专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

91. 发明申请

WO2011128391A1 PROCEDE DE LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE PAR PROJECTION DE CELLULES A GRANDE MAILLE 审中-公开
标题翻译：大型网孔投影电子束光刻方法
公开(公告)号：WO2011128391A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055861
申请日：2011-04-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MANAKLI, Serdar
发明人： MANAKLI, Serdar
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： G03F7/70091 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776 , Y10S430/143
摘要： L'invention s'applique à un procédé de lithographie par projection de cellules, notamment électronique par écriture directe. Une des limitations principales des procédés de ce type dans l'art antérieur est le temps d'écriture. Pour surmonter cette limitation, selon le procédé de l'invention, on augmente la taille des cellules jusqu'à l'ouverture maximale du dispositif de lithographie. Avantageusement, cette augmentation de taille est obtenue par modification de la taille des ouvertures du niveau de stencil de projection le plus proche du substrat à graver. Avantageusement, on ajoute à l'extérieur du bloc à graver une bande (510a) sur laquelle est rayonnée une dose calculée pour optimiser la latitude en énergie du procédé. Avantageusement, cette bande est espacée du bord du bloc à graver. Avantageusement les cellules projetées ne sont pas jointives.
摘要翻译：本发明涉及一种细胞投影光刻方法，特别是直写式电子束光刻技术。现有技术中这种方法的主要限制之一是写入时间。为了克服这个限制，根据本发明的方法，提高了电池的尺寸以匹配光刻装置的最大开度。有利地，所述尺寸增加通过将最接近的突出模板上的开口的尺寸改变为待蚀刻的基底来获得。有利地，将带（510a）加入到待蚀刻的块的外部，其上辐射剂量，其已经以使方法的能量纬度最优化的方式被计算。有利地，所述条带与被蚀刻块的边缘相距一定距离。有利地，投影单元不连接。

92. 发明申请

WO2011078968A2 METHOD AND SYSTEM FOR FRACTURING A PATTERN USING CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY WITH MULTIPLE EXPOSURE PASSES 审中-公开
标题翻译：使用多次曝光通道的带电粒子束光刻法分割图案的方法和系统
公开(公告)号：WO2011078968A2
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/US2010/059345
申请日：2010-12-07
申请人： D2S, INC. , ZABLE, Harold Robert , FUJIMURA, Akira
发明人： ZABLE, Harold Robert , FUJIMURA, Akira
IPC分类号： G03F7/20 , G06F17/50 , G06F19/00
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： In the field of semiconductor production using charged particle beam lithography, a method and system for fracturing or mask data preparation or proximity effect correction using a plurality of exposure passes is disclosed. In one embodiment, base dosages for the plurality of exposure passes are different from each other. In another embodiment, the union of shots from one of the exposure passes is different than the union of shots from a different exposure pass. In a further embodiment, the sum of the base dosage levels for the plurality of exposure passes does not equal a normal dosage. Similar methods for manufacturing a reticle and manufacturing an integrated circuit are also disclosed.
摘要翻译：在使用带电粒子束光刻的半导体生产领域中，公开了一种使用多个曝光通道进行压裂或掩模数据准备或邻近效应校正的方法和系统。在一个实施方案中，用于多个曝光通道的基础剂量彼此不同。在另一个实施例中，来自曝光通道之一的镜头的联合不同于来自不同曝光次数的镜头的联合。在另一个实施方案中，多次暴露通过的基础剂量水平的总和不等于正常剂量。还公开了用于制造掩模版和制造集成电路的类似方法。

93. 发明申请

WO2011051301A1 CHARGED PARTICLE MULTI-BEAMLET LITHOGRAPHY SYSTEM, MODULATION DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF 审中-公开
标题翻译：充电颗粒多波束光刻系统，调制装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2011051301A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/EP2010/066195
申请日：2010-10-26
申请人： MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V. , WIELAND, Marco Jan-Jaco , POSTMA, Ferry Michael
发明人： WIELAND, Marco Jan-Jaco , POSTMA, Ferry Michael
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/04
CPC分类号： H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/07 , H01J37/3174 , H01J2237/0262 , H01J2237/0435 , H01J2237/0437 , H01J2237/31774
摘要： The invention relates to a modulation device for use in a charged particle multi -beamlet lithography system. The device includes a body comprising an interconnect structure 100) provided with a plurality of modulators and interconnects at different levels within the interconnect structure for enabling connection of the modulators to one or more pattern data receiving elements. A modulator includes a first electrode (132), a second electrode (134), and an aperture (135) extending through the body. The electrodes are located on opposing sides of the aperture for generating an electric field across the aperture. At least one of the first electrode and the second electrode includes a first conductive element (110) formed at a first level of the interconnect structure and a second conductive element (110) formed at a second level of the interconnect structure. The first and second conductive elements are electrically connected with each other.
摘要翻译：本发明涉及一种用于带电粒子多光束光刻系统的调制装置。该装置包括具有在互连结构内的不同级别的多个调制器和互连的互连结构100）的主体，用于使调制器能够连接到一个或多个模式数据接收元件。调制器包括第一电极（132），第二电极（134）和延伸穿过本体的孔（135）。电极位于孔的相对侧上，以产生穿过孔的电场。第一电极和第二电极中的至少一个包括形成在互连结构的第一水平处的第一导电元件（110）和形成在互连结构的第二级处的第二导电元件（110）。第一和第二导电元件彼此电连接。

