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1. 发明申请

WO2007129135A1 METHOD FOR TRANSFERRING A PREDETERMINED PATTERN REDUCING PROXIMITY EFFECTS 审中-公开
标题翻译：用于传输预测图案减少接近效应的方法
公开(公告)号：WO2007129135A1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/IB2006/001670
申请日：2006-05-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS (Crolles 2) SAS , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , PAIN, Laurent , MANAKLI, Serdar , BERVIN, Georges
发明人： PAIN, Laurent , MANAKLI, Serdar , BERVIN, Georges
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70433 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70383 , H01J37/3174 , Y10S430/143
摘要： A method for transferring a predetermined pattern onto a flat support performed by direct writing by means of a particle beam comprises at least: deposition of a photoresist layer on a free surface of the support, application of the beam on exposed areas of the photoresist layer, performing correction by modulation of exposure doses received by each exposed area, developing of the photoresist layer so as to form said pattern. Correction further comprises determination of a substitution pattern (11) comprising at least one subresolution feature and use of the substitution pattern (11) for determining the areas to be exposed when the electron beam is applied. In addition, modulation takes account of the density of the substitution pattern (11) near to each exposed area.
摘要翻译：通过用粒子束进行直接写入而将预定图案转移到平坦支撑件上的方法至少包括：在支撑体的自由表面上沉积光致抗蚀剂层，在光致抗蚀剂层的曝光区域上施加光束，通过调制由每个曝光区域接收的曝光剂量来校正光致抗蚀剂层的显影以形成所述图案。校正还包括确定包含至少一个子分解特征的取代图案（11），并且使用取代图案（11）来确定当施加电子束时要暴露的区域。此外，调制考虑了靠近每个暴露区域的取代图案（11）的密度。

2. 发明申请

WO2011128383A1 PROCEDE DE LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE AVEC CORRECTION DE FINS DE LIGNES PAR INSERTION DE MOTIFS DE CONTRASTE 审中-公开
标题翻译：通过对比度图案插入对线端校正的电子束光刻方法
公开(公告)号：WO2011128383A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055843
申请日：2011-04-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MANAKLI, Serdar
发明人： MANAKLI, Serdar
IPC分类号： H01J37/317 , G03F7/20
CPC分类号： G06F17/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , H01J37/3174
摘要： L'invention s'applique à un procédé de lithographie électronique, notamment pour des technologies de dimension critique de l'ordre de 22 nm. Dans de tels procédés appliqués notamment à des réseaux de lignes, les procédés de l'art antérieur ne permettent pas de corriger correctement les raccourcissements de fins de lignes. Le procédé de l'invention résout ce problème en réalisant l'insertion de structures d'intensification de contraste de types optimisés pour la structure des lignes à corriger. Le procédé permet le calcul semi-automatique ou automatique des dimensions et des emplacements desdites structures. Avantageusement, ces calculs peuvent être modélisés pour produire un design cible, dérivé de bibliothèques de composants. Ils peuvent être complétés par une optimisation conjointe de la taille des gravures et des doses rayonnées, en fonction de la latitude en énergie du procédé.
摘要翻译：本发明涉及一种电子束光刻方法，特别是对于22nm的临界尺寸技术。在这种特别适用于线路网络的方法中，现有技术的方法不允许对线端缩短的正确校正。根据本发明的方法通过插入针对要校正的线的结构而优化的对比度增强结构来解决这个问题。该方法能够半自动或自动计算所述结构的尺寸和位置。有利地，可以对所述计算进行建模，以便产生从组件库导出的目标设计。根据该方法的能量范围，可以通过联合优化蚀刻和辐射剂量来完成它们。

