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1. 发明专利

TWI667373B 液體組成物及利用該液體組成物的蝕刻方法有权
简体标题：液体组成物及利用该液体组成物的蚀刻方法
公开(公告)号：TWI667373B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104138367
申请日：2015-11-20
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：竹內秀範 , TAKEUCHI, HIDENORI , 夕部邦夫 , YUBE, KUNIO
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/3213 , H01L21/465 , H01L29/786

2. 发明专利

TW201829742A 濕蝕刻表面處理法及其方法製得的微孔矽晶片审中-公开
简体标题：湿蚀刻表面处理法及其方法制得的微孔硅芯片
公开(公告)号：TW201829742A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106105845
申请日：2017-02-22
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：余明儒 , 黃彥鈞 , 謝博偉 , 陳堯博 , 林耕民 , 周芳儀
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/306 , H01L21/465
摘要：本發明提供一種酸蝕刻液，其以重量百分比計(wt%)含有氫氟酸、硝酸、緩衝劑，及水。氫氟酸介於35 wt%至60 wt%間；硝酸介於20wt%至30wt%間；緩衝劑大於0 wt%且小於等於5 wt%；水介於20 wt%至40 wt%間。此外，本發明亦提供一種濕蝕刻表面處理法，其依序包含一使用一如前所述之酸蝕刻液對一經固定砥粒切割所取得的多晶矽片施予酸蝕刻的酸蝕刻步驟、一鹼蝕刻步驟、一酸洗步驟，及一乾燥步驟。又，本發明亦提供一種由前述方法所製得的微孔矽晶片。
简体摘要：本发明提供一种酸蚀刻液，其以重量百分比计(wt%)含有氢氟酸、硝酸、缓冲剂，及水。氢氟酸介于35 wt%至60 wt%间；硝酸介于20wt%至30wt%间；缓冲剂大于0 wt%且小于等于5 wt%；水介于20 wt%至40 wt%间。此外，本发明亦提供一种湿蚀刻表面处理法，其依序包含一使用一如前所述之酸蚀刻液对一经固定砥粒切割所取得的多晶硅片施予酸蚀刻的酸蚀刻步骤、一碱蚀刻步骤、一酸洗步骤，及一干燥步骤。又，本发明亦提供一种由前述方法所制得的微孔硅芯片。

3. 发明专利

TW201724468A 電子器件及製造其之方法审中-公开
简体标题：电子器件及制造其之方法
公开(公告)号：TW201724468A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105115593
申请日：2016-05-19
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：文珠榮 , MOON, JOO-YOUNG
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/465
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L27/0207 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/11502 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L28/00
摘要：本發明提供一種半導體器件，其可包括：複數個第一觸點，其在一第一方向及與該第一方向交叉之一第二方向上以一預定距離配置；複數個第二觸點，其交替地配置在該等第一觸點之間，且在該第一方向及該第二方向以一預定距離配置；複數個狗骨頭型導線，其分別連接至該複數個第二觸點當中之在該第二方向上配置之該等第二觸點，且具有凹部及凸部；以及複數個蝕刻阻止圖案，其分別形成在該複數個導線之上以與該等導線重疊。
简体摘要：本发明提供一种半导体器件，其可包括：复数个第一触点，其在一第一方向及与该第一方向交叉之一第二方向上以一预定距离配置；复数个第二触点，其交替地配置在该等第一触点之间，且在该第一方向及该第二方向以一预定距离配置；复数个狗骨头型导线，其分别连接至该复数个第二触点当中之在该第二方向上配置之该等第二触点，且具有凹部及凸部；以及复数个蚀刻阻止图案，其分别形成在该复数个导线之上以与该等导线重叠。

