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11. 发明申请

WO2010120372A3 LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR METHODS AND DEVICES 审中-公开
标题翻译：发光半导体方法和器件
公开(公告)号：WO2010120372A3
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/US2010001133
申请日：2010-04-16
申请人： UNIV ILLINOIS , QUANTUM ELECTRO OPTO SYS SDN , WALTER GABRIEL , FENG MILTON , HOLONYAK NICK , THEN HAN WUI , WU CHAO-HSIN
发明人： WALTER GABRIEL , FENG MILTON , HOLONYAK NICK , THEN HAN WUI , WU CHAO-HSIN
IPC分类号： H01S3/0941 , H01S3/00
CPC分类号： H01S5/06203 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/3095 , H01S5/34313
摘要： A method for producing light emission from a two terminal semiconductor device with improved efficiency, includes the following steps: providing a layered semiconductor structure including a semiconductor drain region comprising at least one drain layer, a semiconductor base region disposed on the drain region and including at least one base layer, and a semiconductor emitter region disposed on a portion of the base region and comprising an emitter mesa that includes at least one emitter layer; providing, in the base region, at least one region exhibiting quantum size effects; providing a base/drain electrode having a first portion on an exposed surface of the base region and a further portion coupled with the drain region, and providing an emitter electrode on the surface of the emitter region; applying signals with respect to the base/drain and emitter electrodes to obtain light emission from the base region; and configuring the base/drain and emitter electrodes for substantial uniformity of voltage distribution in the region therebetween. In a further embodiment lateral scaling is used to control device speed for high frequency operation.
摘要翻译：一种从提高效率的二端子半导体器件产生发光的方法，包括以下步骤：提供包括半导体漏极区域的分层半导体结构，该半导体漏极区域包括至少一个漏极层，设置在漏极区域上的半导体基极区域，至少一个基极层，以及设置在所述基极区域的一部分上并且包括发射极台面的半导体发射极区域，所述发射极台面包括至少一个发射极层; 在碱性区域中提供至少一个呈现量子效应的区域; 提供在所述基极区域的暴露表面上具有第一部分的基极/漏电极，以及与所述漏极区域耦合的另一部分，并且在所述发射极区域的表面上提供发射极; 施加相对于基极/漏极和发射极电极的信号以获得从基极区域发出的光; 以及在其间的区域中配置基极/漏极和发射极用于电压分布的实质均匀性。在另一实施例中，横向缩放用于控制高频操作的设备速度。

12. 发明申请

WO2010097751A3 OUTPUT POWER STABILIZATION FOR LASER DIODES USING THE PHOTON-COOLING DEPENDENT LASER VOLTAGE 审中-公开
标题翻译：使用光电冷却依赖激光电压的激光二极管输出功率稳定
公开(公告)号：WO2010097751A3
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/IB2010050777
申请日：2010-02-23
申请人： PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY , KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV , GERLACH PHILIPP H
发明人： GERLACH PHILIPP H
IPC分类号： H01S5/068 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/423 , H01S5/042 , H01S5/06808 , H01S5/18311 , H01S5/18391
摘要： It is an object of the invention to simplify the power stabilization of laser diodes. For this purpose, a laser device comprising a die and thereon a first laser diode (3) and a second laser diode (5) is provided. The second laser diode has a structure or element that avoids lasing if a supply voltage is applied that is sufficient for the first semiconductor laser cavity to emit laser light.
摘要翻译：本发明的目的是简化激光二极管的功率稳定性。为此，提供了一种包括管芯并且其上具有第一激光二极管（3）和第二激光二极管（5）的激光器件。如果施加足以使第一半导体激光腔发射激光的电源电压，则第二激光二极管具有避免激光的结构或元件。

