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    • 4. 发明申请
    • BANDGAP ENGINEERING OF CARBON QUANTUM DOTS
    • 碳量计的带宽工程
    • WO2016053411A1
    • 2016-04-07
    • PCT/US2015/036729
    • 2015-06-19
    • WILLIAM MARSH RICE UNIVERSITY
    • TOUR, James, M.YE, RuquanMETZGER, AndrewSTAVINOHA, MacyZHENG, Yonghao
    • C01B31/10
    • C01B32/184C01B32/15C01P2004/64
    • Embodiments of the present disclosure pertain to scalable methods of producing carbon quantum dots with desired bandgaps by the following steps: exposing a carbon source to an oxidant at a reaction temperature, where the exposing results in the formation of the carbon quantum dots; and selecting a desired size of the formed carbon quantum dots. In some embodiments, the selecting occurs by at least one of separating the desired size of the formed carbon quantum dots from other formed carbon quantum dots; selecting the reaction temperature that produces the desired size of the formed carbon quantum dots; and combinations of such steps. The desired size of carbon quantum dots can include a size range. The methods of the present disclosure can also include a step of purifying the formed carbon quantum dots prior to selecting a desired size.
    • 本公开的实施例涉及通过以下步骤生产具有期望带隙的碳量子点的可缩放方法:在反应温度下将碳源暴露于氧化剂,其中曝光导致碳量子点的形成; 并选择所需尺寸的形成的碳量子点。 在一些实施例中,选择通过将形成的碳量子点的期望尺寸与其它形成的碳量子点分离的至少一种进行发生; 选择产生所需尺寸的形成的碳量子点的反应温度; 以及这些步骤的组合。 碳量子点的期望尺寸可以包括尺寸范围。 本公开的方法还可以包括在选择所需尺寸之前纯化形成的碳量子点的步骤。
    • 10. 发明申请
    • カーボンナノ構造体、カーボンナノ構造体の製造方法およびその製造装置
    • 碳纳米结构,碳纳米管结构的制造方法及其制造装置
    • WO2014132724A1
    • 2014-09-04
    • PCT/JP2014/051752
    • 2014-01-28
    • 住友電気工業株式会社
    • 日方 威大久保 総一郎宇都宮 里佐東 勇吾藤田 淳一村上 勝久
    • C01B31/02B01J23/745
    • C01B31/0233B01J23/74B01J23/745B01J35/0013B82Y40/00C01B31/0206C01B32/15C01B32/162C23C16/04C23C16/26C23C16/46
    •  この発明に従ったカーボンナノ構造体の製造方法は、ベース体を準備する準備工程(S10)および酸化工程(S20)と、カーボンナノ構造体を成長させる工程(S30)とを備える。ベース体を準備する工程では、触媒部材と分離部材との接触部または一体化した部位の少なくとも一部が酸化したベース体を準備する。工程(S30)では、触媒部材と分離部材との分離界面領域にカーボンナノ構造体を成長させる。工程(S30)は、触媒部材においてカーボンナノ構造体が成長している分離界面領域に面する部分に局所的に原料ガスを供する工程、および分離界面領域を局所的に加熱する工程の少なくともいずれか一方を含む。これにより、曲がりなどの発生を抑制した長尺のカーボンナノ構造体、当該カーボンナノ構造体の製造方法、および当該カーボンナノ構造体の製造方法に用いる製造装置を提供するができる。
    • 该制造碳纳米结构体的方法包括制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20),以及用于生长碳纳米结构的步骤(S30)。 在制备基体的步骤中,制备基体,其中催化剂构件和分离构件的至少一些接触部位或整体位置已被氧化。 在步骤(S30)中,在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长碳纳米结构体。 步骤(S30)包括以下步骤中的至少一种:将原料气体局部地提供给面向碳纳米结构在催化剂构件中生长的分离界面区域的部分和用于局部加热分离界面区域的步骤中的至少一个。 这使得可以提供抑制弯曲等发生的长碳纳米结构体,这种碳纳米结构体的制造方法和用于制造该碳纳米结构体的方法中的制造装置。