专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201802983A 襯底熱處理裝置审中-公开
简体标题：衬底热处理设备
公开(公告)号：TW201802983A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106100637
申请日：2017-01-09
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 楊宏超 , YANG, HONG-CHAO , 吳均 , WU, JUN , 王文軍 , WANG, WEN-JUN , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 方志友 , FANG, ZHI-YOU
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/68728 , H01L21/68735 , H01L21/68742
摘要：本發明公開了一種用於熱處理襯底的襯底熱處理裝置，包括烤盤、多個支撐件、擋板和驅動裝置。烤盤設有至少一條氣體通道。多個支撐件支撐襯底。擋板安裝在烤盤的頂面，擋板包圍襯底且擋板的內壁與襯底之間形成有間隙。驅動裝置驅動該多個支撐件上升或下降。熱處理襯底時，透過烤盤的氣體通道向襯底和烤盤頂面之間的空間供入熱的氣體，熱的氣體從擋板的內壁與襯底之間的間隙流出。
简体摘要：本发明公开了一种用于热处理衬底的衬底热处理设备，包括烤盘、多个支撑件、挡板和驱动设备。烤盘设有至少一条气体信道。多个支撑件支撑衬底。挡板安装在烤盘的顶面，挡板包围衬底且挡板的内壁与衬底之间形成有间隙。驱动设备驱动该多个支撑件上升或下降。热处理衬底时，透过烤盘的气体信道向衬底和烤盘顶面之间的空间供入热的气体，热的气体从挡板的内壁与衬底之间的间隙流出。

2. 发明专利

TW201802955A 去除阻擋層使側壁凹陷最小化的方法审中-公开
简体标题：去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法
公开(公告)号：TW201802955A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121964
申请日：2016-07-12
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/465 , C25D19/00
摘要：本發明提供了一種去除阻擋層使側壁凹陷最小化的方法。該方法包括如下步驟：向蝕刻腔內通入鹵素-貴族元素化合物氣體和載氣，在該蝕刻腔內進行熱氣相蝕刻工藝以蝕刻互連結構的非凹進區域上的阻擋層；檢測熱氣相蝕刻工藝的終點，如果熱氣相蝕刻工藝到達終點，則執行下一步驟，反之，如果熱氣相蝕刻工藝沒有到達終點，則返回到上一步驟；停止向蝕刻腔內通入鹵素-貴族元素化合物氣體和載氣。
简体摘要：本发明提供了一种去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法。该方法包括如下步骤：向蚀刻腔内通入卤素-贵族元素化合物气体和载气，在该蚀刻腔内进行热气相蚀刻工艺以蚀刻互链接构的非凹进区域上的阻挡层；检测热气相蚀刻工艺的终点，如果热气相蚀刻工艺到达终点，则运行下一步骤，反之，如果热气相蚀刻工艺没有到达终点，则返回到上一步骤；停止向蚀刻腔内通入卤素-贵族元素化合物气体和载气。

3. 发明专利

TW201737417A ＴＳＶ結構的平坦化工藝和裝置审中-公开
简体标题：ＴＳＶ结构的平坦化工艺和设备
公开(公告)号：TW201737417A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105133926
申请日：2016-10-20
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 楊貴璞 , YANG, GUI-PU , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/76898 , H01L23/53238
摘要：本發明揭示了TSV結構的平坦化工藝和裝置。TSV結構包括晶圓、晶圓上的通孔、晶圓上的氧化層、氧化層上及通孔的底部和側壁上的阻擋層、通孔內及阻擋層上的金屬層。在一種具體實施方式中，TSV結構的平坦化工藝包括：採用無應力抛光工藝去除晶圓的非凹進區域上的全部金屬層；採用化學濕法刻蝕工藝去除非凹進區域上的金屬層殘餘以及阻擋層。
简体摘要：本发明揭示了TSV结构的平坦化工艺和设备。TSV结构包括晶圆、晶圆上的通孔、晶圆上的氧化层、氧化层上及通孔的底部和侧壁上的阻挡层、通孔内及阻挡层上的金属层。在一种具体实施方式中，TSV结构的平坦化工艺包括：采用无应力抛光工艺去除晶圆的非凹进区域上的全部金属层；采用化学湿法刻蚀工艺去除非凹进区域上的金属层残余以及阻挡层。