94. 发明申请

WO2011046989A1 GENERALIZATION OF SHOT DEFINITIONS FOR MASK AND WAFER PATTERNING TOOLS 审中-公开
标题翻译：用于掩模和波纹图案工具的SHOT定义的一般化
公开(公告)号：WO2011046989A1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/US2010/052410
申请日：2010-10-12
申请人： MENTOR GRAPHICS CORPORATION , SAHOURIA, Emile, Y. , SCHULZE, Steffen, F.
发明人： SAHOURIA, Emile, Y. , SCHULZE, Steffen, F.
IPC分类号： H01J37/317 , G03F7/20 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/2063 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F1/78 , G03F7/2045 , G03F7/70466 , H01J37/3174 , H01L21/0274 , H01L21/26
摘要： The invention relates to techniques for reducing the number of shots required by a radiation beam writing tool to write a pattern, such as fractured layout design, onto a substrate. One or more apertures are employed by a radiation beam writing tool to write a desired pattern onto a substrate using L- shaped images, T-shaped images, or some combination of both. For example, some implementations of the invention may analyze the atomic shapes in a pattern to identify adjacent rectangular atomic shapes that can be combined into an L -shape or a T -shape. The radiation beam writing tool can then write these atomic shapes onto a substrate in a single shot by forming an image on the substrate corresponding to the L -shape or T -shape.
摘要翻译：本发明涉及用于减少辐射束写入工具所需的镜头数目的技术，以将诸如断裂布局设计的图案写入衬底。辐射束写入工具使用一个或多个孔，以使用L形图像，T形图像或两者的某种组合将期望的图案写入基板。例如，本发明的一些实现可以分析图案中的原子形状以识别可以组合成L形或T形的相邻矩形原子形状。然后，辐射束写入工具可以通过在与L形或T形形状相对应的衬底上形成图像，将这些原子形状在单次照射中写入到衬底上。

95. 发明申请

WO2011034428A1 CHARGED PARTICLE OPTICAL SYSTEM WITH MULTIPLE BEAMS 审中-公开
标题翻译：带有多光束的带电粒子光学系统
公开(公告)号：WO2011034428A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/NL2010/050603
申请日：2010-09-17
申请人： MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V. , KRUIT, Pieter , ZONNEVYLLE, Aernout, Christiaan
发明人： KRUIT, Pieter , ZONNEVYLLE, Aernout, Christiaan
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/12 , H01J37/1477 , H01J2237/0435 , H01J2237/04924 , H01J2237/1205
摘要： The invention relates to a multiple beam charged particle optical system comprising: a charged particle source for generating a plurality of charged particle beamlets, and charged particle optics for directing the charged particle beamlets from the charged particle source towards a target, wherein each charged particle beamlet defines a beamlet centre line,said charged particle optics comprising one or more electrostatic lens arrays, each comprising two or more array electrodes for generating a plurality of electrostatic lenslets,wherein each lenslet is arranged for focusing a corresponding charged particle beamlet, and wherein each lenslet defines a lenslet optical axis,wherein at least one of said one or more electrostatic lens arrays comprises one or more off-axis electrostatic lenslets, wherein the beamlet centre line of the corresponding charged particle beamlet passes through said off-axis electrostatic lenslet at a distance from its lenslet optical axis.
摘要翻译：本发明涉及多束带电粒子光学系统，其包括：用于产生多个带电粒子子束的带电粒子源，以及用于将来自带电粒子源的带电粒子子束朝向目标，其中每个带电粒子小射束限定小射束中心线，所述带电粒子光学器件包括一个或多个静电透镜阵列，每个静电透镜阵列包括用于产生多个静电小透镜的两个或更多个阵列电极，其中每个小透镜被布置用于聚焦对应的并且其中每个小透镜限定小透镜光轴，其中所述一个或多个静电透镜阵列中的至少一个包括一个或多个离轴静电小透镜，其中对应的带电粒子小射束的小射束中心线穿过所述带电粒子小射束离轴小静电小透镜与小透镜光轴相距一定距离。

