专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

111. 发明申请

WO2012091271A3 METHOD FOR MANUFACTURING NANO-IMPRINT MOULD, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE USING THE NANO IMPRINT MOULD MANUFACTURED THEREBY, AND LIGHT-EMITTING DIODE MANUFACTURED THEREBY 审中-公开
标题翻译：制造纳米印模的方法，使用其制造的纳米印花模制造发光二极管的方法和制造的发光二极管
公开(公告)号：WO2012091271A3
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/KR2011008158
申请日：2011-10-28
申请人： POSTECH ACAD IND FOUND , LEE JONG LAM , SON JUN HO , SONG YANG HEE
发明人： LEE JONG LAM , SON JUN HO , SONG YANG HEE
IPC分类号： B29C33/38 , B29C59/02 , G03F7/00
CPC分类号： H01L33/52 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , H01L21/02019 , H01L21/30617 , H01L29/0665 , H01L33/005 , H01L33/0075
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a nano-imprint mould, a light-emitting diode using same, and a method for manufacturing same. The method for manufacturing a light-emitting diode of the present invention comprises: a step for forming on a temporary substrate an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer; a step for forming on the p-type nitride semiconductor layer a p-type electrode; a step for forming a conductive substrate on the p-type electrode; a step for exposing the n-type nitride semiconductor layer by removing the temporary substrate; a step for forming a nano-imprint resist layer on the n-type nitride semiconductor; a step for transferring a nano-pattern on the nano-imprint resist layer by pressurizing a nano-imprint mould on the nano-imprint resist layer; a step for isolating the nano-imprint mould from the nano-imprint resist layer having formed the nano-pattern; and a step for forming an n-type electrode by etching a part of the nano-imprint resist layer having formed the nano-pattern. The present invention enables a method for manufacturing a nano-imprint mould that can efficiently and economically form a nano-pattern for enhancing the light extraction efficiency of a light-emitting diode, a method for manufacturing a light-emitting diode, and a light-emitting diode using the nano-imprint mould.
摘要翻译：本发明涉及一种纳米压印模具的制造方法，使用该方法的发光二极管及其制造方法。本发明的发光二极管的制造方法包括：在临时衬底上形成n型氮化物半导体层，发光层和p型氮化物半导体层的步骤; 在p型氮化物半导体层上形成p型电极的工序; 在p型电极上形成导电性基板的工序; 通过去除所述临时衬底来暴露所述n型氮化物半导体层的步骤; 在n型氮化物半导体上形成纳米压印抗蚀剂层的步骤; 通过在纳米压印抗蚀剂层上加压纳米压印模具将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上的步骤; 从形成纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离纳米压印模具的步骤; 以及通过蚀刻形成纳米图案的纳米压印抗蚀剂层的一部分来形成n型电极的步骤。本发明使得能够有效且经济地形成用于提高发光二极管的光提取效率的纳米图案的纳米压印模具的制造方法，发光二极管的制造方法和发光二极管的制造方法，使用纳米压印模具的发光二极管。

112. 发明申请

WO2012092178A1 PREPARATION OF NANOCRYSTALS WITH MIXTURES OF ORGANIC LIGANDS 审中-公开
标题翻译：用有机配体混合物制备纳米晶体
公开(公告)号：WO2012092178A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/US2011/067144
申请日：2011-12-23
申请人： LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION , BARTEL, Joseph, August , CHEN, Yongfen , LERMER, Noah , CARTER, Timothy , SWEENEY, Scott, F. , TETERS, Chad, N. , HUANG, Wenxi
发明人： BARTEL, Joseph, August , CHEN, Yongfen , LERMER, Noah , CARTER, Timothy , SWEENEY, Scott, F. , TETERS, Chad, N. , HUANG, Wenxi
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B7/00 , C30B29/40 , C30B29/48 , C30B29/60 , G01N33/533 , G01N33/588 , H01L21/02628 , H01L31/035209 , H01L33/04 , H01L51/0007
摘要： Semiconductor nanocrystals prepared using a mixture of organic ligands (e.g., oxoacids), as well as compositions, kits, and methods of using such semiconductor nanocrystals are disclosed.
摘要翻译：公开了使用有机配体（例如含氧酸）的混合物制备的半导体纳米晶体，以及组合物，试剂盒和使用这种半导体纳米晶体的方法。

