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11. 发明申请

WO9633537A3 METHOD OF MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDMETHOD OF MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE, IN PARTICULAR A SEMICONDUCTOR DIODE UCTOR DEVICE, IN PARTICULAR A SEMICONDUCTOR DIODE LASER LASER 审中-公开
标题翻译：制造光电半导体器件的光电子半导体器件的制造方法，特别是半导体二极管器件，特别是半导体二极管激光器
公开(公告)号：WO9633537A3
公开(公告)日：1996-12-27
申请号：PCT/IB9600238
申请日：1996-03-18
申请人： PHILIPS ELECTRONICS NV , PHILIPS NORDEN AB
发明人： VAN ROIJEN RAYMOND , THIJS PETRUS JOHANNES ADRIANUS , VAN GESTEL PATRICK HENRICUS
IPC分类号： H01J3/18 , H01S5/16 , H01S5/20 , H01S5/227 , H01S5/50 , H01S3/085
CPC分类号： H01S5/164 , H01S5/2081 , H01S5/2275 , H01S5/50 , H01S2304/04
摘要： A passive region (3) is provided adjacent the mirror surface (20) of a laser by the known method. A mesa (12) is formed in that case with an end face parallel to the mirror surface to be formed. The passive region (3) is grown against the end face, and the mirror surface (20) is formed therein by cleaving. A disadvantage of the known method is that the resulting lasers often show an irregular pattern of the emitted or amplified radiation, a high starting current, and a short useful life. In a method according to the invention, the passive region is provided exclusively at the area of the active region (1). The influence of nucleation problems is small then, and irregularities in the radiation path are avoided. As a result, the pattern of the radiation is regular, and the laser has a low starting current and a long useful life. The passive region (3) is provided at the area of the active region (1) only in the following manner: two depressions (30) are formed in the layer structure of the laser at the area of the mirror surface to be formed, reaching down to the active layer (1). Then a portion of the active layer (1) situtated between the depressions (30) is selectively removed, whereupon the passive region (3) is grown starting from the depressions (30) in the tubular cavity (31) thus formed. The method is suitable for the manufacture of both gain and index guided lasers with a passive mirror region. However, the method is also highly suitable for the manufacture of other optoelectronic devices such as two radiation waveguides situated one above the other and locally interconnected by the third semiconductor region (3), which in that case is radiation-guiding.

12. 发明申请

WO1996033537A2 METHOD OF MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE, IN PARTICULAR A SEMICONDUCTOR DIODE LASER 审中-公开
标题翻译：制造光电半导体器件的方法，特别是半导体二极管激光器
公开(公告)号：WO1996033537A2
公开(公告)日：1996-10-24
申请号：PCT/IB1996000238
申请日：1996-03-18
申请人： PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB
发明人： PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS NORDEN AB , VAN ROIJEN, Raymond , THIJS, Petrus, Johannes, Adrianus , VAN GESTEL, Patrick, Henricus
IPC分类号： H01S03/085
CPC分类号： H01S5/164 , H01S5/2081 , H01S5/2275 , H01S5/50 , H01S2304/04
摘要： A passive region (3) is provided adjacent the mirror surface (20) of a laser by the known method. A mesa (12) is formed in that case with an end face parallel to the mirror surface to be formed. The passive region (3) is grown against the end face, and the mirror surface (20) is formed therein by cleaving. A disadvantage of the known method is that the resulting lasers often show an irregular pattern of the emitted or amplified radiation, a high starting current, and a short useful life. In a method according to the invention, the passive region is provided exclusively at the area of the active region (1). The influence of nucleation problems is small then, and irregularities in the radiation path are avoided. As a result, the pattern of the radiation is regular, and the laser has a low starting current and a long useful life. The passive region (3) is provided at the area of the active region (1) only in the following manner: two depressions (30) are formed in the layer structure of the laser at the area of the mirror surface to be formed, reaching down to the active layer (1). Then a portion of the active layer (1) situtated between the depressions (30) is selectively removed, whereupon the passive region (3) is grown starting from the depressions (30) in the tubular cavity (31) thus formed. The method is suitable for the manufacture of both gain and index guided lasers with a passive mirror region. However, the method is also highly suitable for the manufacture of other optoelectronic devices such as two radiation waveguides situated one above the other and locally interconnected by the third semiconductor region (3), which in that case is radiation-guiding.
摘要翻译：被动区域（3）通过已知方法设置在激光器的镜面（20）附近。在这种情况下，台面（12）形成为平行于要形成的镜面的端面。被动区域（3）相对于端面生长，并且通过劈开在其中形成镜面（20）。已知方法的缺点是所得到的激光器经常显示发射或放大的辐射的不规则图案，高启动电流和短的使用寿命。在根据本发明的方法中，无源区域仅在有源区域（1）的区域提供。成核问题的影响小，避免辐射路径的不规则。结果，辐射的图案是规则的，并且激光器的启动电流低，使用寿命长。无源区域（3）仅以以下方式设置在有源区域（1）的区域：在要形成的镜面的区域处的激光器的层结构中形成两个凹陷（30），到达向下到活性层（1）。然后选择性地去除在凹部（30）之间配置的活性层（1）的一部分，从而从被形成的管状空腔（31）中的凹陷（30）开始生长被动区域（3）。该方法适用于具有无源镜面区域的增益和折射率引导激光器的制造。然而，该方法也非常适用于制造其它光电子器件，例如位于另一个上方的两个辐射波导，并且由第三半导体区域（3）局部互连，这在这种情况下是辐射引导的。