96. 发明申请

WO2011022703A1 METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING A SURFACE USING CHARACTER PROJECTION LITHOGRAPHY WITH VARIABLE MAGNIFICATION 审中-公开
标题翻译：使用可变放大的字符投影平移制造表面的方法和系统
公开(公告)号：WO2011022703A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/US2010/046239
申请日：2010-08-20
申请人： D2S, INC. , FUJIMURA, Akira
发明人： FUJIMURA, Akira
IPC分类号： H01J37/317 , G03F1/14 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2047 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , H01J37/3174 , Y10S430/143
摘要： A character projection charged particle beam writer system is disclosed comprising a variable magnification reduction lens which will allow different shot magnifications on a shot by shot basis. A method for fracturing or mask data preparation or optical proximity correction is also disclosed comprising assigning a magnification to each calculated charged particle beam writer shot. A method for forming a pattern on a surface is also disclosed comprising using a charged particle beam writer system and varying the magnification from shot to shot. A method for manufacturing an integrated circuit using optical lithography is also disclosed, comprising using a charged particle beam writer system to form a pattern on a reticle, and varying the magnification of the charged particle beam writer system from shot to shot.
摘要翻译：公开了一种字符投影带电粒子束写入器系统，其包括可变放大倍率减小透镜，其可以在逐个镜头的基础上允许不同的镜头放大率。还公开了一种用于压裂或掩模数据准备或光学邻近校正的方法，包括为每个计算的带电粒子束写入器拍摄分配放大率。还公开了一种用于在表面上形成图案的方法，包括使用带电粒子束写入器系统并且改变从镜头到镜头的放大率。还公开了一种使用光刻法制造集成电路的方法，包括使用带电粒子束写入器系统在掩模版上形成图案，并且将带电粒子束写入器系统的放大率从镜头改变为镜头。

97. 发明申请

WO2010146833A1 荷電粒子線装置审中-公开
标题翻译：充电颗粒辐射装置
公开(公告)号：WO2010146833A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/JP2010/003964
申请日：2010-06-15
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ , 糟谷圭吾 , 大嶋卓 , 片桐創一 , 木村政司
发明人：糟谷圭吾 , 大嶋卓 , 片桐創一 , 木村政司
IPC分类号： H01J37/06 , H01J37/18
CPC分类号： H01J37/065 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/3174 , H01J2237/0206 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/06316 , H01J2237/06325 , H01J2237/06375 , H01J2237/2482
摘要：　荷電粒子線装置の電子銃において、電子衝撃脱離ガスの発生量を低減し、かつ真空排気を効率的に行う、真空度を向上した電子銃を提供するために、電子源（１）と、電子源（１）から電子線を放出させるための引出電極（６）とを有し、電子源（１）を含む第１真空室が引出電極（６）に設けられたアパーチャを介して第２真空室（９）に接続され、それぞれの真空室が独立した真空排気手段で差動排気する構成において、電子源（１）まわりの真空排気の経路を広く確保し、かつ所定の電位を与えた遮蔽電極（２２）を用いて、引出電極（６）上の電子線の照射領域から放出する反射電子の進行を遮ることで、電子衝撃脱離ガスの発生を低減する。
摘要翻译：提供了一种带电粒子辐射装置的电子枪，其中减少了电子刺激的解吸气体的产生，并且有效地进行了真空排气，从而提高了真空度。带电粒子辐射装置具有电子源（1）和提取电极（6），并且具有其中包含电子源（1）的第一真空室经由设置的孔连接到第二真空室（9）的结构在抽出电极（6）中，每个真空室通过独立的真空排气装置进行差异抽真空。在该结构中，围绕电子源（1）确保用于真空排气的宽路径，并且使用施加了预定电位的屏蔽电极（22）来阻挡从辐射区域发射的反射电子的进行的电子束在引出电极（6）上，从而减少了电子刺激的解吸气体的产生。