13. 发明申请

WO2010120372A2 LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR METHODS AND DEVICES 审中-公开
标题翻译：发光半导体方法和器件
公开(公告)号：WO2010120372A2
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/US2010/001133
申请日：2010-04-16
申请人： THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS , QUANTUM ELECTRO OPTO SYSTEMS SDN. BHD. , WALTER, Gabriel , FENG, Milton , HOLONYAK, Nick , THEN, Han, Wui , WU, Chao-hsin
发明人： WALTER, Gabriel , FENG, Milton , HOLONYAK, Nick , THEN, Han, Wui , WU, Chao-hsin
IPC分类号： H01S3/0941 , H01S3/00
CPC分类号： H01S5/06203 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/3095 , H01S5/34313
摘要： A method for producing light emission from a two terminal semiconductor device with improved efficiency, includes the following steps: providing a layered semiconductor structure including a semiconductor drain region comprising at least one drain layer, a semiconductor base region disposed on the drain region and including at least one base layer, and a semiconductor emitter region disposed on a portion of the base region and comprising an emitter mesa that includes at least one emitter layer; providing, in the base region, at least one region exhibiting quantum size effects; providing a base/drain electrode having a first portion on an exposed surface of the base region and a further portion coupled with the drain region, and providing an emitter electrode on the surface of the emitter region; applying signals with respect to the base/drain and emitter electrodes to obtain light emission from the base region; and configuring the base/drain and emitter electrodes for substantial uniformity of voltage distribution in the region therebetween. In a further embodiment lateral scaling is used to control device speed for high frequency operation.
摘要翻译：一种从提高效率的二端子半导体器件产生发光的方法，包括以下步骤：提供包括半导体漏极区域的分层半导体结构，该半导体漏极区域包括至少一个漏极层，设置在漏极区域上的半导体基极区域，至少一个基极层，以及设置在所述基极区域的一部分上并且包括发射极台面的半导体发射极区域，所述发射极台面包括至少一个发射极层; 在碱性区域中提供至少一个呈现量子效应的区域; 提供在所述基极区域的暴露表面上具有第一部分的基极/漏电极，以及与所述漏极区域耦合的另一部分，并且在所述发射极区域的表面上提供发射极; 施加相对于基极/漏极和发射极电极的信号以获得从基极区域发出的光; 以及在其间的区域中配置基极/漏极和发射极用于电压分布的实质均匀性。在另一实施例中，横向缩放用于控制高频操作的设备速度。

14. 发明申请

WO2010106720A1 VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER ELEMENT, VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNING DEVICE, AND IMAGE FORMING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：垂直孔表面发射激光元件，垂直孔表面发射激光阵列，光学扫描装置和图像形成装置
公开(公告)号：WO2010106720A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/JP2009/071854
申请日：2009-12-22
申请人： RICOH COMPANY, LTD. , HANAOKA, Katsunari
发明人： HANAOKA, Katsunari
IPC分类号： H01S5/183 , B41J2/44 , G03G15/04 , H01S5/022 , H01S5/42
CPC分类号： B41J2/442 , B41J2/455 , B41J2/473 , H01S5/18311 , H01S5/18352 , H01S5/2086 , H01S5/423
摘要： A disclosed vertical cavity surface emitting laser element includes a substrate, a laminated body sandwiching a semiconductor active layer with an upper reflecting mirror and a lower reflecting mirror, a lower electrode, and an upper electrode. The laser element emits laser light in a direction perpendicular to the surface of the substrate when an electric current is supplied between the upper electrode and the lower electrode. The laser element further includes a selective oxidation layer in the upper reflecting mirror having a current blocking structure made of an oxidized region and an unoxidized region, and a detectable portion formed on a side surface of a mesa structure shaped by the upper reflecting mirror including the selective oxidation layer and the active layer, thereby enabling detecting the position of the selective oxidation layer from a top of the laminated body in a depth direction of the laminated body.
摘要翻译：所公开的垂直腔表面发射激光器元件包括基板，夹着半导体有源层与上反射镜和下反射镜，下电极和上电极的层叠体。当在上电极和下电极之间提供电流时，激光元件在垂直于衬底表面的方向上发射激光。激光元件还包括在上反射镜中具有由氧化区域和非氧化区域构成的电流阻挡结构的选择性氧化层，以及形成在由上反射镜形成的台面结构的侧表面上的可检测部分，选择性氧化层和有源层，从而能够在层叠体的深度方向上从层叠体的顶部检测选择氧化层的位置。