13. 发明申请

WO2016150840A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：WO2016150840A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/EP2016/055937
申请日：2016-03-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LELL, Alfred , KOENIG, Harald , AVRAMESCU, Adrian Stefan
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/02 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0207 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/3211 , H01S2304/00
摘要： Ein kantenemittierender Halbleiterlaser umfasst eine Halbleiterstruktur, die eine Schichtenfolge mit entlang einer Wachstumsrichtung übereinanderliegenden Schichten aufweist. Die Halbleiterstruktur ist seitlich durch eine erste Facette (400) und eine zweite Facette (500) begrenzt. Die Halbleiterstruktur weist einen Mittenabschnitt (300) und einen an die erste Facette angrenzenden ersten Randabschnitt (410) auf. Die Schichtenfolge ist im ersten Randabschnitt gegenüber dem Mittenabschnitt in Wachstumsrichtung (201) versetzt. Die Halbleiterstruktur beinhaltet ein Substrat (100), eine untere Mantelschicht (210), eine untere Wellenleiterschicht (220), eine aktive Schicht (230), eine obere Wellenleiterschicht (240) und eine obere Mantelschicht (250). Im Bereich der Facette befindet sich eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (260) welche einen Stromfluss durch die Halbleiterstruktur in einem Randabschnitt (410) der Facette (400) verhindert.
摘要翻译：边缘发射半导体激光器包括具有沿生长层的方向叠加的层序列的半导体结构。半导体结构是由第一面（400）和第二面（500）横向地限定。该半导体结构包括一中心部分（300）和邻近所述第一边缘部分（410）的所述第一面。所述层序列在所述第一边缘部分的偏移相反的在生长方向（201）的中心部分。该半导体结构包括：基板（100），下包层（210），下波导层（220），有源层（230），上波导层（240）和上包覆层（250）。在小面的电绝缘中间层（260）位于其防止在小刻面（400）的边缘部分（410）通过所述半导体结构中的电流流动的区域。