98. 发明申请

WO2010109655A1 電子線描画装置及び電子線描画方法审中-公开
标题翻译：电子束光刻系统和电子束光刻方法
公开(公告)号：WO2010109655A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/JP2009/056325
申请日：2009-03-27
申请人：株式会社アドバンテスト , 山田章夫 , 坂崎知博 , 安田洋
发明人：山田章夫 , 坂崎知博 , 安田洋
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3175 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174
摘要：【課題】デバイスパターンの重要度に応じて電子線の形状や偏向静定待ち時間を調整し、高速かつ高精度に描画することが可能な電子線描画装置を提供すること。【解決手段】電子線描画装置は、デバイスパターンに要求される精度に応じたランクが付加された描画パターンのデータを格納する記憶部と、ランクに応じて、分割描画パターンのデータを生成する描画パターン調整部と、静定待ち時間をランクに応じて決定する静定待ち時間調整部と、分割描画パターンのデータ及び静定待ち時間に従って、電子ビームを照射させながらデバイスパターンを描画する制御部とを有する。描画パターン調整部は、ランクを基に、分割描画パターンの長辺サイズの上限値又は分割描画パターンの面積の上限値を決定して上限値に応じて描画パターンを分割描画パターンに分割する。
摘要翻译：提供了一种电子束光刻系统，其可以根据装置图案的重要性调节电子束的形状和/或挠曲稳定等待时间，以执行高速，高精度的光刻。电子束光刻系统包括存储部分，其存储根据设备图案所需的精度对其划分的光刻图案的数据; 光刻图案调整部，其根据等级生成分割光刻图案的数据; 稳定等待时间调整部，其根据等级决定稳定等待时间; 以及控制部件，其根据分割的光刻图案的数据和稳定等待时间照射电子束，对设备图案进行平版印刷。光刻图案调整部基于等级来决定分割光刻图案的长边的尺寸的上限值或将分割光刻图案的面积的上限值分割为分割光刻图案模式符合决定的上限值。

99. 发明申请

WO2010109454A1 NANOTUBE-BASED ELECTRON EMISSION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：基于纳米管的电子发射装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2010109454A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/IL2010/000237
申请日：2010-03-23
申请人： EL-MUL TECHNOLOGIES, LTD. , DAREN, Sagi
发明人： DAREN, Sagi
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/304
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2237/0635 , H01J2237/28
摘要： An electron emission device including a substrate, an intermediate layer overlaying the substrate and including a crater having an annular wall extending from an upper surface of the substrate along a central longitudinal axis of the crater, a catalyst film having a predetermined catalyst film diameter and disposed within the crater on the upper surface such that a catalyst central region of the catalyst film is substantially concentric to a central region of the crater along the central longitudinal axis, at least one nanotube is attached to the catalyst film at the catalyst central region and extending therefrom along the central longitudinal axis, and a gate layer overlaying the intermediate layer and including a central annular aperture having a predetermined gate layer aperture diameter formed over the crater for controlling the application of electric fields on the nanotube to control emission of electrons from the nanotube, wherein a ratio between the catalyst film diameter and the gate layer aperture diameter is in the range of 1/14 to 1/6.
摘要翻译：一种电子发射装置，包括衬底，覆盖衬底的中间层，并且包括具有沿着火山口的中心纵轴从衬底的上表面延伸的环形壁的火山口，具有预定催化剂膜直径的催化剂膜，在上表面的火山口内，使得催化剂膜的催化剂中心区域沿着中心纵向轴线与火山口的中心区域基本同心，在催化剂中心区域处至少一个纳米管附着到催化剂膜上，并延伸沿着中心纵向轴线的栅极层和覆盖中间层的栅极层，并且包括形成在火山口上方的具有预定栅极层孔径的中心环形孔径，用于控制在纳米管上施加电场以控制来自纳米管的电子的发射，其中催化剂膜直径和栅层开口直径在1/14至1/6的范围内。

100. 发明申请

WO2010094802A1 PREPARATION UNIT FOR LITHOGRPAHY MACHINE 审中-公开
标题翻译： LITHOGRPAHY机械的准备单位
公开(公告)号：WO2010094802A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/EP2010/052219
申请日：2010-02-22
申请人： MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V. , DE JONG, Hendrik Jan
发明人： DE JONG, Hendrik Jan
IPC分类号： H01L21/00 , B65G1/04 , B65H1/00 , C23C16/00 , F16K1/16 , H01L21/44 , H05H1/24 , G05B24/04
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/00
摘要： A charged particle lithography system comprising a preparation unit (112). The preparation unit comprises a housing having a first load port (131) for loading and/or unloading a substrate (22, 82, 122) into or out of the housing, a substrate transfer unit (127) for locating the substrate onto a substrate support structure (23, 83, 123) within the housing, and a second load port (132) for loading and/or unloading the substrate support structure supporting the substrate.
摘要翻译：一种带电粒子光刻系统，包括制备单元（112）。准备单元包括具有用于将基板（22,82,122）装载和/或卸载到壳体中的第一装载端口（131）的壳体，用于将基板定位到基板上的基板传送单元（127）支撑结构（23,83,123）以及用于装载和/或卸载支撑衬底的衬底支撑结构的第二负载端口（132）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式