15. 发明申请

WO2009116153A1 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009116153A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2008/055114
申请日：2008-03-19
申请人：富士通株式会社 , 羽鳥伸明 , 山本剛之
发明人：羽鳥伸明 , 山本剛之
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/12 , H01S5/1237 , H01S5/18311 , H01S5/3406 , H01S5/3407 , H01S5/3412 , H01S5/34313 , H01S5/34366
摘要：　半導体発光素子を、ＧａＡｓ基板（１）と、ＧａＡｓ基板（１）上に設けられた活性層（３）とを備え、活性層（３）を、ＧａＡｓ基板（１）と格子整合した下部障壁層（３１）と、下部障壁層（３１）上に形成された量子ドット（３２）と、量子ドット（３２）の側面を覆う歪緩和層（３３）と、量子ドット（３２）の上部に接する上部障壁層（３４）とを備えるものとし、上部障壁層（３４）を、少なくとも量子ドット（３２）の上部に接する部分が、ＧａＡｓ基板（１）と格子整合し、かつ、バンドギャップが、量子ドットよりも大きく、ＧａＡｓよりも小さくする。
摘要翻译：半导体发光元件包括GaAs衬底（1）和设置在GaAs衬底（1）上的有源层（3）。有源层（3）包括与GaAs衬底（1）晶格匹配的下阻挡层（31），形成在下阻挡层（31）上的量子点（32），覆盖量子点（32）的一侧和与量子点（32）的上部接触的上阻挡层（34）。在上阻挡层（34）中，至少与量子点（32）的上部接触的部分与GaAs衬底（1）晶格匹配，并且使带隙大于量子点，小于GaAs。

16. 发明申请

WO2008075692A1 面発光レーザーおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：表面发射激光器及其制造方法
公开(公告)号：WO2008075692A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/074338
申请日：2007-12-18
申请人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション , 中川茂
发明人：中川茂
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/1833 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18347 , H01S5/18363 , H01S5/2081 , H01S5/3432 , H01S2301/163
摘要：【課題】　長寿命で信頼性の高い面発光レーザーの構造を提供し、かかる面発光レーザーを製造するための方法を提供する。【解決手段】　基板の上部に設けられた、複数の半導体層を含む下部ブラッグ反射鏡と、下部ブラッグ反射鏡の上部に設けられた、活性層、および活性層の下部に設けられた、開口部を有する第１の絶縁層を含む下部半導体層、および前記活性層の上部に設けられた、開口部を有する第２の絶縁層を含む上部半導体層を含む共振器と、共振器の上部に設けられた、複数の半導体層を含む上部ブラッグ反射鏡を備える、面発光レーザーが提供される。下部ブラッグ反射鏡の複数の半導体層のうちの最上層が第１の絶縁層の開口部を覆うエア・ギャップを形成し、上部ブラッグ反射鏡の複数の半導体層のうちの最下層が第２の絶縁層の開口部を覆うエア・ギャップを形成する。
摘要翻译：为了提供长的使用寿命和高度可靠的表面发射激光器结构，并提供制造这种表面发射激光器的方法。解决问题的手段表面发射激光器设置有下布拉格反射器，其布置在基板的上部并且包括多个半导体层，以及谐振器，其布置在所述基板的上部下布拉格反射器，并且包括下半导体层和上半导体层。下半导体层包括具有有源层的第一绝缘层和布置在有源层下部的开口部分。上半导体层布置在有源层的上部，并且包括具有开口部分的第二绝缘层。表面发射层还设置有布拉格反射器，其布置在谐振器的上部并且包括多个半导体层。下部布拉格反射器的半导体层中的最上层形成用于覆盖第一绝缘层的开口部的气隙，并且上部布拉格反射器的半导体层中的最下层形成用于覆盖第一绝缘层的开口部的空气间隙第二绝缘层。