113. 发明申请

WO2012088334A1 ELECTRICAL DEVICES WITH GRAPHENE ON BORON NITRIDE 审中-公开
标题翻译：带有石墨的电气设备
公开(公告)号：WO2012088334A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/US2011/066620
申请日：2011-12-21
申请人： SHEPARD, Kenneth , KIM, Philip , HONE, James C. , DEAN, Cory
发明人： SHEPARD, Kenneth , KIM, Philip , HONE, James C. , DEAN, Cory
IPC分类号： H01L29/06 , H01L31/00
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/0665 , H01L29/1033 , H01L29/42356 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684
摘要： Methods of forming and resulting devices are described that include graphene devices on boron nitride. Selected methods of forming and resulting devices include graphene field effect transistors (GFETs) including boron nitride.
摘要翻译：描述了形成和所得装置的方法，其包括在氮化硼上的石墨烯装置。形成和所得器件的所选方法包括包括氮化硼的石墨烯场效应晶体管（GFET）。

114. 发明申请

WO2012075006A2 HIGH RATE ELECTRIC FIELD DRIVEN NANOELEMENT ASSEMBLY ON AN INSULATED SURFACE 审中-公开
标题翻译：高速电场驱动的纳米元件组装在绝缘表面上
公开(公告)号：WO2012075006A2
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/US2011/062395
申请日：2011-11-29
申请人： NORTHEASTERN UNIVERSITY , SIRMAN, Asli , BUSNAINA, Ahmed , YILMAZ, Cihan , HUANG, Jun , SOMU, Sivasubramanian
发明人： SIRMAN, Asli , BUSNAINA, Ahmed , YILMAZ, Cihan , HUANG, Jun , SOMU, Sivasubramanian
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： C25D13/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D5/4407 , C09D5/4488 , C09D125/06 , C25D13/04 , C25D13/12 , C25D13/20 , H01L21/0243 , H01L21/0259 , H01L21/02628 , H01L29/0665 , H05K1/0213 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K3/1258 , Y10S977/882 , Y10S977/892
摘要： A method for high rate assembly of nanoelements into two-dimensional void patterns on a non-conductive substrate surface utilizes an applied electric field to stabilize against forces resulting from pulling the substrate through the surface of a nanoelement suspension. The electric field contours emanating from a conductive layer in the substrate, covered by an insulating layer, are modified by a patterned photoresist layer, resulting in an increased driving force for nanoelements to migrate from a liquid suspension to voids on a patterned substrate having a non-conductive surface. The method can be used for the production of microscale and nanoscale circuits, sensors, and other electronic devices.
摘要翻译：将纳米元件高速组装成非导电基底表面上的二维空穴图案的方法利用施加的电场来抵抗通过纳米元素悬浮液的表面拉动基底所产生的力。由绝缘层覆盖的衬底中的导电层发出的电场轮廓由图案化的光致抗蚀剂层改变，导致纳米元件从液体悬浮液迁移到具有非绝缘层的图案化衬底上的空隙的驱动力增加，导电表面。该方法可用于生产微尺度和纳米级电路，传感器和其他电子设备。

115. 发明申请

WO2012069606A2 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP IMPLEMENTE SUR UN RESEAU DE NANOFILS VERTICAUX, DISPOSITIF DE TRANSISTOR RESULTANT, DISPOSITIF ELECTRONIQUE COMPRENANT DE TELS DISPOSITIFS DE TRANSISTORS, ET PROCESSEUR COMPRENANT AU MOINS UN TEL DISPOSITIF ELECTRONIQUE. 审中-公开
标题翻译：用于制造在垂直纳米线网络上实现的场效应晶体管器件的方法，结晶晶体管器件，包含这种晶体管器件的电子器件以及包含至少一个这样的器件的处理器
公开(公告)号：WO2012069606A2
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/EP2011/070979
申请日：2011-11-24
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S) , LARRIEU, Guilhem
发明人： LARRIEU, Guilhem
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/775 , B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L21/8232 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7827 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , H01L21/02606 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/413 , H01L29/41741 , H01L29/4232 , H01L29/66439 , H01L29/775 , Y10S977/762 , Y10S977/938
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif (20) de transistor à effet de champ implémenté sur un réseau de nanofils verticaux (24) comprenant les étapes : création des électrodes source (26) et drain (30) à chaque extrémité de chaque nanofil (24) de manière symétrique par rapport à l'électrode de grille de chaque transistor élémentaire implémenté sur un nanofil; création d'une électrode de grille par dépôt d'une couche de matériau conducteur (38) autour d'une couche de matériau diélectrique (36) entourant une portion de chaque nanofil (24), la couche de conducteur (38) étant unique pour tous les nanofils et l'épaisseur de la couche de conducteur correspondant à la longueur de la grille du dispositif de transistors; et isolation de chaque électrode par une couche plane d'un matériau diélectrique (32, 34) afin de former une grille nanométrique et d'isoler les contacts entre la grille et la source et la grille et le drain de chaque transistor élémentaire.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造在垂直纳米线（24）的网络上实现的场效应晶体管器件（20）的方法，包括以下步骤：在每一端产生源电极（26）和漏电极（30）每个纳米线（24）相对于在纳米线上实现的每个基本晶体管的栅电极对称; 通过在围绕每个纳米线（24）的一部分的介电材料的层（36）周围沉积导电材料层（38）来形成栅电极，用于所有纳米线的单个导电层（38）和厚度的导电层对应于晶体管器件的栅极长度; 并且用电介质材料的平面层（32,34）绝缘每个电极，以便形成纳米尺度的栅极并且为了使栅极和源极以及栅极和漏极之间的每个基本晶体管的触点绝缘。

