专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2018156080A1 RECONFIGURABLE GRAY SCALE PHOTOMASKS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018156080A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：PCT/SG2018/050079
申请日：2018-02-22
申请人： AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人： WANG, Qian , TENG, Jinghua
IPC分类号： G03F1/68 , G03F7/004 , H01L21/033 , H01L21/02
CPC分类号： G03F7/0043 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/68 , G03F1/76
摘要： Methods and systems for fabricating gray scale photomasks and a gray scale photomask are provided. The method includes optically writing gray scale photomasks in a phase change chalcogenide thin film using tightly focused femtosecond laser pulses to form patterns in the phase change chalcogenide thin film including a plurality of submicron sized crystallized marks. The gray scale photomask includes rewriteable phase change chalcogenide thin film including a plurality of submicron sized crystallized marks forming patterns in the phase change chalcogenide thin film.

2. 发明申请

WO2015008594A1 半導体製造プロセス用レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びレジストパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス审中-公开
标题翻译：半导体制造工艺的耐蚀组合物; 耐腐蚀薄膜，耐光漆面膜，照相机和电阻图案使用耐磨组合物; 电子设备制造方法; 和电子设备
公开(公告)号：WO2015008594A1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：PCT/JP2014/066876
申请日：2014-06-25
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：土村　智孝 , 崎田　享平
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/039 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/32
摘要：　線幅５０ｎｍ以下の極微細なパターン形成において、感度及び解像力が高く、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が小さく、パターン形状及び経時安定性に優れ、アウトガス発生も少ない半導体製造プロセス用レジスト組成物を提供する。　（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する半導体製造プロセス用レジスト組成物。上記一般式（Ｉ）中、　Ｒ１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ２は、１価の有機基を表す。Ｒ３～Ｒ６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５、又はＲ５とＲ６が結合して脂環又は芳香環を形成してもよい。Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
摘要翻译：本发明提供了一种用于半导体制造工艺的抗蚀剂组合物。当形成线宽度为50nm以下的超细纹图案时，所述抗蚀剂组合物产生优异的图案形状并且显示出高灵敏度和分辨率，低线边缘粗糙度（LER），优异的稳定性随时间推移，并且少量除气。所述抗蚀剂组合物含有可由通式（I）表示的化合物（A）。在通式（I）中，R 1表示烷基，环烷基或芳基; R2表示一价有机基团; R 3至R 6各自表示氢原子，烷基，环烷基，芳基或卤素原子; R 3和R 4，R 4和R 5，或R 5和R 6可以彼此结合以形成脂环或芳环; X表示氧原子或硫原子。

3. 发明申请

WO2013118791A1 PHOTOCURED PRODUCT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：光电产品及其生产方法
公开(公告)号：WO2013118791A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/JP2013/052783
申请日：2013-01-31
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： MURAYAMA, Yohei , ITO, Toshiki , MIHARA, Chieko , OKINAKA, Motoki
IPC分类号： H01L21/027 , B29C39/10 , B29C39/24 , B29C59/02 , C08K5/05 , C08L33/00
CPC分类号： H01L21/0274 , B29C33/62 , B29C39/026 , B29C2035/0827 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G03F1/76 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/027 , H01L21/3081
摘要： It is intended to provide a photocured product that is prepared using the photo-imprint method and has favorable pattern precision and improvement in pattern defects. The present invention provides a photocured product obtained by irradiating a coating film in contact with a mold with light, the photocured product containing a fluorine atom-containing surfactant, wherein of secondary ion signals obtained by the surface analysis of the photocured product based on time-of-flight secondary ion mass spectrometry, the intensity of a C 2 H 5 O + ion signal is higher than that of a C 3 H 7 O + ion signal.
摘要翻译：旨在提供使用光印方法制备的光固化产品，并且具有良好的图案精度和图案缺陷的改进。本发明提供一种通过用光照射与模具接触的涂膜而获得的光固化产物，所述光固化产物含有含氟原子的表面活性剂，其中通过基于时间依赖性的光固化产品的表面分析获得的二次离子信号，飞行时间二次离子质谱法，C2H5O +离子信号的强度高于C3H7O +离子信号强度。