17. 发明申请

WO2008029283A2 OPTOELECTRONIC DEVICE FOR HIGH-SPEED DATA TRANSFER 审中-公开
标题翻译：用于高速数据传输的光电子器件
公开(公告)号：WO2008029283A2
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/IB2007/003510
申请日：2007-06-06
申请人： LEDENTSOV, Nikolai , SHCHUKIN, Vitaly
发明人： LEDENTSOV, Nikolai , SHCHUKIN, Vitaly
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/10
CPC分类号： H01S5/1833 , H01L31/02327 , H01L31/1035 , H01L33/0045 , H01L33/105 , H01S5/0014 , H01S5/0264 , H01S5/0265 , H01S5/0285 , H01S5/0425 , H01S5/062 , H01S5/1218 , H01S5/1221 , H01S5/18302 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18316 , H01S5/18341 , H01S5/2004 , H01S5/2027 , H01S5/205
摘要： A vertically integrated optoelectronic device allows high- speed data transfer by direct or indirect modulation of the intensity of the emitted light. The device comprises at least one multilayer interference reflector and at least one cavity. In one embodiment the reflector operates as a modulator element controlled by an applied voltage. The stopband edge of the reflector is electrooptically tuned using the quantum confined Stark effect in the vicinity of the cavity mode, resulting in a modulated transmittance of the reflector and, thus, in indirect modulation of light intensity. In another embodiment, the optical field profile in the cavity is affected by the shift of the stopband wavelength, and the device operates as a wavelength- tunable light emitter. In yet another embodiment, two or more refractive index periodicities are integrated in the reflector, suppressing parasitic optical modes and enabling a high-speed direct modulation of the intensity of light emitted by the device.
摘要翻译：纵向集成的光电子器件允许通过直接或间接调制发射光强度的高速数据传输。该装置包括至少一个多层干涉反射器和至少一个空腔。在一个实施例中，反射器作为由施加电压控制的调制器元件来操作。使用腔模式附近的量子限制斯塔克效应电光调谐反射器的阻带边缘，导致反射器的调制透射率，并因此间接调制光强度。在另一个实施例中，腔中的光场分布受到阻带波长的移位的影响，并且该设备作为波长可调的光发射器来操作。在又一个实施例中，两个或更多个折射率周期性被集成在反射器中，抑制寄生光学模式并且实现装置发射的光的强度的高速直接调制。

18. 发明申请

WO2007116659A1 面発光レーザ审中-公开
标题翻译：表面发光激光
公开(公告)号：WO2007116659A1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/JP2007/056056
申请日：2007-03-23
申请人：日本電気株式会社 , 畠山大
发明人：畠山大
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/1835 , H01S5/0267 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/2059 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要：　従来の酸化狭窄型構造ＶＣＳＥＬにおいては、素子の内部応力および熱抵抗低減上の課題を有するため、特に、高速変調型ＶＣＳＥＬの高信頼性を図る上で課題となっている。本発明の一実施形態に係る面発光レーザは、メサ中に設けられ、電気的且つ光学的に孤立した単一の電流注入開口領域を有しており、電流注入により発光する活性層と、該活性層を挟むように設けられた第１の反射器および第２の反射器と、活性層に電流を注入するｎ電極およびｐ電極と、前記電流注入開口領域を包囲するように設けられ、イオンが注入された非導電性の高抵抗化領域と、前記メサの側壁からメサの内部まで延在する非導電性酸化層と、を備え、その際、前記電流注入開口領域の略中央から当該面発光レーザの外周に至る半断面の中に、前記非導電性の高抵抗化領域で囲まれている、レーザ発振光の存在する領域の内側には前記非導電性酸化層が現れない半断面が存在する。
摘要翻译：由于传统的氧化物封闭结构VCSEL具有器件内部应力和热阻降低的问题，高速调制VCSEL的高可靠性的提高也是一个问题。本发明实例的表面发光激光器包括设置在台面中的有源层，具有电和光隔离的单电流注入开口区域，并且在注入电流时发射光;第一和第二反射器，其间具有活性层，用于将电流注入有源层的n电极和p电极，设置为围绕电流注入开口区域并进行离子注入的非导电高电阻区域，以及从侧壁延伸的非导电氧化物层的台面到台面的内部。在从当前注入开口区域的大致中央部分到表面发光激光器的外周的半部分中，存在由非导电高电阻区域包围的半部分，并且在区域内没有非导电氧化物层存在激光振荡光。