116. 发明申请

WO2012004267A1 DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE A NIVEAUX METALLIQUES D'INTERCONNEXION CONNECTES PAR DES VIAS PROGRAMMABLES 审中-公开
标题翻译：具有可编程VIAS连接的金属互连级的微电子器件
公开(公告)号：WO2012004267A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/061332
申请日：2011-07-05
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , ERNST, Thomas , MOREL, Paul-Henry
发明人： ERNST, Thomas , MOREL, Paul-Henry
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/105
CPC分类号： H01L21/76879 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02425 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02653 , H01L21/40 , H01L21/76 , H01L21/76802 , H01L21/8221 , H01L21/823487 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L27/105 , H01L27/1277 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775 , H01L29/78642 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： L' invention concerne un dispositif microélectronique comprenant : - un substrat (100) et une pluralité de niveaux métalliques d' interconnexions superposés sur le substrat, - une première ligne métallique (210) d'un niveau métallique d'interconnexion donné, - une deuxième ligne métallique (260) d'un autre niveau métallique d' interconnexion situé au- dessus dudit niveau métallique d'interconnexion donné, lesdites première et deuxième lignes étant connectées entre elles par l'intermédiaire d'au moins un élément de connexion semi-conducteur (225) s' étendant dans une direction réalisant un angle non-nul avec lesdites premières lignes métallique et deuxième ligne métallique, le dispositif comprenant en outre une électrode de grille (233) apte à contrôler la conduction dudit élément de connexion semi-conducteur.
摘要翻译：本发明涉及一种微电子器件，包括：衬底（100）和堆叠在衬底上的多个金属互连层; 给定金属互连电平的第一金属线（210）; 位于所述给定金属互连电平上方的另一金属互连电平的第二金属线（260），所述第一和第二线通过至少一个半导体连接元件（225）互连，半导体连接元件沿与所述第一金属线形成非零角度的方向延伸和所述第二金属线，所述器件还包括能够控制所述半导体连接元件的导通的栅电极（233）。

117. 发明申请

WO2011141229A1 GENERATION OF MULTIPLE DIAMETER NANOWIRE FIELD EFFECT TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：多直径纳米场效应晶体管的生成
公开(公告)号：WO2011141229A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/EP2011/055048
申请日：2011-03-31
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , IBM UNITED KINGDOM LIMITED , SLEIGHT, Jeffrey , BANGSARUNTIP, Sarunya , COHEN, Guy
发明人： SLEIGHT, Jeffrey , BANGSARUNTIP, Sarunya , COHEN, Guy
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/336 , H01L21/306 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/775 , H01L29/78 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/302 , H01L21/3247 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78696
摘要： A method of modifying a wafer having a semiconductor disposed on an insulator is provided and includes forming first and second nanowire channels connected at each end to semiconductor pads at first and second wafer regions, respectively, with second nanowire channel sidewalls being misaligned relative to a crystallographic plane of the semiconductor more than first nanowire channel sidewalls and displacing the semiconductor toward an alignment condition between the sidewalls and the crystallographic plane such that thickness differences between the first and second nanowire channels reflect the greater misalignment of the second nanowire channel sidewalls.
摘要翻译：提供了修改具有设置在绝缘体上的半导体的晶片的方法，并且包括分别在第一和第二晶片区域处形成分别连接到半导体焊盘的第一和第二纳米线通道，其中第二纳米线通道侧壁相对于晶体学不对准半导体的平面超过第一纳米线通道侧壁并将半导体移向侧壁和结晶平面之间的对准状态，使得第一和第二纳米线通道之间的厚度差异反映了第二纳米线通道侧壁的较大的未对准。