4. 发明专利

TW201711205A 半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置审中-公开
简体标题：半导体设备、包括该半导体设备的显示设备
公开(公告)号：TW201711205A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105115502
申请日：2016-05-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 島行德 , SHIMA, YUKINORI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/4757 , H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/477 , H01L21/465 , H01L29/49 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L21/47573 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/3262 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/4966 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L2227/323
摘要：在包含氧化物半導體的電晶體中，藉由抑制電特性的變動而提高可靠性。本發明的一個實施方式是一種包括電晶體的半導體裝置，電晶體包括：第一絕緣膜上的第一氧化物半導體膜；第一氧化物半導體膜上的閘極絕緣膜；閘極絕緣膜上的第二氧化物半導體膜；以及第一氧化物半導體膜及第二氧化物半導體膜上的第二絕緣膜，其中，第一氧化物半導體膜包括：與閘極絕緣膜接觸的通道區域；與第二絕緣膜接觸的源極區域；以及與第二絕緣膜接觸的汲極區域，並且，第二氧化物半導體膜的載子密度比第一氧化物半導體膜高。
简体摘要：在包含氧化物半导体的晶体管中，借由抑制电特性的变动而提高可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括晶体管的半导体设备，晶体管包括：第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的闸极绝缘膜；闸极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；以及第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，其中，第一氧化物半导体膜包括：与闸极绝缘膜接触的信道区域；与第二绝缘膜接触的源极区域；以及与第二绝缘膜接触的汲极区域，并且，第二氧化物半导体膜的载子密度比第一氧化物半导体膜高。

5. 实用新型

TWM595883U 擋液板結構與以之製備之蝕刻設備有权
简体标题：挡液板结构与以之制备之蚀刻设备
公开(公告)号：TWM595883U
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108215964
申请日：2019-11-29
申请人：亞智科技股份有限公司
发明人：邱顯煒 , 鄭宇軒 , 李宗榮
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/465 , H01L21/67 , H01L21/02

6. 实用新型

TWM573073U 具表面圖形化分氣盤之反應氣體進氣擴散系統及其半導體蝕刻機分氣盤結構有权
简体标题：具表面图形化分气盘之反应气体进气扩散系统及其半导体蚀刻机分气盘结构
公开(公告)号：TWM573073U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW107213332
申请日：2018-10-01
申请人：聚昌科技股份有限公司 , ADVANCED SYSTEM TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：林志隆 , LIN, CHIH-LUNG , 陳俊龍 , CHEN, CHUN-LUNG
IPC分类号： H01L21/465

7. 发明专利

TW201802955A 去除阻擋層使側壁凹陷最小化的方法审中-公开
简体标题：去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法
公开(公告)号：TW201802955A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121964
申请日：2016-07-12
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/465 , C25D19/00
摘要：本發明提供了一種去除阻擋層使側壁凹陷最小化的方法。該方法包括如下步驟：向蝕刻腔內通入鹵素-貴族元素化合物氣體和載氣，在該蝕刻腔內進行熱氣相蝕刻工藝以蝕刻互連結構的非凹進區域上的阻擋層；檢測熱氣相蝕刻工藝的終點，如果熱氣相蝕刻工藝到達終點，則執行下一步驟，反之，如果熱氣相蝕刻工藝沒有到達終點，則返回到上一步驟；停止向蝕刻腔內通入鹵素-貴族元素化合物氣體和載氣。
简体摘要：本发明提供了一种去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法。该方法包括如下步骤：向蚀刻腔内通入卤素-贵族元素化合物气体和载气，在该蚀刻腔内进行热气相蚀刻工艺以蚀刻互链接构的非凹进区域上的阻挡层；检测热气相蚀刻工艺的终点，如果热气相蚀刻工艺到达终点，则运行下一步骤，反之，如果热气相蚀刻工艺没有到达终点，则返回到上一步骤；停止向蚀刻腔内通入卤素-贵族元素化合物气体和载气。

8. 发明专利

TW201711110A 在增大的電漿處理系統中之電漿加強蝕刻审中-公开
简体标题：在增大的等离子处理系统中之等离子加强蚀刻
公开(公告)号：TW201711110A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105142615
申请日：2013-08-27
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：哈得森艾瑞克 A , HUDSON,ERIC A. , 貝利三世安祖 D , BAILEY III,ANDREW D. , 漢沙羅金德 , DHINDSA,RAJINDER
IPC分类号： H01L21/465
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67069
摘要：本發明提供用於蝕刻在電漿處理腔室中之基板的方法，該電漿處理腔室具有至少第一電漿產生區域和由半障壁結構與該第一電漿產生區域分開之第二電漿產生區域。本方法包含從在第一電漿產生區域中之主要進料氣體產生第一電漿。本方法更包含從在第二電漿產生區域中之次要進料氣體產生第二電漿，以使來自該第二電漿之至少一些物種遷移進入該第一電漿產生區域中。本方法可附加地包含在該第一電漿已使用來自該第二電漿之遷移物種增大後，使用該第一電漿蝕刻該基板。
简体摘要：本发明提供用于蚀刻在等离子处理腔室中之基板的方法，该等离子处理腔室具有至少第一等离子产生区域和由半障壁结构与该第一等离子产生区域分开之第二等离子产生区域。本方法包含从在第一等离子产生区域中之主要进料气体产生第一等离子。本方法更包含从在第二等离子产生区域中之次要进料气体产生第二等离子，以使来自该第二等离子之至少一些物种迁移进入该第一等离子产生区域中。本方法可附加地包含在该第一等离子已使用来自该第二等离子之迁移物种增大后，使用该第一等离子蚀刻该基板。