19. 发明申请

WO2007005566A2 ELECTRO-ABSORPTION MODULATOR INTEGRATED WITH A VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER 审中-公开
标题翻译：与垂直腔表面发射激光器集成的电吸收调制器
公开(公告)号：WO2007005566A2
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/US2006025503
申请日：2006-06-29
申请人： FINISAR CORP , DENG HONGYU
发明人： DENG HONGYU
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/3095
摘要： An electro-absorption modulator integrated with a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL). An electro-absorption modulator (EAM) is integrated or grown on a VCSEL. The electro-absorption modulator may be separated from the VCSEL by a semi- insulating or nonconducting layer. Contacts on the EAM can bias the EAM such that 0 light emitted by the VCSEL is selectively absorbed. Thus, the VCSEL can emit a constant wave light that is modulated by the integrated EAM.
摘要翻译：与垂直腔表面发射激光器（VCSEL）集成的电吸收调制器。电吸收调制器（EAM）被集成或生长在VCSEL上。电吸收调制器可以通过半绝缘或不导电层与VCSEL分开。 EAM上的接触可以偏置EAM，使得VCSEL发射的0个光被选择性吸收。因此，VCSEL可以发射由集成EAM调制的恒定波长的光。

20. 发明申请

WO2006074011A2 ABSORBING LAYERS FOR REDUCED SPONTANEOUS EMISSION EFFECTS IN AN INTEGRATED PHOTODIODE 审中-公开
标题翻译：吸收层对于集成光电子体中减少的自发放电效应
公开(公告)号：WO2006074011A2
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/US2005/047285
申请日：2005-12-28
申请人： FINISAR CORPORATION , GUENTER, James, K. , TATUM, Jimmy, A. , BIARD, James, R.
发明人： GUENTER, James, K. , TATUM, Jimmy, A. , BIARD, James, R.
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/18308 , H01S5/0264 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/2022 , H01S5/2027 , H01S5/3054 , H01S5/3095 , H01S2301/02
摘要： An optical structure that reduces the effects of spontaneous emissions from the active region of a laser. An optical structure includes optimizations to reduce the effects of spontaneous emissions. The optical structure includes a VCSEL with top and bottom DBR mirrors and an active region connected to the mirrors. The optical structure further includes a photodiode connected to the VCSEL. One or more optimizations may be included in the optical structure including optically absorbing materials, varying the geometry of the structure to change reflective angles, using optical apertures, changing the reflectivity of one or more mirrors, changing the photodio0de to be more impervious to spontaneous emissions, and using ion implants to reduce photoluminescence efficiency.
摘要翻译：一种降低激光器有源区自发发射效应的光学结构。光学结构包括优化以减少自发辐射的影响。光学结构包括具有顶部和底部DBR反射镜的VCSEL和连接到反射镜的有源区域。光学结构还包括连接到VCSEL的光电二极管。可以在光学结构中包括一个或多个优化，包括光学吸收材料，改变结构的几何形状以改变反射角度，使用光学孔径，改变一个或多个反射镜的反射率，将光电转换为更自发的自发辐射，并使用离子注入来降低光致发光效率。

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