4. 发明专利

TW201730382A 基板保持装置审中-公开
公开(公告)号：TW201730382A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105127291
申请日：2016-08-25
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 楊宏超 , YANG, HONG-CHAO , 吳均 , WU, JUN , 王堅 , WANG, JIAN
IPC分类号： C25D17/06
CPC分类号： C25D17/06 , C25D17/001 , H01L21/2885
摘要：本發明公開了一種基板保持裝置，該裝置包括杯形夾盤、密封件、夾盤板和豎直驅動裝置。杯形夾盤包括基部，基部具有底壁、側壁的外表面和側壁的內表面，基部的側壁的內表面傾斜向上突出形成支撐基板正面邊緣的支撐部。密封件包括底部、外壁和內壁，內壁設有唇形密封部，密封件的底部和外壁分別包裹住杯形夾盤基部的底壁和側壁的外表面，唇形密封部包裹杯形夾盤的支撐部以密封基板正面的邊緣。豎直驅動裝置與夾盤板連接，豎直驅動裝置驅動夾盤板下降或上升，以使夾盤板壓在基板的背面來夾持基板或使夾盤板離開基板的背面。
简体摘要：本发明公开了一种基板保持设备，该设备包括杯形夹盘、密封件、夹盘板和竖直驱动设备。杯形夹盘包括基部，基部具有底壁、侧壁的外表面和侧壁的内表面，基部的侧壁的内表面倾斜向上突出形成支撑基板正面边缘的支撑部。密封件包括底部、外壁和内壁，内壁设有唇形密封部，密封件的底部和外壁分别包裹住杯形夹盘基部的底壁和侧壁的外表面，唇形密封部包裹杯形夹盘的支撑部以密封基板正面的边缘。竖直驱动设备与夹盘板连接，竖直驱动设备驱动夹盘板下降或上升，以使夹盘板压在基板的背面来夹持基板或使夹盘板离开基板的背面。

5. 发明专利

TW201301353A 用於半導體矽片上深孔均勻金屬互連的方法與裝置审中-公开
简体标题：用于半导体硅片上深孔均匀金属互连的方法与设备
公开(公告)号：TW201301353A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100122276
申请日：2011-06-24
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 馬悅 , MA, YUE , 何川 , HE, CHUAN , 王希 , WANG, XI
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/607
摘要：本發明揭示了一種用於以電解液金屬化矽片的設備。該設備包括：一個浸入式腔體，盛放金屬鹽電解液；至少一個電極與至少一個電源相連接；一個導電的矽片固持裝置固持至少一片矽片，將其可導電的一面面向至少一個電極，並且經固持裝置導電；一個振動驅動裝置，以一定振幅與頻率，沿軸向振動矽片固持裝置；至少一個超聲裝置放置於金屬化設備中，其工作頻率與聲強強度可控；至少一個超聲能量激發器，與超聲裝置相連；至少一個金屬鹽電解液供給進口；至少一個金屬鹽電解液排放出口。
简体摘要：本发明揭示了一种用于以电解液金属化硅片的设备。该设备包括：一个浸入式腔体，盛放金属盐电解液；至少一个电极与至少一个电源相连接；一个导电的硅片固持设备固持至少一片硅片，将其可导电的一面面向至少一个电极，并且经固持设备导电；一个振动驱动设备，以一定振幅与频率，沿轴向振动硅片固持设备；至少一个超声设备放置于金属化设备中，其工作频率与声强强度可控；至少一个超声能量激发器，与超声设备相连；至少一个金属盐电解液供给进口；至少一个金属盐电解液排放出口。

6. 发明专利

TWI663676B 載鎖腔及使用該載鎖腔處理基板的方法有权
简体标题：载锁腔及使用该载锁腔处理基板的方法
公开(公告)号：TWI663676B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW102127451
申请日：2013-07-31
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 何增華 , HE, ZENGHUA , 方志友 , FANG, ZHIYOU , 賈照偉 , JIA, ZHAOWEI , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/673 , B65G49/07

7. 发明专利

TW201726984A 在恒壓模式下電化學拋光的方法审中-公开
简体标题：在恒压模式下电化学抛光的方法
公开(公告)号：TW201726984A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134797
申请日：2016-10-27
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： C25F3/22
CPC分类号： C25F3/22 , C25F7/00
摘要：本發明揭示了一種在恒壓模式下電化學抛光的方法，該方法包括：預設一個具有電流分佈的恒流配方，包括晶圓上具有不同半徑的多個位置以及為每個位置預設的電流；使用恒流配方抛光第一晶圓；在抛光過程中檢測並記錄每個位置的電壓；生成具有電壓分佈的恒壓配方，包括多個位置以及對應每個位置記錄的電壓；使用恒壓配方抛光第二晶圓。
简体摘要：本发明揭示了一种在恒压模式下电化学抛光的方法，该方法包括：默认一个具有电流分布的恒流配方，包括晶圆上具有不同半径的多个位置以及为每个位置默认的电流；使用恒流配方抛光第一晶圆；在抛光过程中检测并记录每个位置的电压；生成具有电压分布的恒压配方，包括多个位置以及对应每个位置记录的电压；使用恒压配方抛光第二晶圆。

