类号： H03K17/78
- IPC分类号： H03K17/78
摘要：
半導体装置は、ユニポーラ型の化合物半導体素子と、前記化合物半導体素子に並列的に外部接続されたバイパス用半導体素子とを具備する。前記バイパス用半導体素子の通電開始電圧が前記化合物半導体素子のソースからトレイン方向の通電開始電圧よりも小さい。
摘要（中）：
半导体器件设置有与化合物半导体元件并联外部连接的单极化合物半导体元件和旁路半导体元件。 旁路半导体元件的击穿电压低于化合物半导体元件在从源极到漏极方向的击穿电压。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03K | 脉冲技术 |
| ------H03K17/00 | 电子开关或选通，即不通过通断接触的 |
| --------H03K17/51 | .按使用特殊元件区分的 |
| ----------H03K17/78 | ..应用光电子器件，即电耦合或光耦合的光发射和光电器件作为有源元件的 |