4. 发明申请

WO2012098822A1 CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION, RESIST FILM USING THE COMPOSITION, RESIST-COATED MASK BLANKS, RESIST PATTERN FORMING METHOD, PHOTOMASK AND POLYMER COMPOUND 审中-公开
标题翻译：化学放大抗蚀剂组合物，使用组合物的电阻膜，耐蚀涂层掩模，电阻图案形成方法，光电子和聚合物化合物
公开(公告)号：WO2012098822A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/JP2011/080549
申请日：2011-12-22
申请人： FUJIFILM Corporation , TSUCHIMURA, Tomotaka , YATSUO, Tadateru
发明人： TSUCHIMURA, Tomotaka , YATSUO, Tadateru
IPC分类号： G03F7/038 , C08F12/24 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0382 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08F257/00 , C08K5/19 , C09D125/18 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F1/56 , G03F1/76 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2037 , G03F7/2039 , C08F212/32 , C08L25/18 , C08F2220/185 , C08F220/42
摘要： A chemical amplification resist composition contains: (A) a polymer compound having a structure where a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group is replaced by a group having a non-acid-decomposable polycyclic alicyclic hydrocarbon structure; and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation.
摘要翻译：化学增幅抗蚀剂组合物包含：（A）具有酚羟基的氢原子被具有非酸可分解的多环脂肪族烃结构的基团代替的结构的高分子化合物; 和（B）能够在用光化射线或辐射照射时能产生酸的化合物。

5. 发明申请

WO2005036264A3 PHOTOMASK HAVING AN INTERNAL SUBSTANTIALLY TRANSPARENT ETCH STOP LAYER 审中-公开
标题翻译：具有内部超大型透明蚀刻层的光刻胶
公开(公告)号：WO2005036264A3
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：PCT/US2004029452
申请日：2004-09-09
申请人： PHOTRONICS INC
发明人： MARTIN PATRICK M , LASSITER MATTHEW , TAYLOR DARREN , CANGEMI MICHAEL , POORTINGA ERIC
IPC分类号： G03F9/00 , G03C5/00 , G03F20060101 , G03F1/00 , G03F1/08
CPC分类号： G03F1/84 , G03F1/32 , G03F1/76
摘要： The present invention generally relates to optical lithography and more particularly relates to the fabrication of transparent or semitransparent phase shifting masks used in the manufacture of semiconductor devices. In particular, the present invention utilizes an internal etch stop layer and either a deposited substantially transparent layer, deposited partially transparent layer or deposited opaque thereon in an otherwise conventional photomask. The photomask of the present invention is used to make semiconductor devices or intergated circuits. In a preferred embodiment of the present invention is directed to an aaPSM comprising: a patterned opaques layer with a first set of at least one light transmitting openings and a second set of a at least one light transmitting openings; a deposited substantially transparent layer underlying the opaque layer wherein the deposited substantially transparent layer has corresponding light transmitting openings to each of the openings of the first set of at least one light transmitting openings, a substantially transparent etch stop layer underlying the deposited substantially transparent layer, and a subtantially transparent substrate underlying the transparent etch stop layer. In a prefered embodiment, the internal substantially transparent etch stop layer of the present invention is comprised of MgFx and even more particularly may be comprised of MgF2 depostied under evaporation. Other materials that may be used for the substantially transparent etch stop layer of the present invention include but are not limited to Al2O3 and AlxNy.
摘要翻译：本发明一般涉及光学光刻术，更具体地说涉及制造用于制造半导体器件的透明或半透明相移掩模。特别地，本发明利用内部蚀刻停止层和沉积的基本上透明的层，沉积的部分透明的层或在其它常规光掩模中沉积的不透明的层。本发明的光掩模用于制造半导体器件或隔离电路。在本发明的优选实施例中，涉及aaPSM，其包括：具有至少一个透光开口的第一组的第一组透明开口的第二组的图案化的白浊层; 在不透明层下面沉积的基本上透明的层，其中沉积的基本上透明的层具有到第一组至少一个透光开口的每个开口的对应的透光开口，沉积的基本上透明的层下面的基本上透明的蚀刻停止层，以及在透明蚀刻停止层下方的基本透明的基底。在优选的实施方案中，本发明的内部基本上透明的蚀刻停止层由MgF x组成，甚至更特别地可以由在蒸发下还原的MgF 2组成。可用于本发明的基本上透明的蚀刻停止层的其它材料包括但不限于Al 2 O 3和Al x N y。