14. 发明申请

WO2010067500A1 半導体レーザ装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010067500A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/JP2009/005359
申请日：2009-10-14
申请人：パナソニック株式会社 , 左文字克哉 , 川口真生 , 春日井秀紀
发明人：左文字克哉 , 川口真生 , 春日井秀紀
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/164 , H01S5/2201 , H01S5/3403 , H01S5/34333
摘要：　半導体レーザ装置は、基板の所定の領域の上を除いて基板の上に選択的に成長した半導体層積層体２０を備えている。半導体層積層体２０は、活性層１４を含み、光を出射する前方端面２０Ａと交差する方向に延びるストライプ状の光導波路を有している。活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。光導波路は、異常成長部１４ａと間隔をおき且つ前方端面２０Ａにおいて禁制帯幅増大部１４ｂを含むように形成されている。
摘要翻译：半导体激光装置设置有半导体层叠体（20），该半导体层层叠体在基板的规定区域以外选择性地生长在基板上。半导体层层叠体（20）具有活性层（14），并且具有在与从其输出光的前端面（20A）相交的方向上延伸的条状光波导。活性层（14）具有形成在规定区域的周边部分上的异常生长部分（14a）和形成在异常生长部分（14a）的圆周上的禁带宽度增加部分（14b），并且具有与活性层（14）的其它部分相比，除了异常生长部分（14a）之外，具有较大的禁带宽度。光波导通过与异常生长部分（14a）间隔开形成，以在前端表面（20A）上包括禁带宽度增加部分（14b）。

15. 发明申请

WO2009031206A1 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光元件和半导体激光元件制造方法
公开(公告)号：WO2009031206A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2007/067231
申请日：2007-09-04
申请人：古河電気工業株式会社 , 谷口英広 , 石井宏辰 , 行谷武
发明人：谷口英広 , 石井宏辰 , 行谷武
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/164 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2072 , H01S5/3054 , H01S5/3223 , H01S5/3427
摘要：　本発明にかかる半導体レーザ素子１は、III族空孔の拡散によって形成された混晶化部分を含む窓領域２３と、量子井戸構造の活性層１５を有する非窓領域２４とを備え、所定の原子を吸収しIII族空孔の拡散を促進する促進膜を窓領域２３上に設けて混晶化部分を形成する半導体レーザ素子において、活性層１５の近傍側の層にＶ族サイトを優先的に置換する不純物がドーピングされ、窓領域におけるエネルギーバンドギャップと非窓領域におけるエネルギーバンドギャップとの差が５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供一种半导体激光元件（1），其包括由III族空位扩散形成的混合晶体部分的窗口区域（23）和具有量子阱（15）的有源层（15）的非窗口区域（24）井结构。在窗口区域（23）上形成用于通过吸收预定原子来促进III族空位扩散的促进膜，从而形成混合晶体部分。半导体激光元件（1）的特征在于，有源层（15）附近的层掺杂有用于替代V族位置的杂质，使得窗口区域中的能带间隙与能带之间的差异非窗口区域的间隙为50meV以上。

16. 发明申请

WO03088367A8 INTEGRATED ACTIVE PHOTONIC DEVICE AND PHOTODETECTOR 审中-公开
标题翻译：集成有源光电器件和光电转换器
公开(公告)号：WO03088367A8
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/GB0301461
申请日：2003-04-03
申请人： INTENSE PHOTONICS LTD , NAJDA STEPHEN
发明人： NAJDA STEPHEN
IPC分类号： H01L31/12 , H01S5/026 , H01L31/173 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/0264 , H01L31/125 , H01S5/162 , H01S5/164
摘要： An active photonic semiconductor device, such as a laser, optical amplifier or LED, is monolithically integrated with a photodetector. The device includes an optically active region formed on a substrate including a first electrical contact for initiating emission of photons within the optically active region; an optical confinement structure generally defining a principal optical path through the device and through said optically active region; and a photodetector structure formed on the substrate including a second electrical contact displaced from and substantially electrically insulated from the first contact, overlying a part of the principal optical path, for receiving carriers generated by said emitted photons. The photodetector is preferably positioned to cover an intermixed / non-intermixed region close to a facet of the device and also close to the active region of the device. The photodetector is weakly coupled to the optical confinement structure such that a very small proportion of the optical radiation can be monitored without deleteriously affecting the performance of the device.
摘要翻译：诸如激光器，光放大器或LED的有源光子半导体器件与光电检测器单片集成。该器件包括形成在衬底上的光学活性区域，该光学有源区域包括用于启动光学活性区域内的光子发射的第一电接触点; 光学限制结构通常限定通过该装置并通过所述光学活性区域的主要光路; 以及形成在所述基板上的光电检测器结构，所述光电检测器结构包括位于所述主光路的一部分上的与所述第一接触位置并基本上与所述第一接触基本上电绝缘的第二电接触，用于接收由所述发射的光子产生的载流光电探测器优选地定位成覆盖靠近该装置的小平面并且还靠近该装置的有源区域的混合/非混合区域。光电检测器弱耦合到光限制结构，使得可以监测非常小比例的光辐射，而不会有害地影响器件的性能。

