专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2010044129A1 半導体発光素子アレー、およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件阵列及其制造方法
公开(公告)号：WO2010044129A1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/JP2008/002956
申请日：2008-10-17
申请人：国立大学法人北海道大学 , 比留間健之 , 原真二郎 , 本久順一 , 福井孝志
发明人：比留間健之 , 原真二郎 , 本久順一 , 福井孝志
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：本発明は、ＭＯＶＰＥ選択成長法を用いて、同一基板上に複数の波長を有する半導体面発光素子を製造することを目的とする。具体的に、半導体結晶基板；前記基板の表面に配置された絶縁膜であって、前記絶縁膜は２以上の領域に区分されており、かつ前記２以上の領域のそれぞれには、前記基板の表面を露出させる２以上の開口部が形成されている絶縁膜；前記基板の表面から前記開口部を通って上方に延伸する半導体ロッドであって、前記延伸方向にｎ型半導体層とｐ型半導体層が積層されており、ｐ－ｎ接合を有する半導体ロッド、ならびに前記半導体結晶基板に接続された第一電極、および前記半導体ロッドの上部に接続された第二電極を含む半導体発光素子アレーであって、前記半導体ロッドの前記基板表面からの高さは、前記２以上の領域毎に異なる、半導体発光素子アレーが提供される。
摘要翻译：具有多个波长的半导体表面发射元件通过MOVPE选择性生长在单个衬底上制造。更具体地，提供了一种半导体发光元件阵列，其包括：半导体晶体基板; 绝缘膜设置在所述基板的表面上，所述绝缘膜被分成两个或更多个区域，每个区域具有暴露所述基板的表面的两个或多个开口; 半导体棒从衬底的表面向上延伸通过开口，每个半导体棒都具有n型半导体层和p型半导体层，其沿其延伸方向层压，由此提供p-n结; 连接到所述半导体晶体基板的第一电极; 以及连接到所述半导体棒的上部的第二电极; 其中从所述衬底表面测量的所述半导体棒的高度随所述两个或更多个区域中的每一个而变化。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式