6. 发明申请

WO2005036264A8 PHOTOMASK HAVING AN INTERNAL SUBSTANTIALLY TRANSPARENT ETCH STOP LAYER 审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK具有内部基本透明蚀刻停止层
公开(公告)号：WO2005036264A8
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/US2004029452
申请日：2004-09-09
申请人： PHOTRONICS INC
发明人： MARTIN PATRICK M , LASSITER MATTHEW , TAYLOR DARREN , CANGEMI MICHAEL , POORTINGA ERIC
IPC分类号： G03F20060101 , G03F1/00 , G03F1/08 , G03F
CPC分类号： G03F1/84 , G03F1/32 , G03F1/76
摘要： The present invention generally relates to optical lithography and more particularly relates to the fabrication of transparent or semitransparent phase shifting masks used in the manufacture of semiconductor devices. In particular, the present invention utilizes an internal etch stop layer and either a deposited substantially transparent layer, deposited partially transparent layer or deposited opaque thereon in an otherwise conventional photomask. The photomask of the present invention is used to make semiconductor devices or intergated circuits. In a preferred embodiment of the present invention is directed to an aaPSM comprising: a patterned opaques layer with a first set of at least one light transmitting openings and a second set of a at least one light transmitting openings; a deposited substantially transparent layer underlying the opaque layer wherein the deposited substantially transparent layer has corresponding light transmitting openings to each of the openings of the first set of at least one light transmitting openings, a substantially transparent etch stop layer underlying the deposited substantially transparent layer, and a subtantially transparent substrate underlying the transparent etch stop layer. In a prefered embodiment, the internal substantially transparent etch stop layer of the present invention is comprised of MgFx and even more particularly may be comprised of MgF2 depostied under evaporation. Other materials that may be used for the substantially transparent etch stop layer of the present invention include but are not limited to Al2O3 and AlxNy.
摘要翻译：本发明一般涉及光学光刻，更具体地涉及用于制造半导体器件的透明或半透明相移掩模的制造。特别地，本发明利用内部蚀刻停止层和沉积的基本上透明的层，沉积的部分透明层或在其他常规光掩模上沉积的不透明层。本发明的光掩模用于制造半导体器件或集成电路。在本发明的优选实施例中，涉及一种aaPSM，其包括：具有第一组至少一个光透射开口和第二组至少一个光透射开口的图案化不透明层; 在不透明层下面的沉积的基本上透明的层，其中沉积的基本上透明的层具有对应于第一组至少一个透光开口的每个开口的对应光透射开口，在沉积的基本透明层下面的基本上透明的蚀刻停止层，以及位于透明蚀刻停止层下方的基本上透明的衬底。在一个优选的实施方案中，本发明的内部基本上透明的蚀刻停止层由MgFx组成，并且甚至更具体地可以由在蒸发下沉积的MgF 2组成。可以用于本发明的基本上透明的蚀刻停止层的其他材料包括但不限于Al 2 O 3和Al x N y。

7. 发明申请

WO2003023488A1 GRAPHICS ENGINE FOR HIGH PRECISION LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于高精度光刻的图形发动机
公开(公告)号：WO2003023488A1
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/SE2002/001609
申请日：2002-09-09
申请人： MICRONIC LASER SYSTEMS AB
发明人： SANDSTRÖM, Torbjörn , OLSSON, Martin , ELMFORS, Per , GUSTAVSON, Stefan
IPC分类号： G02B26/08
CPC分类号： G03F7/70508 , G03F1/76 , G03F7/70291 , G06T15/00
摘要： The invention relates to rendering high precision images with sub-pixel resolution and is applicable to production of reticles and large area masks, direct writing of patterns and inspection of reticles or other patterned work pieces. Aspect of the invention can apply to both SLM and scanning technologies. The invention includes a method to modulating a micro mirror array to create and intensity image. The application discloses overlap zones, use of guard zones, moving and resizing polygons, representing areas utilizing two levels of resolution, defining edges, orientation of edges and corners.
摘要翻译：本发明涉及渲染具有亚像素分辨率的高精度图像，并且可应用于生产标线和大面积掩模，直接写入图案以及检查标线片或其它图案化工件。本发明的方面可以应用于SLM和扫描技术。本发明包括一种调制微镜阵列以产生和强度图像的方法。应用公开了重叠区域，保护区域的使用，移动和调整多边形的尺寸，表示利用两个分辨率级别的区域，限定边缘，边缘和角落的取向。