9. 发明专利

TW201308444A 用於處理基板表面的葉片模組审中-公开
简体标题：用于处理基板表面的叶片模块
公开(公告)号：TW201308444A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100149699
申请日：2011-12-30
申请人： MM科技股份有限公司 , MMTECH CO., LTD.
发明人：安吉秀 , AN, KIL SOO , 張承逸 , CHANG, SEUNG IL , 崔鐘春 , CHOI, JONG CHUN
IPC分类号： H01L21/465
摘要：本發明提供用於處理基板表面的葉片模組，其實現緊湊簡潔設備的配置，所述葉片模組能夠有效地移除形成於基板表面(具體來說矽膜表面)上的氧化矽膜，從而提高基板表面的均勻度，且實現對清洗率的精確控制。所述葉片模組包含流體提供模組，所述流體提供模組在長度方向上朝所述基板提供選自由蝕刻流體和水組成的群組中的至少一者；噴氣模組，其中噴氣噴嘴佈置在所述長度方向上，並朝基板噴射流體切割空氣；以及框架，其固定流體提供模組的兩個相對端以及噴氣模組的兩個相對端，以將流體提供模組和噴氣模組裝配在一起。
简体摘要：本发明提供用于处理基板表面的叶片模块，其实现紧凑简洁设备的配置，所述叶片模块能够有效地移除形成于基板表面(具体来说硅膜表面)上的氧化硅膜，从而提高基板表面的均匀度，且实现对清洗率的精确控制。所述叶片模块包含流体提供模块，所述流体提供模块在长度方向上朝所述基板提供选自由蚀刻流体和水组成的群组中的至少一者；喷气模块，其中喷气喷嘴布置在所述长度方向上，并朝基板喷射流体切割空气；以及框架，其固定流体提供模块的两个相对端以及喷气模块的两个相对端，以将流体提供模块和喷气模块装配在一起。

10. 发明专利

TW201841206A 用以蝕刻半導體材料的方法审中-公开
简体标题：用以蚀刻半导体材料的方法
公开(公告)号：TW201841206A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106133446
申请日：2017-09-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：珍皮爾柯林 , COLINGE, JEAN-PIERRE , 卡羅司迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 馬克范達爾 , MARK VAN DAL
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/465
摘要：本揭示敘述一個方法，其可選擇性地從矽鍺/矽鍺堆疊蝕刻矽，或可選擇性地從矽鍺/鍺堆疊蝕刻矽鍺，以形成富含鍺的奈米線通道。舉例而言，方法可以包括由具有富含矽材料與富含鍺材料的交替層所形成的多層堆疊。薄的第一硫族化合物層同時形成於富含矽材料上，而厚的第二硫族化合物層形成於富含鍺材料上。蝕刻第一硫族化合物層與第二硫族化合物層，直到從富含矽材料移除第一硫族化合物層。以不同的蝕刻速率蝕刻富含矽材料與第二硫族化合物層。
简体摘要：本揭示叙述一个方法，其可选择性地从硅锗/硅锗堆栈蚀刻硅，或可选择性地从硅锗/锗堆栈蚀刻硅锗，以形成富含锗的奈米线信道。举例而言，方法可以包括由具有富含硅材料与富含锗材料的交替层所形成的多层堆栈。薄的第一硫族化合物层同时形成于富含硅材料上，而厚的第二硫族化合物层形成于富含锗材料上。蚀刻第一硫族化合物层与第二硫族化合物层，直到从富含硅材料移除第一硫族化合物层。以不同的蚀刻速率蚀刻富含硅材料与第二硫族化合物层。

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