17. 发明申请

WO2004004085A2 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND A METHOD FOR IMPROVING ITS PERFORMANCE 审中-公开
标题翻译：氮化物半导体激光器件和改善其性能的方法
公开(公告)号：WO2004004085A2
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/PL0300061
申请日：2003-06-26
申请人： AMMONO SP ZOO , NICHIA CORP , DWILINSKI ROBERT , DORADZINSKI ROMAN , GARCZYNSKI JERZY , SIERZPUTOWSKI LESZEK P , KANBARA YASUO
发明人： DWILINSKI ROBERT , DORADZINSKI ROMAN , GARCZYNSKI JERZY , SIERZPUTOWSKI LESZEK P , KANBARA YASUO
IPC分类号： H01L21/208 , C30B7/00 , C30B9/00 , H01S5/028 , H01S5/16 , H01S5/323 , H01S5/343
CPC分类号： C30B29/403 , C30B7/005 , C30B9/00 , C30B29/406 , H01S5/0281 , H01S5/164 , H01S5/32341
摘要： The present invention relates to a nitride semiconductor laser device provided with a window layer on a light-emitting end face of the resonator which comprises an active layer of nitride semiconductor between the n-type nitride semiconductor layers and the p-type nitride semiconductor layers, in which at least the radiation-emitting end face of said resonator is covered by said window layer comprising monocrystalline nitride of general formula A1xGa1-x-yInyN, where 0
摘要翻译：本发明涉及在谐振器的发光端面上设置有窗口层的氮化物半导体激光器件，该窗口层包括在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的氮化物半导体有源层，其中至少所述谐振器的辐射发射端面被所述窗口层覆盖，所述窗口层包括通式AlxGa1-x-yInyN的单晶氮化物，其中0≤x+y≤1,0≤x≤1和 0 <= y <1，具有比有源层更宽的能隙并且在低温下形成以不损伤所述有源层。这种窗口层的形成显着改善了根据本发明的氮化物激光器器件的性能。

18. 发明申请

WO2003038956A1 半導体発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件的生产方法
公开(公告)号：WO2003038956A1
公开(公告)日：2003-05-08
申请号：PCT/JP2002/011225
申请日：2002-10-29
申请人：松下電器産業株式会社 , 長谷川義晃 , 嶋本敏孝 , 菅原岳
发明人：長谷川義晃 , 嶋本敏孝 , 菅原岳
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1039 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： A production method for a semiconductor light emitting element comprising the step of growing a first nitride-based III-V compound semiconductor layer 22 on the principal surface of a substrate 21, the step of forming, repeatedly at a specified cycle and in a width direction, stripe-shaped masking films 23 each having a first width portion and a second width portion different in width on the first nitride-based III-V compound semiconductor layer, the step of selectively growing a second nitride-based III-V compound semiconductor layer 25 from the portions, exposed between the masking films, of the surface of the first nitride-based III-V compound semiconductor layer so as to cover the masking films and those exposed portions, and the step of laminating on the second nitride-based III-V compound semiconductor layer semiconductor laser structures 26-33 including active layers practically extending in the extending direction of the masking films to thereby obtain, at portions on the boundaries between the first width portions stripe 1 and the second width portions stripe 2 of the masking films, a semiconductor laser structure having laminate step differences 301 according to the width differences between the first and second width portions.
摘要翻译：一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括在基板21的主面上生长第一氮化物系III-V族化合物半导体层22的步骤，在规定的周期和宽度方向在第一氮化物系III-V族化合物半导体层上具有第一宽度部和宽度不同的条状掩模膜23，选择性地生长第二氮化物系III-V族化合物半导体层 25，暴露在第一氮化物III-V族化合物半导体层的表面的掩模膜之间的部分，以覆盖掩模膜和那些暴露部分，以及层叠在第二氮化物基III上的步骤 -V化合物半导体层半导体激光器结构26-33，其包括实际上在掩模膜的延伸方向上延伸的活性层，从而在结合部分上获得在掩模膜的第一宽度部分条纹1和第二宽度部分条纹2之间的白葡萄酒，根据第一和第二宽度部分之间的宽度差，具有层压步长差的301的半导体激光结构。