8. 发明申请

WO1994011787A1 METHOD OF DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：沉积方法
公开(公告)号：WO1994011787A1
公开(公告)日：1994-05-26
申请号：PCT/GB1993002391
申请日：1993-11-19
申请人： THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF DUNDEE , THOMSON, James , CAIRNS, James
发明人： THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF DUNDEE
IPC分类号： G03F07/004
CPC分类号： H01L21/283 , C07F1/00 , C23C16/18 , G03F1/76 , G03F7/0042 , G03F7/16 , G03F7/2043
摘要： There is described a method of chemically depositing a substance. The method is of utility in the direct manufacture of integrated circuits and in the manufacture of a photomask for use in production of integrated circuits. The method involves the use of a compound which degrades into a deposit and a residue when a radiant beam (e.g. a laser beam) or a particle beam (e.g. an electron beam) is applied. The residue and any unreacted compound may be washed off the substrate to which it has been applied. Nanoscale dimensions of the deposit can be achieved. A particularly suitable organometallic compound is tetra-sec butyl diaurum difluoride.
摘要翻译：描述了一种化学沉积物质的方法。该方法在集成电路的直接制造和用于集成电路生产中的光掩模的制造中是有用的。当施加辐射束（例如激光束）或粒子束（例如电子束）时，该方法包括使用降解成沉积物的化合物和残余物。残余物和任何未反应的化合物可以从其已经被施用的基材上洗去。可以实现沉积物的纳米级尺寸。特别合适的有机金属化合物是四仲丁基二氟化二氟。

9. 发明申请

WO2017030318A1 디지털 마이크로미러 디바이스 제어기 및 그의 노광 이미지 출력 처리 방법 审中-公开
标题翻译：数字微镜设备控制器和曝光图像输出处理方法
公开(公告)号：WO2017030318A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：PCT/KR2016/008812
申请日：2016-08-10
申请人： 주식회사 에스디에이
发明人： 임창민 , 심상범 , 문영성
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , G03F1/76
CPC分类号： G03F1/76 , G03F7/20 , G03F9/00
摘要： 일실시예는 관리 컨트롤러로부터 전송받은 노광할 이미지를 저장하는 저장부, 상기 노광할 이미지의 디지털 마이크로미러 디바이스 출력 처리를 전체 제어하는 메인 제어부 및, 상기 메인 제어부의 제어하에, 싱크 컨트롤러의 트리거 신호에 따라 상기 노광 스테이지 위치 변화에 상응하여 상기 노광할 이미지를 이동해서, DMD로의 노광 이미지 출력을 처리하는 노광 이미지 매니저를 포함하고, 상기 노광할 이미지는 노광 스테이지나 마스크 필름을 메모리에 가상화하여 구현할 해상도의 메모리 비트 셀(Bit Cell)로 모델링화한 가상 프레임으로 생성하여 된 것이며, 상기 노광 이미지 매니저는 상기 생성된 가상 프레임을 노광할 이미지로 사용해서, 노광 이미지 출력을 처리하는 디지털 마이크로미러 디바이스 제어기 및 그의 노광 이미지 출력 처리 방법에 관한 것으로, 일정 픽셀 크기를 가진 디스플레이 장치에 정밀 미세 패턴을 구현하고, 노광 스테이지와 노광할 이미지 간 실시간 동기화도 이루어진다.
摘要翻译：实施例涉及数字微镜器件（DMD）控制器及其曝光图像输出处理方法。 DMD控制器包括：存储单元，用于存储从管理控制器接收的用于曝光的图像; 主控制单元，用于控制用于曝光图像的数字微镜装置的总体输出处理; 以及曝光图像管理器，其在主控制单元的控制下，根据吸收控制器的触发信号响应曝光阶段的位置变化而移动用于曝光的图像，并通过一个 DMD。生成用于曝光的图像作为虚拟框架，曝光阶段或掩模膜在存储器中被虚拟化，并以要实现的分辨率建模为存储位单元。曝光图像管理器使用所生成的虚拟帧作为曝光图像并处理曝光图像的输出。在具有一定像素尺寸的显示装置上实现了详细的精细图案，并且实现了曝光台和用于曝光的图像之间的实时同步。

10. 发明申请

WO2016150043A1 一种掩膜板、掩膜曝光设备及掩膜曝光方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016150043A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/CN2015/084445
申请日：2015-07-20
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：藤野诚治 , 张嵩 , 王涛 , 高静 , 杜小波
IPC分类号： G03F1/64
CPC分类号： G03F1/76 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F7/70058 , H01L27/1288
摘要：一种掩膜板、掩膜曝光设备及掩膜曝光方法，属于显示技术领域。掩膜板包括托盘；所述托盘上具有至少一个掩膜定位槽，每一个所述掩膜定位槽内设置有掩膜。上述掩膜板、掩膜曝光设备及掩膜曝光方法能够有效实现闭环开口的掩膜，从而提高基板上成膜的质量。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式