8. 发明专利

TW201408569A 載鎖腔及使用該載鎖腔處理基板的方法审中-公开
简体标题：载锁腔及使用该载锁腔处理基板的方法
公开(公告)号：TW201408569A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102127451
申请日：2013-07-31
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 何增華 , HE, ZENGHUA , 方志友 , FANG, ZHIYOU , 賈照偉 , JIA, ZHAOWEI , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： B65G49/07
摘要：本發明公開了一種載鎖腔，包括：腔室，所述腔室具有第一真空閥門和第二真空閥門；夾盤，所述夾盤具有收容於所述腔室的夾座，所述夾座用於放置基板，所述夾座的外邊緣設有至少兩個凹槽；支撐架，所述支撐架收容於所述腔室並位於所述夾座的上方，所述支撐架具有至少兩個連接部，每個連接部向所述支撐架的軸心方向水平凸伸出數個支撐台，每一支撐台具有一承載部，所述承載部位於所述夾座的凹槽內，各連接部上同一層的承載部與所述夾座平行並能托住一片基板；以及至少一升降機構，用於升高或降低所述支撐架的連接部。本發明載鎖腔結構簡單，能夠處理多片基板，因此提高了工藝效率。本發明還公開了使用該載鎖腔處理基板的方法。
简体摘要：本发明公开了一种载锁腔，包括：腔室，所述腔室具有第一真空阀门和第二真空阀门；夹盘，所述夹盘具有收容于所述腔室的夹座，所述夹座用于放置基板，所述夹座的外边缘设有至少两个凹槽；支撑架，所述支撑架收容于所述腔室并位于所述夹座的上方，所述支撑架具有至少两个连接部，每个连接部向所述支撑架的轴心方向水平凸伸出数个支撑台，每一支撑台具有一承载部，所述承载部位于所述夹座的凹槽内，各连接部上同一层的承载部与所述夹座平行并能托住一片基板；以及至少一直升电梯构，用于升高或降低所述支撑架的连接部。本发明载锁腔结构简单，能够处理多片基板，因此提高了工艺效率。本发明还公开了使用该载锁腔处理基板的方法。

9. 发明专利

TW202011473A 半導體基板清洗裝置审中-公开
简体标题：半导体基板清洗设备
公开(公告)号：TW202011473A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW107131192
申请日：2018-09-05
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 陶曉峰 , TAO, XIAOFENG , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 賈社娜 , JIA, SHE-NA , 王希 , WANG, XI , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： H01L21/304 , B08B3/00
摘要：本發明揭示了一種半導體基板清洗裝置。裝置包括腔室、卡盤、液體收集器、圍牆、至少一個驅動裝置、至少一個內部分配器及至少一個外部分配器。腔室具有頂壁、側壁和底壁。卡盤設置在腔室內用來保持半導體基板。液體收集器圍繞著卡盤。圍牆圍繞著液體收集器。所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆上下移動，其中，當所述的至少一個驅動裝置驅動圍牆向上移動時，由液體收集器、圍牆、腔室的頂壁及腔室的底壁形成密封室。所述的至少一個內部分配器設置在該密封室內。所述的至少一個外部分配器設置在該密封室外。在使圍牆向下移動後，所述的至少一個外部分配器能進、出該密封室。
简体摘要：本发明揭示了一种半导体基板清洗设备。设备包括腔室、卡盘、液体收集器、围墙、至少一个驱动设备、至少一个内部分配器及至少一个外部分配器。腔室具有顶壁、侧壁和底壁。卡盘设置在腔室内用来保持半导体基板。液体收集器围绕着卡盘。围墙围绕着液体收集器。所述的至少一个驱动设备驱动围墙上下移动，其中，当所述的至少一个驱动设备驱动围墙向上移动时，由液体收集器、围墙、腔室的顶壁及腔室的底壁形成密封室。所述的至少一个内部分配器设置在该密封室内。所述的至少一个外部分配器设置在该密封室外。在使围墙向下移动后，所述的至少一个外部分配器能进、出该密封室。

10. 发明专利

TW201826321A 晶圓清洗裝置和方法审中-公开
简体标题：晶圆清洗设备和方法
公开(公告)号：TW201826321A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106100322
申请日：2017-01-05
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 吳均 , WU, JUN , 王暉 , WANG, HUI , 陳福平 , CHEN, FU-PING
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/687 , B08B11/02 , B08B3/04
摘要：本發明揭示了一種清洗封裝晶圓的裝置，該裝置包括：承載至少兩片晶圓的卡盤，該至少兩片晶圓與卡盤的中心有一段距離，每片晶圓的表面有多個微小結構；驅動卡盤轉動的驅動裝置；至少一個向晶圓噴灑流體以清洗或乾燥晶圓的噴嘴。本發明還揭示了一種晶圓清洗方法，該方法包括：在卡盤上裝載至少兩片晶圓，該至少兩片晶圓與卡盤的中心有一段距離，每片晶圓的表面有多個微小結構；驅動卡盤轉動；向晶圓噴灑流體以清洗或乾燥晶圓。
简体摘要：本发明揭示了一种清洗封装晶圆的设备，该设备包括：承载至少两片晶圆的卡盘，该至少两片晶圆与卡盘的中心有一段距离，每片晶圆的表面有多个微小结构；驱动卡盘转动的驱动设备；至少一个向晶圆喷洒流体以清洗或干燥晶圆的喷嘴。本发明还揭示了一种晶圆清洗方法，该方法包括：在卡盘上装载至少两片晶圆，该至少两片晶圆与卡盘的中心有一段距离，每片晶圆的表面有多个微小结构；驱动卡盘转动；向晶圆喷洒流体以清洗或干燥晶圆。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式