3. 发明申请

WO2011128348A1 PROCEDE DE LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE AVEC CORRECTION DES ARRONDISSEMENTS DE COINS 审中-公开
标题翻译：电子束光刻方法与角膜矫正的比较
公开(公告)号：WO2011128348A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055746
申请日：2011-04-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MANAKLI, Serdar
发明人： MANAKLI, Serdar
IPC分类号： H01J37/317 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/31 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , G03F7/2061 , G03F7/2063 , H01J37/3174
摘要： L'invention s'applique à un procédé de lithographie électronique, notamment par écriture directe. Elle résout le problème de fiabilité du design des composants gravés par l'effet d'arrondissement des coins de motifs contigus, notamment dans le cas de motifs à graver de dimension critique de l'ordre de 35 nm. L'invention consiste à déterminer les motifs critiques, à déterminer des motifs de correction par soustraction de motifs de corrections de dimensions et d'emplacements choisis en fonction des effets d'arrondissement de coins externes ou internes à corriger et à réaliser la gravure du design corrigé. Avantageusement, les corrections peuvent être réalisées par calcul d'un modèle de correction tenant compte des paramètres des motifs critiques. Avantageusement, est également effectuée une correction des effets de proximité propres à ces procédés, par resizing des bords des blocs à graver en combinaison optimisée par la latitude en énergie avec une modulation des doses rayonnées. Avantageusement, des fonctions de rescaling et de négation et des fonctions eRIF peuvent être utilisées pour optimiser les paramètres et la réalisation de l'extrusion.
摘要翻译：本发明涉及一种电子束光刻技术，特别是直写式电子束光刻技术，解决了相邻图案角落圆角蚀刻的部件设计的可靠性问题，特别是对于蚀刻图案，具有35nm的临界尺寸。本发明涉及确定临界图案，通过去除具有根据外角或内角圆角的影响选择的尺寸和位置的校正图案，以及蚀刻校正的设计来确定校正图案。有利地，可以通过计算考虑到关键模式的参数的校正模型来进行校正。有利的是，通过调整辐射剂量的调节，通过以由能量纬度优化的组合调整要蚀刻的块的边缘来进行所述方法的邻近效应的校正。有利的是，重新缩放和否定功能以及eRIF功能可用于优化参数和挤出的实施。

4. 发明申请

WO2011128393A1 PROCEDE DE LITHOGRAPHIE A OPTIMISATION COMBINEE DE L'ENERGIE RAYONNEE ET DE LA GEOMETRIE DE DESSIN 审中-公开
标题翻译：利用放射能量和设计几何的组合优化算法
公开(公告)号：WO2011128393A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055863
申请日：2011-04-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MANAKLI, Serdar
发明人： MANAKLI, Serdar
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： G03F7/70558 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174
摘要： L'invention s'applique à un procédé de lithographie d'un motif à graver sur un support, notamment un procédé utilisant un rayonnement d'électrons à écriture directe sur le support. Jusqu'à présent, les méthodes de correction des effets de proximité pour des géométries de réseaux denses (espacements interlignes de 10 à 30 nm) se traduisent par une augmentation significative des doses rayonnées et donc du temps d'exposition. Selon l'invention, les motifs à graver sont modifiés en fonction de la latitude en énergie du procédé, ce qui permet de réduire les doses rayonnées.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将待蚀刻图案刻蚀成支撑体的方法，特别是使用电子辐射直接写入载体上的方法。到目前为止，用于校正密集网络几何的邻近效应（10-30nm的线间距）的方法已经导致辐射剂量的显着增加，因此导致了曝光时间。根据本发明，根据该方法的能量范围修改要蚀刻的图案，使得可以减少辐射剂量。

5. 发明申请

WO2011128391A1 PROCEDE DE LITHOGRAPHIE ELECTRONIQUE PAR PROJECTION DE CELLULES A GRANDE MAILLE 审中-公开
标题翻译：大型网孔投影电子束光刻方法
公开(公告)号：WO2011128391A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055861
申请日：2011-04-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , MANAKLI, Serdar
发明人： MANAKLI, Serdar
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： G03F7/70091 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776 , Y10S430/143
摘要： L'invention s'applique à un procédé de lithographie par projection de cellules, notamment électronique par écriture directe. Une des limitations principales des procédés de ce type dans l'art antérieur est le temps d'écriture. Pour surmonter cette limitation, selon le procédé de l'invention, on augmente la taille des cellules jusqu'à l'ouverture maximale du dispositif de lithographie. Avantageusement, cette augmentation de taille est obtenue par modification de la taille des ouvertures du niveau de stencil de projection le plus proche du substrat à graver. Avantageusement, on ajoute à l'extérieur du bloc à graver une bande (510a) sur laquelle est rayonnée une dose calculée pour optimiser la latitude en énergie du procédé. Avantageusement, cette bande est espacée du bord du bloc à graver. Avantageusement les cellules projetées ne sont pas jointives.
摘要翻译：本发明涉及一种细胞投影光刻方法，特别是直写式电子束光刻技术。现有技术中这种方法的主要限制之一是写入时间。为了克服这个限制，根据本发明的方法，提高了电池的尺寸以匹配光刻装置的最大开度。有利地，所述尺寸增加通过将最接近的突出模板上的开口的尺寸改变为待蚀刻的基底来获得。有利地，将带（510a）加入到待蚀刻的块的外部，其上辐射剂量，其已经以使方法的能量纬度最优化的方式被计算。有利地，所述条带与被蚀刻块的边缘相距一定距离。有利地，投影单元不连接。

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