19. 发明申请

WO2002065555A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体本体AND METHOD FOR THE
公开(公告)号：WO2002065555A1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：PCT/DE2001/004293
申请日：2001-11-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUTGEN, Stephan
发明人： LUTGEN, Stephan
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/30 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01S5/164 , H01S5/183 , H01S2301/173
摘要： Die strahlungserzeugende Schichtenfolge (2) ist direkt auf einer Fensterschicht (3) aufgewachsen, die eine oder eine Mehrzahl von aufeinanderfolgenden AlgaAs-Schichten (4, 5, 6) aufweist. Die AlGaAs-Schichten sind mittels Flüssigphasenepitaxie oder einem ähnlichen Verfahren hergestellt und weisen entfernt von der Schichtenfolge (2) jeweils einen Al-Gehalt auf, bei dem AlGaAs für die erzeugte Strahlung durchlässig ist. Der Al-Gehalt nimmt, in jeder der AlGaAs-Schichten (4, 5, 6) in Richtung zur aktiven Schichtenfolge (2) hin ab. Die Fensterschicht (3) besteht alternativ aus einem freitragenden AlGaAs-Epitaxiesubstrat (7), das einen Al-Gehalt aufweist, bei dem AgGaAs für die erzeugte Strahlung durchlässig ist.
摘要翻译：放射线产生层序列（2）直接生长（3）具有一个或多个连续的AlGaAs层的窗口层（4，5，6）。在AlGaAs层是通过液相方法或类似方法制成，从层的顺序已删除（2）各自具有在所产生的辐射的在AlGaAs的Al含量是可渗透的。 Al含量的增加，在各AlGaAs层的（4，5，6）在从有源层序列（2）出来的方向。窗口层（3）可选地由（7）具有的Al含量的悬臂型AlGaAs外延衬底，其中AgGaAs对所产生的辐射是可渗透的。

20. 发明申请

WO2002060023A1 IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO SEMICONDUCTOR LASERS 审中-公开
标题翻译：对半导体激光器的改进或相关
公开(公告)号：WO2002060023A1
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：PCT/GB2002/000290
申请日：2002-01-23
申请人： THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW , HAMILTON, Craig, James , MARSH, John, Haig
发明人： HAMILTON, Craig, James , MARSH, John, Haig
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/1025 , H01S5/16 , H01S5/164 , H01S5/204
摘要： There is disclosed an improved semiconductor laser device (10; 10a), e.g. a single mode index guided laser diode. The device (10; 10a) comprises: an optical waveguide (15; 15a); at least one electrical contact (20; 20a) extending along part of a length of the waveguide (15; 15a); and wherein the at least one electrical contact (20; 20a) is shorter than the optical waveguide (15; 15a). By this arrangement a part of parts of the waveguide (15; 15a) are not electrically pumped, in use.
摘要翻译：公开了一种改进的半导体激光器件（10; 10a），例如单模折射引导激光二极管。所述装置（10; 10a）包括：光波导（15; 15a）; 沿着所述波导（15; 15a）的一部分长度延伸的至少一个电触头（20; 20a）; 并且其中所述至少一个电触头（20; 20a）比所述光波导（15; 15a）短。通过这种布置，波导（15; 15a）的一部分部分在使用中不被电泵送。

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