118. 发明申请

WO2011111574A1 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011111574A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/JP2011/054673
申请日：2011-02-23
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA , KOTO, Makoto
发明人： KOTO, Makoto
IPC分类号： H01L29/06 , B82B3/00 , H01L21/205 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/0262 , B81B2203/0361 , B81C1/00095 , B81C2201/0181 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N27/4146 , G01N27/4148 , H01L21/02373 , H01L21/02521 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0676
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device by which the length of nanowires perpendicularly formed can be fabricated with high reproducibility. The method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming a first layer; forming a stop layer on the first layer, the stop layer having a higher Young's modulus than the first layer; forming a recess by partially removing the first layer and the stop layer; growing nanowires in the recess; forming a planarizing layer; removing the planarizing layer to the level of the stop layer to expose the nanowires from the surface of the planarizing layer; and forming an electrode so as to be in contact with the upper ends of the nanowires.
摘要翻译：本发明涉及一种制造半导体器件的方法，通过该方法可以以高再现性制造垂直形成的纳米线的长度。制造半导体器件的方法包括形成第一层的步骤; 在所述第一层上形成停止层，所述停止层具有比所述第一层更高的杨氏模量; 通过部分去除第一层和止挡层形成凹部; 在凹槽中生长纳米线; 形成平坦化层; 将所述平坦化层去除到所述停止层的水平面以从所述平坦化层的表面露出所述纳米线; 并形成与纳米线的上端接触的电极。

119. 发明申请

WO2011109644A1 Nanostructure and Photovoltaic Cell Implementing Same 审中-公开
标题翻译：纳米结构和光电池实现相同
公开(公告)号：WO2011109644A1
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/US2011/027066
申请日：2011-03-03
申请人： Q1 Nanosystems, Inc. , EVELSIZER, Vincent , BAWDEN, Larry , FISHER, John
发明人： EVELSIZER, Vincent , BAWDEN, Larry , FISHER, John
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/035227 , H01L21/02603 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L31/18 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/543
摘要： Nanostructures and photovoltaic structures are disclosed. Methods for creating nanostructures are also presented.
摘要翻译：公开了纳米结构和光伏结构。还提出了创建纳米结构的方法。

120. 发明申请

WO2011105397A1 半導体装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011105397A1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/JP2011/053909
申请日：2011-02-23
申请人：国立大学法人北海道大学 , シャープ株式会社 , 福井孝志 , 冨岡克広 , 本久順一 , 原真二郎
发明人：福井　孝志 , 冨岡　克広 , 本久　順一 , 原　真二郎
IPC分类号： H01L33/34 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L29/06 , H01L33/06
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0676 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/42
摘要：　半導体装置（１０）は、ガラス基板（１２）、下部電極層（１４）、ｎ型にドーピングされたポリシリコン半導体層（１６）、ナノワイヤ（３２）の成長の核となる開口部（２２），（２３）を有する低温絶縁膜（２０）、その上に成長するコアシェル構造のナノワイヤ（３２）、その周囲を覆う絶縁層（５０）、上部電極層（５２）を含んで構成される。ナノワイヤ（３２）は、ｎ型ＧａＡｓのコア層と、ｐ型ＧａＡｓのシェル層とで構成される。この他に、ナノワイヤは、量子井戸構造を有するナノワイヤとすることもでき、処理温度を低温化できるＩｎＡｓを用いることもできる。
摘要翻译：公开了一种半导体器件（10），其由玻璃基板（12），下电极层（14），n型掺杂多晶硅半导体层（16），具有开口的低温绝缘膜（20）（22,23），其用作纳米线（32）的生长的核，所述纳米线（32）生长在所述低温绝缘膜（20）上并具有核 - 壳结构，绝缘层（围绕纳米线（32）的上部电极层（50）和上部电极层（52）。纳米线（32）由n型GaAs芯层和p型GaAs壳层构成。顺便提及，纳米线可以形成为具有量子阱结构的纳米线，并且能够降低加工温度的InAs可用于纳米线。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式